JPH05101385A - 円周方向に揃つた磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
円周方向に揃つた磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH05101385A JPH05101385A JP25394091A JP25394091A JPH05101385A JP H05101385 A JPH05101385 A JP H05101385A JP 25394091 A JP25394091 A JP 25394091A JP 25394091 A JP25394091 A JP 25394091A JP H05101385 A JPH05101385 A JP H05101385A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 円周方向に揃った磁化容易軸を有する磁気記
録媒体を生産性よく製造することである。 【構成】 非磁性基体上に、Ｃｒ系の下地膜層を有し、
その上にＣｏ系強磁性合金膜を有し、円周方向に揃った
磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法において、
その下地膜層の形成に際し、基体上に対して、形成すべ
き磁気記録媒体の実質的に半径方向から、スパッタリン
グ法により媒体粒子を入射することにより極薄膜のＣｒ
系初期層を形成した後、媒体粒子の入射方向を制限しな
いスパッタリング法によりさらにＣｒ系膜を下地膜層と
して十分な厚みになるまで積層形成する。 【効果】 従来の方法に比べて非常に生産性よく、磁気
記録媒体を製造することができる。
録媒体を生産性よく製造することである。 【構成】 非磁性基体上に、Ｃｒ系の下地膜層を有し、
その上にＣｏ系強磁性合金膜を有し、円周方向に揃った
磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法において、
その下地膜層の形成に際し、基体上に対して、形成すべ
き磁気記録媒体の実質的に半径方向から、スパッタリン
グ法により媒体粒子を入射することにより極薄膜のＣｒ
系初期層を形成した後、媒体粒子の入射方向を制限しな
いスパッタリング法によりさらにＣｒ系膜を下地膜層と
して十分な厚みになるまで積層形成する。 【効果】 従来の方法に比べて非常に生産性よく、磁気
記録媒体を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、円周方向に揃った磁化
容易軸を有する磁気記録媒体、例えば、ハードディス
ク、フロッピーディスク等に用いる円盤状の磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。
容易軸を有する磁気記録媒体、例えば、ハードディス
ク、フロッピーディスク等に用いる円盤状の磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気記録媒体として、Ｃｏ系合
金薄膜を磁気記録層とするものがあり、この場合には、
その媒体の膜面内に異方性を強く持たせるために、下地
層として体心立方構造のＣｒ薄膜等を基体と磁気記録層
との間に設けることによって、磁気記録層の保持力また
角型比を大きくできることが知られている。例えば、六
方最密充填構造のＣｏ−Ｃｒよりなる記録層をＣｒ下地
層の上に設けると、Ｃｏ−Ｃｒ層の磁化容易軸であるｃ
軸が膜面内に向きＣｒ下地層がない場合に比べて著しく
角型性のよい、また大きな保持力をもつ磁気記録媒体を
作製することができる。
金薄膜を磁気記録層とするものがあり、この場合には、
その媒体の膜面内に異方性を強く持たせるために、下地
層として体心立方構造のＣｒ薄膜等を基体と磁気記録層
との間に設けることによって、磁気記録層の保持力また
角型比を大きくできることが知られている。例えば、六
方最密充填構造のＣｏ−Ｃｒよりなる記録層をＣｒ下地
層の上に設けると、Ｃｏ−Ｃｒ層の磁化容易軸であるｃ
軸が膜面内に向きＣｒ下地層がない場合に比べて著しく
角型性のよい、また大きな保持力をもつ磁気記録媒体を
作製することができる。
【０００３】しかし、一般的に作製される媒体は、作製
装置により面内の一定方向に容易軸を持つ場合、あるい
は位置によって異なる方向に磁化容易軸を分布して持つ
場合がある。そのため、例えば、円盤状の磁気記録媒体
であるハードディスク、フロッピーディスク等は、その
同心円状のトラック進行方向から見た場合、一周の間に
磁化容易軸方向に沿う場合と磁化困難軸方向に沿う場合
が順次現れるので、再生の際の出力変動を引き起こす。
磁化容易軸方向の残留磁化Ｍr(easy)は、磁化困難軸方
向の残留磁化Ｍr (hard)に比べて大きく、例えば、円盤
上で一方向に磁化容易軸が揃っている場合、トラック一
周あたりの再生出力のエンベロープは、二周期の正弦波
