JPH0493045A - 拡がり抵抗測定装置 - Google Patents
拡がり抵抗測定装置Info
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- JPH0493045A JPH0493045A JP20982890A JP20982890A JPH0493045A JP H0493045 A JPH0493045 A JP H0493045A JP 20982890 A JP20982890 A JP 20982890A JP 20982890 A JP20982890 A JP 20982890A JP H0493045 A JPH0493045 A JP H0493045A
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- semiconductor
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- semiconductor wafer
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は拡がり抵抗測定装置に関するものである。
従来、半導体基板内部のＰ／Ｎ接合の位置や、エピタキ
シャル層の厚さなどを測定するにあたり、第３図に示す
ように、半導体ウェハより切り出した試料１７を、浅い
角度１８で斜め研磨し、その表面１９上に二本の探針２
０を接触させ、定電圧電源２ ］、により定電圧を印加
した際の電流値を電流計２２により読み取り、そこから
オームの法則によって抵抗を導き、この操作をあるステ
ップで繰り返すことによって、順に拡がり抵抗値を求め
るというものであった。
シャル層の厚さなどを測定するにあたり、第３図に示す
ように、半導体ウェハより切り出した試料１７を、浅い
角度１８で斜め研磨し、その表面１９上に二本の探針２
０を接触させ、定電圧電源２ ］、により定電圧を印加
した際の電流値を電流計２２により読み取り、そこから
オームの法則によって抵抗を導き、この操作をあるステ
ップで繰り返すことによって、順に拡がり抵抗値を求め
るというものであった。
しかし、前述の従来技術では、試料を半導体ウェハより
切り出し、斜め研磨をしなければならないために、ウェ
ハ状態を保ったまま拡がり抵抗測定をすることは不可能
であり、また大気中にて拡がり抵抗測定を行うために、
試料表面に自然酸化膜が発生し、測定精度が劣化すると
いう課題を有していた。
切り出し、斜め研磨をしなければならないために、ウェ
ハ状態を保ったまま拡がり抵抗測定をすることは不可能
であり、また大気中にて拡がり抵抗測定を行うために、
試料表面に自然酸化膜が発生し、測定精度が劣化すると
いう課題を有していた。
そこで、本発明ではこの様な課題を解決するために、拡
がり抵抗測定機能とエツチング機能を有し、真空中にて
拡がり抵抗測定と、乾式エツチングによる測定領域の研
削を繰り返し行うことによって、試料を半導体ウェハよ
り切り出すことなく、ウェハ状態を保ったままで非破壊
的に、深さ方向の拡がり抵抗測定を行い、また試料表面
の自然酸化膜の発生を防くことにより、測定精度を高め
ることを目的としている。
がり抵抗測定機能とエツチング機能を有し、真空中にて
拡がり抵抗測定と、乾式エツチングによる測定領域の研
削を繰り返し行うことによって、試料を半導体ウェハよ
り切り出すことなく、ウェハ状態を保ったままで非破壊
的に、深さ方向の拡がり抵抗測定を行い、また試料表面
の自然酸化膜の発生を防くことにより、測定精度を高め
ることを目的としている。
本発明の拡がり抵抗測定装置は、拡がり抵抗測定装置に
おいて、拡がり抵抗測定機能とエツチング機能を有し、
真空中にて拡がり抵抗測定と、乾式エツチングによる測
定領域の研削を繰り返し行うことを特徴とする。
おいて、拡がり抵抗測定機能とエツチング機能を有し、
真空中にて拡がり抵抗測定と、乾式エツチングによる測
定領域の研削を繰り返し行うことを特徴とする。
また、乾式エツチングによる試料温度の上昇を防ぐため
、冷却機能を有することを特徴とする。
、冷却機能を有することを特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図において、エツチング室］内にウェハ台２上に半導体
ウェハ３を置き、排気系４より排気し真空状態に保つ。
図において、エツチング室］内にウェハ台２上に半導体
ウェハ３を置き、排気系４より排気し真空状態に保つ。
イオン源５より放出されたイオン種にガス源６より放出
されたガス分子を衝突させ、これをイオン銃７て加速し
半導体ウェハ３に照射することによってイオンビームエ
ツチングを行う。更に、半導体ウェハ３に二探針８を接
触させ、定電圧電源９により定電圧を印加した際の電流
値を電流計１０により読み取り、そこからオームの法則
によって二探針の間の抵抗を導き、拡がり抵抗値を求め
る。
されたガス分子を衝突させ、これをイオン銃７て加速し
半導体ウェハ３に照射することによってイオンビームエ
ツチングを行う。更に、半導体ウェハ３に二探針８を接
触させ、定電圧電源９により定電圧を印加した際の電流
値を電流計１０により読み取り、そこからオームの法則
によって二探針の間の抵抗を導き、拡がり抵抗値を求め
る。
第２図は、本発明の実施例のフローにそった被測定物の
主要断面図である。まず、第２図（ａ）の様に、全ての
加工を終了し半導体集積回路装置が完成した、チップ切
り出し前の半導体ウェハを用意する。次に、第２図（ｂ
）の様に半導体ウェハを本発明の拡がり抵抗測定装置の
エツチング室に置き、測定領域上の絶縁膜１２をイオン
ビームエツチング法にて研削し、半導体基板］３を露出
させ、第２図（ｃ）の様に、半導体基板表面］４上に二
探針］−５を接触させ、半導体基板表面の拡がり抵抗値
を求める。更に、第２図（ｄ）の様に、半導体ウェハの
