JPH0499290A - 銅薄膜の選択的ドライエッチング方法 - Google Patents
銅薄膜の選択的ドライエッチング方法Info
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- JPH0499290A JPH0499290A JP21318690A JP21318690A JPH0499290A JP H0499290 A JPH0499290 A JP H0499290A JP 21318690 A JP21318690 A JP 21318690A JP 21318690 A JP21318690 A JP 21318690A JP H0499290 A JPH0499290 A JP H0499290A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ０発明の概要
Ｃ０従来技術
り６発明が解決しようとする問題点
Ｅ９問題点を解決するための手段
１９作用
Ｇ、実施例［第１図］
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は銅薄膜の選択的ドライエツチング方法、特にパ
ーティクルの発生の虞れなく銅薄膜を選択的にドライエ
ツチングすることのできる銅薄膜の選択的ドライエツチ
ング方法に関する。
ーティクルの発生の虞れなく銅薄膜を選択的にドライエ
ツチングすることのできる銅薄膜の選択的ドライエツチ
ング方法に関する。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、銅薄膜の選択的ドライエツチング方法におい
て、 パーティクルの発生の虞れなく銅薄膜を高い異方性をも
って選択的にドライエツチングできるようにするため、 臭素系のガスを含んだエツチングガスにより銅薄膜に対
して選択的ドライエツチングを行うものである。
て、 パーティクルの発生の虞れなく銅薄膜を高い異方性をも
って選択的にドライエツチングできるようにするため、 臭素系のガスを含んだエツチングガスにより銅薄膜に対
して選択的ドライエツチングを行うものである。
（Ｃ，従来技術）
ＬＳｌ、ＶＬＳＩの集積度は高まる一方であリ、それに
伴う素子の微細化によって配線パターンのルールも小さ
くなる一方であり、現在ＤＲＡＭ等のメモリの配線幅は
０．５μｍになりつつあるが、メモリの記憶容量の増大
により将来は配線幅を０．３５μｍあるいはそれ以下に
することが必要となる。
伴う素子の微細化によって配線パターンのルールも小さ
くなる一方であり、現在ＤＲＡＭ等のメモリの配線幅は
０．５μｍになりつつあるが、メモリの記憶容量の増大
により将来は配線幅を０．３５μｍあるいはそれ以下に
することが必要となる。
ところで、現在配線材料として一般にアルミニウムが使
用されているが、アルミニウム配線の配線幅を０．５μ
ｍ、０．３５μｍというように狭くすると配線抵抗が無
視できない大きさになってくる。そこで、線幅を狭くし
ても配線抵抗を所望値以下にするには配線を厚くする必
要があるが、配線を厚くすると配線の断面のアスペクト
比が太き（なり、配線の加工性が悪（なる金種々の技術
的問題が生じてくる。また、アルミニウム配線にはエレ
クトロマイグレーションの問題がつきまとう。
用されているが、アルミニウム配線の配線幅を０．５μ
ｍ、０．３５μｍというように狭くすると配線抵抗が無
視できない大きさになってくる。そこで、線幅を狭くし
ても配線抵抗を所望値以下にするには配線を厚くする必
要があるが、配線を厚くすると配線の断面のアスペクト
比が太き（なり、配線の加工性が悪（なる金種々の技術
的問題が生じてくる。また、アルミニウム配線にはエレ
クトロマイグレーションの問題がつきまとう。
そこで、最近注目を浴びているのは、例えば特開平１−
２３４５７８号公報に紹介されているように銅を配線材
料として使用することである。というのは、銅の比抵抗
は約１．４μΩ・ｃｍと低（、アルミニウムのそれ（約
２．８μΩ・ｃｍ）の約２分の１であり、従って、同じ
線幅で形成した場合配線の厚さは銅を用いた方がアルミ
ニウムを用いたよりも薄くて済み、加工し易くなるから
である。
２３４５７８号公報に紹介されているように銅を配線材
料として使用することである。というのは、銅の比抵抗
は約１．４μΩ・ｃｍと低（、アルミニウムのそれ（約
２．８μΩ・ｃｍ）の約２分の１であり、従って、同じ
