JPH05100412A - レチクル検査方法 - Google Patents
レチクル検査方法Info
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- JPH05100412A JPH05100412A JP25756191A JP25756191A JPH05100412A JP H05100412 A JPH05100412 A JP H05100412A JP 25756191 A JP25756191 A JP 25756191A JP 25756191 A JP25756191 A JP 25756191A JP H05100412 A JPH05100412 A JP H05100412A
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- reticle
- pattern
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 15
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 22
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一枚のレチクル上に一つの半導体集積回路の
パターンが配置されたレチクルを検査するレチクル検査
方法を提供する。 【構成】 検査すべきレチクル１を用いて基板９の上に
レジストパターン７を形成する際、レチクル１を二つ以
上の異なる角度に傾けて露光し現像して基板９の上に二
つ以上のレジストパターン７を形成し、これらのレジス
トパターン７を比較するレチクル検査方法。
パターンが配置されたレチクルを検査するレチクル検査
方法を提供する。 【構成】 検査すべきレチクル１を用いて基板９の上に
レジストパターン７を形成する際、レチクル１を二つ以
上の異なる角度に傾けて露光し現像して基板９の上に二
つ以上のレジストパターン７を形成し、これらのレジス
トパターン７を比較するレチクル検査方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
に使用するレチクル検査方法に関する。
に使用するレチクル検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、二つ以上の同一の半導体集積回路
のパターンを一枚のレチクル上に配置したレチクルの検
査方法の一つとして、水平に設置したレチクル上のパタ
ーンをシリコン基板上に塗布されたレジストに露光し現
像することにより形成された二つのレジストパターンを
比較する方法がある。
のパターンを一枚のレチクル上に配置したレチクルの検
査方法の一つとして、水平に設置したレチクル上のパタ
ーンをシリコン基板上に塗布されたレジストに露光し現
像することにより形成された二つのレジストパターンを
比較する方法がある。
【０００３】以下に従来のレチクル検査法について説明
する。図４はレジストパターン比較検査装置の構成図で
ある。図４において、２１ａ、２１ｂはそれぞれのレジ
ストパターンを画像として読みとるＣＣＤ撮像素子、２
２ａ、２２ｂはレンズ、２３ａ、２３ｂは１枚のレチク
ルの上に配置された二つの同一の半導体集積回路のレジ
ストパターン、２４はそれぞれレジストパターン２３
ａ、２３ｂが形成されたシリコン基板、２５は画像処理
装置、２６は欠陥表示画面である。
する。図４はレジストパターン比較検査装置の構成図で
ある。図４において、２１ａ、２１ｂはそれぞれのレジ
ストパターンを画像として読みとるＣＣＤ撮像素子、２
２ａ、２２ｂはレンズ、２３ａ、２３ｂは１枚のレチク
ルの上に配置された二つの同一の半導体集積回路のレジ
ストパターン、２４はそれぞれレジストパターン２３
ａ、２３ｂが形成されたシリコン基板、２５は画像処理
装置、２６は欠陥表示画面である。
【０００４】以上のように構成されたレジストパターン
比較検査装置について、以下にその検査方法について説
明する。まず二つのレジストパターン２３ａ、２３ｂを
二つのＣＣＤ撮像素子２１ａ、２１ｂで画像として読み
とり、二つのＣＣＤ撮像素子２１ａ、２１ｂの認識した
画像を画像処理装置２５で比較し、二つの画像に相違点
があれば、その場所を欠陥として欠陥表示画面２６に表
示する。図４では、シリコン基板２４の上に欠陥パター
ン２３ｃのある場合を示しているが、この欠陥パターン
２３ｃが欠陥表示画面２６に表示される。次にこの欠陥
パターン２３ｃがレチクル上の二つの半導体集積回路の
パターンのどちらにあるのかを判断する。また欠陥表示
画面２６の画像に相違点がなければ、レチクルには欠陥
がないと判断する。このようにしてレチクルの検査が行
なわれる。
比較検査装置について、以下にその検査方法について説
明する。まず二つのレジストパターン２３ａ、２３ｂを
二つのＣＣＤ撮像素子２１ａ、２１ｂで画像として読み
とり、二つのＣＣＤ撮像素子２１ａ、２１ｂの認識した
画像を画像処理装置２５で比較し、二つの画像に相違点
があれば、その場所を欠陥として欠陥表示画面２６に表
示する。図４では、シリコン基板２４の上に欠陥パター
ン２３ｃのある場合を示しているが、この欠陥パターン
