JPH049807A - ポリイミド系光導波路 - Google Patents
ポリイミド系光導波路Info
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- JPH049807A JPH049807A JP11050090A JP11050090A JPH049807A JP H049807 A JPH049807 A JP H049807A JP 11050090 A JP11050090 A JP 11050090A JP 11050090 A JP11050090 A JP 11050090A JP H049807 A JPH049807 A JP H049807A
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- polyimide
- optical waveguide
- optical
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- cladding layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光導波路に関し、特に耐熱性に優れたプラスチ
ック系光導波路に関する。
ック系光導波路に関する。
低損失光ファイバの開発による光通信システムの実用化
に伴い、種々の光通信用部品の開発が望まれている。ま
たこれら光部品を高密度に実装する光配線技術、特に光
導波路技術の確立が望まれている。
に伴い、種々の光通信用部品の開発が望まれている。ま
たこれら光部品を高密度に実装する光配線技術、特に光
導波路技術の確立が望まれている。
一般に、光導波路には、■光損失が小さい、■製造が容
易、■コアとクラッドの屈折率差を制御できる、■耐熱
性に優れている、等の条件が要求される。
易、■コアとクラッドの屈折率差を制御できる、■耐熱
性に優れている、等の条件が要求される。
低損失な光導波路としては石英系が主に検討されている
。光ファイバで実証済みのように石英は光透過性が極め
て良好であるた約導波路とした場合も波長１．３μｍに
おいて０．１６Ｂ／ｃｍ以下の低損失化が達成されてい
る。しかしその光導波路作製に長時間を必要とする、作
製時に高温が必要である、大面積化が困難であるなど製
造上の問題点がある。これに対してポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）などのプラスチック系光導波路は低
い温度で成形が可能であり、低価格が期待できるが耐熱
性に劣る、長波長で十分な低損失化が達成されていない
、などの欠点がある。
。光ファイバで実証済みのように石英は光透過性が極め
て良好であるた約導波路とした場合も波長１．３μｍに
おいて０．１６Ｂ／ｃｍ以下の低損失化が達成されてい
る。しかしその光導波路作製に長時間を必要とする、作
製時に高温が必要である、大面積化が困難であるなど製
造上の問題点がある。これに対してポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）などのプラスチック系光導波路は低
い温度で成形が可能であり、低価格が期待できるが耐熱
性に劣る、長波長で十分な低損失化が達成されていない
、などの欠点がある。
従来の技術で示したように石英系光導波路、プラスチッ
ク系光導波路とも問題点があり、現在のところ光導波路
に要求される上記４点の条件を満足する光導波路は得ら
れていない。
ク系光導波路とも問題点があり、現在のところ光導波路
に要求される上記４点の条件を満足する光導波路は得ら
れていない。
本発明は、屈折率差を自由にコントロールでき、製造が
容易でしかも耐熱性が良好な低損失光導波路を提供する
ことを目的とする。
容易でしかも耐熱性が良好な低損失光導波路を提供する
ことを目的とする。
本発明を概説すれば、本発明はポリイミド系光導波路に
関する発明であって、テトラカルボン酸二無水物とジア
ミンから得られるポリイミドを構成要素とするポリイミ
ド系光導波路において、該ポリイミドが、下記の構造式
■：Ｆ、じ で表されるジアミン若しくはそれを含むジアミンからの
ポリイミド、又はその混合物であることを特徴とする。
関する発明であって、テトラカルボン酸二無水物とジア
ミンから得られるポリイミドを構成要素とするポリイミ
ド系光導波路において、該ポリイミドが、下記の構造式
■：Ｆ、じ で表されるジアミン若しくはそれを含むジアミンからの
ポリイミド、又はその混合物であることを特徴とする。
本発明においてはプラスチック中でも最も高い耐熱性を
有するポリイミドを先導波路のコア層、クラッド層のい
ずれか又は両方に用いることを特徴とする。ポリイミド
