JPH05102031A

JPH05102031A - 感光性被膜の感度測定法及び耐蝕性被膜の形成法

Info

Publication number: JPH05102031A
Application number: JP3257385A
Authority: JP
Inventors: Eiichi Kawamura; 栄一河村
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-10-04
Filing date: 1991-10-04
Publication date: 1993-04-23

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、感光性被膜の塗布、露光、現像工
程、特に感光性被膜の感度測定法及び耐蝕性被膜の形成
法に関し、迅速で正確な感度測定法を提供し、その結
果、半導体装置を製造する場合のフォトリソグラフィー
工程を改善し、省力化することを目的とする。【構成】基板１の上に形成された感光性被膜の複数の
領域２₁〜２₈を異なる露光量Ｐ₁〜Ｐ₈で露光して現
像し、現像された感光性被膜の残存膜厚３₁〜３ ₈の状
態をその位置と輝度信号からなる画像データに変換し、
この画像データと露光量データを情報処理することによ
って、この感光性被膜が完全に溶解するに足る露光量で
ある感度Ｅ_thを自動的に測定するように構成した。ま
た、この感度によって回転塗布装置の回転数を自動的に
制御し、画像信号を処理することによって現像条件の異
常を検出するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を製造する
場合のフォトリソグラフィー工程における感光性被膜
（フォトレジスト）の塗布、露光、現像工程、特に感光
性被膜の感度測定法及び耐蝕性マスクの形成法に関す
る。近年、半導体装置の微細化にともない、基板上に塗
布された感光性被膜の塗布膜厚の管理、および同一基板
内の感光性被膜の実効的現像時間、あるいは、現像進行
速度の均一性（ユニフォーミティ）の管理が重要にな
り、そのため、感光性被膜の膜厚の測定に極めて高精度
の測定技術が要求され、その測定結果に基づく適正な膜
厚の設定、感光性被膜の特性のばらつき等に対する塗布
条件の迅速かつ正確な補正手段が求められている。

【０００２】

【従来の技術】感光性被膜の感度は、感光性被膜の不溶
化（ネガレジストの場合）あるいは可溶化（ポジレジス
トの場合）に必要なエネルギー量で表されるが、従来、
基板上に均一な厚さで塗布された感光性被膜の異なった
領域を異なった露光量で露光した後に規定条件で現像
し、現像後の感光性被膜の残存膜厚を測定し、露光エネ
ルギーと残存膜厚の関係を示す特性図を作製することに
よって感光性被膜の感度を測定し、測定された感度に所
定の係数を乗じた値に基づいて製造工程における露光量
を決定していた。

【０００３】また、感光性被膜の膜厚の測定管理は、感
光性被膜の各膜厚に対して、上記手法によって得られた
膜厚と感度の相関図を用い、偏光解析法、干渉法等の光
学式膜厚測定法によって測定された膜厚を基になされて
いた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術においては、現像後の感光性被膜の膜厚を、偏光解
析法、干渉法等の光学式測定法によって測定し、その測
定値を基に感光性被膜の膜厚の制御を行っていたため、
感度測定の精度の影響を受けやすく、かつ、膨大な人手
と時間を要する作業となっていた。

【０００５】さらに、現像工程における感光性被膜の実
効的現像時間、あるいは、現像速度の面内均一性の測定
にあたっては、感度と塗布膜厚の相関図から得られた膜
厚の感光性被膜を基板上に均一に形成した後に、複数の
領域を均一な露光量で露光した試料を現像し、現像後の
感光性被膜の残存膜厚の状態を見ていたため、前記と同
様に測定した感光性被膜の感度が基本となり、直接膜厚
の測定精度の影響を受け、膨大な手間がかかる作業とな
っていた。

【０００６】そのため、現像後の感光性被膜の配線パタ
ーンの幅を設計値どおりにできなかったり、基板面内
で、配線パターンの幅がばらつくといった問題があっ
て、配線の幅が設計値とは異なる不良品が発生する原因
となっていた。

【０００７】本発明は、迅速で正確な感光性被膜の感度
測定法を提供し、その結果、半導体装置を製造する場合
のフォトリソグラフィー工程を改善し、省力化すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる感光性被
膜の感度測定法においては、上記の目的を達成するた
め、基板の上に形成された感光性被膜の複数の領域を異
なる露光量で露光し、露光されたこの感光性被膜を現像
し、現像された感光性被膜の残存膜厚の状態を位置と輝
度信号からなる画像データに変換し、この画像データと
露光量データを情報処理する構成を採用した。

【０００９】

【作用】本発明によると、感光性被膜を基板上に塗布
し、この感光性被膜の複数の領域を異なる露光量で露光
し、規定条件で現像した後の感光性被膜の残存膜厚の状
態を画像処理して輝度信号からなる画像データとし、こ
の画像データと露光量データを情報処理するため、感光
性被膜の感度を自動的に正確、かつ、迅速に測定するこ
とができる。

