JPH0495350A - 銀イオン伝導性固体電解質薄膜の製造法 - Google Patents
銀イオン伝導性固体電解質薄膜の製造法Info
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- JPH0495350A JPH0495350A JP2203275A JP20327590A JPH0495350A JP H0495350 A JPH0495350 A JP H0495350A JP 2203275 A JP2203275 A JP 2203275A JP 20327590 A JP20327590 A JP 20327590A JP H0495350 A JPH0495350 A JP H0495350A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 銀イオン伝導性固体電解質薄膜に関し とく
に電池 コンデンサ、 エレクトロクロミックデイスプ
レィ、イオニックメモリなど電気化学的現象を利用した
素子に利用される銀イオン伝導性固体電解質薄膜の製造
法に関すム 従来の技術 電気化学現象を利用した素子（よ 電解質とこの電解質
を介して配される一対の電極により構成されていも このような素子に用いる電解質として、従来より電池に
用いている液体電解質や固体電解質を挙げることができ
も しかし 液体電解質を用いた場合、電池の超小形化が困
難であり、また 漏液の問題を皆無とすることができな
しも これに対し 固体電解質を用い電池を全固体化すると、
こうした問題を解決し信頼性を高敦 電池の超小形（Ｌ
薄膜化を可能とすることができも素子の超小形化は
イオニックメモリ （超小形電池を集積化した電位記
憶素子）や画像表示素子（超小形エレクトロクロミック
素子を集積化した電位記憶素子）としての応用を目指す
ものであムこうした素子に用いる電解質の一つとして、
銀イオン伝導性固体電解質があ４ 例えばＡｇＩＡｇｅ
Ｏ−ＭＯ，（Ｍはｗ、 Ｃｒ２Ｍ Ｏ，ｐ、 ｖ。
に電池 コンデンサ、 エレクトロクロミックデイスプ
レィ、イオニックメモリなど電気化学的現象を利用した
素子に利用される銀イオン伝導性固体電解質薄膜の製造
法に関すム 従来の技術 電気化学現象を利用した素子（よ 電解質とこの電解質
を介して配される一対の電極により構成されていも このような素子に用いる電解質として、従来より電池に
用いている液体電解質や固体電解質を挙げることができ
も しかし 液体電解質を用いた場合、電池の超小形化が困
難であり、また 漏液の問題を皆無とすることができな
しも これに対し 固体電解質を用い電池を全固体化すると、
こうした問題を解決し信頼性を高敦 電池の超小形（Ｌ
薄膜化を可能とすることができも素子の超小形化は
イオニックメモリ （超小形電池を集積化した電位記
憶素子）や画像表示素子（超小形エレクトロクロミック
素子を集積化した電位記憶素子）としての応用を目指す
ものであムこうした素子に用いる電解質の一つとして、
銀イオン伝導性固体電解質があ４ 例えばＡｇＩＡｇｅ
Ｏ−ＭＯ，（Ｍはｗ、 Ｃｒ２Ｍ Ｏ，ｐ、 ｖ。
Ｔｅ、 Ｓｅ、Ａｓ、 Ｂ、 Ｓｉ、 Ｇｅよ
り選ばれる少なくとも一種の元素）固体電解質があり、
これはＡｇＩ、ＡｇｘＭＯｙ、Ａｇを順次銀電極上に堆
積したの板 酸化雰囲気中で加熱酸化することにより形
成することができも 発明が解決しようとする課題 しかしなが叙 前記固体電解質を用いて固体電解質薄膜
を形成する場合、−回の工程で厚さ３０００Å以上の固