の耐熱温度は３００℃以上であり、電子材料として重要
な特性であるハンダ耐熱性は十分に保持している。更に
スピンコード法により、容易に大面積導波路が作製でき
るという利点を持ち、導波路の低価格化が可能である。
有するポリイミドを先導波路のコア層、クラッド層のい
ずれか又は両方に用いることを特徴とする。ポリイミド
の耐熱温度は３００℃以上であり、電子材料として重要
な特性であるハンダ耐熱性は十分に保持している。更に
スピンコード法により、容易に大面積導波路が作製でき
るという利点を持ち、導波路の低価格化が可能である。
またポリイミド導波路の作製温度は通常４００℃以下で
あるため、石英、シリコーン以外にポリイミドなど既に
電気配線基板として使用されている汎用の基板上にも作
製できるという利点を有している。−刃数に上布されて
いるポリイミドは吸湿性が高く、使用時に屈折率が変化
すること、材料吸収による光損失が大きいことなどの欠
点がある。本発明者らは光導波路の適用を目指して種々
のポリイミドを合成して適用性を検討した結果、以下に
示すフッ素化ポリイミド群において良好な光導波路が形
成できることを見出した。すなわち、テトラカルボン酸
二無水物とジアミンから得られるポリイミドにおいて、
前記の構造式Ｉで表されるジアミン若しくはそれを含む
ジアミンからのポリイミド又はその混合物を光導波路の
構成要素とすることが必要である。
あるため、石英、シリコーン以外にポリイミドなど既に
電気配線基板として使用されている汎用の基板上にも作
製できるという利点を有している。−刃数に上布されて
いるポリイミドは吸湿性が高く、使用時に屈折率が変化
すること、材料吸収による光損失が大きいことなどの欠
点がある。本発明者らは光導波路の適用を目指して種々
のポリイミドを合成して適用性を検討した結果、以下に
示すフッ素化ポリイミド群において良好な光導波路が形
成できることを見出した。すなわち、テトラカルボン酸
二無水物とジアミンから得られるポリイミドにおいて、
前記の構造式Ｉで表されるジアミン若しくはそれを含む
ジアミンからのポリイミド又はその混合物を光導波路の
構成要素とすることが必要である。
本発明に用いるテトラカルボン酸二無水物としては、例
えばピロメリット酸二無水物、３゜３’、４．４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３．３’
、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
、２．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−ヘ
キサフルオロブロバンニ無水物、トリフルオロメチルピ
ロメリット酸二無水物、１．４−ジ（トリフルオロメチ
ル）ピロメリット酸二無水物、１゜４−ジ（ペンタフル
オロエチル）ピロメリット酸二無水物、ヘプタフルオロ
プロピルピロメリット酸二無水物等が挙げられる。この
中でピロメリット酸のベンゼン環にフルオロアルキル基
を導入した含フツ素酸二無水物であるトリフルオロメチ
ルピロメリット酸二無水物、１．４−ジ（トリフルオロ
メチル）ピロメリット酸二無水物、ｌ、４−ジ（ペンタ
フルオロエチル）ピロメリット酸二無水物、ヘプタフル
オロプロピルピロメリット酸二無水物等の製造方法は特
願昭６３−１６５０５６号明細書に記載されている。
えばピロメリット酸二無水物、３゜３’、４．４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３．３’
、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
、２．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−ヘ
キサフルオロブロバンニ無水物、トリフルオロメチルピ
ロメリット酸二無水物、１．４−ジ（トリフルオロメチ
ル）ピロメリット酸二無水物、１゜４−ジ（ペンタフル
オロエチル）ピロメリット酸二無水物、ヘプタフルオロ
プロピルピロメリット酸二無水物等が挙げられる。この
中でピロメリット酸のベンゼン環にフルオロアルキル基
を導入した含フツ素酸二無水物であるトリフルオロメチ
ルピロメリット酸二無水物、１．４−ジ（トリフルオロ
メチル）ピロメリット酸二無水物、ｌ、４−ジ（ペンタ
フルオロエチル）ピロメリット酸二無水物、ヘプタフル
オロプロピルピロメリット酸二無水物等の製造方法は特
願昭６３−１６５０５６号明細書に記載されている。
また式Ｉで表されるジアミン以外のジアミンとしては、
３．３′−ジメチル−４，４′ −ジアミノビフェニル
、４．４’ −ジアミノ−ｐ−テルフェニル等が挙げ
られる。式■で表される２、２’ −（ビストリフル
オロメチル）−４゜４′ −ジアミノビフェニルの製造
