JPH0495332A

JPH0495332A - 放電電極

Info

Publication number: JPH0495332A
Application number: JP2203446A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Koiwa; 一郎小岩; Yoshitaka Terao; 芳孝寺尾; Hideo Sawai; 澤井　秀夫; Hiromi Kobayashi; 広美小林
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1990-07-31
Filing date: 1990-07-31
Publication date: 1992-03-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は放電電極に間する。

（従来の技術）従来より、ガス放電を利用して発光表示を行なうように
したプラズマデイスプレィパネルが提案されている。こ
のパネルは放電ガス中に封し込めた陰極及び閉極の間に
電圧を印加することによってガス放電を発生させるもの
であり、その駆動法に着目すれば、ＡＣ型のものとＤＣ
型のものとに大別される。ＤＣ型のパネルは駆動回路が
比較的簡単であるという特ｙ１を有し、ＤＣ型のパネル
の研究開発がより活発に行なわれでいる。

このＤＣ型のパネルでは、陰極表面か放電空間に直接露
出する構造となるためネオン−アルゴン等の放電ガスの
電離によって生したイオンにより陰極がスパッタリング
されるが、このスパッタリングかパネル寿命の短命化を
招く大きな原因となっている。

そこで陰極材料としてスパッタ率の小さい材料の検討や
、スバ・ンタワング防止のために放電空間内に水銀を封
入することが行なわれでいる。

（発明が解決しようとする課題）現在、スパッタ率の小さい陰極材料として六ホウ化ラン
タン（ＬａＢｇ）か５主目されている。六ホウ化ランタ
ンで陰極を構成した場合、水銀を封入しないと放電を続
ける放電セルの発光領域は徐々に小ざくなつ発光領域が
放電セルの局所に偏在してしまうが、放電空間内に水銀
を封入すれば放電集中を緩和して発光領域の偏在を少な
くし或はなくせる。しかし水銀の封入は、その封入作業
が必要であり作業工程の複雑化を招くという問題点やパ
ネル破項時に水銀汚染か生しる等の安全上の問題点を生
しる。

尚、六ホウ化ランタンを陰極材料とした研究報告として
は例えば文献Ｉ：１１子情報通信学会技術報告　ＥＩＤ
８７−７３　（１９８７）や、文献■：テレビジョン学
会技術報告　ｖｏｌ、１２Ｎｏ、４９　　ｐ、４３−４
８　（１９８８）！９照されたい。

また量産に有利な厚膜印刷法で陰極を形成するのに適し
た陰極材料としてニッケルか′広く用いられているが、
スパッタ率の高いニッケルを陰極材料とする場合には、
放電集中に起因するスパッタリングを防止するため放電
空間内に水銀を封入して放電集中を緩和しニッケルのス
パッタによる損傷を防止する。しかしながらカラーパネ
ル用の放電ガス例えばＨｅ−Ｋｒ系或はＨｅ−Ｘｅ−Ｋ
ｒ系の放電ガスを用いる場合には水銀を封入しでも芙用
土満足できる長さのパネル寿命を得ることかできす、ま
た水銀封入は上述のように工程の複雑化や安全上の問題
そ生しる。

この発明の目的は上述した従来の問題点を解決するため
、水銀を用いずに放電集中を緩和し或はなくせる放電電
極を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段）この目的の達成を図るため、この発明の放電電極は、ｗ
！縁牲を有するバインダーと、バインダー中にＭ散させ
て設けた導電性粒子と、バインダを絶縁破壊させたとき
形成される電極電流路とを備えて成ることを特徴とする
。

（作用）上述したようにこの発明の放電電極によれば、絶縁性を
有するバインダー中に導ｗ１．性粒子を離散させて設け
ることによって、１１１接する導電性粒子間の電気的状
態が実質的に絶縁状態又は絶縁状態に近い状態（或は半
絶縁状態）となるようにする。