体電解質薄膜を形成すると、薄膜内での組成が不均一と
なり、まＬ ｍにひび割れが生じてしまう。そのた数
膜厚方向へのイオン伝導性の低下、及び、膜のクラッ
クによる電極間の短絡が生じるといった問題を有してい
る。
り選ばれる少なくとも一種の元素）固体電解質があり、
これはＡｇＩ、ＡｇｘＭＯｙ、Ａｇを順次銀電極上に堆
積したの板 酸化雰囲気中で加熱酸化することにより形
成することができも 発明が解決しようとする課題 しかしなが叙 前記固体電解質を用いて固体電解質薄膜
を形成する場合、−回の工程で厚さ３０００Å以上の固
体電解質薄膜を形成すると、薄膜内での組成が不均一と
なり、まＬ ｍにひび割れが生じてしまう。そのた数
膜厚方向へのイオン伝導性の低下、及び、膜のクラッ
クによる電極間の短絡が生じるといった問題を有してい
る。
本発明１よ 以上の問題点を解決し、良好な銀イオン伝
導性固体電解質薄膜の製造法を提供することを目的とす
る。
導性固体電解質薄膜の製造法を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段
この課題を解決するため本発明のイオン伝導性固体電解
質薄膜の製造法は 固体電解質層を複数層積層すること
によって銀イオン伝導性固体電解質薄膜を得るものであ
ム 作用 Ａ ｇ Ｉ −Ａ ｇ、ＭＯｖ−Ａ ｇの積層膜では
銀がＡｇｘＭＯｙ層中に拡散するととも？−、Ａｇ−Ｍ
Ｏｙ層中の銀が加熱時に酸化されてＡｇ２Ｏ−ＭＯｙの
酸素酸銀塩となり、さらく ヨウ化銀と反応してＡｇｌ
Ａｇ２Ｍ０ｖの固体電解質薄膜を形成すもまた このＡ
ｇ Ｉ、 Ａ ｇ −Ｍ Ｏｙ、 Ａ ｇの各層
を銀層が積層表面でなく、その内部に形成した場合、銀
層の加熱酸化が起こり難く、良好な固体電解質薄膜を得
ることができなしも 前記の方法により容易に固体電解質薄膜を作製すること
が出来る力（膜厚が大きくなると各層間での反応が不十
分となり、また 反応にともなう体積変化のため膜に多
数のクラックが入ってしまう。このた嵌 十分に反応し
やすく、体積変化の影響を受けに＜（Ｘ、膜厚の小さな
膜を形成ｊ−これを積層させることにより膜厚の大きな
固体電解質薄膜を作製すム 実施例 以下、本発明の一実施例の銀イオン伝導性固体電解質薄
膜について図面により詳細に説明する力丈本発明は こ
れら実施例に限定されるものではない 実施例Ｉ Ａ ｇ ｓ Ｉ ４ＷＯ４銀イオン伝導性固体電解質薄
膜を以下の方法で作製しｔ島 第１図に本発明の銀イオン伝導性固体電解室薄膜の作成
工程図を示す。
質薄膜の製造法は 固体電解質層を複数層積層すること
によって銀イオン伝導性固体電解質薄膜を得るものであ
ム 作用 Ａ ｇ Ｉ −Ａ ｇ、ＭＯｖ−Ａ ｇの積層膜では
銀がＡｇｘＭＯｙ層中に拡散するととも？−、Ａｇ−Ｍ
Ｏｙ層中の銀が加熱時に酸化されてＡｇ２Ｏ−ＭＯｙの
酸素酸銀塩となり、さらく ヨウ化銀と反応してＡｇｌ
Ａｇ２Ｍ０ｖの固体電解質薄膜を形成すもまた このＡ
ｇ Ｉ、 Ａ ｇ −Ｍ Ｏｙ、 Ａ ｇの各層
を銀層が積層表面でなく、その内部に形成した場合、銀
層の加熱酸化が起こり難く、良好な固体電解質薄膜を得
ることができなしも 前記の方法により容易に固体電解質薄膜を作製すること
が出来る力（膜厚が大きくなると各層間での反応が不十
分となり、また 反応にともなう体積変化のため膜に多
数のクラックが入ってしまう。このた嵌 十分に反応し
やすく、体積変化の影響を受けに＜（Ｘ、膜厚の小さな
膜を形成ｊ−これを積層させることにより膜厚の大きな