測定領域を半導体基板表面］４から深さ１６相当の領域
まで、イオンビームエツチング法にて研削し、第２図（
ｅ）の様に、測定領域に二探針］５を接触させ、半導体
基板表面１４から深さ１６相当深い領域の拡がり抵抗値
を求める。以下、上記（ｄ）〜（ｅ）を目的の深さまで
繰り返し行うことにより、試料を半導体ウェハより切り
出すことなく、また斜め研磨をすることなく、ウェハ状
態を保ったままで非破壊的に深さ方向の拡がり抵抗測定
を行い、また、試料表面の自然酸化膜の発生を防くこと
により、測定の精度を高め、イオンビームエツチング法
を用いることにより、測定領域の半導体基板表面からの
深さを精度良く制御することを可能にした。
主要断面図である。まず、第２図（ａ）の様に、全ての
加工を終了し半導体集積回路装置が完成した、チップ切
り出し前の半導体ウェハを用意する。次に、第２図（ｂ
）の様に半導体ウェハを本発明の拡がり抵抗測定装置の
エツチング室に置き、測定領域上の絶縁膜１２をイオン
ビームエツチング法にて研削し、半導体基板］３を露出
させ、第２図（ｃ）の様に、半導体基板表面］４上に二
探針］−５を接触させ、半導体基板表面の拡がり抵抗値
を求める。更に、第２図（ｄ）の様に、半導体ウェハの
測定領域を半導体基板表面］４から深さ１６相当の領域
まで、イオンビームエツチング法にて研削し、第２図（
ｅ）の様に、測定領域に二探針］５を接触させ、半導体
基板表面１４から深さ１６相当深い領域の拡がり抵抗値
を求める。以下、上記（ｄ）〜（ｅ）を目的の深さまで
繰り返し行うことにより、試料を半導体ウェハより切り
出すことなく、また斜め研磨をすることなく、ウェハ状
態を保ったままで非破壊的に深さ方向の拡がり抵抗測定
を行い、また、試料表面の自然酸化膜の発生を防くこと
により、測定の精度を高め、イオンビームエツチング法
を用いることにより、測定領域の半導体基板表面からの
深さを精度良く制御することを可能にした。
尚、第１図に示す様にエツチング室１内のウェハ台２に
水冷循環器］１を取り付けることによって、イオンビー
ムエツチングによる半導体ウェハの温度上昇を防ぎ、測
定精度をより高めることが可能である。
水冷循環器］１を取り付けることによって、イオンビー
ムエツチングによる半導体ウェハの温度上昇を防ぎ、測
定精度をより高めることが可能である。
以上述べた様に本発明によれば、拡がり抵抗側定罫描に
おいて、拡がり抵抗測定機能とエツチング機能を有し、
真空中にて拡がり抵抗測定と、乾式エツチングによる測
定領域の研削を繰り返し行うことによって、試料を半導
体ウェハより切り出すことなく、また、斜め研磨をする
ことなく、ウェハ状態を保ったまま非破壊的に深さ方向
の拡がり抵抗測定を行い、また、試料表面の自然酸化膜
の発生を防くことにより、測定の精度を高め、イオンビ
ームエツチング法を用いることにより、測定領域の深さ
を精度良く制御することを可能にする効果を有する。
おいて、拡がり抵抗測定機能とエツチング機能を有し、
真空中にて拡がり抵抗測定と、乾式エツチングによる測
定領域の研削を繰り返し行うことによって、試料を半導
体ウェハより切り出すことなく、また、斜め研磨をする
ことなく、ウェハ状態を保ったまま非破壊的に深さ方向
の拡がり抵抗測定を行い、また、試料表面の自然酸化膜
の発生を防くことにより、測定の精度を高め、イオンビ
ームエツチング法を用いることにより、測定領域の深さ
を精度良く制御することを可能にする効果を有する。
更に、上記波がり抵抗測定装置において、冷却機能を有
することによって、イオンビームエツチングによる半導
体ウェハの温度上昇を防ぎ、測定精度をより高める効果
を有する。
することによって、イオンビームエツチングによる半導
体ウェハの温度上昇を防ぎ、測定精度をより高める効果
を有する。
第１図は本発明の拡がり抵抗測定装置の説明図であり、
第２図は本発明の一実施例のフローに基づく被測定物の
主要断面図であり、第３図は従来例の説明図である。 １−９・・・・・・・・研磨面 １・・・・・・・・エツチング室 ２・・・・・・・・ウェハ台 ３・・・・・・・・半導体ウェハ ４・・・・・・・・排気系 ５・・・・・・・・イオン源 ６・・・・・・・・ガス源 ７・・・・・・・・イオン銃 ８．１５．２０・・二探針 ９．２１・・・・・定電圧電源 １０．２２・・・・・電流計 １１・・・・・・・・水冷循環器 １２・・・・・・・・絶縁膜 １３・・・・・・・・半導体基板 ］４・・・・・・・・半導体基板表面 １６・・・・・・・・半導体基板表面からの深さ １７・・・・・・・・試料 ］８・・・・・・・・研磨角度 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他］名）＄二゛− 」 ／７ 註尉 ＋３１辺
第２図は本発明の一実施例のフローに基づく被測定物の
主要断面図であり、第３図は従来例の説明図である。 １−９・・・・・・・・研磨面 １・・・・・・・・エツチング室 ２・・・・・・・・ウェハ台 ３・・・・・・・・半導体ウェハ ４・・・・・・・・排気系 ５・・・・・・・・イオン源 ６・・・・・・・・ガス源 ７・・・・・・・・イオン銃 ８．１５．２０・・二探針 ９．２１・・・・・定電圧電源 １０．２２・・・・・電流計 １１・・・・・・・・水冷循環器 １２・・・・・・・・絶縁膜 １３・・・・・・・・半導体基板 ］４・・・・・・・・半導体基板表面 １６・・・・・・・・半導体基板表面からの深さ １７・・・・・・・・試料 ］８・・・・・・・・研磨角度 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他］名）＄二゛− 」 ／７ 註尉 ＋３１辺
Claims (2)
- （１）拡がり抵抗測定装置において、拡がり抵抗測定機
能とエッチング機能を有し、真空中にて拡がり抵抗測定
と、乾式エッチングによる測定領域の研削を繰り返し行