２３ｃが欠陥表示画面２６に表示される。次にこの欠陥
パターン２３ｃがレチクル上の二つの半導体集積回路の
パターンのどちらにあるのかを判断する。また欠陥表示
画面２６の画像に相違点がなければ、レチクルには欠陥
がないと判断する。このようにしてレチクルの検査が行
なわれる。
【０００５】次にレジストパターンの形成に使用する露
光装置について、説明する。図５は一般に使用されてい
る縮小投影露光装置の構成図である。図５において、２
７は光源、２８はコンデンサレンズ、２９はレチクル、
３０は縮小投影レンズ、３１はシリコン基板、３２はレ
ジスト膜である。この縮小投影露光装置は、レチクル２
９の上のクロムパターン（図示せず）を１／５に縮小し
てシリコン基板３１に投影し、その上のレジスト膜３２
を露光する。
光装置について、説明する。図５は一般に使用されてい
る縮小投影露光装置の構成図である。図５において、２
７は光源、２８はコンデンサレンズ、２９はレチクル、
３０は縮小投影レンズ、３１はシリコン基板、３２はレ
ジスト膜である。この縮小投影露光装置は、レチクル２
９の上のクロムパターン（図示せず）を１／５に縮小し
てシリコン基板３１に投影し、その上のレジスト膜３２
を露光する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、一枚のレチクル上に同一の半導体集積回
路のパターンが二つ以上配置されている場合はレチクル
検査ができるが、一枚のレチクル上に半導体集積回路の
パターンが一つしか配置されていない場合は、比較の対
象となるパターンが存在しないため、レチクル検査がで
きないという課題を有していた。
来の構成では、一枚のレチクル上に同一の半導体集積回
路のパターンが二つ以上配置されている場合はレチクル
検査ができるが、一枚のレチクル上に半導体集積回路の
パターンが一つしか配置されていない場合は、比較の対
象となるパターンが存在しないため、レチクル検査がで
きないという課題を有していた。
【０００７】特に近年、半導体集積回路は大面積化し、
一枚のレチクル上に一つの半導体集積回路のパターンが
配置されたレチクルが増加する傾向にある。そこで、一
枚のレチクル上に一つの半導体集積回路のパターンが配
置されたレチクルの検査方法が重要になってきている。
一枚のレチクル上に一つの半導体集積回路のパターンが
配置されたレチクルが増加する傾向にある。そこで、一
枚のレチクル上に一つの半導体集積回路のパターンが配
置されたレチクルの検査方法が重要になってきている。
【０００８】本発明は上記の従来の課題を解決するもの
で、一枚のレチクル上に一つの半導体集積回路のパター
ンが配置されたレチクルを検査するレチクル検査方法を
提供することを目的とする。
で、一枚のレチクル上に一つの半導体集積回路のパター
ンが配置されたレチクルを検査するレチクル検査方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のレチクル検査方法は、検査するためのレチク
ルを用いて基板にレジストパターンを形成する際に、レ
チクルを二つ以上の異なる角度に傾けて露光し現像する
ことにより、基板上に二つ以上のレジストパターンを形
成し、この二つ以上のレジストパターンを比較してレチ
クルを検査する構成を有している。
に本発明のレチクル検査方法は、検査するためのレチク
ルを用いて基板にレジストパターンを形成する際に、レ
チクルを二つ以上の異なる角度に傾けて露光し現像する
ことにより、基板上に二つ以上のレジストパターンを形
成し、この二つ以上のレジストパターンを比較してレチ
クルを検査する構成を有している。
【００１０】
【作用】この構成によって、レチクル上のパターンと同
一面以外の場所にある塵埃粒子などの異物による基板上
のレジストパターンの欠陥は、レチクル上のパターンに
よるレジストパターンの位置に対して相対的に位置変化
することになる。この相対的な位置変化を利用して比較
検査することにより、一枚のレチクル上に一つの半導体
集積回路のパターンが配置されたレチクルであっても容
易に比較検査ができる。
一面以外の場所にある塵埃粒子などの異物による基板上
のレジストパターンの欠陥は、レチクル上のパターンに
よるレジストパターンの位置に対して相対的に位置変化
することになる。この相対的な位置変化を利用して比較
検査することにより、一枚のレチクル上に一つの半導体
集積回路のパターンが配置されたレチクルであっても容
易に比較検査ができる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１（ａ）はレチクルの断面図、
図１（ｂ）は同レチクルを縮小投影露光装置に水平にセ
ットして露光し現像して得られたシリコン基板上のレジ
ストパターンの断面図である。これらの図において、１
はレチクル、２はガラス板、３はガラス板２の上に形成
されたクロムパターン、４はペリクル、５はペリクル４
に付着した異物、６はペリクル枠、７はクロムパターン
３により形成されたレジストパターン、８はペリクル４
に付着した異物５により形成された欠陥パターン、９は
シリコン基板である。この異物５がクロムパターン３の
開口部の中心真下のペリクル４の上で二つのクロムパタ
ーン３の中間に位置しているものとすると、この異物５