固体電解質薄膜を作製すム 実施例 以下、本発明の一実施例の銀イオン伝導性固体電解質薄
膜について図面により詳細に説明する力丈本発明は こ
れら実施例に限定されるものではない 実施例Ｉ Ａ ｇ ｓ Ｉ ４ＷＯ４銀イオン伝導性固体電解質薄
膜を以下の方法で作製しｔ島 第１図に本発明の銀イオン伝導性固体電解室薄膜の作成
工程図を示す。
まず、第１図（Ａ）に示すようにヨウ化銀に銀を１５重
量％添加した材料を所定量、抵抗加熱蒸着装置の加熱ボ
ートに入れ 加熱蒸着してガラス基板９上に厚さ２５０
０人のヨウ化銀薄膜１０を作製し九 次に このヨウ化銀薄膜１０上に銀−酸化タングステン
Ａ ｇ ＠、２Ｗ Ｏｓ薄膜を以下の方法で作製し連
銀と酸化タングステンをモル比で１：５に混合した材料
粉末をｉｔ／ｃｍ２でプレス成型した後、石英ガラス管
中に封入Ｌ ６００℃で６時間焼成して銀−酸化タング
ステンＡ ｇ ｓ２Ｗ ０３を合成し九 この銀−酸化
タングステンＡｇｓ、２Ｗ○３を所定量、抵抗加熱蒸着
装置の加熱ボートに入れ 加熱蒸着して第１図（Ｂ）に
示すようにヨウ化銀薄膜上に厚さ７００人の銀−酸化タ
ングステンＡｇｓ 、 ２Ｗ Ｏｓ薄膜１１を作製しな
さらに 第１図（Ｃ）に示すように銀を所定量、抵抗
加熱蒸着装置の加熱ボートに入れ 厚さ２Ｏ０人の銀薄
膜１２を最後に形成し九 この積層膜を第１図（Ｄ）に示すように大気屯３００℃
で６時肌 加熱酸化処理して厚さ２８００人のＡｇｅＩ
４ＷＯａ銀イオン伝導性固体電解質薄膜１３を作製した そして、この固体電解質薄膜１３上に前記の第１図に示
す薄膜形成の工程（Ａ）から（Ｄ）を再度繰り返す（第
１図（Ｅ）〜（Ｈ））ことにより固体電解質層を積層さ
せ、厚さ５５００人のＡｇ・ｌ４Ｗ０４銀イオン伝導性
固体電解質薄膜１７を作製しｔ、：。
量％添加した材料を所定量、抵抗加熱蒸着装置の加熱ボ
ートに入れ 加熱蒸着してガラス基板９上に厚さ２５０
０人のヨウ化銀薄膜１０を作製し九 次に このヨウ化銀薄膜１０上に銀−酸化タングステン
Ａ ｇ ＠、２Ｗ Ｏｓ薄膜を以下の方法で作製し連
銀と酸化タングステンをモル比で１：５に混合した材料
粉末をｉｔ／ｃｍ２でプレス成型した後、石英ガラス管
中に封入Ｌ ６００℃で６時間焼成して銀−酸化タング
ステンＡ ｇ ｓ２Ｗ ０３を合成し九 この銀−酸化
タングステンＡｇｓ、２Ｗ○３を所定量、抵抗加熱蒸着
装置の加熱ボートに入れ 加熱蒸着して第１図（Ｂ）に
示すようにヨウ化銀薄膜上に厚さ７００人の銀−酸化タ
ングステンＡｇｓ 、 ２Ｗ Ｏｓ薄膜１１を作製しな
さらに 第１図（Ｃ）に示すように銀を所定量、抵抗
加熱蒸着装置の加熱ボートに入れ 厚さ２Ｏ０人の銀薄
膜１２を最後に形成し九 この積層膜を第１図（Ｄ）に示すように大気屯３００℃
で６時肌 加熱酸化処理して厚さ２８００人のＡｇｅＩ
４ＷＯａ銀イオン伝導性固体電解質薄膜１３を作製した そして、この固体電解質薄膜１３上に前記の第１図に示
す薄膜形成の工程（Ａ）から（Ｄ）を再度繰り返す（第
１図（Ｅ）〜（Ｈ））ことにより固体電解質層を積層さ
せ、厚さ５５００人のＡｇ・ｌ４Ｗ０４銀イオン伝導性
固体電解質薄膜１７を作製しｔ、：。
このようにして得たガラス基板１８上に形成した銀イオ
ン伝導性固体電解質薄膜１７上に 第２図に示すように
可逆性電極として金属銀薄膜（幅１ｍｒｒＫ 電極間距
離１ｍｒｎ）１９． ２Ｏを２Ｏ００人形成し その全
導電率を交流複素インピーダンス測定刃により測定し
また 電子導電率をブロッキング電極として白金薄膜２
Ｏ００人（幅１ｍｍ）２１を金属銀薄膜２Ｏとの電極間
