JPH05100123A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPH05100123A JPH05100123A JP26363391A JP26363391A JPH05100123A JP H05100123 A JPH05100123 A JP H05100123A JP 26363391 A JP26363391 A JP 26363391A JP 26363391 A JP26363391 A JP 26363391A JP H05100123 A JPH05100123 A JP H05100123A
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- Japan
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- core
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は火炎堆積法を用いた光導波路の製造方
法の改良に関し、加熱によりコアが変形しにくく且つ損
失特性が劣化しにくい量産に適した光導波路の製造方法
の提供を目的とする。 【構成】コア２４′の外表面を覆うように低温ＣＶＤ法
により薄膜層２６を形成し、この薄膜層を加熱してアニ
ーリングを行った後に、火炎堆積法によりアウタークラ
ッド２８′を形成する。
法の改良に関し、加熱によりコアが変形しにくく且つ損
失特性が劣化しにくい量産に適した光導波路の製造方法
の提供を目的とする。 【構成】コア２４′の外表面を覆うように低温ＣＶＤ法
により薄膜層２６を形成し、この薄膜層を加熱してアニ
ーリングを行った後に、火炎堆積法によりアウタークラ
ッド２８′を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路の製造方法に関
し、さらに詳しくは、火炎堆積法を用いた光導波路の製
造方法の改良に関する。
し、さらに詳しくは、火炎堆積法を用いた光導波路の製
造方法の改良に関する。
【０００２】近年、光通信システムを加入者系に適用す
るための研究及び開発が実用化レベルで行われている。
加入者系において波長分割多重を利用した双方向光通信
を実現するためには、異なる波長の光信号を分岐し或い
は合流するための光合分波器が必要不可欠であり、この
光合分波器の量産技術の確立が、加入者系光通信システ
ムを実用化する上でのキーテクノロジーの一つとなって
いる。
るための研究及び開発が実用化レベルで行われている。
加入者系において波長分割多重を利用した双方向光通信
を実現するためには、異なる波長の光信号を分岐し或い
は合流するための光合分波器が必要不可欠であり、この
光合分波器の量産技術の確立が、加入者系光通信システ
ムを実用化する上でのキーテクノロジーの一つとなって
いる。
【０００３】光合分波器は、例えば光導波路により光方
向性結合器を構成することにより実現可能である。光導
波路により光方向性結合器を構成する場合、光導波路の
構造パラメータが直接分波特性等の特性に影響を及ぼす
ので、量産時の特性の均一化を図るためには、光導波路
の構造パラメータを設計値どおりに設定できるようにす
ることが要求される。
向性結合器を構成することにより実現可能である。光導
波路により光方向性結合器を構成する場合、光導波路の
構造パラメータが直接分波特性等の特性に影響を及ぼす
ので、量産時の特性の均一化を図るためには、光導波路
の構造パラメータを設計値どおりに設定できるようにす
ることが要求される。
【０００４】
【従来の技術】従来の量産に適した光導波路の製造方法
を図３により説明する。図３（Ａ）に示された光導波路
の製造方法は、主としてＳｉＯ2 からなる比較的低屈折
率なアンダークラッド３２上に火炎堆積法により主とし
てＳｉＯ2 からなる比較的高屈折率なコア層を形成する
ステップと、このコア層をパターンエッチングして所定
形状のコア３４を形成するステップと、コア３４の外表
面を覆うようにアンダークラッド３２上に火炎堆積法に
より主としてＳｉＯ2 からなるアウタークラッド３６を
形成するステップとを含んでいる。
を図３により説明する。図３（Ａ）に示された光導波路
の製造方法は、主としてＳｉＯ2 からなる比較的低屈折
率なアンダークラッド３２上に火炎堆積法により主とし
てＳｉＯ2 からなる比較的高屈折率なコア層を形成する
ステップと、このコア層をパターンエッチングして所定
形状のコア３４を形成するステップと、コア３４の外表