方法は、例えば日本化学会誌、第１９７２巻、第３号、
第６７５〜６７６頁（１９７２）に記載されている。
３．３′−ジメチル−４，４′ −ジアミノビフェニル
、４．４’ −ジアミノ−ｐ−テルフェニル等が挙げ
られる。式■で表される２、２’ −（ビストリフル
オロメチル）−４゜４′ −ジアミノビフェニルの製造
方法は、例えば日本化学会誌、第１９７２巻、第３号、
第６７５〜６７６頁（１９７２）に記載されている。
本発明に使用するポリイミドの前駆体であるポリアミッ
ク酸の製造方法は、通常のポリアミツク酸の製造条件と
同じでよく、−船釣にはＮ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミドなどの極性有機溶媒中で反応させる。本発明に
おいてはジアミンまたテトラカルボン酸二無水物共単一
化合物で用いるばかりではなく、複数のジアミン、テト
ラカルボン酸二無水物を混合して用いる場合がある。そ
の場合は、複数又は単一のジアミンのモル数の合計と複
数又は単一のテトラカルボン酸二無水物のモル数の合計
が等しいかほぼ等しくなるようにする。
ク酸の製造方法は、通常のポリアミツク酸の製造条件と
同じでよく、−船釣にはＮ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミドなどの極性有機溶媒中で反応させる。本発明に
おいてはジアミンまたテトラカルボン酸二無水物共単一
化合物で用いるばかりではなく、複数のジアミン、テト
ラカルボン酸二無水物を混合して用いる場合がある。そ
の場合は、複数又は単一のジアミンのモル数の合計と複
数又は単一のテトラカルボン酸二無水物のモル数の合計
が等しいかほぼ等しくなるようにする。
次に得られたポリアミック酸のイミド化によるポリイミ
ドの合成であるが、通常のポリイミドの合成法が使用で
きる。本発明においては、単一のポリアミック酸のイミ
ド化のほか、複数のポリアミック酸を混合した状態での
イミド化を行い、ポリイミドの混合体も得ている。
ドの合成であるが、通常のポリイミドの合成法が使用で
きる。本発明においては、単一のポリアミック酸のイミ
ド化のほか、複数のポリアミック酸を混合した状態での
イミド化を行い、ポリイミドの混合体も得ている。
本発明の光導波路の構造は、一般に製造されているすべ
ての光導波路と同様でよく、例えばファイバ型、平面型
、リッジ型、レンズ型、埋約込み型等がある。光導波路
のコア材とクラツド材の選択は、光の波長、使用用途に
適した屈折率の差になるようにすればよい。
ての光導波路と同様でよく、例えばファイバ型、平面型
、リッジ型、レンズ型、埋約込み型等がある。光導波路
のコア材とクラツド材の選択は、光の波長、使用用途に
適した屈折率の差になるようにすればよい。
リッジ型の製造方法について第１図を参照しつつ説明す
る。すなわち第１図は本発明によるリッジ型光導波路の
作製方法の一例を示す工程図であって、符号１は基板、
２は下部クラッド層、３はコア層、４はアルミニウム層
、５はレジスト層を意味する。シリコン等の基板１の上
に本発明の構成要素であるポリイミドが形成可能なポリ
アミック酸を所定の厚さに塗布し、加熱することにより
下部クラッド層２を得る。次いで下部クラッド層２の上
に下部クラッド層よりも屈折率の大きい本発明の構成要
素であるポリイミドが形成可能なポリアミック酸を所定
の厚さに塗布し、加熱することによりコア層３を得る。
る。すなわち第１図は本発明によるリッジ型光導波路の
作製方法の一例を示す工程図であって、符号１は基板、
２は下部クラッド層、３はコア層、４はアルミニウム層
、５はレジスト層を意味する。シリコン等の基板１の上
に本発明の構成要素であるポリイミドが形成可能なポリ
アミック酸を所定の厚さに塗布し、加熱することにより
下部クラッド層２を得る。次いで下部クラッド層２の上
に下部クラッド層よりも屈折率の大きい本発明の構成要
素であるポリイミドが形成可能なポリアミック酸を所定
の厚さに塗布し、加熱することによりコア層３を得る。
次に蒸着によりアルミニウム層４をつけた後レジスト塗
布、プリベータ、露光、現像、アフターベータを行い、
バターニングされたレジスト層５を得る。アルミニウム
をウェットエツチングにより除去した後、ポリイミドを
ドライエツチングにより除去する。最後に残ったアルミ
ニウム層４をウェットエツチングで除去し、光導波路を
得る。このようにして下部クラッド層、コア層が本発明
の構成要素であるポリイミド、上部クラッド層が空気層
のリッジ型先導波路が得られる。
布、プリベータ、露光、現像、アフターベータを行い、
バターニングされたレジスト層５を得る。アルミニウム
をウェットエツチングにより除去した後、ポリイミドを
