JPH0493040A - Film carrier tape - Google Patents

Film carrier tape

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JPH0493040A
JPH0493040A JP20992690A JP20992690A JPH0493040A JP H0493040 A JPH0493040 A JP H0493040A JP 20992690 A JP20992690 A JP 20992690A JP 20992690 A JP20992690 A JP 20992690A JP H0493040 A JPH0493040 A JP H0493040A
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JP
Japan
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carrier tape
film
metal foil
film carrier
base film
Prior art date
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Pending
Application number
JP20992690A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Yamashita
力 山下
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication of JPH0493040A publication Critical patent/JPH0493040A/en
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Abstract

PURPOSE:To accurately bond a pad on a printed-circuit board or the like to a lead of a semiconductor chip by a method wherein a base film constituting a film carrier tape has a structure in which an insulating film and a metal foil are included. CONSTITUTION:A base film 10 constituting a film carrier tape has a structure in which a metal foil 3 of, e.g. copper or the like is included in its central part and in which polyimide layers 1 are bonded to its upper part and its lower part by using an adhesive 2A of, e.g. an epoxy resin. A metal foil 4 which forms a lead part is bonded to the base film 10 via an adhesive 2 by a treatment such as a lamination treatment or the like. Thereby, the film carrier tape is constituted. When the metal foil 4 of Cu or the like is formed in the central part and an IL bonding operation is executed, the heating shrinkage amount of the film carrier tape by heat is only the influence by the adhesives 2, 2A and its heating shrinkage can be reduced to about 0.01 % or lower.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフィルムキャリアテープに関し、特にベースフ
ィルムの構造に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a film carrier tape, and in particular to the structure of a base film.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のフィルムキャリアテープは、第4図の平面図及び
第5図の断面図に示すように、搬送及び位置決め用のス
プロケットホール5と半導体チップが入る開孔部である
デバイスホール6を有するポリイミド層1等の絶縁フィ
ルムをベースフィルムとし、このベースフィルム上に銅
等の金属箔4を接着剤2により接着し、金属箔をエツチ
ング等により所望の形状のインナーリード4A、アウタ
ーリード4Bと電気選別のためのパッド8とを形成した
ものである。そしてこのリードと半導体チップの電極端
子」二にあらかじめ設けた金属突起物であるバンプとを
熱圧着法又は共晶法等によりインナーリード(以下IL
と記す)ボンインクし、フィルムキャリアテープの状態
で電気選別バイアステストを実施し、次にリートを所望
の長さに切断する。このときり−1・数が多い多数ピン
の場合はリードのアウターリード(以下OLと記す)ホ
ンディンク部のばらけを防止するため、フィルムキャリ
テープを構成しているポリイミド等の絶縁フィルムをア
ウターリード4Bの外端に残す方法か採用されることが
多い。ついて例えば、プリント基板やリードフレーム上
のポンディンクパッ1〜にOLポンディングを行なう。
As shown in the plan view of FIG. 4 and the cross-sectional view of FIG. 5, the conventional film carrier tape is made of a polyimide layer having sprocket holes 5 for conveyance and positioning and device holes 6 that are openings for semiconductor chips. A first grade insulating film is used as a base film, and a metal foil 4 made of copper or the like is adhered to the base film using an adhesive 2. The metal foil is etched to form inner leads 4A, outer leads 4B and electrically selected shapes into desired shapes. A pad 8 is formed for this purpose. Then, these leads and bumps, which are metal protrusions provided in advance on the electrode terminals of the semiconductor chip, are bonded to inner leads (hereinafter referred to as IL) using a thermocompression bonding method or a eutectic method.
The film carrier tape is then subjected to an electrical selection bias test, and the reed is then cut to the desired length. In this case, in the case of multiple pins with a large number of pins, in order to prevent the outer lead (hereinafter referred to as OL) of the lead from coming apart, attach an insulating film such as polyimide that makes up the film carrier tape to the outer lead. A method of leaving it at the outer edge of 4B is often adopted. For example, OL bonding is performed on bond pads 1 to 1 on a printed circuit board or lead frame.