線幅で形成した場合配線の厚さは銅を用いた方がアルミ
ニウムを用いたよりも薄くて済み、加工し易くなるから
である。
また、銅を用いた場合エレクトロマイグレーションがア
ルミニウムを用いた場合よりも少なく、信頼性が高いと
いう利点も注目される所以の一つである。
ルミニウムを用いた場合よりも少なく、信頼性が高いと
いう利点も注目される所以の一つである。
ところで、銅薄膜により配線を形成するには、銅薄膜を
選択的にドライエツチングをすることが必要であり、そ
のドライエツチングにはエツチングガスとして塩素系ガ
スが用いられている。そして、塩素系ガスを用いての選
択的ドライエツチングにおいて異方性を充分に得る方法
としては、塩素系のエツチングガス中にＣＣρ４等炭素
含炭素だガスを積極的に添加する方法のあることが知ら
れでいる。
選択的にドライエツチングをすることが必要であり、そ
のドライエツチングにはエツチングガスとして塩素系ガ
スが用いられている。そして、塩素系ガスを用いての選
択的ドライエツチングにおいて異方性を充分に得る方法
としては、塩素系のエツチングガス中にＣＣρ４等炭素
含炭素だガスを積極的に添加する方法のあることが知ら
れでいる。
また、ＳｉＣρ４／Ｎ２系のガスをエツチングガスとし
て用いてドライエツチングをすることによりＳｉＮを側
壁の保護に用いて異方性を得るという方法も知られてい
る。
て用いてドライエツチングをすることによりＳｉＮを側
壁の保護に用いて異方性を得るという方法も知られてい
る。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところが、上述
した従来の各銅薄膜の選択的ドライエツチング方法には
気相中で堆積する物質があるためパーティクルが発生し
、異方性が高（でも半導体製造プロセスには用いること
ができないという問題があった。
した従来の各銅薄膜の選択的ドライエツチング方法には
気相中で堆積する物質があるためパーティクルが発生し
、異方性が高（でも半導体製造プロセスには用いること
ができないという問題があった。
即ち、塩素系のエツチングガス中に炭素を含んだガスを
添加してエツチングする方法によれば、ＣＣρＸがパー
ティクルとなってチェンバー内に堆積する。また、Ｓｉ
Ｃρ４／Ｎ２系のガスをエツチングガスとして用いてド
ライエツチングをすることによりＳｉＮを側壁の保護に
用いて異方性を得るという方法によれば、Ｓ １ｘＮｙ
がチェンバー内に堆積する。従って、例え異方性が高（
でもパーティクルが半導体ウニ八表面を汚染するので半
導体製造プロセスには用いることができないのである。
添加してエツチングする方法によれば、ＣＣρＸがパー
ティクルとなってチェンバー内に堆積する。また、Ｓｉ
Ｃρ４／Ｎ２系のガスをエツチングガスとして用いてド
ライエツチングをすることによりＳｉＮを側壁の保護に
用いて異方性を得るという方法によれば、Ｓ １ｘＮｙ
がチェンバー内に堆積する。従って、例え異方性が高（
でもパーティクルが半導体ウニ八表面を汚染するので半
導体製造プロセスには用いることができないのである。
そのため、現状では塩素系ガスによる選択的ドライエツ
チングにおいて異方性を高める方法としてチェンバー内
を低圧にして高イオンエネルギー下でエツチングを行う
ことによりイオンの方向性を強めるという方法しか採り
得ないのである。この方法は原理的には異方性を高める
ことができる方法であるといえるが、しかし、下地との
間の選択比をとることが難しくなる、下地がダメージを
受ける等の問題があり、得策とはいえない。
チングにおいて異方性を高める方法としてチェンバー内
を低圧にして高イオンエネルギー下でエツチングを行う
ことによりイオンの方向性を強めるという方法しか採り
得ないのである。この方法は原理的には異方性を高める
ことができる方法であるといえるが、しかし、下地との
間の選択比をとることが難しくなる、下地がダメージを
受ける等の問題があり、得策とはいえない。
本発明はこのような問題を解決すべく為されたもので、
パーティクルの発生の虞れなく銅薄膜を高い異方性をも
って選択的にドライエツチングできるようにすることを
目的とする。
パーティクルの発生の虞れなく銅薄膜を高い異方性をも
って選択的にドライエツチングできるようにすることを
目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明銅薄膜の選択的ドライエツチング方法は上記問題