ドライエツチングにより除去する。最後に残ったアルミ
ニウム層４をウェットエツチングで除去し、光導波路を
得る。このようにして下部クラッド層、コア層が本発明
の構成要素であるポリイミド、上部クラッド層が空気層
のリッジ型先導波路が得られる。
また第２図に示したように第］ｒＩ！Ｊのリッジ型光導
波路にコア層よりも屈折率の小さい本発明の構成要素で
あるポリイミドで構成される上部クラッド層６を形成す
ることにより、下部クラッド層、コア層、上部クラッド
層とも本発明の構成要素であるポリイミドの埋約込み型
光導波路が得られる。すなわち第２図は、埋め込み型光
導波路の一例の断面図であり、符号１〜３は第１図と同
義、６は上部クラッド層を意味する。
波路にコア層よりも屈折率の小さい本発明の構成要素で
あるポリイミドで構成される上部クラッド層６を形成す
ることにより、下部クラッド層、コア層、上部クラッド
層とも本発明の構成要素であるポリイミドの埋約込み型
光導波路が得られる。すなわち第２図は、埋め込み型光
導波路の一例の断面図であり、符号１〜３は第１図と同
義、６は上部クラッド層を意味する。
以下、いくつかの実施例を用いて本発明を更に詳しく説
明する。なお種々のポリイミドの組合せにより、また先
導波路構造により数限りない本発明のポリイミド系光導
波路が得られることは明らかであり、本発明はこれらの
実施例のみに限定されるものではない。
明する。なお種々のポリイミドの組合せにより、また先
導波路構造により数限りない本発明のポリイミド系光導
波路が得られることは明らかであり、本発明はこれらの
実施例のみに限定されるものではない。
本実施例に用いたポリイミド及びその混合物の熱分解温
度、屈折率を表１に示す。なお熱分解温度は窒素気流下
１０℃／分の速度で昇温した時の１０ｗｔ％重量減生重
量温度で示した。屈折率はアツベ型屈折率計を用いて、
２０℃における波長５８９ｎｍでの屈折率で示した。な
お表１において番号１〜６はポリイミド単体、番号７〜
１５はポリイミド共重合体、番号１６〜２０はポリイミ
ド混合物である。
度、屈折率を表１に示す。なお熱分解温度は窒素気流下
１０℃／分の速度で昇温した時の１０ｗｔ％重量減生重
量温度で示した。屈折率はアツベ型屈折率計を用いて、
２０℃における波長５８９ｎｍでの屈折率で示した。な
お表１において番号１〜６はポリイミド単体、番号７〜
１５はポリイミド共重合体、番号１６〜２０はポリイミ
ド混合物である。
表１−１ 本実施例で使用したポリイミドの特性３！
ｌ−２本実施例で使用したポリイミドの混合物の特性こ
のように本実施例で用いたポリイミド及びその組成物は
屈折率が１．４９から１．６５の間に細かく存在するた
め、これらを用いたコアとクラッドの屈折率差を自由に
制御できる。また熱分解温度はすべて５００℃以上と高
く、ハンダにも十分に耐えるだけの耐熱性を有している
。
ｌ−２本実施例で使用したポリイミドの混合物の特性こ
のように本実施例で用いたポリイミド及びその組成物は
屈折率が１．４９から１．６５の間に細かく存在するた
め、これらを用いたコアとクラッドの屈折率差を自由に
制御できる。また熱分解温度はすべて５００℃以上と高
く、ハンダにも十分に耐えるだけの耐熱性を有している
。
表１に示したポリイミド及びその混合物を用いて作製し
た光導波路の実施例を示す。なお光伝搬損失は作製した
先導波路に波長０．６３μｍ、０．８５μｍ及び１．３
μｍの光を通してストリーク光散乱法又はカットバック
法で測定した。
た光導波路の実施例を示す。なお光伝搬損失は作製した
先導波路に波長０．６３μｍ、０．８５μｍ及び１．３
μｍの光を通してストリーク光散乱法又はカットバック
法で測定した。
実施例１
表面が酸化シリコン層である直径３インチのシリコンウ
ェファに表１の番号１のポリイミドの前駆体であるポリ
アミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液を加
熱後の膜厚が１０μｍになるようにスピンコード法によ
り塗布した後最高温度３５０℃で熱処理をした。このよ
うにして下部クラッド層が酸化シリコン層、コア層が表
１の番号１のポリイミド、上部クラッド層が空気層の最
も単純な平面型光導波路が得られた。この光導波路に波
長０．６３μｍの光を通してストリーク光散乱法で光伝
搬損失を測定した結果、０．８５ ｄＢ／ｃｍであった
。
ェファに表１の番号１のポリイミドの前駆体であるポリ
アミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液を加
熱後の膜厚が１０μｍになるようにスピンコード法によ
り塗布した後最高温度３５０℃で熱処理をした。このよ
うにして下部クラッド層が酸化シリコン層、コア層が表
１の番号１のポリイミド、上部クラッド層が空気層の最