面を覆うようにアンダークラッド３２上に火炎堆積法に
より主としてＳｉＯ2 からなるアウタークラッド３６を
形成するステップとを含んでいる。
【０００５】この方法による場合、火炎堆積法において
アンダークラッド３２及びコア３４上に堆積したスート
状ガラスを高温下でガラス化してアウタークラッド３６
を形成するに際して、熱によりコアの断面形状が変形す
るという問題がある。一般にコアには屈折率を高めるた
めのＧｅＯ2 がドープされており、そのガラス軟化温度
が低くなっているので、加熱により変形しやすい。
アンダークラッド３２及びコア３４上に堆積したスート
状ガラスを高温下でガラス化してアウタークラッド３６
を形成するに際して、熱によりコアの断面形状が変形す
るという問題がある。一般にコアには屈折率を高めるた
めのＧｅＯ2 がドープされており、そのガラス軟化温度
が低くなっているので、加熱により変形しやすい。
【０００６】コアの断面形状が変形すると、光導波路の
構造パラメータが設計値とは異なるものとなり、所要の
光導波路特性を得ることができない。例えば光導波路に
より光方向性結合器を構成した場合、光結合部（２本の
コアが最も近接している部分）の構造パラメータが設計
値と異なるものになると、分岐比の波長依存性が大きく
変化し、所要の分波特性を得ることができない。
構造パラメータが設計値とは異なるものとなり、所要の
光導波路特性を得ることができない。例えば光導波路に
より光方向性結合器を構成した場合、光結合部（２本の
コアが最も近接している部分）の構造パラメータが設計
値と異なるものになると、分岐比の波長依存性が大きく
変化し、所要の分波特性を得ることができない。
【０００７】このような熱によるコアの変形を防止する
ために、図３（Ｂ）に示すような光導波路が提案されて
いる。この光導波路の製造方法は、アウタークラッド３
６を形成する前に、コア３４の外表面を覆うようにアン
ダークラッド３２上に低温ＣＶＤ法により主としてＳｉ
Ｏ2 からなる薄膜層３８を形成するようにしたものであ
る。低温ＣＶＤ法により形成された薄膜層のガラス軟化
点温度はコアよりも高く、従って、アウタークラッド３
６をガラス化させるに際してコア３４が変形しにくくな
る。
ために、図３（Ｂ）に示すような光導波路が提案されて
いる。この光導波路の製造方法は、アウタークラッド３
６を形成する前に、コア３４の外表面を覆うようにアン
ダークラッド３２上に低温ＣＶＤ法により主としてＳｉ
Ｏ2 からなる薄膜層３８を形成するようにしたものであ
る。低温ＣＶＤ法により形成された薄膜層のガラス軟化
点温度はコアよりも高く、従って、アウタークラッド３
６をガラス化させるに際してコア３４が変形しにくくな
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３
（Ｂ）により説明した改良された従来方法による場合、
低温ＣＶＤ法により形成された薄膜層内に溶け込んでい
るガスや未反応物が加熱により気体として放出され、薄
膜層８内或いは薄膜層８とアウタークラッド６の界面近
傍の領域に気泡が発生し、この光導波路の損失特性が劣
化するという問題があった。
（Ｂ）により説明した改良された従来方法による場合、
低温ＣＶＤ法により形成された薄膜層内に溶け込んでい
るガスや未反応物が加熱により気体として放出され、薄
膜層８内或いは薄膜層８とアウタークラッド６の界面近
傍の領域に気泡が発生し、この光導波路の損失特性が劣
化するという問題があった。
【０００９】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、コアが変形しにくく損失特性が劣化すること
がない量産に適した光導波路の製造方法を提供すること
を目的としている。
たもので、コアが変形しにくく損失特性が劣化すること
がない量産に適した光導波路の製造方法を提供すること
を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光導波路の製造
方法は、主としてＳｉＯ2 からなる比較的低屈折率なア
ンダークラッド上に火炎堆積法により主としてＳｉＯ2
からなる比較的高屈折率なコア層を形成するステップ
と、該コア層をパターンエッチングして所定形状のコア
を形成するステップと、該コアの外表面を覆うように上
記アンダークラッド上に低温ＣＶＤ法により主としてＳ
ｉＯ2 からなる薄膜層を形成するステップと、該薄膜層
を加熱してアニーリングするステップと、該薄膜層上に
火炎堆積法により主としてＳｉＯ2 からなる上記アンダ
