JPH0499021A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0499021A JPH0499021A JP20853190A JP20853190A JPH0499021A JP H0499021 A JPH0499021 A JP H0499021A JP 20853190 A JP20853190 A JP 20853190A JP 20853190 A JP20853190 A JP 20853190A JP H0499021 A JPH0499021 A JP H0499021A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- heater
- substrate
- metal film
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置、特に半導体基板表面にマグネ
トロンスパッタ方式で金属膜を形成する半導体製造装置
に関するものである。
トロンスパッタ方式で金属膜を形成する半導体製造装置
に関するものである。
従来、半導体基板表面にマグネトロンスパッタ方式で金
属膜を形成する半導体製造装置においては、第２図の分
解斜視図に示すように、半導体基板１の加熱は半導体基
板１と同一外径サイズの円筒状ヒーターを接触させるこ
とによって行われていた。
属膜を形成する半導体製造装置においては、第２図の分
解斜視図に示すように、半導体基板１の加熱は半導体基
板１と同一外径サイズの円筒状ヒーターを接触させるこ
とによって行われていた。
上述した従来の半導体製造装置のヒーターの形状では、
半導体基板１のＯＦ（オリエンテーションフラット）形
状に合わせて円筒状ヒーター３の表面に金属膜の堆積物
５が付着し、半導体基板１のＯＦ位置がずれると半導体
基板１が円筒状ヒーター３の表面の金属膜の堆積物５と
接触し、ホルダー２から半導体基板１の落下を招き、装
置稼働率の低下をもたらしていた。
半導体基板１のＯＦ（オリエンテーションフラット）形
状に合わせて円筒状ヒーター３の表面に金属膜の堆積物
５が付着し、半導体基板１のＯＦ位置がずれると半導体
基板１が円筒状ヒーター３の表面の金属膜の堆積物５と
接触し、ホルダー２から半導体基板１の落下を招き、装
置稼働率の低下をもたらしていた。
上述した従来の半導体製造装置のヒーター構造に対し、
本発明はヒーター表面が半導体基板のＯＦに合わせた形
状を有するという相違点がある。
本発明はヒーター表面が半導体基板のＯＦに合わせた形
状を有するという相違点がある。
本発明は半導体基板を加熱するヒーターの表面に、半導
体基板のＯＦと形状を合わせた切り欠きを設けた半導体
製造装置である。
体基板のＯＦと形状を合わせた切り欠きを設けた半導体
製造装置である。
次に本発明を図面を参照して説明する。第１図は本発明
の一実施例の分解斜視図である。半導体基板ｌのＯＦ粒
位置合わせてホルダー２でクランプし、ホルダー２をス
パッタガン４と半導体基板１のＯＦに合った形状を有す
るヒーター３ａとの間まで搬送し、ヒーター３ａに半導
体基板１を押しつけスパッタを行う構造となっている。
の一実施例の分解斜視図である。半導体基板ｌのＯＦ粒
位置合わせてホルダー２でクランプし、ホルダー２をス
パッタガン４と半導体基板１のＯＦに合った形状を有す
るヒーター３ａとの間まで搬送し、ヒーター３ａに半導
体基板１を押しつけスパッタを行う構造となっている。
以上のようにヒーター３ａが半導体基板１のＯＦに合わ
せた形状を有している為ヒーター３ａの表面に金属膜の
堆積物が無く、半導体基板が落下しない。
せた形状を有している為ヒーター３ａの表面に金属膜の
堆積物が無く、半導体基板が落下しない。
以上説明したように本発明によれば、ヒーターに半導体
基板のＯＦと合せた切り欠きを設けることにより、ヒー
ター表面に金属膜の堆積が無くなり、金属膜の堆積物と
半導体基板との接触による半導体基板の落下が無くなり
、半導体製造装置の稼働率が向上できる効果がある。
基板のＯＦと合せた切り欠きを設けることにより、ヒー
ター表面に金属膜の堆積が無くなり、金属膜の堆積物と
半導体基板との接触による半導体基板の落下が無くなり
、半導体製造装置の稼働率が向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の分解斜視図、第２図は従来
装置を示す分解斜視図である。 １・・・半導体基板、２・・・ホルダー ３・・・円筒
状ヒーター ３ａ・・・ヒーター、４・・・スパッタガ
ン、５・・・堆積物。
装置を示す分解斜視図である。 １・・・半導体基板、２・・・ホルダー ３・・・円筒
状ヒーター ３ａ・・・ヒーター、４・・・スパッタガ
ン、５・・・堆積物。
Claims (1)
- 半導体基板表面にマグネトロンスパッタ方式で金属膜
を形成する半導体製造装置において、半導体基板を加熱
するヒーターの表面が半導体基板のオリエンテーション
フラットに合わせた切り欠き形状を有することを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20853190A JPH0499021A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20853190A JPH0499021A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499021A true JPH0499021A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16557731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20853190A Pending JPH0499021A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499021A (ja) |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP20853190A patent/JPH0499021A/ja active Pending
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