も単純な平面型光導波路が得られた。この光導波路に波
長０．６３μｍの光を通してストリーク光散乱法で光伝
搬損失を測定した結果、０．８５ ｄＢ／ｃｍであった
。
実施例２〜２０
実施例１において使用した表１の番号１のポリイミドの
前駆体であるポリアミック酸のジメチルアセトアミド１
０ｗｔ％溶液の代りに表１の番号２〜２０から選ばれた
ポリイミド及びその混合物の前駆体であるポリアミック
酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液を用いて実施
例１と同様の方法で、下部クラッド層が酸化シリコン層
、コア層が表１の番号２〜２０から選ばれたポリイミド
、上部クラッド層が空気層の最も単純な平面型光導波路
を得た。この光導波路に波長０．６３μｍの光を通して
ス） ＩＪ−り光散乱法で光伝搬損失を測定した。結果
を表２に示す。
前駆体であるポリアミック酸のジメチルアセトアミド１
０ｗｔ％溶液の代りに表１の番号２〜２０から選ばれた
ポリイミド及びその混合物の前駆体であるポリアミック
酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液を用いて実施
例１と同様の方法で、下部クラッド層が酸化シリコン層
、コア層が表１の番号２〜２０から選ばれたポリイミド
、上部クラッド層が空気層の最も単純な平面型光導波路
を得た。この光導波路に波長０．６３μｍの光を通して
ス） ＩＪ−り光散乱法で光伝搬損失を測定した。結果
を表２に示す。
表２ 平面型光導波路の光伝搬損失（波長 ０．６３μ
ｌ）実施例２１ 表面が酸化シリコン層である直径３インチのシリコンウ
ェファに表１の番号１５のポリイミドの前駆体であるポ
リアミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液を
加熱後の膜厚が３０μｍになるようにスピンコード法に
より塗布した。この塗膜を最高温度３５０℃で熱処理を
して下部クラッド層を形成した。引続いてこの下部クラ
ッド層上に表１の番号１のポリイミドの前駆体であるポ
リアミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液を
加熱後の膜厚が１０μｍになるようにスピンコード法に
より塗布した。
ｌ）実施例２１ 表面が酸化シリコン層である直径３インチのシリコンウ
ェファに表１の番号１５のポリイミドの前駆体であるポ
リアミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液を
加熱後の膜厚が３０μｍになるようにスピンコード法に
より塗布した。この塗膜を最高温度３５０℃で熱処理を
して下部クラッド層を形成した。引続いてこの下部クラ
ッド層上に表１の番号１のポリイミドの前駆体であるポ
リアミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液を
加熱後の膜厚が１０μｍになるようにスピンコード法に
より塗布した。
この塗膜を最高温度３５０ｔ：で熱処理をしてコア層を
形成した。次に電子ビーム蒸着機により、アルミニウム
を０．３μｍつけた後レジスト加工を行った。まず通常
のポジ型レジストをスピンコード法により塗布した後約
９５℃でプリベークを行った。次に線幅１０μｍ１長さ
６０ｍｍのパターン形成用マスクを通して超高圧水銀ラ
ンプを用いて紫外線を照射した後ポジ型レジスト用の現
像液を用いて現像した。その後１３５℃でアフターベー
クをした。次にレジストでコートされていないアルミニ
ウムのウェットエツチングを行った。洗浄乾燥後ドライ
エツチング装置を用いポリイミドのＲＩＥ加工を行った
。最後にポリイミドの上層にあるアルミニウムを上記し
たエツチング液で除去し、下部クラッド層が表１の番号
１５のポリイミド、コア層が表１の番号１のポリイミド
、上部クラッド層が空気層のりッジ型先導波路が得られ
た。この先導波路に波長０．８５μｍの光を通してカッ
トバック法で光伝搬損失を測定した結果、０．７０６Ｂ
／ｃｍであった。また波長１．３μｍでの光伝搬損失は
０、３６Ｂ／ｃｍであった。
形成した。次に電子ビーム蒸着機により、アルミニウム
を０．３μｍつけた後レジスト加工を行った。まず通常
のポジ型レジストをスピンコード法により塗布した後約
９５℃でプリベークを行った。次に線幅１０μｍ１長さ
６０ｍｍのパターン形成用マスクを通して超高圧水銀ラ
ンプを用いて紫外線を照射した後ポジ型レジスト用の現
像液を用いて現像した。その後１３５℃でアフターベー
クをした。次にレジストでコートされていないアルミニ
ウムのウェットエツチングを行った。洗浄乾燥後ドライ
エツチング装置を用いポリイミドのＲＩＥ加工を行った