による欠陥パターン８はレジストパターン７の開口部の
中心に位置することになる。ここでクロムパターン３と
ペリクル４の間隔は６．３ｍｍである。
照しながら説明する。図１（ａ）はレチクルの断面図、
図１（ｂ）は同レチクルを縮小投影露光装置に水平にセ
ットして露光し現像して得られたシリコン基板上のレジ
ストパターンの断面図である。これらの図において、１
はレチクル、２はガラス板、３はガラス板２の上に形成
されたクロムパターン、４はペリクル、５はペリクル４
に付着した異物、６はペリクル枠、７はクロムパターン
３により形成されたレジストパターン、８はペリクル４
に付着した異物５により形成された欠陥パターン、９は
シリコン基板である。この異物５がクロムパターン３の
開口部の中心真下のペリクル４の上で二つのクロムパタ
ーン３の中間に位置しているものとすると、この異物５
による欠陥パターン８はレジストパターン７の開口部の
中心に位置することになる。ここでクロムパターン３と
ペリクル４の間隔は６．３ｍｍである。
【００１２】次に本発明の一実施例におけるレチクル検
査方法について、図面を参照しながら説明する。図２
（ａ）は右上がりにセットされたレチクルの断面図、図
２（ｂ）は同レチクルを用いて露光し現像して得たレジ
ストパターンの断面図、図３（ａ）は左上がりにセット
されたレチクルの断面図、図３（ｂ）は同レチクルを用
いて露光し現像して得たレジストパターンの断面図であ
る。これらの図において、図１と同一箇所には同一符号
を付して詳細説明を省略する。なお１０ａはレチクル１
を右上がりにセットしたときのペリクル４に付着した異
物５による欠陥パターン、１０ｂはレチクル１を左上が
りにセットしたときのペリクル４に付着した異物５によ
る欠陥パターンである。
査方法について、図面を参照しながら説明する。図２
（ａ）は右上がりにセットされたレチクルの断面図、図
２（ｂ）は同レチクルを用いて露光し現像して得たレジ
ストパターンの断面図、図３（ａ）は左上がりにセット
されたレチクルの断面図、図３（ｂ）は同レチクルを用
いて露光し現像して得たレジストパターンの断面図であ
る。これらの図において、図１と同一箇所には同一符号
を付して詳細説明を省略する。なお１０ａはレチクル１
を右上がりにセットしたときのペリクル４に付着した異
物５による欠陥パターン、１０ｂはレチクル１を左上が
りにセットしたときのペリクル４に付着した異物５によ
る欠陥パターンである。
【００１３】まず図２（ａ）に示すように、レチクル１
を水平に対し０．０２３°右上がりに傾けて縮小投影露
光装置にセットする。このようにして露光し現像するこ
とによって、図２（ｂ）に示すようなレジストパターン
７が得られる。このときペリクル４に付着した異物５に
より形成された欠陥パターン１０ａは、本来レチクル１
が水平にセットされたときに形成されるべき位置から右
方向へ０．５μｍずれて形成される。次に図３（ａ）に
示すように、レチクル１を水平に対して０．０２３°左
上がりにセットする。このようにして露光し現像するこ
とによって、図３（ｂ）に示すようなレジストパターン
７が得られるが、このときペリクル４に付着した異物５
により形成された欠陥パターン１０ｂは、本来レチクル
３が水平にセットされたときに形成されるべき位置から
左方向へ０．５μｍずれて形成される。
を水平に対し０．０２３°右上がりに傾けて縮小投影露
光装置にセットする。このようにして露光し現像するこ
とによって、図２（ｂ）に示すようなレジストパターン
７が得られる。このときペリクル４に付着した異物５に
より形成された欠陥パターン１０ａは、本来レチクル１
が水平にセットされたときに形成されるべき位置から右
方向へ０．５μｍずれて形成される。次に図３（ａ）に
示すように、レチクル１を水平に対して０．０２３°左
上がりにセットする。このようにして露光し現像するこ
とによって、図３（ｂ）に示すようなレジストパターン
７が得られるが、このときペリクル４に付着した異物５
により形成された欠陥パターン１０ｂは、本来レチクル
３が水平にセットされたときに形成されるべき位置から
左方向へ０．５μｍずれて形成される。
【００１４】このようにして得られた図２（ｂ）に示す
レジストパターン７と図３（ｂ）に示すレジストパター
ン７とを図４に示すようなレジストパターン比較検査装
置を用いて比較検査する。このとき、クロムパターン３
により形成されたレジストパターン７はまったく同じで
あるが、ペリクル４に付着した異物５により形成された
欠陥パターン１０ａと１０ｂでは、その位置がクロムパ
ターン３により形成されたレジストパターン７の位置に
対してそれぞれ相対的に変化し、欠陥パターン１０ａと
１０ｂの相対位置関係は１μｍずれているため、図４の
欠陥表示画面２６にはペリクル４に付着した異物５によ
る欠陥パターン１０ａ，１０ｂの部分のみが表示され
る。
レジストパターン７と図３（ｂ）に示すレジストパター
ン７とを図４に示すようなレジストパターン比較検査装
置を用いて比較検査する。このとき、クロムパターン３
により形成されたレジストパターン７はまったく同じで
あるが、ペリクル４に付着した異物５により形成された
欠陥パターン１０ａと１０ｂでは、その位置がクロムパ
ターン３により形成されたレジストパターン７の位置に