ークラッドと同等屈折率のアウタークラッドを形成する
ステップとを含む。
方法は、主としてＳｉＯ2 からなる比較的低屈折率なア
ンダークラッド上に火炎堆積法により主としてＳｉＯ2
からなる比較的高屈折率なコア層を形成するステップ
と、該コア層をパターンエッチングして所定形状のコア
を形成するステップと、該コアの外表面を覆うように上
記アンダークラッド上に低温ＣＶＤ法により主としてＳ
ｉＯ2 からなる薄膜層を形成するステップと、該薄膜層
を加熱してアニーリングするステップと、該薄膜層上に
火炎堆積法により主としてＳｉＯ2 からなる上記アンダ
ークラッドと同等屈折率のアウタークラッドを形成する
ステップとを含む。
【００１１】
【作用】本発明方法によると、低温ＣＶＤ法により薄膜
層を形成した後、この薄膜層を加熱してアニーリングす
るステップを設けているので、その後に加熱・ガラス化
によりアウタークラッドを形成するに際して、薄膜層内
等に気泡が生じる恐れがなくなる。このため、光導波路
の損失特性が劣化することがない。
層を形成した後、この薄膜層を加熱してアニーリングす
るステップを設けているので、その後に加熱・ガラス化
によりアウタークラッドを形成するに際して、薄膜層内
等に気泡が生じる恐れがなくなる。このため、光導波路
の損失特性が劣化することがない。
【００１２】また、コアの外表面を覆うように低温ＣＶ
Ｄ法により薄膜層を形成するようにしているので、加熱
によるコアの変形が防止される。コアの変形を抑制させ
るのに必要な薄膜層の厚みは十分薄くても足りるので、
比較的反応速度が遅い低温ＣＶＤ法により薄膜層を形成
することが量産性を阻害することはない。
Ｄ法により薄膜層を形成するようにしているので、加熱
によるコアの変形が防止される。コアの変形を抑制させ
るのに必要な薄膜層の厚みは十分薄くても足りるので、
比較的反応速度が遅い低温ＣＶＤ法により薄膜層を形成
することが量産性を阻害することはない。
【００１３】
【実施例】以下本発明の望ましい実施例を説明する。図
１は本発明方法における火炎堆積法の実施に使用するこ
とができるガラススート堆積装置の構成図である。２は
原料ガス並びに燃焼用のＯ2 及びＨ2 が供給されるバー
ナであり、このバーナ２は、Ｘ軸駆動装置４によって図
中の左右方向に等速度（例えば１００mm／秒）で往復走
査される。
１は本発明方法における火炎堆積法の実施に使用するこ
とができるガラススート堆積装置の構成図である。２は
原料ガス並びに燃焼用のＯ2 及びＨ2 が供給されるバー
ナであり、このバーナ２は、Ｘ軸駆動装置４によって図
中の左右方向に等速度（例えば１００mm／秒）で往復走
査される。
【００１４】６はその上に基板８が載置されるステージ
であり、このステージ６は、Ｙ軸駆動装置１０によって
紙面の表面側から裏面側に向かう方向或いはこれとは逆
の方向に等速度（例えば１mm／秒）で往復動作する。基
板８はその上に光導波路を形成するためのものであり、
半導体製造用に通常使用されるシリコンウエハを使用可
能である。
であり、このステージ６は、Ｙ軸駆動装置１０によって
紙面の表面側から裏面側に向かう方向或いはこれとは逆
の方向に等速度（例えば１mm／秒）で往復動作する。基
板８はその上に光導波路を形成するためのものであり、
半導体製造用に通常使用されるシリコンウエハを使用可
能である。
【００１５】１２は燃焼制御装置であり、Ｏ2 及びＨ2
を所定の混合比で混合して所定の流量でバーナ２に供給
する。１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはそれぞれ原料ガス供給
装置であり、ガスフローメータ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ
からそれぞれ送り込まれるＯ2 等のキャリアガスの流量
に応じた原料ガスを送り出す。この例では、原料ガス供
給装置１４Ａ，１４Ｂ，１４ＣにはそれぞれＳｉＣ
ｌ4 ，ＰＯＣｌ3 等の原料ガスが充填されている。気相
の原料ガスを用いて、その流量を直接ガスフローメータ
で調整するようにしてもよい。１８は混合された原料ガ
スの総流量を制御するためのガスフローメータである。
を所定の混合比で混合して所定の流量でバーナ２に供給
する。１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはそれぞれ原料ガス供給
装置であり、ガスフローメータ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ
