JPH0499264A - Vacuum device - Google Patents
Vacuum deviceInfo
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- JPH0499264A JPH0499264A JP21243790A JP21243790A JPH0499264A JP H0499264 A JPH0499264 A JP H0499264A JP 21243790 A JP21243790 A JP 21243790A JP 21243790 A JP21243790 A JP 21243790A JP H0499264 A JPH0499264 A JP H0499264A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
超高真空で連続して使用する真空装置に関し、装置の稼
動率を向上することを目的とし、超高真空排気系を有す
る第1の真空室と、該第1の真空室内に移動可能な機構
部を備えると共に粗排気系を有する第2の真空室が、ゲ
ートバルブを介して隣接して設けられているエアロツク
機構付きの真空装置において、前記機構部を備えて移動
する移動部に第1の真空室と第2の真空室を遮蔽する蓋
部を、またゲートバルブの近傍の真空室の内壁に封止枠
体を設け、第2の真空室にある機構部を第1の真空室に
移動し、位置決めした状態で、前記蓋部と封止枠体とが
シール材を介して密着して真空遮蔽することを特徴とし
て真空装置を構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a vacuum device that is continuously used in an ultra-high vacuum, the purpose of improving the operating rate of the device is to provide a first vacuum chamber having an ultra-high vacuum evacuation system; In a vacuum apparatus with an air mechanism, a second vacuum chamber including a movable mechanism within the first vacuum chamber and having a rough exhaust system is provided adjacent to the first vacuum chamber via a gate valve. A lid part for shielding the first vacuum chamber and the second vacuum chamber is provided on the movable part that moves with the gate valve, and a sealing frame is provided on the inner wall of the vacuum chamber near the gate valve. The vacuum device is characterized in that when the mechanism section is moved to the first vacuum chamber and positioned, the lid section and the sealing frame are in close contact with each other via a sealing material to shield the vacuum chamber.
本発明は稼動率を向上した真空装置特に超高真空装置の
構成に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a configuration of a vacuum device, particularly an ultra-high vacuum device, with improved operating efficiency.
超高真空装置は薄膜材料の形成装置、例えば分子線結晶
成長装置や材料の評価装置、例えば電子線回折装置やオ
ージェ電子分光装置などに使用されている。Ultra-high vacuum devices are used in devices for forming thin film materials, such as molecular beam crystal growth devices, and materials evaluation devices, such as electron beam diffraction devices and Auger electron spectroscopy devices.
これらの装置の中には半導体デバイスの量産に使われて
いるものもある。Some of these devices are used in the mass production of semiconductor devices.
例えば、分子線結晶成長装置はレーザダイオードや高電
子移動度トランジスタなどのためのエピタキシャル成長
に使われている。For example, molecular beam crystal growth equipment is used for epitaxial growth of laser diodes, high electron mobility transistors, and the like.
そのため、これらの装置に対して装置の稼働率を高める
ことが要求されている。Therefore, it is required to increase the operating rate of these devices.
これらの超高真空装置は真空室に各種の機構部を取りつ
けたものである。These ultra-high vacuum devices have various mechanical parts attached to a vacuum chamber.
例えば、分子線結晶成長装置においては、分子線を発生
する分子線源セルや結晶成長を行う基板を回転・加熱す
る基板マニピュレータが取り付けである。For example, in a molecular beam crystal growth apparatus, a molecular beam source cell that generates a molecular beam and a substrate manipulator that rotates and heats a substrate that performs crystal growth are attached.
分子線源セルは結晶成長を行うにつれて、その中のソー
ス(蒸発材料)が減少するので、ソースを補充する必要
が生ずる。As the molecular beam source cell performs crystal growth, the source (evaporated material) in the cell decreases, and it becomes necessary to replenish the source.
また、基板マニピュレータは故障を起こすときがある。Further, the substrate manipulator may sometimes fail.
このような場合は、装置内部を超高真空から大気に戻し
、ソースの補充や修理を行っている。In such cases, the inside of the device is returned to the atmosphere from ultra-high vacuum to replenish the source and perform repairs.
このように、超高真空装置においては、装置内部を大気
に戻すことをしばしば行っている。As described above, in ultra-high vacuum devices, the inside of the device is often returned to the atmosphere.