に似た形になってしまう。円盤状の磁気記録媒体でこの
ような出力変動を押さえるめには、円周方向に磁化容易
軸を揃えるか、あるいは等方的な媒体を作製しなくては
ならない。
装置により面内の一定方向に容易軸を持つ場合、あるい
は位置によって異なる方向に磁化容易軸を分布して持つ
場合がある。そのため、例えば、円盤状の磁気記録媒体
であるハードディスク、フロッピーディスク等は、その
同心円状のトラック進行方向から見た場合、一周の間に
磁化容易軸方向に沿う場合と磁化困難軸方向に沿う場合
が順次現れるので、再生の際の出力変動を引き起こす。
磁化容易軸方向の残留磁化Ｍr(easy)は、磁化困難軸方
向の残留磁化Ｍr (hard)に比べて大きく、例えば、円盤
上で一方向に磁化容易軸が揃っている場合、トラック一
周あたりの再生出力のエンベロープは、二周期の正弦波
に似た形になってしまう。円盤状の磁気記録媒体でこの
ような出力変動を押さえるめには、円周方向に磁化容易
軸を揃えるか、あるいは等方的な媒体を作製しなくては
ならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁化容易軸を円周方向
に揃えるために、円盤状の基体に円周方向に同心円状に
テクスチャー処理をすることによって、磁化容易軸を制
御する方法が試みられている。この方法によると、形状
磁気異方性により半径方向が磁化困難軸で円周方向が磁
化容易軸になり、磁化容易軸方向の残留磁化が磁化困難
軸方向のそれに比べて３０％程度大きくなり、再生出力
変動が押さえられる他、再生出力自体も平均的に大きく
なる（例えば、S. Uchinami et al., IEEE Trans. Mag
n., vol.23,No.5, Sept(1987)3408参照）。
に揃えるために、円盤状の基体に円周方向に同心円状に
テクスチャー処理をすることによって、磁化容易軸を制
御する方法が試みられている。この方法によると、形状
磁気異方性により半径方向が磁化困難軸で円周方向が磁
化容易軸になり、磁化容易軸方向の残留磁化が磁化困難
軸方向のそれに比べて３０％程度大きくなり、再生出力
変動が押さえられる他、再生出力自体も平均的に大きく
なる（例えば、S. Uchinami et al., IEEE Trans. Mag
n., vol.23,No.5, Sept(1987)3408参照）。
【０００５】しかし、テクスチャー処理による方法は、
基体の面粗さを増加させることになる。これは、媒体面
とヘッドとの間の間隔が面粗さにより局所的な変動を伴
い、ヘッド−媒体間の距離の精密さが特に問題となるよ
うな高密度記録にはあまり適さない。また、媒体作製条
件により膜面内に等方的な記録媒体を作製することも可
能であるが、円周方向に磁化容易軸が揃っている媒体に
比べて角型性が平均化され悪くなるため、残留磁化も小
さくなり、再生出力が小さくなってしまう。
基体の面粗さを増加させることになる。これは、媒体面
とヘッドとの間の間隔が面粗さにより局所的な変動を伴
い、ヘッド−媒体間の距離の精密さが特に問題となるよ
うな高密度記録にはあまり適さない。また、媒体作製条
件により膜面内に等方的な記録媒体を作製することも可
能であるが、円周方向に磁化容易軸が揃っている媒体に
比べて角型性が平均化され悪くなるため、残留磁化も小
さくなり、再生出力が小さくなってしまう。
【０００６】一方、テクスチャー処理なしに、Ｃｒ下地
層を円盤状基体の半径方向に媒体粒子を入射させること
により、円周方向に磁化容易軸を揃えるようにする方法
が知られている。この方法は、いわゆる斜め入射効果を
利用するものである。斜め入射効果とは、スパッタリン
グあるいは蒸着法で薄膜を作製する場合、基体に斜めに
媒体粒子が入射することにより得られる膜には、一般的
に基体面に垂直な方向から媒体粒子が入射する場合と異
なり、異方性が入射方向に影響されることである。
層を円盤状基体の半径方向に媒体粒子を入射させること
により、円周方向に磁化容易軸を揃えるようにする方法
が知られている。この方法は、いわゆる斜め入射効果を
利用するものである。斜め入射効果とは、スパッタリン
グあるいは蒸着法で薄膜を作製する場合、基体に斜めに
媒体粒子が入射することにより得られる膜には、一般的
に基体面に垂直な方向から媒体粒子が入射する場合と異
なり、異方性が入射方向に影響されることである。
【０００７】特に、添付図面の図５に示すように、実際
に、Ｃｒ系下地層２およびＣｏ系合金記録層１を基体３
上に付着させる際に、媒体粒子をある角度θにて、すな
わち、矢印４の方向から入射させた場合には、作製され
る記録媒体はその入射方向に対して直角な方向（α＝±
９０°、図５中矢印５の方向）に磁化容易軸が揃う。こ
こで、矢印４は、ｘ−ｚ平面内、矢印５は、ｘ−ｙ平面
内にある。つまり、磁化容易軸を円周方向に揃えるため
には、半径方向に媒体粒子を斜めに入射させればいいこ
とになる。