からそれぞれ送り込まれるＯ2 等のキャリアガスの流量
に応じた原料ガスを送り出す。この例では、原料ガス供
給装置１４Ａ，１４Ｂ，１４ＣにはそれぞれＳｉＣ
ｌ4 ，ＰＯＣｌ3 等の原料ガスが充填されている。気相
の原料ガスを用いて、その流量を直接ガスフローメータ
で調整するようにしてもよい。１８は混合された原料ガ
スの総流量を制御するためのガスフローメータである。
【００１６】バーナ２から吹き出された原料ガスは、燃
焼に伴う火炎加水分解によりＳｉＯ 2 等の酸化物とな
り、この酸化物は白色粉末状の酸化物ガラススート２０
として基板８上に堆積される。
焼に伴う火炎加水分解によりＳｉＯ 2 等の酸化物とな
り、この酸化物は白色粉末状の酸化物ガラススート２０
として基板８上に堆積される。
【００１７】バーナ２の走査及びステージ６の移動によ
って、基板８上には均一の厚みでガラススート２０が堆
積される。基板８上に堆積したガラススートは、電気炉
内等において加熱することによってガラス化され、光導
波路用の透明な膜とすることができる。尚、本願明細書
中「火炎堆積法」というのは、火炎加水分解により基板
上に堆積した酸化物ガラススートを加熱してガラス化さ
せる方法のことである。
って、基板８上には均一の厚みでガラススート２０が堆
積される。基板８上に堆積したガラススートは、電気炉
内等において加熱することによってガラス化され、光導
波路用の透明な膜とすることができる。尚、本願明細書
中「火炎堆積法」というのは、火炎加水分解により基板
上に堆積した酸化物ガラススートを加熱してガラス化さ
せる方法のことである。
【００１８】図２は光導波路の製造プロセスの望ましい
例を説明するための図である。まず、Ｐ2 Ｏ5 及びＢ2
Ｏ3 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるアンダークラ
ッド用のガラススートと、屈折率が高くなるようにＧｅ
Ｏ2 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるコア用のガラ
ススートをこの順に基板８上に堆積した後、これらのガ
ラススートを約１３５０℃に加熱してガラス化し、図２
（Ａ）に示すように、基板８上に比較的低屈折率なアン
ダークラッド２２と比較的高屈折率なコア層２４をこの
順に積層する。アンダークラッド２２及びコア層２４の
厚みはそれぞれ例えば約２０μｍ、約６μｍである。
例を説明するための図である。まず、Ｐ2 Ｏ5 及びＢ2
Ｏ3 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるアンダークラ
ッド用のガラススートと、屈折率が高くなるようにＧｅ
Ｏ2 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるコア用のガラ
ススートをこの順に基板８上に堆積した後、これらのガ
ラススートを約１３５０℃に加熱してガラス化し、図２
（Ａ）に示すように、基板８上に比較的低屈折率なアン
ダークラッド２２と比較的高屈折率なコア層２４をこの
順に積層する。アンダークラッド２２及びコア層２４の
厚みはそれぞれ例えば約２０μｍ、約６μｍである。
【００１９】次いで、コア層２４をパターンエッチング
して、図２（Ｂ）に示すように、所定形状のコア２４′
を形成する。しかる後、図２（Ｃ）に示すように、Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ，ＳｉＣｌ4 等を原料ガスとしたＣＶ
Ｄ法（化学的気相析出法）によって、約４００℃の温度
下で、コア２４′を覆うようにアンダークラッド２２上
にＳｉＯ2 からなる薄膜層２６を形成する。薄膜層２６
の厚みは、１μｍ以下であるとコアの変形を十分に抑制
することができず、２μｍ以上であると析出時間が長く
なるので、薄膜層２６の厚みは１乃至２μｍにあること
が望ましい。
して、図２（Ｂ）に示すように、所定形状のコア２４′
を形成する。しかる後、図２（Ｃ）に示すように、Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ，ＳｉＣｌ4 等を原料ガスとしたＣＶ
Ｄ法（化学的気相析出法）によって、約４００℃の温度
下で、コア２４′を覆うようにアンダークラッド２２上
にＳｉＯ2 からなる薄膜層２６を形成する。薄膜層２６
の厚みは、１μｍ以下であるとコアの変形を十分に抑制
することができず、２μｍ以上であると析出時間が長く