従ってバインダーの絶縁破壊を主しない大きざの電圧を
放電電極に印加した場合、放電電極は電気的には半導体
或は絶縁体と等価な性質を示す。

一方、バインダーの絶縁破壊そ生するような大きさの電
圧を放電電極に印加した場合には、絶縁破壊を生じたバ
インダ一部分は電流路となる。ここで絶縁破壊したバイ
ンダ一部分から成る電流路をバインダー導通路と称する
ものとすれば、導電性粒子及びバインダー導通路が電極
電流路を形成する。絶縁破壊は電界の方向に治う方向に
おいてｍｔｉする導電性粒子間で生じ易く、また電界の
方向からすれた方向においてｌｌｌ接する導電性粒子間
では生しにくい、従って電極電流路は電界の方向に沿っ
て形成され易く、電界の方向からずれるに従ってこのず
れた方向には形成されにくくなる。

（実施例）以下、図面を参照しこの発明の実施例につき説明する。

尚、図面はこの発明が理解できる程度に概略的に示しで
あるにすぎず、従ってこの発明を図示例に限定するもの
ではない。

この実施例はこの発明をガス放電パネルに適用した例で
ある。この実施例の説明に先立ちますこの実施例を適用
したガス放電パネルの要部構成につき第２図〜第４図を
参照し説明する。

第２図〜第４図はガス放電パネルの主として前面板、背
面板、カソード電極、アノード電極及びスペーサリブの
配設状態ヲ概略的に示しでおり（但し、第３図において
は前面板を省略しで示した）、第２図、第３図及び第４
図（Ａ）〜（Ｂ）はそれぞれガス放電パネルの要部切欠
斜視図、要部平面図及び要部断面図である。そして第４
図（Ａ）は第２図におけるｒＶＡ−ｒＶＡ線に沿って取
った断面に対応する断面及び第４図（Ｂ）は第２図にお
ける■Ｂ−ＩＶＢ線に沿って取った断面に対応する断面
を示す。

これら図に示すガス放電パネルは、主としてアノード電
極１０、前面板１２、カソード電極１４、背面板１６及
びスペーサリブ１８から成り、複数のアノード電極１０
を並列配置して設けた前面板１２と、複数のカソード電
極１４を並列配置して設けた背面板１６とを電極形成面
を向き合わせスペーサリブ１８を介し封着し、これら前
面板１２及び背面板］６の間に形成したガス封入領域に
放電ガスを封入した構成を有する。

アノード電極１０及びカソード電極１４は平面的に見た
ときほぼ直交するように交差し、これら電極の交差部に
放電セル２０を形成しでいる。スペーサリブ１８は誤放
電防止のために各放電セル２０毎に放電空間を画成する
と共に前面板１２及び背面板１６の間隔を一定に保持す
る機能を有する。

上述した構成のガス放電パネルでは、背面板１６上に順
次にストライブ状の配線電極２２及びストライブ状の放
電電極２４を設けて、これら電極２２．２４から成る２
層構造のカソード電極１４を構成する。

第１図はこの実施例の放電電極を用いて構成したカソー
ド電極の構成を拡大して概略的に示す断面図である。

放電電極２４は絶縁性を有するバインダー２４ｂと、バ
インダー２４ｂ中に離散させて設けた導電性粒子２４ａ
と、バインダー２４ｂを絶縁破壊させたとき形成される
電極電流路２６とを備えて成る。バインダー２４ｂとし
で例えば鉛ガラスを、また導電性粒子２４ａとして例え
ば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を添加した酸化亜鉛（Ｚｎ
○）の粒子を用いる。尚、第１図中、電極電流路２６を
矢印で示した。電極電流路２６はバインダ２４ｂが絶縁
破壊を起すときは生し、バイシダ２４ｂが絶縁破壊を起
さないときは生しない。