。最後にポリイミドの上層にあるアルミニウムを上記し
たエツチング液で除去し、下部クラッド層が表１の番号
１５のポリイミド、コア層が表１の番号１のポリイミド
、上部クラッド層が空気層のりッジ型先導波路が得られ
た。この先導波路に波長０．８５μｍの光を通してカッ
トバック法で光伝搬損失を測定した結果、０．７０６Ｂ
／ｃｍであった。また波長１．３μｍでの光伝搬損失は
０、３６Ｂ／ｃｍであった。
実施例２２〜４０
実施例２１にふいて下部クラッド層として使用した表１
の番号１５のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸
のジメチルアセトアミド１．０ｗｔ％溶液の代りに表１
の番号８〜１４から選ばれたポリイミドの前駆体である
ポリアミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液
を用い、またコア層として使用した表１の番号１のポリ
イミドの前駆体であるポリアミック酸のジメチルアセト
アミド１０ｗｔ％溶液の代りに表１の番号ｌ及び１２〜
１４から選ばれた下部クラッド層よりも屈折率の大きい
ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸のジメチルア
セトアミド１．０ｗｔ％溶液を用いて実施例２１と同様
の方法で下部クラッド層、コア層共表１の番号１及び８
〜１４から選ばれたポリイミド、上部クラッド層が空気
層のりッジ型先導波路を得た。この光導波路に波長０．
８５μｍの光を通してカットバック法で光伝搬損失を測
定した。結果を表３に示す。
の番号１５のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸
のジメチルアセトアミド１．０ｗｔ％溶液の代りに表１
の番号８〜１４から選ばれたポリイミドの前駆体である
ポリアミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液
を用い、またコア層として使用した表１の番号１のポリ
イミドの前駆体であるポリアミック酸のジメチルアセト
アミド１０ｗｔ％溶液の代りに表１の番号ｌ及び１２〜
１４から選ばれた下部クラッド層よりも屈折率の大きい
ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸のジメチルア
セトアミド１．０ｗｔ％溶液を用いて実施例２１と同様
の方法で下部クラッド層、コア層共表１の番号１及び８
〜１４から選ばれたポリイミド、上部クラッド層が空気
層のりッジ型先導波路を得た。この光導波路に波長０．
８５μｍの光を通してカットバック法で光伝搬損失を測
定した。結果を表３に示す。
リッジ型光導波路の光伝搬損失（波長
０．８５μ■）
埋め込み型光導波路の光伝搬損失（波長０．８５μｓ＋
） 実施例４１〜６０ 実施例２１〜４０において作製したりッジ型光導波路の
上に下部クラッド層と同様のポリイミドの前駆体である
ポリアミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液
を加熱後の膜厚が３０μｍになるようにスピンコード法
により塗布した。この塗膜を最高温度３５０℃で熱処理
して上部クラッド層を形成した。このようにして下部ク
ラッド層、コア層、上部クラッド層共本発明の構成要素
であるポリイミドを用いた埋め込み型先導波路が得られ
た。この光導波路に波長０．８５μｍの光を通してカッ
トバック法で光伝搬損失を測定した。結果を表４に示す
。また実施例４１の先導波路の波長１．３μｍでの光伝
搬損失は０．１ ｄＢ／ｃｍであった。
） 実施例４１〜６０ 実施例２１〜４０において作製したりッジ型光導波路の
上に下部クラッド層と同様のポリイミドの前駆体である
ポリアミック酸のジメチルアセトアミド１０ｗｔ％溶液
を加熱後の膜厚が３０μｍになるようにスピンコード法
により塗布した。この塗膜を最高温度３５０℃で熱処理
して上部クラッド層を形成した。このようにして下部ク
ラッド層、コア層、上部クラッド層共本発明の構成要素
であるポリイミドを用いた埋め込み型先導波路が得られ
た。この光導波路に波長０．８５μｍの光を通してカッ
トバック法で光伝搬損失を測定した。結果を表４に示す
。また実施例４１の先導波路の波長１．３μｍでの光伝
搬損失は０．１ ｄＢ／ｃｍであった。
本発明によれば従来の石英系光導波路、プラスチック系
光導波路で得られていない屈折率差を自由にコントロー
ルでき、製造が容易でしかも耐熱性が良好な低損失光導
波路を提供することができる。
光導波路で得られていない屈折率差を自由にコントロー
ルでき、製造が容易でしかも耐熱性が良好な低損失光導
波路を提供することができる。
第１図は本発明によるリッジ型光導波路の作製方法の一