【００１０】また、このように得られた感度によって、
感光性被膜の適正膜厚を得る回転塗布装置（スピンコー
タ）の回転数、露光量等を、感光性被膜の膜厚自体を測
定することなく自動的に決定することができる。

【００１１】そしてまた、回転塗布装置の最適回転数を
感光性塗料の特性によって補正すること、および、現像
工程の異常を検出することができ、ひいては、現像後の
感光性被膜のパターン幅を安定化することができ、製造
工程における不良品の発生を未然に防ぐことができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。（第１実施例）〔感光性被膜の感度測定法〕図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本
発明の第１実施例の感光性被膜の感度測定法の説明図で
ある。この図において、１は感光性被膜が形成された基
板、２₁、２₂、２₃、２₄、２₅、２₆、２₇、２₈
は露光領域、３₁、３₂、３₃、３₄、３₅、３₆、３
₇、３₈は耐蝕性被膜、４は画像データ形成領域であ
る。

【００１３】この図１（Ａ）〜（Ｃ）によって、この実
施例の感光性被膜の感度測定法を説明する。手順１半導体ウェハ等の基板１の上にポジ型感光性塗料を回転
塗布装置によって塗布し、薄い一様な厚さの感光性被膜
を形成する。

【００１４】手順２形成された感光性被膜の異なった露光領域２₁、２₂、
２₃、２₄、２₅、２ ₆、２₇、２₈に、ステップ式投
影露光装置によってショット毎の露光量を変えて、異な
った露光量Ｐ₁、Ｐ₂、Ｐ₃、Ｐ₄、Ｐ₅、Ｐ₆、
Ｐ₇、Ｐ₈で露光を行う（図１（Ａ）参照）。この図に
おいては、横線の密度が高い方が露光量が小さく（暗
く）、横線の密度が低い方が露光量が大きい（明るい）
ことを示している。

【００１５】手順３露光された感光性被膜を規定条件で現像し、ベーキング
して、露光量に応じて残存膜厚が異なる耐蝕性被膜
３₁、３₂、３₃、３₄、３₅、３₆、３₇、３₈を形
成する（図１（Ｂ）参照）。この図においては、横線の
密度が高い方が残存膜厚が厚く、横線の密度が低い方が
残存膜厚が薄いことを示している。

【００１６】手順４現像した結果残存した耐蝕性被膜３₁〜３₈を含む画像
データ形成領域４内の輝度をＣＣＤ撮像装置によって読
み取って画像データを得る。この画像データから耐蝕性
被膜３₁〜３₈をパターン認識し、露光量に対応する耐
蝕性被膜３₁〜３₈の輝度を決定する。各露光領域の輝
度信号は、露光量が小さい方から大きい方に向かって順
次変化し、ある露光量以上で一定のレベルに収束する。

【００１７】さらに具体的に説明すると、ポジ型の感光
性被膜を用い、シリコン基板を用いた場合は、各露光領
域の画像データである輝度信号は、露光量が小さい方か
ら大きい方に向かって（図１（Ｂ）においては左から右
に向かって）順次増大し、ある露光量以上では、その露
光領域の感光性被膜が現像によって全て溶解して、光の
反射係数が高い基板の表面が露出するため、露光領域の
輝度信号は最高の一定のレベル収束する。

【００１８】基板の光の反射係数が感光性被膜より低い
場合は、この説明とは逆に、各露光領域の輝度信号は、
露光量が大きくなるに従って順次減少し、ある露光量以
上では最低のレベル収束することになる。またネガ型の
感光性被膜を用いる場合は、上記ポジ型についての説明
とは逆になる。

【００１９】手順５画像データを処理して感光性被膜の感度を決定する。図
１（Ｃ）は、露光量と輝度信号の関係を示す特性図であ
る。この図に見られるように、露光量がＰ₁〜Ｐ₄と増
大するに従って、輝度は順次増大し、Ｐ₄以上は最高の
一定のレベルに収束している。このように輝度が増大傾
向から収束に移行する点の露光量がその感光性被膜の感
度（Ｅｔｈ）と定義されている。この感度は、露光量が
増大するに従って変化する輝度信号の前後の信号強度を
比較する情報処理によって自動的に決定することができ
る。

【００２０】（第２実施例）〔感光性被膜の感度測定法〕図２（Ａ）、（Ｂ）は、本
発明の第２実施例の感光性被膜の感度測定法の説明図で
ある。この図において、５が位置マーク用露光領域、６
が位置マークであるほかは図１において同符号を付して
説明したものと同様である。