配線電極２２は例えば、陰極材料として従来よりよく用
いられるＮ１厚膜から成り、従って導電性粒子２２ａに
はニッケル粒子を用いている。

次にこの実施例の放電電極を用いで構成したガス放電パ
ネルの製造工程につき、第２図、第４図及び第５図を参
照して説明する。

第５図はこの発明の実施例を適用したガス放電パネルの
製造工程フローを概略的に示す図である。

まず、背面板１６として絶縁性基板例えば厚き３ｍｍの
ガラス板を用意し、スクリーン印刷法によつ、カソード
端子（図示せず）の形成のためのへ〇厚膜ペースト（Ｅ
ＳＬ−井５９０．ＥｌｅｃｔｒＯ３ｃｉｅｎｃｅ　　Ｌ
ａｂＯｒａｔＯｒｌｅｓ　　Ｉｎｃ、社製、焼成温度５
３０℃）を層厚１３ｕｍに印刷する（ステップ１）。

次に背面板１６に配線電極２２を形成するためのＮｉ厚
膜ペースト（ＥＳＬ−井２５５４、Ｅｌｅｃｔｒｏｓｃ
ｉｅｎｃｅ　　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ　　Ｉｎｃ、
社製、焼成温度５３０″Ｃ）を層厚２８ｕｍに印刷する
（ステップ２）。

次に配線電極２２上に放電電極２４を形成するための厚
膜ペーストを印刷する（ステップ３）。

この実施例では放電電極形成用の厚膜ペーストを次のよ
うに作成した。電極材料として、アルミナ（Ａｌ２Ｏ２
）をトープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粉末（高純度化学
研究所社製）を用いる。この電極材料はアルミナを０．
５ｗｔ％の割合で酸化亜鉛にドープしたものである。そ
してこの電極材料をボールミルで粉砕し、９９％の粒子
につき直径をｌｕｍ以下とし７０％の粒子につき直径を
０．５ｕｍ以下とした。次に微細化した酸化亜鉛の粒子
と、バインダーとしての鉛ガラスとを重量比７：３の割
合で混合し、混合したものにスクリンオイルを（６００
９、奥野製薬工業社製）を加え、これら酸化亜鉛の粒子
、船ガラス及びスクリーンオイルをセラミツウ３本ロー
ルミル（弁上製作所製）で混合攪拌してペースト化した
。尚、この実施例て用いた放電電極形成用の厚膜ペース
トをガラス基板にヘタ印刷し乾燥焼成させて、焼成後の
厚膜の電気抵抗を測定したところ絶縁体であった。

次にカソードオーバーコート形成のための誘電体厚膜（
９７４１、Ｄｕｐｏｎｔ社製、焼成温度５３０°Ｃ）を
層厚２７ｕｍに印刷する（ステップ４）。

次にスペーサリブ１８を形成するための誘電体厚膜（９
７４１、ＤｕＰｏｎｔ社製、焼成温度５３０°Ｃ）を層
厚１６０ｕｍに印刷する（ステップ５）。

そしてステップ１〜５の各ステップ毎或は複数のステッ
プ毎に印刷した厚膜を、乾燥させてから焼成する。

次に背面板］６の、ガス放電表示パネルの表示の妨げの
ないところに予め形成した放電ガス封入口に排気管をシ
ールガラスで封着する。シールガラスの焼成温度は４６
０℃とする（ステップ６）。

一方、前面板１２として透光性の絶縁性基板例えば厚さ
３ｍｍのガラス板を用意し、スクリーン印刷法によりこ
の前面板１２に、アノード端子形成のためのＡ９厚膜（
ＥＳＬ−井５９０、Ｅｌｅｃｔｒｏｓｃｌｅｎｃｅ　　
Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ　　Ｉｎｃ、社製）を層厚１
３ｕｍに印刷する（ステップ７）。

次にガス放電表示パネルの表示画面を画成する連光膜を
形成するためのブラックペースト（オクノ５０３、奥野
製薬社製、焼成温度５３０℃）を層厚２８ｕｍに印刷す
る（ステップ８）。

次にアノード電極１０を形成するためのＮ１厚膜（ＥＳ
Ｌ−井２５５４、Ｅｌｅｃｔ　ｒｏｓｃｉｅｎｃｅ　　
　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ　　　Ｉｎｃ。