なるので、薄膜層２６の厚みは１乃至２μｍにあること
が望ましい。
【００２０】そして、アンダークラッド２２、コア２
４′及び薄膜層２６が形成された基板８を加熱炉内で約
１２００℃に加熱してこの状態を約２時間保持してアニ
ーリングを行う。
４′及び薄膜層２６が形成された基板８を加熱炉内で約
１２００℃に加熱してこの状態を約２時間保持してアニ
ーリングを行う。
【００２１】その後、図２（Ｄ）に示すように、Ｐ2 Ｏ
5 及びＢ2 Ｏ3 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるガ
ラススート２８を火炎堆積法によって薄膜層２６上に堆
積し、これを約１１８０℃の加熱温度下でガラス化し
て、図２（Ｅ）に示すように薄膜層２６上にアンダーク
ラッドと同等屈折率のアウタークラッド２８′を形成す
る。
5 及びＢ2 Ｏ3 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるガ
ラススート２８を火炎堆積法によって薄膜層２６上に堆
積し、これを約１１８０℃の加熱温度下でガラス化し
て、図２（Ｅ）に示すように薄膜層２６上にアンダーク
ラッドと同等屈折率のアウタークラッド２８′を形成す
る。
【００２２】本実施例においては、コア２４′の周囲に
薄膜層２６を形成しているので、ガラススート２８を高
温下でガラス化するに際して、コア２４′が変形しにく
い。また、薄膜層２６を加熱してアニーリングを行うよ
うにしているので、ガラススート２８をガラス化するに
際して薄膜層２６の内部或いは外表面に気泡が生じにく
い。
薄膜層２６を形成しているので、ガラススート２８を高
温下でガラス化するに際して、コア２４′が変形しにく
い。また、薄膜層２６を加熱してアニーリングを行うよ
うにしているので、ガラススート２８をガラス化するに
際して薄膜層２６の内部或いは外表面に気泡が生じにく
い。
【００２３】本実施例のように、薄膜層２６のアニーリ
ングを、アウタークラッド２８′を形成するときの加熱
温度と同等又はそれ以上の温度下で行うことによって、
薄膜層内の未反応物やガスを十分に放出させることがで
きる。
ングを、アウタークラッド２８′を形成するときの加熱
温度と同等又はそれ以上の温度下で行うことによって、
薄膜層内の未反応物やガスを十分に放出させることがで
きる。
【００２４】さらに、薄膜層２６の厚みは１乃至２μｍ
で十分であるから、低温ＣＶＤ法による薄膜層の形成は
比較的短時間に行うことができ、光導波路の生産性が阻
害される恐れはない。
で十分であるから、低温ＣＶＤ法による薄膜層の形成は
比較的短時間に行うことができ、光導波路の生産性が阻
害される恐れはない。
【００２５】薄膜層２６のアニーリングを低圧下或いは
Ｈｅ（ヘリウム）雰囲気中で行うことによって、薄膜層
内の未反応物やガスが放出されやすくなり、アニーリン
グに必要な時間を短縮することができる。
Ｈｅ（ヘリウム）雰囲気中で行うことによって、薄膜層
内の未反応物やガスが放出されやすくなり、アニーリン
グに必要な時間を短縮することができる。
【００２６】以上説明した方法を適用して光導波路によ
る光方向性結合器を作成する場合、光結合部の導波路パ
ラメータを設計値どおりにすることができるので、所要
特性の光方向性結合器を容易に得ることができる。
る光方向性結合器を作成する場合、光結合部の導波路パ
ラメータを設計値どおりにすることができるので、所要
特性の光方向性結合器を容易に得ることができる。
【００２７】本実施例においては、軟化点温度が高い薄
膜層を得るためにＳｉＯ2 のみからなる薄膜層を形成し
たが、屈折率調整に必要なドーパントを適当量ドープし
ても差支えない。
膜層を得るためにＳｉＯ2 のみからなる薄膜層を形成し
たが、屈折率調整に必要なドーパントを適当量ドープし
ても差支えない。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
コアが変形しにくく損失特性が劣化することがない量産
に適した光導波路の製造方法の提供が可能になるという
効果を奏する。
コアが変形しにくく損失特性が劣化することがない量産
に適した光導波路の製造方法の提供が可能になるという
効果を奏する。
【図１】本発明方法における火炎堆積法の実施に使用す
ることができるガラススート堆積装置の構成を示す図で
ある。
ることができるガラススート堆積装置の構成を示す図で
ある。
【図２】本発明の望ましい実施例における光導波路の製
造プロセスの説明図である。
造プロセスの説明図である。