に、Ｃｒ系下地層２およびＣｏ系合金記録層１を基体３
上に付着させる際に、媒体粒子をある角度θにて、すな
わち、矢印４の方向から入射させた場合には、作製され
る記録媒体はその入射方向に対して直角な方向（α＝±
９０°、図５中矢印５の方向）に磁化容易軸が揃う。こ
こで、矢印４は、ｘ−ｚ平面内、矢印５は、ｘ−ｙ平面
内にある。つまり、磁化容易軸を円周方向に揃えるため
には、半径方向に媒体粒子を斜めに入射させればいいこ
とになる。
【０００８】その方法の例として、図６に略示するよう
なプレーナマグネトロン方式と呼ばれる方法が従来知ら
れている。この方法によれば、スパッタの際に円盤状の
マグネトロン１０を用いると、マグネトロンターゲット
は、ターゲット面に平行な磁場が最も強くなる部分にあ
たる領域が最もスパッタされ易い。この領域を、エロー
ジョン領域と呼ぶ。円盤状のターゲットからの磁束がタ
ーゲット中心から半径方向にそって周辺に向かうため、
エロージョン領域１１は、円状になる。したがって、基
体１３とターゲット１０との間に中心に穴のあいたマス
ク１２を用いて、基体１３に対する媒体粒子１４の入射
角を制御することで、異方性を円周方向にそろえること
ができる（T. Abe et al. IEEETrans. Magn., Vol.22,
No.5,Sept. (570) 1986 参照）。
なプレーナマグネトロン方式と呼ばれる方法が従来知ら
れている。この方法によれば、スパッタの際に円盤状の
マグネトロン１０を用いると、マグネトロンターゲット
は、ターゲット面に平行な磁場が最も強くなる部分にあ
たる領域が最もスパッタされ易い。この領域を、エロー
ジョン領域と呼ぶ。円盤状のターゲットからの磁束がタ
ーゲット中心から半径方向にそって周辺に向かうため、
エロージョン領域１１は、円状になる。したがって、基
体１３とターゲット１０との間に中心に穴のあいたマス
ク１２を用いて、基体１３に対する媒体粒子１４の入射
角を制御することで、異方性を円周方向にそろえること
ができる（T. Abe et al. IEEETrans. Magn., Vol.22,
No.5,Sept. (570) 1986 参照）。
【０００９】このように、入射角を制限して作製したＣ
ｒ系下地層を設け、その上にマスクを除いた通常の方法
（以下、バッチタイプ方式と呼ぶ）で作製したＣｏ系強
磁性層を積層した二層構造からなる媒体を作製すると、
上層のＣｏ系強磁性層もこの下地層の影響により磁化容
易軸が円周方向にそろう。
ｒ系下地層を設け、その上にマスクを除いた通常の方法
（以下、バッチタイプ方式と呼ぶ）で作製したＣｏ系強
磁性層を積層した二層構造からなる媒体を作製すると、
上層のＣｏ系強磁性層もこの下地層の影響により磁化容
易軸が円周方向にそろう。
【００１０】ところが、Ｃｒ系下地層は、ある程度（５
０nm）以上厚くないと、記録層の特性のよいものが得ら
れないところ、前述の従来の方法でＣｒ系下地層を作製
すると、マスクがあるために膜の付着速度が著しく低下
してしまい、十分に厚い下地層とするには、時間がかか
り過ぎる等生産性が悪くなってしまうという欠点があっ
た。また、この従来の方法では、ターゲットは、基体に
見合うだけの大きさを持った円盤状のプレーナーマグネ
トロン方式のものに限られてしまう。従って、例えば、
最も生産効率のよいインラインスパッタ装置において
は、基体が長方形のターゲット上を通過しながら各層が
形成されるため、この方法は適用できなかった。
０nm）以上厚くないと、記録層の特性のよいものが得ら
れないところ、前述の従来の方法でＣｒ系下地層を作製
すると、マスクがあるために膜の付着速度が著しく低下
してしまい、十分に厚い下地層とするには、時間がかか
り過ぎる等生産性が悪くなってしまうという欠点があっ
た。また、この従来の方法では、ターゲットは、基体に
見合うだけの大きさを持った円盤状のプレーナーマグネ
トロン方式のものに限られてしまう。従って、例えば、
最も生産効率のよいインラインスパッタ装置において
は、基体が長方形のターゲット上を通過しながら各層が
形成されるため、この方法は適用できなかった。
【００１１】本発明の目的は、前述したような従来の問
題点を解消しうるような磁気記録媒体の製造方法を提供
することである。
題点を解消しうるような磁気記録媒体の製造方法を提供
することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、非磁性
基体上に、Ｃｒ系の下地膜層を有し、その上にＣｏ系強
磁性合金膜を有し、円周方向に揃った磁化容易軸を有す
る磁気記録媒体の製造方法において、前記下地膜層の形
成に際し、前記基体上に対して、形成すべき磁気記録媒
体の実質的に半径方向から、スパッタリング法により媒
体粒子を入射することにより極薄膜のＣｒ系初期層を形
成した後、媒体粒子の入射方向を制限しないスパッタリ
ング法によりさらにＣｒ系膜を下地膜層として十分な厚
みになるまで積層形成することにより、磁化容易軸が円