上記の様なフィルムキャリアテープは、各ホンディング
がリードの数と無関係に一度て可能であるため、各ホン
ディングのスピードが速いこと、またボンディング等の
組立と、電気選別作業の自動化か図れ、半導体装置の量
産性が優れている等の利点を有している。
With the above-mentioned film carrier tape, each bonding can be done once regardless of the number of leads, so the speed of each bonding is fast, and the assembly of bonding and electrical sorting can be automated. It has advantages such as excellent mass productivity of semiconductor devices.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来のフィルムキャリアを使用し、フィルムキ
ャリアのインナーリー1〜と半導体チップ」二のハンプ
との接着を行う場合には、400〜500℃の熱が必要
である。この熱てILポンティングを行なうと、熱がリ
ートを介してフィルムキャリアの絶縁フィルムに伝わり
、絶縁フィルムの加熱収縮が発生する。この量は例えば
ポリイミドフィルムの場合、250℃30分て約0.3
%である。フィルキャリアの場合I Lボンデインクの
時間は数秒であるが熱が400〜50o′cのなめ同様
に約03%の加熱収縮が起こり、例えはデバイスホール
の一辺の長さか10mmの長さのとき、約30μmの収
縮か起こることになる。ここてアラターリ−1〜4Bの
り−1へ数が200〜300本以上、ピッチが1.50
Jim以下のとき、端リード部は22.5〜33,8μ
m収縮してしまうため、OLボンデインクのときリード
がプリン1へ基板等の隣りのOLホンティンク°パッド
とショートしてしまうという欠点がある。
When using the above-mentioned conventional film carrier and bonding the inner 1 to 2 humps of the film carrier and the hump of the semiconductor chip 2, heat of 400 to 500° C. is required. When this heated IL porting is performed, the heat is transmitted to the insulating film of the film carrier through the leat, causing heat shrinkage of the insulating film. For example, in the case of polyimide film, this amount is approximately 0.3 at 250°C for 30 minutes.
%. In the case of a fill carrier, the time of I L bonding ink is several seconds, but the heat shrinkage of about 0.3% occurs in the same way as when the heat is 400 to 50 o'C.For example, when the length of one side of the device hole is 10 mm, A shrinkage of approximately 30 μm will occur. Here, the number is 200 to 300 or more and the pitch is 1.50 to Aratali-1 to 4B glue-1.
When below Jim, the end lead part is 22.5 to 33.8μ
Because of the shrinkage, there is a drawback that when using OL bonding, the lead may short-circuit with the OL bonding pad adjacent to the printed circuit board 1 or the like.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のフィルムキャリアテープは、ベースフィルムと
、このベースフィルムに接着された金属箔とを存するフ
ィルムキャリアテープにおいて、前記ベースフィルムは
絶縁性フィルムと金属箔とから構成されているものであ
る。
The film carrier tape of the present invention includes a base film and a metal foil adhered to the base film, wherein the base film is composed of an insulating film and a metal foil.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of the invention.

フィルムキャリアテープを構成するベースフィルム10
は、その中心部に例えば銅等の金属箔3が有り、その上
下に例えはエポキシ樹脂等の接着剤2Aによりボリイミ
1〜Jr4 ]を接着した構造となっている。このベー
スフィルム1o上に接着剤2を介してリード部を形成す
る金属箔4をラミネート等の処理により接着することに
よりフィルムキャリアテープが構成される。
Base film 10 constituting the film carrier tape
has a metal foil 3 made of, for example, copper at its center, and the polyurethane molds 1 to Jr4 are bonded above and below it with an adhesive 2A such as epoxy resin. A film carrier tape is constructed by adhering a metal foil 4 forming a lead portion onto this base film 1o via an adhesive 2 through a process such as lamination.

このベースフィルム10は中心に金属箔3が含まれてい
るが、フィルムキャリアテープの製造方法は従来のいわ
ゆる3層テープと同一の方法で製造する事が可能である
This base film 10 includes a metal foil 3 in the center, and the film carrier tape can be manufactured in the same manner as the conventional so-called three-layer tape.

このようにベースフィルムとして従来は、ポリイミド等
の絶縁フィルムのみの構成て使用していたが、中心部に
Cu等の金属箔3を設けることによりILホンディング
を行った場合の熱によるフィルムキャリアテープの加熱
収縮量は、接着剤2.2Aの影響のみとなり、その加熱
収縮は約0.01%以下におさえることが可能となる。
In this way, conventionally, only an insulating film such as polyimide was used as a base film, but by providing a metal foil 3 such as Cu in the center, it is possible to use a film carrier tape by heat when performing IL bonding. The amount of heat shrinkage is only affected by the adhesive 2.2A, and the heat shrinkage can be suppressed to about 0.01% or less.

この効果によりプリント基板上等のOLポンディングパ
ッドと半導体チップのアウターリードのホンディング部
とのショートは発生しないという利点かある。
This effect has the advantage that no short circuit occurs between the OL bonding pad on the printed circuit board and the bonding portion of the outer lead of the semiconductor chip.

第2図及び第3図は本発明の第2の実施例の断面図及び
平面図である。
FIGS. 2 and 3 are a sectional view and a plan view of a second embodiment of the present invention.