例を示す工程図、第２図は埋約込み型光導波路の一例の
断面図である。 １：基板、２：下部クラッド層、３：コア層、４ニアル
ミニウム層、５ニレジスト層、６：上部クラッド層 特許出願人 日本電信電話株式会社
例を示す工程図、第２図は埋約込み型光導波路の一例の
断面図である。 １：基板、２：下部クラッド層、３：コア層、４ニアル
ミニウム層、５ニレジスト層、６：上部クラッド層 特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、テトラカルボン酸二無水物とジアミンから得られる
ポリイミドを構成要素とするポリイミド系光導波路にお
いて、該ポリイミドが、下記の構造式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 で表されるジアミン若しくはそれを含むジアミンからの
ポリイミド、又はその混合物であることを特徴とするポ
リイミド系光導波路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050090A JP2813713B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ポリイミド系光導波路 |
| CA002041133A CA2041133C (en) | 1990-04-27 | 1991-04-24 | Polymide optical waveguide |
| EP91401120A EP0454590B1 (en) | 1990-04-27 | 1991-04-26 | Polyimide optical waveguide |
| DE69120464T DE69120464T2 (de) | 1990-04-27 | 1991-04-26 | Opischer Wellenleiter aus Polyimid |
| US07/692,249 US5108201A (en) | 1990-04-27 | 1991-04-26 | Polyimide optical waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050090A JP2813713B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ポリイミド系光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049807A true JPH049807A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2813713B2 JP2813713B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=14537340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11050090A Expired - Lifetime JP2813713B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ポリイミド系光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813713B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273225A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Asahi Denka Kogyo Kk | 硬化性の耐衝撃性を有する注型樹脂組成物 |
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| EP0720030A1 (en) | 1994-12-28 | 1996-07-03 | Hoechst Aktiengesellschaft | Waveguide device and method for production thereof |
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| US6731856B1 (en) | 1998-11-27 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic waveguide and manufacturing method thereof and optical part using the same |