ところで、このように装置を大気に戻した場合、真空室
の内壁面には、湿気(H2O) 、酸素(02) 。By the way, when the apparatus is returned to the atmosphere in this way, moisture (H2O) and oxygen (02) are present on the inner wall surface of the vacuum chamber.
窒素(N2) 、炭酸ガス(CO2)など大気中のガス
成分の吸着が起こる。Adsorption of atmospheric gas components such as nitrogen (N2) and carbon dioxide (CO2) occurs.
そのため、真空装置内を完全に大気に戻した後i::1
0−” 〜10−”Torr程度の超高真空に戻t+:
、 は装置を約200°Cでベーキングしながら一週間
程度に亙って排気することが必要である。Therefore, after the inside of the vacuum device is completely returned to the atmosphere, i::1
Return to ultra-high vacuum of about 0-” to 10-” Torr t+:
, it is necessary to bake the device at about 200° C. and evacuate it for about a week.
このことから、稼働率を向上するために、第3図に示す
ようなエアーロック機構付きの真空装置が実用化されて
いる。For this reason, in order to improve the operating rate, a vacuum device with an air lock mechanism as shown in FIG. 3 has been put into practical use.
すなわち、第3図(A)に示すように真空装置において
、超高真空排気系1を有する第1の真空室2と、分子線
源セルなど第1の真空室2の中に移動が可能な機構部3
を備えると共に、例えばターホ分子ポンプ4と油回転ポ
ンプ5などからなる粗排気系6を備えた第2の真空室7
をゲートバルブ8を介して隣接して設けた構成になって
いる。That is, as shown in FIG. 3(A), in a vacuum apparatus, there is a first vacuum chamber 2 having an ultra-high vacuum evacuation system 1, and a molecular beam source cell, etc. that can be moved into the first vacuum chamber 2. Mechanism part 3
A second vacuum chamber 7 is provided with a crude exhaust system 6 consisting of, for example, a Turho molecular pump 4 and an oil rotary pump 5.
are arranged adjacent to each other with a gate valve 8 interposed therebetween.
また、粗排気系6と第2の真空室7との間にもゲートバ
ルブ9が設けられている。Further, a gate valve 9 is also provided between the rough exhaust system 6 and the second vacuum chamber 7.
そして、動作として、まず装置を通常に使用している場
合は、ゲートバルブ9を閉じ、ゲートバルブ8を開けた
状態で、例えばイオンポンプからなる超高真空排気系I
を働かせて第1の真空室2をlo−9〜lO−” To
rr程度の超高真空に維持している。In operation, first, when the device is used normally, the gate valve 9 is closed and the ultra-high vacuum pumping system I, which consists of an ion pump, for example, is opened.
to move the first vacuum chamber 2 from lo-9 to lO-" To
It is maintained at an ultra-high vacuum of about rr.
そして、この場合は、同図(B)に示すようにヘローズ
10を備えた移動機構11により機構部3を第1の真空
室2にまで移行させてあり、分子線発生などの動作を行
わせている。In this case, as shown in the same figure (B), the mechanism section 3 is moved to the first vacuum chamber 2 by a moving mechanism 11 equipped with a heros 10, and operations such as molecular beam generation are performed. ing.
次に、ソースの補給などで機構部3を大気に曝す必要が
生した場合は、超高真空排気系1を動作させたま5で、
移動機構11により機構部3を第2の真空室7にまで移
行させ、ゲートバルブ8を閉じた後、第2の真空室7を
大気に戻す。Next, if it becomes necessary to expose the mechanism section 3 to the atmosphere for source replenishment, etc., leave the ultra-high vacuum evacuation system 1 in operation 5.
After moving the mechanical section 3 to the second vacuum chamber 7 by the moving mechanism 11 and closing the gate valve 8, the second vacuum chamber 7 is returned to the atmosphere.
また、機構部3を第1の真空室2に戻すには、ケートバ
′ルブ9を開き、粗排気系6を動作させて第2の真空室
7を真空排気した後、ゲートバルブ・9を閉じ、ゲート
バルブ8を開いて移動機構IIにより機構部3を第1の
真空室2に移行させる。To return the mechanism section 3 to the first vacuum chamber 2, open the gate valve 9, operate the rough exhaust system 6 to evacuate the second vacuum chamber 7, and then close the gate valve 9. , the gate valve 8 is opened and the mechanism section 3 is moved to the first vacuum chamber 2 by the moving mechanism II.