対してそれぞれ相対的に変化し、欠陥パターン１０ａと
１０ｂの相対位置関係は１μｍずれているため、図４の
欠陥表示画面２６にはペリクル４に付着した異物５によ
る欠陥パターン１０ａ，１０ｂの部分のみが表示され
る。
【００１５】このようにして、一枚のレチクル１の上に
一つの半導体集積回路のクロムパターン３が配置された
ものであっても、レチクル１の比較検査を行うことがで
きる。なお、本実施例においては、レチクル１の上のク
ロムパターン３が存在する側のペリクル４に異物５が付
着した場合について説明したが、ガラス基板２側に設け
られたペリクル（図示せず）の上またはガラス板２の外
側の面に付着した異物に関しても、全く同様にして比較
検査することができる。また本発明によるレチクル検査
方法は、一枚のレチクル１の上に二つ以上の半導体集積
回路のパターンが配置されたレチクル１でも、全く同様
にして比較検査を行うことができる。
一つの半導体集積回路のクロムパターン３が配置された
ものであっても、レチクル１の比較検査を行うことがで
きる。なお、本実施例においては、レチクル１の上のク
ロムパターン３が存在する側のペリクル４に異物５が付
着した場合について説明したが、ガラス基板２側に設け
られたペリクル（図示せず）の上またはガラス板２の外
側の面に付着した異物に関しても、全く同様にして比較
検査することができる。また本発明によるレチクル検査
方法は、一枚のレチクル１の上に二つ以上の半導体集積
回路のパターンが配置されたレチクル１でも、全く同様
にして比較検査を行うことができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、レチクルを二つ
以上の異なる角度に傾けて露光し現像することにより得
られた２枚の基板上のレジストパターンを比較すること
により、レチクルの欠陥を容易に発見でき、また一枚の
レチクル上に一つの半導体集積回路のパターンが配置さ
れたレチクルであっても比較検査を行うことができる優
れたレチクル検査方法を実現できるものである。
以上の異なる角度に傾けて露光し現像することにより得
られた２枚の基板上のレジストパターンを比較すること
により、レチクルの欠陥を容易に発見でき、また一枚の
レチクル上に一つの半導体集積回路のパターンが配置さ
れたレチクルであっても比較検査を行うことができる優
れたレチクル検査方法を実現できるものである。
【図１】（ａ）はレチクルの断面図 （ｂ）は同レチクルにより露光し現像して得たレジスト
パターンの断面図
パターンの断面図
【図２】（ａ）は右上がりにセットされたレチクルの断
面図 （ｂ）は同レチクルを用いて露光し現像して得たレジス
トパターンの断面図
面図 （ｂ）は同レチクルを用いて露光し現像して得たレジス
トパターンの断面図
【図３】（ａ）は左上がりにセットされたレチクルの断
面図 （ｂ）は同レチクルを用いて露光し現像して得たレジス
トパターンの断面図
面図 （ｂ）は同レチクルを用いて露光し現像して得たレジス
トパターンの断面図
【図４】レジストパターン比較検査装置の構成図
【図５】縮小投影露光装置の構成図
１ レチクル ７ レジストパターン ９ シリコン基板（基板）
Claims (1)
- 【請求項１】 検査すべきレチクルを用いて基板上にレ
ジストパターンを形成する際、前記レチクルを二つ以上
の異なる角度に傾けて露光し現像して基板上に二つ以上
のレジストパターンを形成し、前記二つ以上のレジスト
パターンを比較するレチクル検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25756191A JPH05100412A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | レチクル検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25756191A JPH05100412A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | レチクル検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100412A true JPH05100412A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17307988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25756191A Pending JPH05100412A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | レチクル検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05100412A (ja) |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP25756191A patent/JPH05100412A/ja active Pending
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