周方向に揃った十分な厚みをもつ下地膜層を生産性よく
形成できる。
基体上に、Ｃｒ系の下地膜層を有し、その上にＣｏ系強
磁性合金膜を有し、円周方向に揃った磁化容易軸を有す
る磁気記録媒体の製造方法において、前記下地膜層の形
成に際し、前記基体上に対して、形成すべき磁気記録媒
体の実質的に半径方向から、スパッタリング法により媒
体粒子を入射することにより極薄膜のＣｒ系初期層を形
成した後、媒体粒子の入射方向を制限しないスパッタリ
ング法によりさらにＣｒ系膜を下地膜層として十分な厚
みになるまで積層形成することにより、磁化容易軸が円
周方向に揃った十分な厚みをもつ下地膜層を生産性よく
形成できる。
【００１３】
【実施例】次に、添付図面の図１から図４に基づいて、
本発明の実施例について、本発明をより詳細に説明す
る。
本発明の実施例について、本発明をより詳細に説明す
る。
【００１４】本発明の具体的な実施例について説明する
前に、先ず、発明者が本発明をなすことができた着眼点
について述べておく。一般的に、薄膜における結晶成長
において、結晶の方向性が初期の結晶と同じ方向に揃う
という現象が知られている。現に、この現象は、従来の
Ｃｒ系下地層の上にＣｏ系磁性層を設けた磁気記録媒体
においても利用されているのであり、Ｃｒ系の薄膜自体
には磁性はないのであるが、その上に形成されるＣｏ系
磁性層の結晶方向を制御するためのものとして設けてい
るのである。すなわち、Ｃｏ系磁性層は、Ｃｒ系下地層
の結晶構造に影響されて成長し、Ｃｒ系下地層の結晶方
向を円周方向としておけば、その上に形成されるＣｏ系
磁性層もその結晶構造に影響されて成長して、その磁化
容易軸の方向を円周方向とすることができるのである。
前に、先ず、発明者が本発明をなすことができた着眼点
について述べておく。一般的に、薄膜における結晶成長
において、結晶の方向性が初期の結晶と同じ方向に揃う
という現象が知られている。現に、この現象は、従来の
Ｃｒ系下地層の上にＣｏ系磁性層を設けた磁気記録媒体
においても利用されているのであり、Ｃｒ系の薄膜自体
には磁性はないのであるが、その上に形成されるＣｏ系
磁性層の結晶方向を制御するためのものとして設けてい
るのである。すなわち、Ｃｏ系磁性層は、Ｃｒ系下地層
の結晶構造に影響されて成長し、Ｃｒ系下地層の結晶方
向を円周方向としておけば、その上に形成されるＣｏ系
磁性層もその結晶構造に影響されて成長して、その磁化
容易軸の方向を円周方向とすることができるのである。
【００１５】本発明者は、このような現象をＣｒ系下地
層の形成にも応用できないかと考え、Ｃｒ系下地層の形
成においても、初期においてのみ媒体粒子を斜め入射さ
せて結晶に方向性を与えておけば、以後は媒体粒子の入
射方向を制限しなくとも、初期層の結晶方向にならって
積層が行われうるのではないかと着想して、種々実験し
てみたのである。その結果、このようにして形成したＣ
ｒ系下地膜層の上に、強磁性金属薄膜であるＣｏ系記録
層を設けても、Ｃｒ系初期層の入射方向に直角な方向に
磁化容易軸が揃った異方性を持つＣｏ系記録層が実現さ
れうるとを確認して本発明に至ったのである。
層の形成にも応用できないかと考え、Ｃｒ系下地層の形
成においても、初期においてのみ媒体粒子を斜め入射さ
せて結晶に方向性を与えておけば、以後は媒体粒子の入
射方向を制限しなくとも、初期層の結晶方向にならって
積層が行われうるのではないかと着想して、種々実験し
てみたのである。その結果、このようにして形成したＣ
ｒ系下地膜層の上に、強磁性金属薄膜であるＣｏ系記録
層を設けても、Ｃｒ系初期層の入射方向に直角な方向に
磁化容易軸が揃った異方性を持つＣｏ系記録層が実現さ
れうるとを確認して本発明に至ったのである。
【００１６】本発明では、制御層として入射角を制限し
た斜め入射によりＣｒ系極薄膜の初期層を設け、その上
に通常の入射角を制限しない膜形成方法で、Ｃｒ系の下
地層及びＣｏ系の記録層を作製することにより、その記
録層の異方性を制御するものである。図１は、本発明の
製造方法によって形成された磁気記録媒体の断面構造を
概念的に示している。図１に示すように、この磁気記録
媒体は、非磁性基体２７上に斜め入射により作製したＣ
ｒ系極薄膜の初期層２８を作製した後に、通常の入射角
を制限しない方法で作製したＣｒ系下地層２９、Ｃｏ系
記録層３０を積層してなるものである。
た斜め入射によりＣｒ系極薄膜の初期層を設け、その上
に通常の入射角を制限しない膜形成方法で、Ｃｒ系の下
地層及びＣｏ系の記録層を作製することにより、その記
録層の異方性を制御するものである。図１は、本発明の
製造方法によって形成された磁気記録媒体の断面構造を
概念的に示している。図１に示すように、この磁気記録
媒体は、非磁性基体２７上に斜め入射により作製したＣ
ｒ系極薄膜の初期層２８を作製した後に、通常の入射角
を制限しない方法で作製したＣｒ系下地層２９、Ｃｏ系
記録層３０を積層してなるものである。