このようにして、再び機構部3に分子線発生などの動作
を行わせ得る状態となる。In this way, a state is reached in which the mechanism section 3 can perform operations such as molecular beam generation again.
然し、このようなエアーロック機構付きの真空装置では
、第2の真空室7を大気に戻した状態で、第2の真空室
7の内壁に大気中のガス成分が吸着していることから、
充分に排気しない状態でゲートバルブ8を開けると第2
の真空室7の内壁に吸着しているガスが放出して第1の
真空室2に入り込み第1の真空室2の圧力を上昇させて
しまう。However, in such a vacuum device with an air lock mechanism, gas components in the atmosphere are adsorbed on the inner wall of the second vacuum chamber 7 when the second vacuum chamber 7 is returned to the atmosphere.
If the gate valve 8 is opened without sufficient exhaust, the second
The gas adsorbed on the inner wall of the vacuum chamber 7 is released and enters the first vacuum chamber 2, increasing the pressure in the first vacuum chamber 2.
そのため、第2の真空室7の吸着ガスを充分に除去して
後、ケートバルブ8を開ける必要があり、このために第
2の真空室7を約200℃の温度でベーキングしながら
半日〜1日間排気し、少なくともlo−8〜1O−9T
orrの真空度にする必要がある。Therefore, it is necessary to open the gate valve 8 after sufficiently removing the adsorbed gas in the second vacuum chamber 7. For this purpose, the second vacuum chamber 7 is baked at a temperature of about 200°C for half a day to one day. Exhaust for at least lo-8~1O-9T
It is necessary to obtain a vacuum degree of orr.
このように超高真空装置の稼動率を向上するためにエア
ーロック機構付きの装置が実用化されている。As described above, in order to improve the operating efficiency of ultra-high vacuum equipment, equipment with an air lock mechanism has been put into practical use.
然し、量産工程で使用するためには更に稼動率の向上が
必要であり、この対策が必要であった。However, in order to use it in a mass production process, it is necessary to further improve the operating rate, and countermeasures have been necessary.
上記の課題は超高真空排気系を有する第1の真空室と、
該第1の真空室内に移動可能な機構部を備えると共に粗
排気系を有する第2の真空室が、ゲートバルブを介して
隣接して設けられているエアロツク機構付きの真空装置
において、前記機構部を備えて移動する移動部に第1の
真空室と第2の真空室を遮蔽する蓋部を、またゲートバ
ルブの近傍の真空室の内壁に封止枠体を設け、第2の真
空室にある機構部を第1の真空室に移動し、位置決めし
た状態で、前記蓋部と封止枠体とがシール材を介して密
着して真空遮蔽することを特徴とした真空装置を構成す
ることにより解決することができる。The above problem involves a first vacuum chamber having an ultra-high vacuum evacuation system,
In the vacuum apparatus with an aerodynamic mechanism, a second vacuum chamber including a movable mechanism within the first vacuum chamber and having a rough exhaust system is provided adjacent to the first vacuum chamber via a gate valve. A lid part for shielding the first vacuum chamber and the second vacuum chamber is provided on the movable part that moves, and a sealing frame is provided on the inner wall of the vacuum chamber near the gate valve. Constructing a vacuum device characterized in that when a certain mechanism section is moved to a first vacuum chamber and positioned, the lid section and the sealing frame are in close contact with each other via a sealing material to provide vacuum shielding. This can be solved by
本発明は第1の真空室内へ機構部を移動した状態におい
て、第1の真空室へ影響を与える第2の真空室の内壁の
表面積を実質的に縮小することにより第1の真空室への
ガスの流入を減らし、これにより真空装置の稼動率を向
上させるものである。In the present invention, when the mechanism section is moved into the first vacuum chamber, the surface area of the inner wall of the second vacuum chamber that affects the first vacuum chamber is substantially reduced, thereby increasing the influence on the first vacuum chamber. This reduces the inflow of gas, thereby improving the operating rate of the vacuum device.