点を解決するため、銅薄膜に対して臭素系のガスを含ん
だ塩素系エツチングガスにより選択的ドライエツチング
を行うことを特徴とする特（Ｆ、作用） 本発明銅薄膜の選択的ドライエツチング方法によれば、
エツチングガス中の塩素が銅薄膜と反応して蒸気圧の高
い塩化銅をつくり、この塩化銅の蒸発によりエツチング
が進行する。また、エツチングガス中に添加された臭素
系のガス中の臭素が解離して銅薄膜と反応して蒸気圧の
低い臭化銅をつくるが、これはエツチング面上において
はイオンのスパッタリングにより除去されるのでエツチ
ングの進行を妨げ得ない。しかし、銅薄膜のエツチング
マスク下の部分の側壁に生じた臭化銅はほとんどイオン
によりスパッタリングされないので蒸気圧の低さによっ
てその側壁に付着した状態のままになり、塩素による銅
のエツチングを阻む側壁保護膜としての働きをする。従
って、異方性の高い選択的ドライエツチングが可能にな
る。
点を解決するため、銅薄膜に対して臭素系のガスを含ん
だ塩素系エツチングガスにより選択的ドライエツチング
を行うことを特徴とする特（Ｆ、作用） 本発明銅薄膜の選択的ドライエツチング方法によれば、
エツチングガス中の塩素が銅薄膜と反応して蒸気圧の高
い塩化銅をつくり、この塩化銅の蒸発によりエツチング
が進行する。また、エツチングガス中に添加された臭素
系のガス中の臭素が解離して銅薄膜と反応して蒸気圧の
低い臭化銅をつくるが、これはエツチング面上において
はイオンのスパッタリングにより除去されるのでエツチ
ングの進行を妨げ得ない。しかし、銅薄膜のエツチング
マスク下の部分の側壁に生じた臭化銅はほとんどイオン
によりスパッタリングされないので蒸気圧の低さによっ
てその側壁に付着した状態のままになり、塩素による銅
のエツチングを阻む側壁保護膜としての働きをする。従
って、異方性の高い選択的ドライエツチングが可能にな
る。
（Ｇ、実施例）［第１図〕
以下、本発明銅薄膜の選択的ドライエツチング方法を図
示実施例に従って詳細に説明する。
示実施例に従って詳細に説明する。
第１図は本発明銅薄膜の選択的ドライエツチング方法の
一つの実施例を示す断面図である。
一つの実施例を示す断面図である。
同図において、１は下地（例えば５ｉｎ−）、２は銅薄
膜（膜厚例えば５０００人）、３はエツチングマスクで
、例えばＴｉＮ等の無機物（膜厚例えば１０００人）か
らなる。同図は選択的ドライエツチングの途中の段階を
示している。
膜（膜厚例えば５０００人）、３はエツチングマスクで
、例えばＴｉＮ等の無機物（膜厚例えば１０００人）か
らなる。同図は選択的ドライエツチングの途中の段階を
示している。
本選択的ドライエツチングは、例えばＲＦ印加型ＥＣＲ
エツチャーを用い、エツチングガスがＣ１１２（５０Ｓ
ＣＣＭ）／ＨＢｒ （５０ＳＣＣＭ）、チェンバー内圧
力が１０ｍＴｏｒｒ、μ波型流が３００ｍＡ、ＲＦパワ
ーが５００Ｗ、基板温度が４００℃というエツチング条
件下で行う。
エツチャーを用い、エツチングガスがＣ１１２（５０Ｓ
ＣＣＭ）／ＨＢｒ （５０ＳＣＣＭ）、チェンバー内圧
力が１０ｍＴｏｒｒ、μ波型流が３００ｍＡ、ＲＦパワ
ーが５００Ｗ、基板温度が４００℃というエツチング条
件下で行う。
このような選択的ドライエツチングによれば、エツチン
グガス中の塩素Ｃρ２が銅薄膜２の表面の銅Ｃｕと反応
して塩化銅ＣｕＣρをつくる。この塩化銅ＣｕＣρは融
点が４２５℃と低く蒸気圧が高いのでエツチング面２ａ
から蒸発する。従って、塩素による選択的ドライエツチ
ングが進行する。
グガス中の塩素Ｃρ２が銅薄膜２の表面の銅Ｃｕと反応
して塩化銅ＣｕＣρをつくる。この塩化銅ＣｕＣρは融
点が４２５℃と低く蒸気圧が高いのでエツチング面２ａ
から蒸発する。従って、塩素による選択的ドライエツチ
ングが進行する。
方、エツチング面２ａ上では臭化水素
ＨＢｒが解離することにより生じた臭素Ｂｒと銅Ｃｕと
によって臭化銅ＣｕＢｒあるいはＣｕＢｒｚを形成する
という反応が生じ、この臭化銅ＣｕＢｒあるいはＣｕ
Ｂ ｒ ２は融点が高く従って蒸気圧は低い。具体的に
はＣｕＢｒの融点は５０４℃、Ｃｕ Ｂ ｒ ２の融点
は４９２°Ｃである。このように臭化銅は融点が高く蒸
気圧が低いので簡単に蒸発するというわけにはいかない
。しかし、エツチング面２ａ上にはイオンがあるエネル
ギーで衝突するのでエツチング面２ａ上の臭化銅はイオ
ンによりスパッタされてエツチング面２ａ上から除去さ
れる。従って、エツチング面２ａのエツチングの進行は