隔１ｍｍで電子ビーム加熱蒸着、および抵抗加熱蒸着に
より形成上 ワグナ−測定法により測定したその結果
得られた銀イオン伝導性固体電解質の全導電率（よ ９
ｘ １０−”Ｓ／ ｃ ｒｎ、、 また その電子
導電率Ｉｉ、２ ｘ １０−”Ｓ／ Ｃｍであッ？Ｑ。
ン伝導性固体電解質薄膜１７上に 第２図に示すように
可逆性電極として金属銀薄膜（幅１ｍｒｒＫ 電極間距
離１ｍｒｎ）１９． ２Ｏを２Ｏ００人形成し その全
導電率を交流複素インピーダンス測定刃により測定し
また 電子導電率をブロッキング電極として白金薄膜２
Ｏ００人（幅１ｍｍ）２１を金属銀薄膜２Ｏとの電極間
隔１ｍｍで電子ビーム加熱蒸着、および抵抗加熱蒸着に
より形成上 ワグナ−測定法により測定したその結果
得られた銀イオン伝導性固体電解質の全導電率（よ ９
ｘ １０−”Ｓ／ ｃ ｒｎ、、 また その電子
導電率Ｉｉ、２ ｘ １０−”Ｓ／ Ｃｍであッ？Ｑ。
さらに 第３図に示すように白金薄膜２Ｏ００人２３を
形成したガラス基板２２上に上記と同様の方法で、銀イ
オン導電性固体電解質Ａｇ５Ｉ４Ｗ０４の薄膜２４を形
成し その上に金属銀薄膜２５を２Ｏ００人形成しその
膜厚方向の全導電率および電子導電率を測定しれ その結果 全導電率は４ｘｌＯ−”Ｓ／ｃ爪 電子導電
率は９ Ｘ １０−”８７ｃｍであったこれらの結果
本実施例の作製方法により作製された銀イオン伝導性固
体電解質ＡｇａＩ４Ｗ○４薄膜が面方向および膜厚方向
に優れた銀イオン伝導性を有し かス 電子絶縁性に優
れていることがわかった 実施例２ ４ Ａｇ Ｉ ｆｉ、ｇｅｏ−Ｂ２Ｏ３銀イオン伝導
性個体電解質薄膜を以下の方法で作製し九 まず、実施例１に示す第１図と同様の方法でガラス基板
上に厚さ２５００人のヨウ化銀の薄膜を形成した 次に このヨウ化銀薄膜上に銀−酸化はう素Ａｇ＠、ａ
’ｆ３２Ｏ３の薄膜を以下の方法で作製し丸紐と酸化は
う素Ｂ２Ｏ２をモル比１：５で混合した材料粉末をＩｔ
／ｃｍ’でプレス成型した後、石英ガラス管中に封入り
、、 ６００℃で６時間焼成して銀−酸化タングステ
ンＡｇｓ、２ＢｓＯ書を合成し九この銀−酸化はう素Ａ
ｇｓ、２ＢｔＯｓを所定１ 抵抗加熱蒸着装置の加熱ボ
ートに入れ 加熱蒸着してヨウ化銀薄膜上に厚さ７００
人の銀−酸化はう素Ａｇｓ、２Ｂ２Ｑ＊薄膜を作製しな さらに 銀を所定量、抵抗加熱蒸着装置の加熱ボートに
入れ 厚さ２Ｏ０人の銀薄膜を最後に形成した この積層膜を大気東 ３００℃で６時皿 加熱酸化処理
して固体電解質薄膜を作製したそして、この固体電解質
薄膜上に前記の薄膜形成の工程を再度繰り返すことによ
り固体電解質層を積層させ、厚さ５５００人の４ＡｇＩ
Ａｇ２Ｏ− Ｂ ２Ｏ ｓ銀イオン伝導性固体電解
質薄膜を作製しち このようにして得た銀イオン伝導性固体電解質薄膜上に
第２図に示すように可逆性電極として金属銀薄膜（幅
１ｍへ 電極間距離１ｍｍ）を２Ｏ００人形成し その
全導電率を交流複素インピーダンス測定刃により測定し
また 電子導電率をブロッキング電極として白金薄膜
２Ｏ００人（幅１ ｍｍ）と金属銀薄膜（幅１ｍｍ）２
Ｏ００人をそれらの電極間隔１ｍｍで電子ビーム加熱蒸
着、および抵抗加熱蒸着により形成し ワグナ−測定法
により測定しな その結果 得られた銀イオン伝導性固体電解質の全導電
率ｉ友３ Ｘ １０−”８７ｃｍ、 また その電子
導電率ｉ；Ｌ ４ Ｘ １０−”Ｓ／ ｃｍであった
さらに 白金薄膜２Ｏ００人を形成したガラス基板上に
第３図に示した方法と同様の方法で銀イオン導電性固
体電解質４ＡｇＩ−Ａｇｔｏ−Ｂ２Ｏ３の薄膜を形成し