社製、焼成温度５３０°Ｃ）を印刷する（ステップ９）
。

次にアノードオーバーコート形成のための誘電体厚膜（
９７４１、ＤｕＰｏｎｔ社製、焼成温度５３０°Ｃ）を
印槓１する（ステップ９）。

ステ・ンブ７〜］Ｏの各ステップ＠或は複数のステップ
毎に印刷した厚膜を乾燥させ焼成する。

次に前面板１２及び背面板１６の電極形成面を互いに対
向させこれら１２及び］６の周縁部をシールド剤で封着
する（ステップ１１）。

次に背面板１６に封着した排気管を介して放電ガス封入
領域の真空排気を行ない、その後、放電ガスをガス封入
領域内に導入し、放電ガスの封入口を封しくステップ１
２）、ガス放電表示パネルを完成する。放電ガスにはＨ
ｅ−２％Ｘｅガスを用い封入ガス圧ｔ２００Ｔｏ　ｒ　
ｒとした。

次にこの実施例の放電電極２４を用いて構成した、上述
のガス放電表示パネル（以下、実施例のＰＤＰ）と従来
のガス放電表示パネル（以下従来のＰＤＰ）とを比較検
討する。従来のＰＤＰはカソード電極１４をＮ１厚膜の
配線電極２２のみから構成しでいるほかは実施例のＰＤ
Ｐと同様の構成を有する。

第６図は従来のＰＤＰに水銀を封入した場合及び封入し
ない場合の放電特性を示す図である。

パネル完成後に初期点燈、エージングを済ませ、そのの
ち制限抵抗１５０にΩを介してアノード電極］０及びカ
ソード電極１４に通電し１セル当りに流れる放電電流の
変化（放電特性）を調べる実験を行なった。実験開始時
に、放電セル１セル当つ３００ｕＡの放電電流が流れる
ような電圧値２２０Ｖに設定し電圧値を一定値２２０Ｖ
に維持したまま放電電流が変化する様子を調べた。第６
図の縦軸に放電電流の経時変化率（任意目盛り）及び横
軸に放電時間（ｈｏｕｒ）を取って示し、水銀を封入し
た場合及び封入しない場合の特性曲線に符号ｐ及びｑを
付しで示した。尚、放電電流の経時変化率は、放電開始
から放電時間がＸ（ｈｏｕｒ）だけ経過した時点での放
電電流の値を放電開始時の放電電流の値で除して得た悌
である。

第６図にも示すように、放電開始後時間か経過するにつ
れて放電電流が増加し、その増加量は水銀を封入した場
合よりも水銀を封入しない場合の方がかなり大きいこと
がわかる。

菓７図（Ａ）〜（Ｃ）は水銀を封入しない従来のＰＤＰ
を駆動した場合の放電セルでの、放電の広がりの変化を
概略的に示す図であり、第３図と同様の平面図である。

尚、実施例のＰＤＰの構成成分に対応する構成成分につ
いては同一の符号を付して示すが、カソード電極１４は
Ｎ１厚膜の配線電極２２のみから成る。また図中、放電
セルを平面的にみた場合の放電（或は放電発光）の広が
り具合をハツチングを付して示した。

実験の初期段階では第７図（Ａ）にも示すように、放電
セルのほぼ全面に放電の広がりが形成されているが、実
験開始後３．５時間経過した時点では第７図（Ｂ）にも
示すように、セル毎の放電の広がり具合のバラツキは大
きいものの、アノー上電極１０の近傍に放電が集中して
くる。さらに実験開始後１０時間経過した時点では、第
７図（Ｃ）にも示すように、アノード電極］０の近傍の
ごく一部に放電が集中してくる。

従って時間の経過とともに、放電電流は増加しまた放電
面積は放電集中によって減少するので、電流密度は急増
する。電流密度の増加とともにカソード電極１４のスパ
ッタリングが生ずるが、そのスバ・ンタ量は電流密度の
３乗に比例し従って電流密度の増加によりスパッタの増
加量は飛躍的に大きくなる。