【００１７】実際に、初期層２８として、スパッタリン
グ法によりＣｒターゲットから平均的入射角度θ＝３０
°でガラス基体２７に入射させてＣｒ極薄膜を１０nm厚
さまで形成し、さらに、通常の入射角を制限しない方
法、すなわち、平均的入射角度θ＝９０°でＣｒ下地層
２９を５０nm厚さまで、さらに、Ｃｏ記録層３０を５０
nm厚さにスパッタして磁気記録媒体を作製してみた。こ
のとき、スパッタリングガス圧は、1.５mTorr で、基体
の温度は、２００°C に保った。
グ法によりＣｒターゲットから平均的入射角度θ＝３０
°でガラス基体２７に入射させてＣｒ極薄膜を１０nm厚
さまで形成し、さらに、通常の入射角を制限しない方
法、すなわち、平均的入射角度θ＝９０°でＣｒ下地層
２９を５０nm厚さまで、さらに、Ｃｏ記録層３０を５０
nm厚さにスパッタして磁気記録媒体を作製してみた。こ
のとき、スパッタリングガス圧は、1.５mTorr で、基体
の温度は、２００°C に保った。
【００１８】こうして得られた磁気記録媒体を振動試料
型磁束計（VSM)により評価した結果を図４に示してい
る。この図４の曲線は、膜面内のある角度αの方向で測
定して得られた残留磁化の入射方向（α＝０°）の残留
磁化に対する比（Ｍr ／Ｍr （０））をαに関してプロ
ットしたものである。図４の曲線から分かるように、残
留磁化の比は、α＝９０°付近で最大1.４程度になり異
方性がはっきりついていることが分かる。つまり、入射
角を制限した斜め入射によるＣｒ極薄膜の初期層を設
け、さらに通常の入射角を制限しない方法で、ある程度
厚いＣｒ下地層ならびにＣｏ−Ｃｒ系記録層を設ければ
記録層の異方性を制御できることが分かる。これにより
入射角を制限して比較的厚いＣｒ系下地層全部を作製す
る従来の方法に比べて、はるかに生産性が向上すること
が分かる。
型磁束計（VSM)により評価した結果を図４に示してい
る。この図４の曲線は、膜面内のある角度αの方向で測
定して得られた残留磁化の入射方向（α＝０°）の残留
磁化に対する比（Ｍr ／Ｍr （０））をαに関してプロ
ットしたものである。図４の曲線から分かるように、残
留磁化の比は、α＝９０°付近で最大1.４程度になり異
方性がはっきりついていることが分かる。つまり、入射
角を制限した斜め入射によるＣｒ極薄膜の初期層を設
け、さらに通常の入射角を制限しない方法で、ある程度
厚いＣｒ下地層ならびにＣｏ−Ｃｒ系記録層を設ければ
記録層の異方性を制御できることが分かる。これにより
入射角を制限して比較的厚いＣｒ系下地層全部を作製す
る従来の方法に比べて、はるかに生産性が向上すること
が分かる。
【００１９】ここで、Ｃｏ系強磁性金属薄膜３０は、Ｃ
ｏ及びＣｏにさらにＮｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｂ、Ｃ、
Ｗ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ａｌ等を添加したもので、例えば、Ｃ
ｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ
−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ等で
ある。また、Ｃｒ系の下地層および初期層は、Ｃｒ、Ｗ
あるいはＣｒ、Ｗを主成分とした合金である。
ｏ及びＣｏにさらにＮｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｂ、Ｃ、
Ｗ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ａｌ等を添加したもので、例えば、Ｃ
ｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ
−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ等で
ある。また、Ｃｒ系の下地層および初期層は、Ｃｒ、Ｗ
あるいはＣｒ、Ｗを主成分とした合金である。
【００２０】以下、本発明の製造方法の具体的な実施例
について説明する。なお、以下の説明では、“入射角を
制限した斜め入射によって形成するＣｒ系極薄膜の初期
層”をＡ層と呼び、“入射角を制限しないで形成するＣ
ｒ系下地層”をＢ層と呼び、“入射角を制限しないで形
成するＣｏ系記録層”をＣ層と呼ぶことにする。
について説明する。なお、以下の説明では、“入射角を
制限した斜め入射によって形成するＣｒ系極薄膜の初期
層”をＡ層と呼び、“入射角を制限しないで形成するＣ
ｒ系下地層”をＢ層と呼び、“入射角を制限しないで形
成するＣｏ系記録層”をＣ層と呼ぶことにする。
【００２１】実施例−１ 図２は、本発明の製造方法の一実施例を説明するための
概略図である。この実施例は、生産性の高いインライン
式スパッタ装置にて行う場合である。この実施例の製造