その膜厚方向の全導電率および電子導電率を測定した その結果 全導電率は１ｘｌＯ−”８７ｃｍ、 電子
導電率は１ ｘ １０−”８７ｃｍであっ九これらの結
果 本発明の作製方法により作製された銀イオン伝導性
固体電解質４ Ａｇ Ｉ−ＡｇｅＯＢ！０３薄膜が面方
向および膜厚方向に優れた銀イオン伝導性を有し かス
電子絶縁性に優れていることがわかっに 以上 銀イオン伝導性固体電解質としてＷ Ｏ＊。
形成したガラス基板２２上に上記と同様の方法で、銀イ
オン導電性固体電解質Ａｇ５Ｉ４Ｗ０４の薄膜２４を形
成し その上に金属銀薄膜２５を２Ｏ００人形成しその
膜厚方向の全導電率および電子導電率を測定しれ その結果 全導電率は４ｘｌＯ−”Ｓ／ｃ爪 電子導電
率は９ Ｘ １０−”８７ｃｍであったこれらの結果
本実施例の作製方法により作製された銀イオン伝導性固
体電解質ＡｇａＩ４Ｗ○４薄膜が面方向および膜厚方向
に優れた銀イオン伝導性を有し かス 電子絶縁性に優
れていることがわかった 実施例２ ４ Ａｇ Ｉ ｆｉ、ｇｅｏ−Ｂ２Ｏ３銀イオン伝導
性個体電解質薄膜を以下の方法で作製し九 まず、実施例１に示す第１図と同様の方法でガラス基板
上に厚さ２５００人のヨウ化銀の薄膜を形成した 次に このヨウ化銀薄膜上に銀−酸化はう素Ａｇ＠、ａ
’ｆ３２Ｏ３の薄膜を以下の方法で作製し丸紐と酸化は
う素Ｂ２Ｏ２をモル比１：５で混合した材料粉末をＩｔ
／ｃｍ’でプレス成型した後、石英ガラス管中に封入り
、、 ６００℃で６時間焼成して銀−酸化タングステ
ンＡｇｓ、２ＢｓＯ書を合成し九この銀−酸化はう素Ａ
ｇｓ、２ＢｔＯｓを所定１ 抵抗加熱蒸着装置の加熱ボ
ートに入れ 加熱蒸着してヨウ化銀薄膜上に厚さ７００
人の銀−酸化はう素Ａｇｓ、２Ｂ２Ｑ＊薄膜を作製しな さらに 銀を所定量、抵抗加熱蒸着装置の加熱ボートに
入れ 厚さ２Ｏ０人の銀薄膜を最後に形成した この積層膜を大気東 ３００℃で６時皿 加熱酸化処理
して固体電解質薄膜を作製したそして、この固体電解質
薄膜上に前記の薄膜形成の工程を再度繰り返すことによ
り固体電解質層を積層させ、厚さ５５００人の４ＡｇＩ
Ａｇ２Ｏ− Ｂ ２Ｏ ｓ銀イオン伝導性固体電解
質薄膜を作製しち このようにして得た銀イオン伝導性固体電解質薄膜上に
第２図に示すように可逆性電極として金属銀薄膜（幅
１ｍへ 電極間距離１ｍｍ）を２Ｏ００人形成し その
全導電率を交流複素インピーダンス測定刃により測定し
また 電子導電率をブロッキング電極として白金薄膜
２Ｏ００人（幅１ ｍｍ）と金属銀薄膜（幅１ｍｍ）２
Ｏ００人をそれらの電極間隔１ｍｍで電子ビーム加熱蒸
着、および抵抗加熱蒸着により形成し ワグナ−測定法
により測定しな その結果 得られた銀イオン伝導性固体電解質の全導電
率ｉ友３ Ｘ １０−”８７ｃｍ、 また その電子
導電率ｉ；Ｌ ４ Ｘ １０−”Ｓ／ ｃｍであった
さらに 白金薄膜２Ｏ００人を形成したガラス基板上に
第３図に示した方法と同様の方法で銀イオン導電性固
体電解質４ＡｇＩ−Ａｇｔｏ−Ｂ２Ｏ３の薄膜を形成し
その膜厚方向の全導電率および電子導電率を測定した その結果 全導電率は１ｘｌＯ−”８７ｃｍ、 電子
導電率は１ ｘ １０−”８７ｃｍであっ九これらの結
果 本発明の作製方法により作製された銀イオン伝導性
固体電解質４ Ａｇ Ｉ−ＡｇｅＯＢ！０３薄膜が面方
向および膜厚方向に優れた銀イオン伝導性を有し かス
電子絶縁性に優れていることがわかっに 以上 銀イオン伝導性固体電解質としてＷ Ｏ＊。
Ｂ２Ｏ３を使用した例を示した力（その他の酸化物Ｃｒ