スパッタリングにより生じたスパッタ物は前面板１２に
付着しＰＤＰの表示輝度を低下させ、パネル寿命を短命
化する０表示輝度の大きさは放電電流値に比例するので
その電流値を増加することは重要であり、従って表示輝
度を大きくしかつスパッタリングを抑制するためには、
放電電流を大きく維持しかつ放電の広がりを広くしたま
ま放電を維持して電流密度の増加を最小限度に抑えるこ
とが必要である。電流密度の増加を抑制することによっ
てパネルの長寿命化を図れる。

電極表面の活性部分特に活性なＮｉの活性度が大きくな
るにしたがいその活性部分へのＭＷ集中の度合が大きく
なり放電は縮んでゆく。しかしながら水銀を封入した場
合、水銀は活性化したＮｉと反応してアマルガム層を形
成し活性化されたＮ１の活性度を減少させるので、活性
部分への放電集中を減じて放電の広がりを広く維持する
のに役立つ、しかもアマルガム層は薄いので放電を極端
に妨げるものではない、従って水銀の封入により電流密
度を効果的に低減できる。尚、活性化されたＮ１の活性
度が増すと放電電流が増加し放電電流の経時変化が大き
くなるが、Ｎ１の局部的な活性化を抑制することによっ
て放電電流の経時変化を小ざくすることができる。

第８図は従来のＰＤＰにおける放電集中の説明図であり
、第４図（Ｂ）と同様の断面図である。

第８図（Ａ）にも示すように放電集中が始まる前にはア
ノード電極１ｏ及びカソード電極１４の対向部分のほぼ
全面が放電に寄与するが、カソード電極１４の表面が局
所的に活性化されると、第７図（Ｂ）にも示すように、
この活性化部分に放電が集中する（例えば文献■参照）
。

この放電集中の原因について推察すれば、従来のＰＤＰ
のカソード電極１４はＮｉ厚膜から成る１層構造の電極
であり放電電極及び配線電極としての２つの機能を合せ
もつ。従って■カソード電極１４中央部をカソード端子
へと流れる電流の流れＮ１が存在すると共にアノード電
極１０からカソード電極１４へと流れる電流の流れＮ２
はカソード端子への電流の流れＮ１とほぼ直交する方向
となる。■またＮｉ厚膜から成る１層構造の電極は電流
を等方的に流すことができる。■一方、放電セル１セル
当りの放電電流値は例えば３００ｕＡ程度であり、この
程度に小さな値の放電電流はカソード電極１４の一部部
分を用いるたけでも充分に放電させることができる。

従来の１層構造のカソード電極１４では、主に■〜■特
に■、■が放電集中を生じやすくしている原因であると
考えられる。従来の１層構造のカソード電極１４におい
て放電集中を防止し電流密度を低減するためには、現在
のところ水銀の封入が必要でありまた最も簡単で有効な
手段である。

しかしながら水銀は既に説明したような問題がある。

次に実施例のＰＤＰにつき検討する。

第９図は実施例及び従来のＰＤＰの放電特性を示す図で
ある。第９図においで、縦軸に放電セル１セル当りの放
電電流（ｕＡ／ｃ　ｅ　ｌ　１−’）及び横軸にカソー
ド及びアノード電極間の印加電圧（Ｖ）を取って示した
。また実施例のＰＤＰの水銀を封入しない場合の特性曲
！！を符号ｒを及び従来のＰＤＰの水銀を封入した場合
の特性曲線を符号Ｓを付して示した。

第９図からも理解できるように、１セル当りの放電電流
を同一として印加電圧を比較した場合、カソード電極１
４を配線電極２２のみの１層構造とした従来のＰＤＰよ
りも、カソード電極１４を配線電極２２及び放電電極２
４の２層構造とした実施例のＦＤＰのほうが印加電圧を
低減できることかわかる。また実施例のＰＤＰは水銀を
封入しなくとも放電の縮みをほとんど生しなかった。