| US6750320B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-06-15 | Central Glass Company, Limited | Process for producing polyimide platy object |
| US6842576B2 (en) | 2003-05-19 | 2005-01-11 | Nitto Denko Corporation | Polymer lightguide |
| EP1847861A2 (en) | 2003-10-06 | 2007-10-24 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical waveguide having specular surface formed by laser beam machining |
| WO2008059577A1 (en) | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Light guide and light guide structure |
| US7738755B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-06-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical waveguide film and photoelectric film |
| WO2015020002A1 (ja) | 2013-08-07 | 2015-02-12 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素芳香族化合物、その製造方法、硬化性材料、その硬化物、及び光学部材 |
| JP2018145440A (ja) * | 2014-07-17 | 2018-09-20 | 旭化成株式会社 | 樹脂前駆体及びそれを含有する樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、樹脂フィルム及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2019327A4 (en) | 2006-05-12 | 2012-09-05 | Mitsui Chemicals Inc | HYBRID OPTOELECTRIC FILM AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11050090A patent/JP2813713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
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| WO2008059577A1 (en) | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Light guide and light guide structure |
| US8200058B2 (en) | 2006-11-16 | 2012-06-12 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Light guide and light guide structure |
| WO2015020002A1 (ja) | 2013-08-07 | 2015-02-12 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素芳香族化合物、その製造方法、硬化性材料、その硬化物、及び光学部材 |
| US10087128B2 (en) | 2013-08-07 | 2018-10-02 | AGC Inc. | Fluorinated aromatic compound, method for its production, curable material, its cured product, and optical member |
| JP2018145440A (ja) * | 2014-07-17 | 2018-09-20 | 旭化成株式会社 | 樹脂前駆体及びそれを含有する樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、樹脂フィルム及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2813713B2 (ja) | 1998-10-22 |
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