阻まない。
によって臭化銅ＣｕＢｒあるいはＣｕＢｒｚを形成する
という反応が生じ、この臭化銅ＣｕＢｒあるいはＣｕ
Ｂ ｒ ２は融点が高く従って蒸気圧は低い。具体的に
はＣｕＢｒの融点は５０４℃、Ｃｕ Ｂ ｒ ２の融点
は４９２°Ｃである。このように臭化銅は融点が高く蒸
気圧が低いので簡単に蒸発するというわけにはいかない
。しかし、エツチング面２ａ上にはイオンがあるエネル
ギーで衝突するのでエツチング面２ａ上の臭化銅はイオ
ンによりスパッタされてエツチング面２ａ上から除去さ
れる。従って、エツチング面２ａのエツチングの進行は
阻まない。
結局、エツチング面２ａのエツチングは支障なく進行す
ることになる。
ることになる。
次に、マスク３下の銅薄膜２の側壁面２ｂに着目すると
該側壁面２ｂ上にはエツチング面２ａでスパッタされた
臭化銅ＣｕＢｒあるいはＣｕ Ｂ ｒ ２が堆積する。
該側壁面２ｂ上にはエツチング面２ａでスパッタされた
臭化銅ＣｕＢｒあるいはＣｕ Ｂ ｒ ２が堆積する。
ところが、エツチング面２ａ上の臭化銅とは異なり側壁
面２ｂ上の臭化銅はエツチング面２ａに対して垂直方向
に入射するイオンによってはほとんどスパッタリングさ
れない。そして、臭化銅はもともと塩化銅に比較して蒸
気圧が低いので側壁面２ｂに付着したままになり塩素分
子Ｃρ２によるエツチングを阻むもので側壁保護膜とし
ての役割を果す。その結果、選択的ドライエツチングの
異方性を高いものとするのである。
面２ｂ上の臭化銅はエツチング面２ａに対して垂直方向
に入射するイオンによってはほとんどスパッタリングさ
れない。そして、臭化銅はもともと塩化銅に比較して蒸
気圧が低いので側壁面２ｂに付着したままになり塩素分
子Ｃρ２によるエツチングを阻むもので側壁保護膜とし
ての役割を果す。その結果、選択的ドライエツチングの
異方性を高いものとするのである。
即ち、本選択的ドライエツチングは、堆積性のガスを用
いず、塩素系のエツチングガスに臭素系のガスを添加し
、塩素と銅の反応により蒸気圧の高い塩化銅を生成せし
めてエツチングを進行させると共に、臭素と銅の反応に
より蒸気圧の低い臭化銅を生成せしめて側壁保護の役割
を担わせ、それによって異方性を得ようとするものであ
り、塩化銅と臭化銅の蒸気圧の差を利用できないような
基板温度、Ｃ（２２／ ＨＢ ｒの流量比等の条件を選
ばない限り、相当に高い異方性を得ることができる。
いず、塩素系のエツチングガスに臭素系のガスを添加し
、塩素と銅の反応により蒸気圧の高い塩化銅を生成せし
めてエツチングを進行させると共に、臭素と銅の反応に
より蒸気圧の低い臭化銅を生成せしめて側壁保護の役割
を担わせ、それによって異方性を得ようとするものであ
り、塩化銅と臭化銅の蒸気圧の差を利用できないような
基板温度、Ｃ（２２／ ＨＢ ｒの流量比等の条件を選
ばない限り、相当に高い異方性を得ることができる。
尚、塩素系ガスとしてＣβ２に限らず分子中に塩素原子
ＣＩ２を少なくとも１個含む他のガス、例えばＨＣｌ、
ＢＣβ２ 、Ｓ １ＣＲ４，ＣＣβＸを用いても良い。
ＣＩ２を少なくとも１個含む他のガス、例えばＨＣｌ、
ＢＣβ２ 、Ｓ １ＣＲ４，ＣＣβＸを用いても良い。
また、臭素系のガスとしてＨＢｒに限らず分子中に臭素
原子Ｂｒを少なくとも１個含む他のガス、例えばＢｒｚ
、ＢＥｒｓ 、５ｉＢｒ＜を用いても良い。
原子Ｂｒを少なくとも１個含む他のガス、例えばＢｒｚ
、ＢＥｒｓ 、５ｉＢｒ＜を用いても良い。
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、本発明銅薄膜の選択的ドライエツ
チング方法は、臭素系のガスを含んだ塩素系エツチング
ガスにより銅薄膜に対する選択的ドライエツチングを行
うことを特徴とするものである。
チング方法は、臭素系のガスを含んだ塩素系エツチング
ガスにより銅薄膜に対する選択的ドライエツチングを行
うことを特徴とするものである。
従って、本発明銅薄膜の選択的ドライエツチング方法に
よれば、エツチングガス中に添加された臭素系のガス中
の臭素が解離して銅薄膜と反応して蒸気圧の低い臭化銅
をつくるが、これはエツチング面上においてはイオンの
スパッタリングにより除去されるのでエツチングの進行
を妨げ得ない。しかし、銅薄膜のエツチングマスク下の
部分の側壁に生じた臭化銅はほとんどイオンによりスパ
ッタリングされないので蒸気圧の低さによってその側壁
に付着した状態のままになり、塩素による銅のエツチン