第１０図は実施例のＰＤＰての放電の広がりの説明に供
する断面図である。以下、第１図及び第１０図を参照し
、この放電の縮みを生じない理由について考える。

第１図にも示すように、放電電極２４においては、絶縁
性を有するバインダー２４ｂ中に導電性粒子２４ａを離
散させて設けることによって、隣接する導電性粒子２４
ａ間の電気的状態を実質的に絶縁状態としている。

放電電極２４そ形成するための厚膜ペーストのバインダ
ー！１％増減させれば、厚膜ペースト焼成後のバインダ
ー２４ｂ中で導電性粒子２４ａが離散する度合を増減で
きる。好ましくは、厚膜ペストを作成する際の導電性粒
子及びバインダーの混合割合を、導電性粒子の比表面積
（表面積／体積）に応じた任意好適な割合とし、この厚
膜ベストを用いて放電電極２４ｂを作成する。このよう
に作成することによって隣接する粒子間の電気的状態を
、バインダーの絶縁破壊そ生しない電圧では絶縁状態と
しかつバインダーの絶縁破壊を生しる電圧（例えば３０
０〜４００）では導通状態どなる放電電極２４を作成す
ることかできる。

バインダー２４ｂの絶縁破壊により、例えば第１図中に
矢印で示すような電極電流路２６か形成され、アノード
電極］○及びカソード電極１４の門で放電を生ずる。

バインダー２４ｂの絶縁破壊は電界の方向に沿って最も
生じ易く電界の方向からすれるに１ノたかって生しにく
くなる。一方、放電電極２４を流れる電流は、放電空間
に露出しているＺｎ○導電性粒子２４ｂから絶縁破壊を
生しているバインダー２４ｂｔ介し次の導電性粒子２４
ｂへと順次に流れてゆき、従って電流は放電電極２４中
を電界の方向に治う方向すなわち放電電極２４の放電空
間に露出する側から配線電極２２の側へと流れ、放電電
極２４中の電流の流れは異方的となる。

またこの実施例の配線電極２２は低抵抗なＮｉ厚膜から
なり、従っで菓１０図にも示すように、カソード端子Ｇ
から隔壁１８のほぼ直下の配線電極部分り及びＦまての
間の抵抗と、カソード端子Ｇから放電セル２０のほぼ中
央部直下の配線電極部分Ｅまての間の抵抗とは、それぞ
れの抵抗間の差は小ざくほとんど零に近い。

このように電流の流れが異方性を有すること及びカソー
ド端子から各部り、Ｆ、Ｇまでの抵抗の差が小ざいこと
が、放電空間に露出する放電電極２４の電極表面全面に
わたり放１！を形成するのに大きく寄与し、従って放電
集中をなくせる大きな要因であると推察される。放電集
中をなくせる結果、電流皇度の増加を従来よりも低減で
き従って水銀を封入しなくとも笑用上満足できる長さの
パネル寿命を得ることかできる。

このように実施例のＰＤＰによれば、低電圧駆動が行な
え、しかも水銀を封入しなくともパネル寿命の長いＰＤ
Ｐ％提供できる。

この発明は上述した実施例にのみ限定されるものてはな
く、従って各構成成分の形状、配設位百、寸法、形成材
料、形成方法及びそのほかの条件を任意好適に変更でき
る。

例えば導電性粒子を導体物質のみから形成し、或は半導
体物質のみから形成し、或は半導体物質に導体物質を添
加したものから形成し、或は導体物質に半導体物質を添
加したものから形成してもよい。またバインダーには絶
縁体或は半導体を用いることかできる。尚、導電性粒子
を半導体物質から及びバインダーを半導体物質から形成
する場合には、導電性粒子の抵抗率をバインダーの抵抗
率よりも低くするにの発明の放電電極は、特にガス放電表示パネルのカソー
ド電極を構成するのに用いて好適であり、この場合基板
上に順次に設けた配線電極及び放電電極から成る２層構
造のカソード電極を構成するのが好適である。また配線
電極の形成には配線電極に適した導電性を有するＮ１厚
膜以外の任意好適な材料を用いることができる。