本節2の実施例においては、フィルムキャリアテープを
構成するベースフィルム]、OAは、金属箔3に接着剤
2Aにより接着されたポリイミド層1で構成される。そ
してフィルムキャリアテープは、このベースフィルム]
、OA上に接着剤2を介してリート等を形成する金属箔
4が設けられ更にデバイスホール6近辺に接着剤2を介
してポリイミド層1と接着剤2人と金属箔3で構成され
るリング状のベースフィルムに相当する枠7を設けた構
造となっている。この枠7は従来の3層テープの製法て
、パターンのエツチング後、又はリード等の金又はすす
等のメツキ処理後に接着して固定する。
In the embodiment of Section 2, the base film constituting the film carrier tape] OA is composed of a polyimide layer 1 adhered to a metal foil 3 with an adhesive 2A. And the film carrier tape is this base film]
, a metal foil 4 forming a reed or the like is provided on the OA via an adhesive 2, and a ring composed of a polyimide layer 1, two adhesives, and a metal foil 3 is provided near the device hole 6 via an adhesive 2. It has a structure in which a frame 7 corresponding to a shaped base film is provided. This frame 7 is bonded and fixed using the conventional three-layer tape manufacturing method after etching the pattern or plating the leads with gold or soot.

このような構成によるフィルムキャリアテープによりI
 Lボンディングを行った場合の熱は、ベースフィルム
IOAの金属箔3及び枠の金属箔3が存在するために効
率良く放散されることになり、接着剤2,2Aやポリイ
ミド層1の熱による寸法変化量、つまり加熱収縮量は約
0.01%以下におさえることが可能となる。この効果
により多数ピン、狭ピッチの○Lポンチインク作業か効
率よ〈実施可能となる。
With the film carrier tape having such a structure, I
Heat when L bonding is performed is efficiently dissipated due to the presence of the metal foil 3 of the base film IOA and the metal foil 3 of the frame, and the dimensions due to the heat of the adhesive 2, 2A and the polyimide layer 1. The amount of change, that is, the amount of heat shrinkage, can be suppressed to about 0.01% or less. This effect makes it possible to perform OL punch ink work with multiple pins and narrow pitches more efficiently.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、フィルムキャリアテープ
を構成するヘースフィルムを絶縁性フィルムと金属箔を
含む構造とすることにより、I Lボンティングを行っ
た場合の熱によるフィルムキャリアテープの加熱収縮量
を減少さぜることかてきるため、プリン1へ基板上等の
パッドと半導体チップのリードとのホンティングを正確
に行うことがてきるという効果がある。
As explained above, the present invention has a structure in which the heat film constituting the film carrier tape includes an insulating film and a metal foil, thereby reducing heat shrinkage of the film carrier tape due to heat during IL bonding. Since the amount can be reduced, there is an effect that the mounting of the pads on the substrate and the leads of the semiconductor chip to the print 1 can be performed accurately.

特にフィルムキャリアテープで高密度実装を要求される
フィルムキャリアテープ、例えばリート数が250本以
上、リードピッチか140μm以下でリート部の寸法精
度及び組立上のアライメント精度が要求される品種では
、本発明の効果は著しいものとなる。
In particular, the present invention can be applied to film carrier tapes that require high-density packaging, such as products that require 250 or more leats, a lead pitch of 140 μm or less, and dimensional accuracy of the leat portion and alignment accuracy during assembly. The effect will be significant.

図及び第3図は本発明の第2の実施例の断面図及び平面
図、第4図及び第5図は従来例の平面図及び断面図であ
る。
3 and 3 are a sectional view and a plan view of a second embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are a plan view and a sectional view of a conventional example.

1・・ボッ451〜層、2,2A・・接着剤、34金属
箔、4A・・インナーリート、4B・・アラターリ−1
〜、5・・スプロケットホール、6・・デバイスポール
、7・・枠、8・パラ1〜、]、0.10A−・ヘース
フィルム。
1...Bottle 451 ~ layer, 2,2A...adhesive, 34 metal foil, 4A...inner lead, 4B...interleave 1
~, 5... Sprocket hole, 6... Device pole, 7... Frame, 8... Para 1 ~, ], 0.10A-- Heath film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  ベースフィルムと、このベースフィルムに接着された
金属箔とを有するフィルムキャリアテープにおいて、前
記ベースフィルムは絶縁性フィルムと金属箔とから構成
されていることを特徴とするフィルムキャリアテープ。
A film carrier tape comprising a base film and a metal foil adhered to the base film, wherein the base film is composed of an insulating film and a metal foil.
JP20992690A 1990-08-08 1990-08-08 Film carrier tape Pending JPH0493040A (en)

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JP20992690A JPH0493040A (en) 1990-08-08 1990-08-08 Film carrier tape

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0239448A (en) * 1988-07-28 1990-02-08 Nec Corp Film carrier tape

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0239448A (en) * 1988-07-28 1990-02-08 Nec Corp Film carrier tape

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