方法によれば、磁気記録媒体の基体４０は、長方形のタ
ーゲット４４上を矢印５０の方向に移動しながらスパッ
タされる。先ず、Ａ層を、基体４０に近接して設けたマ
スク４１を介して形成する。マスク４１には、媒体粒子
の入射方向にスリット４２が設けられている。このとき
は、基体４０は、矢印５０の方向には移動されず、自転
させられる。スパッタリングターゲット４４よりスパッ
タ媒体粒子がエロージョン領域５１より矢印５２、５３
の方向に飛散させられて、基体４０へスリット４２を通
して入射させられる。基体４０が回転しているために、
基体全体にわたり半径方向に斜め入射することになる。
概略図である。この実施例は、生産性の高いインライン
式スパッタ装置にて行う場合である。この実施例の製造
方法によれば、磁気記録媒体の基体４０は、長方形のタ
ーゲット４４上を矢印５０の方向に移動しながらスパッ
タされる。先ず、Ａ層を、基体４０に近接して設けたマ
スク４１を介して形成する。マスク４１には、媒体粒子
の入射方向にスリット４２が設けられている。このとき
は、基体４０は、矢印５０の方向には移動されず、自転
させられる。スパッタリングターゲット４４よりスパッ
タ媒体粒子がエロージョン領域５１より矢印５２、５３
の方向に飛散させられて、基体４０へスリット４２を通
して入射させられる。基体４０が回転しているために、
基体全体にわたり半径方向に斜め入射することになる。
【００２２】こうしてＡ層が形成された基体は、矢印５
０の方向に移動させられて、参照符号４３にて示す位置
に保持される。この状態で、スパッタリングターゲット
４４による通常の入射角を制限しないスパッタ方式に
て、順次、Ｂ層およびＣ層が形成される。この場合に
は、基体は、回転していても静止していてもよい。この
結果、円周方向に記録層の磁化容易軸が揃うことにな
る。参照符号５４および５５は、スパッタリングターゲ
ト４４のエロージョン領域５１からの各媒体粒子の飛散
方向を示している。
０の方向に移動させられて、参照符号４３にて示す位置
に保持される。この状態で、スパッタリングターゲット
４４による通常の入射角を制限しないスパッタ方式に
て、順次、Ｂ層およびＣ層が形成される。この場合に
は、基体は、回転していても静止していてもよい。この
結果、円周方向に記録層の磁化容易軸が揃うことにな
る。参照符号５４および５５は、スパッタリングターゲ
ト４４のエロージョン領域５１からの各媒体粒子の飛散
方向を示している。
【００２３】スリット４２の長さは、基体４０の半径程
度にわたるものであるが、直径程度でもよい。また、ス
リット４２の形状は、基体中心から扇形状に広がった形
をしていてもよい。ここでは、基体４０の片側だけＡ層
を形成しているが、基体４０に対して上下に対称な位置
にマスクとターゲットを設ければ同時に両面初期層を形
成できる。また、ここでは、基体４０とマスク４１は、
基体４０の回転を除き相対的に静止している場合を示し
たが、スリット４２を適当に長くとり、マスク４０は静
止させて、基体４０のみ回転させながら矢印５０の方向
に移動させてもよい。以上のようなマスクを用いれば、
インラインスパッタのような生産性の高い装置において
も、円盤状基体の円周方向に磁化容易軸を揃えることが
できることが分かる。また、マグネトロンを用いないタ
ーゲット全面が平均的にスパッタされるコンベンショナ
ルスパッタ方式でも同様に可能である。
度にわたるものであるが、直径程度でもよい。また、ス
リット４２の形状は、基体中心から扇形状に広がった形
をしていてもよい。ここでは、基体４０の片側だけＡ層
を形成しているが、基体４０に対して上下に対称な位置
にマスクとターゲットを設ければ同時に両面初期層を形
成できる。また、ここでは、基体４０とマスク４１は、
基体４０の回転を除き相対的に静止している場合を示し
たが、スリット４２を適当に長くとり、マスク４０は静
止させて、基体４０のみ回転させながら矢印５０の方向
に移動させてもよい。以上のようなマスクを用いれば、
インラインスパッタのような生産性の高い装置において
も、円盤状基体の円周方向に磁化容易軸を揃えることが
できることが分かる。また、マグネトロンを用いないタ
ーゲット全面が平均的にスパッタされるコンベンショナ
ルスパッタ方式でも同様に可能である。
【００２４】実施例−２ 図３は、本発明の製造方法の別の実施例を説明するため
の概略図である。この実施例は、Ａ層を形成するために
改良された対向ターゲット方式を用いるものである。図
３に示すように、この実施例では、基体面積に対して比
較的小型面積の二組の対向したスパッタリングターゲッ
ト対７０、７１を、中心に穴のあいた基体７２に対して
配置して、Ａ層を形成する。
の概略図である。この実施例は、Ａ層を形成するために
改良された対向ターゲット方式を用いるものである。図
３に示すように、この実施例では、基体面積に対して比
較的小型面積の二組の対向したスパッタリングターゲッ
ト対７０、７１を、中心に穴のあいた基体７２に対して