（発明の効果）上述した説明からも明らかなように、この発明の放電電
極によれば、絶縁性を有するバインダ中に導電性粒子を
離散させて設けることによって、隣接する導電性粒子間
の電気的状態が実質的に絶縁状態或は絶縁状態に近い状
態となるようにする。従ってバインダーの絶縁破壊を生
じない大きざの電圧を放電電極に印加した場合、放電電
極は電気的には半導体或は絶縁体と等価な性質を示す。

一方、バインダーのｗ！縁破壊を生するような大きざの
電圧を放電電極に印加した場合には、絶縁破壊を生した
バインダ一部分は電流路となる。ここで絶縁破壊したバ
イシダ一部分から成る電流路をバインダー導通路と称す
るものとすれば、導電′ｉ粉粒子びバインダー導通路が
電極電流路を形成する。絶縁破壊は電界の方向に沿う方
向において隣接する導電性粒子間で生し易く、また電界
の方向からすれた方向においでｖＩＡ接する導電性粒子
間では生しにくい。従って電極電流路は電界の方向に沿
って形成され易く、電界の方向からすれるに従ってこの
すれた方向には形成されにくくなる。この結果、放電電
極を流れる電流の流れは異方的になる。

このように電流の流れに異方性を有するこの発明の放電
電極は、ガス放電表示パネルのカソード電極を構成する
のに適しており、この発明の放電電極を用いることによ
って水銀を封入しなくともパネル寿命か長いガス放電表
示パネルを構成することか可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を用いて構成したカソード電
極の構造を概略的に示す断面図、第２図はこの発明の実
施例を適用したガス放電表示パネルの構成を概略的に示
す要部切欠斜視図、第３図はこの発明の実施例を適用したガス放電１衷示パ
ネルの構成ヲ概略的に示す要部平面図、第４図（Ａ）〜
（Ｂ）はこの発明の実施例を適用したガス放電表示パネ
ルの構成を概略的に示す要部断面図、第５図はこの発明の実施例を適用したガス放電表示パネ
ルの製造工程フロ第６図は従来のガス放電表示パネルでの放電電流の経時
変化を示す図、第７図（Ａ）〜（Ｃ）は従来のガス放電表示パネルでの
放電の広がりの変化の説明に供する要部平面図、菓８図（Ａ）〜（Ｂ）は従来のガス放電表示パネルでの
放電集中の説明に供する要部断面図、第９図はこの発明
を適用したガス放電表示パネル及び従来のガス放電表示
パネルの放電特性を示す図、第１０図はこの発明を適用したガス放電表示パネルでの
放電の広がりの説明に供する要部断面図である。２４・・・放電電極、　　２４ａ・・・導電性粒子２４
ｂ・・・バインダー、２６・・・電極電流路。特許出願人　　　沖電気工業株式会社実施例の放電電極を用いて構成したカソード電極第１図１０アノード電極１２前面板１８ニスペーサリプ２０放電セルガス放電表示パネルの要部切欠糾視図第２図この発明の冥施例を適用したガス放電表示パネルの製造
工程フロ第５図ガス放電表示パネルの要部平面図第３図ガス放電表示パネルの要部断面図第４図放電時間（ｈｏｕｒ）従来のＰＤＰでの放電電流の経時変化第６図従来のＰＤＰでの放電集中の説明図箱８図Ｎ、Ｉ印加電圧（Ｖ）実施例及び従来のＰＤＰの放電特性第９図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁性を有するバインダーと、該バインダー中に
離散させて設けた導電性粒子と、前記バインダーを絶縁
破壊させたとき形成される電極電流路とを備えて成るこ
とを特徴とする放電電極。
（２）前記導電性粒子の形成材料にＺｎＯを用いること
を特徴とする請求項１に記載の放電電極。