ｙｓ、Ｍｏ○ｓ、 Ｐ２ｓｓ、 Ｖ２ｎｓ、 Ｔ
ｅ Ｏ，５ｅ０２．ＡｓｅＯｓ、５ｉ０２．ＧｅＯ２
を用いても同様の効果が得られも 発明の効果 以上の実施例の説明で明らかなように本発明の銀イオン
伝導性固体電解質薄膜の製造法によれば素子を集積化し
イオニックメモリ （超小形電池を集積化した電位記憶
素子）や画像表示素子（超小形エレクトロクロミック素
子を集積化した表示素子）などに応用することができる
銀イオン伝導性固体電解質薄膜を容易に得ることができ
るものであム
ｙｓ、Ｍｏ○ｓ、 Ｐ２ｓｓ、 Ｖ２ｎｓ、 Ｔ
ｅ Ｏ，５ｅ０２．ＡｓｅＯｓ、５ｉ０２．ＧｅＯ２
を用いても同様の効果が得られも 発明の効果 以上の実施例の説明で明らかなように本発明の銀イオン
伝導性固体電解質薄膜の製造法によれば素子を集積化し
イオニックメモリ （超小形電池を集積化した電位記憶
素子）や画像表示素子（超小形エレクトロクロミック素
子を集積化した表示素子）などに応用することができる
銀イオン伝導性固体電解質薄膜を容易に得ることができ
るものであム
第１図（Ａ）〜（Ｈ） ？上 本発明の一実施例の銀イ
オン伝導性固体電解質薄膜の製造法における実施例１お
よび実施例２に示す固体電解質薄膜の作製工程医 第２
図（よ 同面方向の全導電率および電子導電率の測定用
セルの構成を示す断面医第３図（よ 同膜厚方向の全導
電率および電子導電率の測定用セルの構成を示す断面図
である。 ９・・・ガラス基板、 １０．１４・・・Ａｇｌ慰 １
１５・・・Ａ ｇ ｓ、２Ｗ Ｏｓ恩 １２，１６・・
・Ａｇ１３．１７・・・固体電解質薄膜 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はかＩ名Ｄラフ１！
伍 第２図
オン伝導性固体電解質薄膜の製造法における実施例１お
よび実施例２に示す固体電解質薄膜の作製工程医 第２
図（よ 同面方向の全導電率および電子導電率の測定用
セルの構成を示す断面医第３図（よ 同膜厚方向の全導
電率および電子導電率の測定用セルの構成を示す断面図
である。 ９・・・ガラス基板、 １０．１４・・・Ａｇｌ慰 １
１５・・・Ａ ｇ ｓ、２Ｗ Ｏｓ恩 １２，１６・・
・Ａｇ１３．１７・・・固体電解質薄膜 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はかＩ名Ｄラフ１！
伍 第２図
Claims (2)
- （１）固体電解質層を複数層、積層させることによって
、固体電解質薄膜を得る銀イオン伝導性固体電解質薄膜
の製造法。 - （２）ＡｇＩ−Ａｇ＿２Ｏ−ＭＯ＿ｙ（ＭはＷ，Ｃｒ，
Ｍｏ，Ｐ，Ｖ，Ｔｅ，Ｓｅ，Ａｓ，Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅより
選ばれる少なくとも一種の元素ｙはＭの原子価によりき
まる整数）固体電解質を、ＡｇＩ，Ａｇ＿ｘＭＯ＿ｙ，
（ｘは０＜ｘ≦１の範囲の任意の数）Ａｇを順次基板上
に堆積した後、前記堆積層を酸化雰囲気中で加熱酸化す
ることによって固体電解質薄膜を得る請求項１記載の銀
イオン伝導性固体電解質薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2203275A JP2715638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 銀イオン伝導性固体電解質薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2203275A JP2715638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 銀イオン伝導性固体電解質薄膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0495350A true JPH0495350A (ja) | 1992-03-27 |
| JP2715638B2 JP2715638B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=16471354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2203275A Expired - Fee Related JP2715638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 銀イオン伝導性固体電解質薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715638B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010453A (ja) * | 1973-06-06 | 1975-02-03 | ||
| JPS5016836A (ja) * | 1973-06-20 | 1975-02-21 | ||
| JPS54102526A (en) * | 1978-01-30 | 1979-08-13 | Japan Storage Battery Co Ltd | Solid electrolyte cell |
| JPH03297005A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜固体電解質の製造方法 |
| JPH0495353A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヨウ化銀―銀酸素酸塩固体電解質薄膜の製造法 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2203275A patent/JP2715638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010453A (ja) * | 1973-06-06 | 1975-02-03 | ||
| JPS5016836A (ja) * | 1973-06-20 | 1975-02-21 | ||
| JPS54102526A (en) * | 1978-01-30 | 1979-08-13 | Japan Storage Battery Co Ltd | Solid electrolyte cell |
| JPH03297005A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜固体電解質の製造方法 |
| JPH0495353A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヨウ化銀―銀酸素酸塩固体電解質薄膜の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2715638B2 (ja) | 1998-02-18 |
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