第1図(A)、 (B)、 (C)は本発明の原理
図を示すもので、同図(A)に示すように機構部3を保
持して移動する移動部12に板状の蓋部13を設け、ま
たゲートバルブ8の近傍の第2の真空室7か或いは第1
の真空室2にシール材15の付いた封止枠体14を設け
、同図(B)、(C)に示すように機構部3を第1の真
空室2内に移行させて位置決めした状態で、蓋部13が
封止枠体14にシール材15を介して圧着し、真空遮蔽
するものである。FIGS. 1(A), 1(B), and 1(C) show the principle of the present invention. As shown in FIG. A cover 13 is provided, and the second vacuum chamber 7 near the gate valve 8 or the first
A sealing frame 14 with a sealing material 15 is provided in the vacuum chamber 2, and the mechanism part 3 is moved and positioned within the first vacuum chamber 2 as shown in FIGS. The lid portion 13 is crimped onto the sealing frame 14 via a sealing material 15 to provide vacuum shielding.
こ\て、シール材15は一般にはOリングであり、蓋部
13に付けておいてもよい。The sealing material 15 is generally an O-ring, and may be attached to the lid 13.
なお、同図(B)はシール材15の付いた封止枠体14
を第2の真空室7に設けた場合であり、また同図(C)
は第1の真空室2に設けた場合である。In addition, the same figure (B) shows the sealing frame 14 with the sealing material 15 attached.
is provided in the second vacuum chamber 7, and the same figure (C)
This is the case where the first vacuum chamber 2 is provided.
このような方法をとると、ゲートバルブ8を開けて機構
部3を第1の真空室2へ移行させた場合、従来は第2の
真空室7の内壁の全域に亙って吸着していたガスが第1
の真空室2へ移り、超高真空排気系1により吸引排気さ
れていたが、本発明に係り板状の蓋部13を用いて真空
遮蔽する構造にすると、第2の真空室7に吸着している
カスの影響を最小限度に抑制できるので、機構部3を第
2の真空室7に移行し、大気に戻して後、再排気する時
間を従来より短縮することができ、これにより真空装置
の稼動率を向上することができる。If such a method is adopted, when the gate valve 8 is opened and the mechanism section 3 is transferred to the first vacuum chamber 2, the entire inner wall of the second vacuum chamber 7 is conventionally attracted. Gas is the first
The vacuum chamber 2 was moved to the second vacuum chamber 2 and was suctioned and exhausted by the ultra-high vacuum evacuation system 1. However, when the plate-shaped lid 13 is used to shield the vacuum according to the present invention, the vacuum chamber 7 is attracted to the second vacuum chamber 7. Since the influence of dust generated in the vacuum chamber 7 can be suppressed to a minimum, the time required to transfer the mechanical part 3 to the second vacuum chamber 7, return it to the atmosphere, and then re-evacuate it can be reduced compared to conventional methods. The operating rate of the equipment can be improved.
第2図は分子線結晶成長装置の分子線源セルに本発明を
適用した例である。FIG. 2 shows an example in which the present invention is applied to a molecular beam source cell of a molecular beam crystal growth apparatus.
すなわち、第2図の状態はゲートバルブ17を開け、分
子線源セル18をセル収容室19より被処理基板が設置
しである成長室2oの方向に移動して位置決めした状態
を示している。That is, the state shown in FIG. 2 shows a state in which the gate valve 17 is opened and the molecular beam source cell 18 is moved from the cell storage chamber 19 toward the growth chamber 2o where the substrate to be processed is installed and positioned.
成長室20の内面はシュラウド21て覆われていて液体
窒素(LN2)が充填されており、図示を省略したが、
開口部を通じてイオンポンプで排気することにより10
−’〜1O−10Torrの真空度を得ることが可能で
ある。The inner surface of the growth chamber 20 is covered with a shroud 21 and filled with liquid nitrogen (LN2), although not shown.
10 by evacuation with an ion pump through the opening.
It is possible to obtain a vacuum degree of -' to 10-10 Torr.
次に、セル収容室19にはターボ分子ポンプ22と油回
転ポンプ23があってセル収容室19を排気するために
使用し、またリークバルブ24がある。Next, the cell housing chamber 19 includes a turbo molecular pump 22 and an oil rotary pump 23, which are used to evacuate the cell housing chamber 19, and a leak valve 24.