グを阻む側壁保護膜としての働きをする。従って、堆積
性のガスを用いることなく異方性の高い選択的ドライエ
ツチングが可能になる。
よれば、エツチングガス中に添加された臭素系のガス中
の臭素が解離して銅薄膜と反応して蒸気圧の低い臭化銅
をつくるが、これはエツチング面上においてはイオンの
スパッタリングにより除去されるのでエツチングの進行
を妨げ得ない。しかし、銅薄膜のエツチングマスク下の
部分の側壁に生じた臭化銅はほとんどイオンによりスパ
ッタリングされないので蒸気圧の低さによってその側壁
に付着した状態のままになり、塩素による銅のエツチン
グを阻む側壁保護膜としての働きをする。従って、堆積
性のガスを用いることなく異方性の高い選択的ドライエ
ツチングが可能になる。
第１図は本発明銅薄膜の選択的ドライエツチング方法の
一つの実施例を説明するための断面図である。 符号の説明 ２・・・銅薄膜、 ２ａ・・・エツチング面、 ２ｂ・・・側壁面。
一つの実施例を説明するための断面図である。 符号の説明 ２・・・銅薄膜、 ２ａ・・・エツチング面、 ２ｂ・・・側壁面。
Claims (1)
- （１）臭素系のガスを含んだ塩素系エッチングガスによ
り銅薄膜に対して選択的ドライエッチングを行うことを
特徴とする選択的ドライエッチング方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02213186A JP3077178B2 (ja) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 銅薄膜の選択的ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02213186A JP3077178B2 (ja) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 銅薄膜の選択的ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499290A true JPH0499290A (ja) | 1992-03-31 |
| JP3077178B2 JP3077178B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=16634967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02213186A Expired - Fee Related JP3077178B2 (ja) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 銅薄膜の選択的ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077178B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5344525A (en) * | 1991-01-29 | 1994-09-06 | Micron Technology, Inc. | Process for etching semiconductor devices |
| WO1999009587A3 (en) * | 1997-08-13 | 1999-06-17 | Applied Materials Inc | Method of etching copper for semiconductor devices |
| US6008140A (en) * | 1997-08-13 | 1999-12-28 | Applied Materials, Inc. | Copper etch using HCI and HBr chemistry |
| US6080529A (en) * | 1997-12-12 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures |
| US6331380B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-12-18 | Applied Materials, Inc. | Method of pattern etching a low K dielectric layer |