配置して、Ａ層を形成する。
【００２５】ターゲット対７０は、円筒形のもので、タ
ーゲット対７１は、ドーナツ状のものである。また、ド
ーナツ状磁石８０、８１、８２、８３、８４、８５が図
のように配置されている。このような構成にすると、基
体の回転のあるなしにかかわらず、基体７２に対して矢
印７５、７６、７７で示されるように半径方向に沿って
斜め入射をしＡ層を形成する。対向したターゲットの組
のうち、ターゲット対７１は、ターゲット対７０ほど異
方性をそろえるという点で効果はなく、補助的なもので
省いてもよい。Ａ層を形成するためのターゲット面積
は、通常のターゲットに比べて非常に小さくてすみ、コ
ストが少なくてすむ。また、ターゲットが対向し、マス
クを用いないため無駄になるスパッタ粒子が少なくてす
み、従来の方法に比べて非常に効率のよい方法である。
残りのＢ層ならびにＣ層は、通常のスパッタ法であるイ
ンラインあるいはバッチタイプ方式で形成すればよく、
結果的に、円周方向に磁化容易軸が揃うことになる。
ーゲット対７１は、ドーナツ状のものである。また、ド
ーナツ状磁石８０、８１、８２、８３、８４、８５が図
のように配置されている。このような構成にすると、基
体の回転のあるなしにかかわらず、基体７２に対して矢
印７５、７６、７７で示されるように半径方向に沿って
斜め入射をしＡ層を形成する。対向したターゲットの組
のうち、ターゲット対７１は、ターゲット対７０ほど異
方性をそろえるという点で効果はなく、補助的なもので
省いてもよい。Ａ層を形成するためのターゲット面積
は、通常のターゲットに比べて非常に小さくてすみ、コ
ストが少なくてすむ。また、ターゲットが対向し、マス
クを用いないため無駄になるスパッタ粒子が少なくてす
み、従来の方法に比べて非常に効率のよい方法である。
残りのＢ層ならびにＣ層は、通常のスパッタ法であるイ
ンラインあるいはバッチタイプ方式で形成すればよく、
結果的に、円周方向に磁化容易軸が揃うことになる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、磁気記録層
の磁化容易軸を円周方向に揃えたものとするために、極
薄のＣｒ系初期層のみを、入射角を制限したスパッタリ
ングによって形成すればよいものとし、ターゲットの形
状にもあまりとらわれないですむものとしたので、従来
の方法に比べて非常に生産性よく、磁気記録媒体を製造
することができる。
の磁化容易軸を円周方向に揃えたものとするために、極
薄のＣｒ系初期層のみを、入射角を制限したスパッタリ
ングによって形成すればよいものとし、ターゲットの形
状にもあまりとらわれないですむものとしたので、従来
の方法に比べて非常に生産性よく、磁気記録媒体を製造
することができる。
【図１】本発明の製造方法によって形成された磁気記録
媒体の断面構造を概念的に示す図である。
媒体の断面構造を概念的に示す図である。
【図２】本発明の製造方法の一実施例を説明するための
図であり、斜め入射によるＣｒ系極薄膜の初期層を形成
する際の基体上方より見たものと断面構造を簡略的に示
した図である。
図であり、斜め入射によるＣｒ系極薄膜の初期層を形成
する際の基体上方より見たものと断面構造を簡略的に示
した図である。
【図３】本発明の製造方法の別に実施例を説明するため
の図であり、斜め入射によるＣｒ系極薄の初期層を形成
する際の断面構造および基体上方より見たものを簡略的
に示した図である。
の図であり、斜め入射によるＣｒ系極薄の初期層を形成
する際の断面構造および基体上方より見たものを簡略的
に示した図である。
【図４】斜め入射によるＣｒ系極薄膜初期層の記録層に
及ぼす効果を説明するグラフを示す図である。
及ぼす効果を説明するグラフを示す図である。
【図５】斜め入射効果を説明するための図である。
【図６】円周状に磁化容易軸を付与するための従来の方
法の一例を説明するための図である。
法の一例を説明するための図である。
１ Ｃｏ系磁気記録層 ２ Ｃｒ系下地層 ３ 基体 １０ 円盤状マグネトロンターゲット １１ エロージョン領域 １２ 入射角制御用円盤状マスク １３ 円盤状基体 ２７ 基体 ２８ 斜め入射によるＣｒ系極薄膜初期層 ２９ 入射角を制限せずに形成したＣｒ系下地層 ３０ 入射角を制限せずに形成したＣｏ系磁気記録層 ４０ 円盤状の基体 ４１ マスク ４２ スリット ４４ 長方形マグネトロンターゲット ７０ 対向円筒状スパッタリングターゲット ７１ 対向ドーナツ状スパッタリングターゲット ７２ 円盤状基体 ８１、８２、８３、８４、８５ 対向ターゲット用ドー
ナツ状マグネット
ナツ状マグネット
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基体上に、Ｃｒ系の下地膜層を有
し、その上にＣｏ系強磁性合金膜を有し、円周方向に揃
った磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法におい