また、分子線源セル18の先端方向にはソース25があ
ってヒータ26により加熱されるよう構成されている。Further, a source 25 is provided toward the tip of the molecular beam source cell 18 and is configured to be heated by a heater 26 .
分子線源セル18は第1の円盤29により保持されてい
て、第1のロッド28をカイトとして図の上下方向に移
動することができる。The molecular beam source cell 18 is held by a first disk 29 and can move in the vertical direction in the figure using the first rod 28 as a kite.
また、ヒータ26に連なるリード線27は第1の円板2
9に電流導入端子30により絶縁して取り付けである。Further, a lead wire 27 connected to the heater 26 is connected to the first disc 2.
9 and is insulated and attached using a current introduction terminal 30.
また、セル収容室19と第1の円板29とはベローズ3
1により連結されており、このベローズ31の伸長によ
り、分子線源セル18はセル収容室19にまで後退し、
ケートバルブ17を閉じることにより分子線源セル18
は成長室20より遮断されるよう構成されている。Further, the cell storage chamber 19 and the first disk 29 are connected to the bellows 3.
1, and by extension of this bellows 31, the molecular beam source cell 18 retreats to the cell storage chamber 19,
Molecular beam source cell 18 is closed by closing gate valve 17.
is configured to be isolated from the growth chamber 20.
か\る構成をとる分子線源セルにおいて、本発明に係る
真空遮蔽機構として、ゲートバルブ17に接近したセル
収容室19にステンレス製のリング状部材32を溶接す
ると共にバイトンゴム製のOリングからなるシール材3
3を設けた。In a molecular beam source cell having such a configuration, as a vacuum shielding mechanism according to the present invention, a ring-shaped member 32 made of stainless steel is welded to the cell housing chamber 19 close to the gate valve 17, and an O-ring made of Viton rubber is used. Seal material 3
3 was established.
また、第1の円板29の上に第2のロッド34を設け、
この上に円板状の蓋部35を設けた。Further, a second rod 34 is provided on the first disk 29,
A disk-shaped lid portion 35 was provided on top of this.
なお、蓋部35にはリード線27を通すために電流導入
端子36が設けである。Note that the lid portion 35 is provided with a current introduction terminal 36 for passing the lead wire 27 therethrough.
このような構造をとったうえで、分子線源セル18をセ
ル収容室19に移動し、ゲートバルブ17を閉し、リー
クバルブ24を開けてセル収容室19を大気圧に戻した
。After adopting such a structure, the molecular beam source cell 18 was moved to the cell housing chamber 19, the gate valve 17 was closed, and the leak valve 24 was opened to return the cell housing chamber 19 to atmospheric pressure.
続いて分子線源セル18にソース25を充填し、リーク
バルブ24を閉めて油回転ポンプ23とターボ分子ポン
プ22を動作させ、3時間排気して1O−7torrの
真空度とした後、ゲートバルブ17を開け、蓋部35が
リンク状部材32のシール材33と密着するまで分子線
源セルI8を移動させた。Next, the molecular beam source cell 18 is filled with the source 25, the leak valve 24 is closed, the oil rotary pump 23 and the turbo molecular pump 22 are operated, and after evacuating for 3 hours to reach a vacuum level of 10-7 torr, the gate valve is closed. 17 was opened, and the molecular beam source cell I8 was moved until the lid part 35 came into close contact with the sealing material 33 of the link-like member 32.
そして、成長室20の圧力は、分子線源セルを移動中は
上昇するが、真空遮蔽機構が作用した後は超高真空排気
系により10’−9Torrにまで低下して再び分子線
を発生できる状態となった。The pressure in the growth chamber 20 rises while the molecular beam source cell is being moved, but after the vacuum shielding mechanism is activated, the pressure in the growth chamber 20 is reduced to 10'-9 Torr by the ultra-high vacuum evacuation system, making it possible to generate molecular beams again. It became a state.
この方法をとることにより、今まで成長室20(=分子
線源セル18を移動させるまで半日〜1日の排気が必要
であったが、上記のように3時間程度に短縮することが
可能となった。By using this method, until now it took half a day to one day to pump out the growth chamber 20 (= molecular beam source cell 18), but as mentioned above, it is now possible to shorten the time to about 3 hours. became.