| JP2007065689A (ja) * | 2006-11-15 | 2007-03-15 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器 |
| EP2863416A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-22 | Tokyo Electron Limited | Method for etching copper layer |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20240420966A1 (en) * | 2023-06-16 | 2024-12-19 | Applied Materials, Inc. | Copper reflow by surface modification |
-
1990
- 1990-08-11 JP JP02213186A patent/JP3077178B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5344525A (en) * | 1991-01-29 | 1994-09-06 | Micron Technology, Inc. | Process for etching semiconductor devices |
| WO1999009587A3 (en) * | 1997-08-13 | 1999-06-17 | Applied Materials Inc | Method of etching copper for semiconductor devices |
| US6008140A (en) * | 1997-08-13 | 1999-12-28 | Applied Materials, Inc. | Copper etch using HCI and HBr chemistry |
| US6489247B1 (en) | 1997-08-13 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Copper etch using HCl and HBR chemistry |
| US6534416B1 (en) | 1997-08-13 | 2003-03-18 | Applied Materials Inc. | Control of patterned etching in semiconductor features |
| US6080529A (en) * | 1997-12-12 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures |
| US6331380B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-12-18 | Applied Materials, Inc. | Method of pattern etching a low K dielectric layer |
| US6458516B1 (en) | 1997-12-12 | 2002-10-01 | Applied Materials Inc. | Method of etching dielectric layers using a removable hardmask |
| JP2007065689A (ja) * | 2006-11-15 | 2007-03-15 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器 |
| EP2863416A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-22 | Tokyo Electron Limited | Method for etching copper layer |
| US9803286B2 (en) | 2013-10-15 | 2017-10-31 | Tokyo Electron Limited | Method for etching copper layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3077178B2 (ja) | 2000-08-14 |
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