うことを特徴とする拡がり抵抗測定装置。 - （２）請求項１記載の拡がり抵抗測定装置において、冷
却機能を有することを特徴とする拡がり抵抗測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20982890A JPH0493045A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 拡がり抵抗測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20982890A JPH0493045A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 拡がり抵抗測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493045A true JPH0493045A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16579293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20982890A Pending JPH0493045A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 拡がり抵抗測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493045A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8316557B2 (en) * | 2006-10-04 | 2012-11-27 | Varco I/P, Inc. | Reclamation of components of wellbore cuttings material |
| CN104204786A (zh) * | 2012-01-16 | 2014-12-10 | 苏泰克公司 | 检测用于射频应用的半导体基板的方法和装置 |
| US9073104B2 (en) | 2008-08-14 | 2015-07-07 | National Oilwell Varco, L.P. | Drill cuttings treatment systems |
| US9079222B2 (en) | 2008-10-10 | 2015-07-14 | National Oilwell Varco, L.P. | Shale shaker |
| JP2017040543A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 富士通株式会社 | 方法及び装置 |
| US9643111B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-05-09 | National Oilwell Varco, L.P. | Vector maximizing screen |
| US9677353B2 (en) | 2008-10-10 | 2017-06-13 | National Oilwell Varco, L.P. | Shale shakers with selective series/parallel flow path conversion |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP20982890A patent/JPH0493045A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8316557B2 (en) * | 2006-10-04 | 2012-11-27 | Varco I/P, Inc. | Reclamation of components of wellbore cuttings material |
| US9073104B2 (en) | 2008-08-14 | 2015-07-07 | National Oilwell Varco, L.P. | Drill cuttings treatment systems |
| US9079222B2 (en) | 2008-10-10 | 2015-07-14 | National Oilwell Varco, L.P. | Shale shaker |
| US9677353B2 (en) | 2008-10-10 | 2017-06-13 | National Oilwell Varco, L.P. | Shale shakers with selective series/parallel flow path conversion |
| CN104204786A (zh) * | 2012-01-16 | 2014-12-10 | 苏泰克公司 | 检测用于射频应用的半导体基板的方法和装置 |
| US9643111B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-05-09 | National Oilwell Varco, L.P. | Vector maximizing screen |
| US10556196B2 (en) | 2013-03-08 | 2020-02-11 | National Oilwell Varco, L.P. | Vector maximizing screen |
| JP2017040543A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 富士通株式会社 | 方法及び装置 |
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