本発明の実施によりエアーロック機構付きの真空装置に
おいて、機構部を大気にさらしてから、再び真空中で使
用するまでの時間を短縮することができ、これにより稼
動率の向上が達成できる。By implementing the present invention, in a vacuum apparatus with an air lock mechanism, the time from when the mechanical part is exposed to the atmosphere until it is used again in vacuum can be shortened, thereby improving the operating rate.
である。It is.
第1図は本発明の原理を示す断面図、
第2図は本発明を実施した分子線源セルの断面図、
第3図は従来のエアーロック機構付きの真空装置の断面
図、
である。
図において、
1は超高真空排気系、 2は第1の真空室、3は機
構部、 6は粗排気系、7は第2の真空室
、 8,9はゲートバルブ、10はベローズ、
llは移動機構、13は蓋部、
14は封止枠体、15はシール材、
米発帆乏剣充しF分吾蔑源仁ルn断面図第
(′B)
寝来ハエ7
0ツク磯゛′#右き/)ゑ富Kit)r面図宅 3 図FIG. 1 is a sectional view showing the principle of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a molecular beam source cell implementing the present invention, and FIG. 3 is a sectional view of a conventional vacuum device with an air lock mechanism. In the figure, 1 is an ultra-high vacuum evacuation system, 2 is a first vacuum chamber, 3 is a mechanical section, 6 is a rough evacuation system, 7 is a second vacuum chamber, 8 and 9 are gate valves, 10 is a bellows,
ll is a moving mechanism, 13 is a lid part,
14 is the sealing frame body, 15 is the sealing material, Kit) r side drawing house 3 drawing
Claims (3)
)と、該第1の真空室(2)内に移動可能な機構部(3
)を備えると共に粗排気系(6)を有する第2の真空室
(7)が、ゲートバルブ(8)を介して隣接して設けら
れているエアーロック機構付きの真空装置において、前
記機構部(3)を備えて移動する移動部(12)に第1
の真空室(2)と第2の真空室(7)とを遮蔽する蓋部
(13)を、またゲートバルブ(8)の近傍の真空室の
内壁に封止枠体(14)を設け、第2の真空室(7)に
ある機構部(3)を第1の真空室(2)に移動し、位置
決めした状態で、前記蓋部(13)と封止枠体(14)
とがシール材(15)を介して密着し、真空遮蔽するこ
とを特徴とする真空装置。(1) A first vacuum chamber (2) having an ultra-high vacuum evacuation system (1)
), and a mechanism part (3) movable into the first vacuum chamber (2).
) and a second vacuum chamber (7) having a rough exhaust system (6) is provided adjacently via a gate valve (8). 3) in the moving part (12) that moves.
A lid (13) is provided to shield the vacuum chamber (2) from the second vacuum chamber (7), and a sealing frame (14) is provided on the inner wall of the vacuum chamber near the gate valve (8). The mechanism section (3) in the second vacuum chamber (7) is moved to the first vacuum chamber (2), and in the positioned state, the lid section (13) and the sealing frame (14) are moved.
A vacuum device characterized in that the two are in close contact with each other via a sealing material (15) to provide vacuum shielding.
)の近傍の第2の真空室(7)の内壁に設けられている
請求項1記載の真空装置。(2) The sealing frame (14) described above is connected to the gate valve (8).
2. The vacuum device according to claim 1, wherein the vacuum device is provided on the inner wall of the second vacuum chamber (7) in the vicinity of the second vacuum chamber (7).
)の近傍の第1の真空室(2)の内壁に設けられている
請求項1記載の真空装置。(3) The sealing frame (14) described above is connected to the gate valve (8).
2. The vacuum device according to claim 1, wherein the vacuum device is provided on the inner wall of the first vacuum chamber (2) in the vicinity of the vacuum chamber (2).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21243790A JPH0499264A (en) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | Vacuum device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21243790A JPH0499264A (en) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | Vacuum device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499264A true JPH0499264A (en) | 1992-03-31 |
Family
ID=16622593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21243790A Pending JPH0499264A (en) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | Vacuum device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499264A (en) |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21243790A patent/JPH0499264A/en active Pending
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