て、前記下地膜層の形成に際し、前記基体上に対して、
形成すべき磁気記録媒体の実質的に半径方向から、スパ
ッタリング法により媒体粒子を入射することにより極薄
膜のＣｒ系初期層を形成した後、媒体粒子の入射方向を
制限しないスパッタリング法によりさらにＣｒ系膜を下
地膜層として十分な厚みになるまで積層形成することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記Ｃｒ系初期層の形成は、形成すべき
磁気記録媒体の半径方向に延長するスリットを有するマ
スクを、前記基体の上面より上方に配置し、前記基体を
回転させながら、前記マスクのスリットを通してスパッ
タリングを行うことによってなされる請求項１記載の磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記Ｃｒ系初期層の形成は、前記基体の
実質的に中心面上に対向配置した小円形状スパッタター
ゲットと、前記基体の外側面上に対向配置し前記基体の
外形と同程度の内径を有するドーナツ型スパッタターゲ
ットとを用いて行われる請求項１記載の磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25394091A JPH05101385A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 円周方向に揃つた磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25394091A JPH05101385A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 円周方向に揃つた磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05101385A true JPH05101385A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17258116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25394091A Pending JPH05101385A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 円周方向に揃つた磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05101385A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051630A1 (ja) * | 2002-12-02 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 多結晶構造膜および磁気記録媒体並びに磁気記憶装置 |
| WO2005040449A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-05-06 | Seagate Technology Llc | System, method and aperture for oblique deposition |
| US7482069B2 (en) | 2002-12-02 | 2009-01-27 | Fujitsu Limited | Polycrystalline structure film having inclined lattice surfaces |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP25394091A patent/JPH05101385A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051630A1 (ja) * | 2002-12-02 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 多結晶構造膜および磁気記録媒体並びに磁気記憶装置 |
| US7482069B2 (en) | 2002-12-02 | 2009-01-27 | Fujitsu Limited | Polycrystalline structure film having inclined lattice surfaces |
| WO2005040449A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-05-06 | Seagate Technology Llc | System, method and aperture for oblique deposition |
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