【図３】従来技術の説明図である。
８ 基板 ２２ アンダークラッド ２４ コア層 ２４′ コア ２６ 薄膜層 ２８′ アウタークラッド
Claims (4)
- 【請求項１】 主としてＳｉＯ2 からなる比較的低屈折
率なアンダークラッド(22)上に火炎堆積法により主とし
てＳｉＯ2 からなる比較的高屈折率なコア層(24)を形成
するステップと、 該コア層(24)をパターンエッチングして所定形状のコア
(24′) を形成するステップと、 該コアの外表面を覆うように上記アンダークラッド(22)
上に低温ＣＶＤ法により主としてＳｉＯ2 からなる薄膜
層(26)を形成するステップと、 該薄膜層を加熱してアニーリングするステップと、 該薄膜層上に火炎堆積法により主としてＳｉＯ2 からな
る上記アンダークラッドと同等屈折率のアウタークラッ
ド (28′) を形成するステップとを含むことを特徴とす
る光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 上記薄膜層(26)のアニーリングが上記ア
ウタークラッド (28′) を形成するときの加熱温度と同
等又はそれ以上の温度下で行われることを特徴とする請
求項１に記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 上記薄膜層(26)のアニーリングが低圧下
又はＨｅ雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１
又は２に記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 上記所定形状のコア (24′) は光方向性
結合器の光結合部を構成するコアであることを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれかに記載の光導波路の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26363391A JPH05100123A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光導波路の製造方法 |
| US07/958,975 US5299276A (en) | 1991-10-11 | 1992-10-09 | Waveguide type optical device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26363391A JPH05100123A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100123A true JPH05100123A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17392214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26363391A Pending JPH05100123A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05100123A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0798420A (ja) * | 1993-04-26 | 1995-04-11 | Hitachi Cable Ltd | 光導波路の製造方法 |
| WO1996017273A1 (en) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display element and method of manufacturing the same |
| WO2001025829A1 (en) * | 1999-10-07 | 2001-04-12 | Alcatel Optronics Uk Limited | Optical waveguide with a composite cladding layer and method of fabrication thereof |
| JP2001221925A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スポットサイズ変換器およびその作製方法 |
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