【００２１】この実施例においては、基板１の上に形成
されたポジ型感光性被膜の異なった露光領域２₁、
２₂、２₃、２₄、２₅、２₆、２₇、２₈に、異なっ
た露光量Ｐ₁、Ｐ₂、Ｐ₃、Ｐ₄、Ｐ₅、Ｐ₆、Ｐ₇、
Ｐ₈で露光を行う場合、これらＰ ₁〜Ｐ₈の露光領域と
一定の位置関係を有する位置マーク用露光領域５に一定
形状の位置マークを露光する（図２（Ａ）参照）。そし
て、現像した後、この位置マーク６を基準にして耐蝕性
被膜３₁〜３₈の輝度をＣＣＤ撮像装置によって読み取
り画像データに変換する（図２（Ａ）参照）。

【００２２】この実施例によると、位置マーク６を基準
にして耐蝕性被膜３₁〜３₈の輝度を検出することがで
きるから、耐蝕性被膜３₁〜３₈の位置情報を得るため
のパターン認識をする必要がなく、迅速に耐蝕性被膜３
₁〜３₈の輝度を読み取り画像データに変換することが
できる。

【００２３】（第３実施例）〔感光性被膜の露光法〕この実施例は、第１実施例ある
いは第２実施例によって測定した感度に所定の係数を乗
じた数値に基づいて製造工程において感光性被膜を適正
に露光する方法である。

【００２４】この係数は、ある光エネルギーによって、
所定の線幅のパターンを正確かつ安定に形成することが
できる範囲の数値で、通常２前後の数値が用いられ、感
度（Ｅｔｈ）が異なっても概ね不変の数値が使用され
る。

【００２５】感光性被膜の感度を、現像後の残存膜厚を
測定することによって測定し、これに上記の係数を乗じ
た数値に基づく露光量をもって露光すること自体は、人
手によって従来から行われていたことであるが、本発明
によると、この係数を予め露光装置の制御装置に入力し
ておくことによって、露光量を自動的に設定して露光す
ることができる。

【００２６】（第４実施例）〔感光性被膜の露光法〕現在用いられている露光装置の
光源は単色光であるから、レジスト膜である耐蝕性被膜
には露光光による干渉効果を生じる。

【００２７】図３は、感光性被膜の露光光による干渉効
果の説明図である。この図において、Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃
は感度の極大点、Ｂ₁、Ｂ₂、Ｂ₃は極小点、Ｔは周期
である。

【００２８】この図に示されているように、感光性被膜
の膜厚が増大すると、その定義から当然であるが、感度
は単純増加する傾向を有する。そして、この増加する傾
向に干渉効果による、周期Ｔが（露光光波長λ）／２／
（感光性被膜の屈折率ｎ）の周期的変動がバイアスとし
て乗ることになる。

【００２９】この図において、極大点である、感光性被
膜中で光の進行波と反射波が最も強く打ち消し合う
Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃の膜厚と、進行波と反射波が強め合う
極小点Ｂ ₁、Ｂ₂、Ｂ₃の膜厚の間の傾斜した領域に膜
厚を設定すると、その厚さが僅かでも変動すると、感度
は大きく変化するため、露光、現像後の耐蝕性被膜の幅
が著しく変化し、この耐蝕性被膜によって配線層を形成
する場合には、耐蝕性被膜の幅が狭くなって配線層の幅
が狭くなって高抵抗化したり、あるいは逆に、配線層の
幅が広くなって配線層間のショートを生じる恐れが大き
い。

【００３０】したがって、極大点であるＡ₁、Ａ₂、Ａ
₃点、あるいは、極小点であるＢ₁、Ｂ₂、Ｂ₃に感光
性被膜の膜厚を設定することが望ましい。そこで、極大
点を膜厚として選択した場合と、極小点を膜厚として選
択した場合の利害を考える。

【００３１】１．膜厚をＡ点に選択したときの利害ａ．この膜厚からずれた場合は露光がオーバー気味にな
るから、感光性被膜がポジである場合、膜厚が多少変動
して形成されても、耐蝕性被膜の露光、現像後の残が生
じないから、この耐蝕性被膜をマスクとしてエッチング
して配線層を形成したとき、間違っても配線パターンの
間がショートしないからシーケンステストで一応パスす
ることになる。

【００３２】配線パターンの一部にショートが生じなけ
れば、配線パターンの一部の幅が細くなったとしても回
路として致命的な障害とはならず、他の正常な回路を使
用することができる場合がある。ｂ．感光性被膜の膜厚に多少のバラツキがあっても、極
大値の左右はほぼ平坦であるから、感度が中心値から大
きくずれることがない。

【００３３】２．膜厚をＢ点に選択したときの利害ａ．この点からずれた場合は露光量はアンダー気味にな
るから、露光不足になり、残がでやすく、配線層間がシ
ョートする危険性が増大する。ｂ．配線層間で短絡が生じると、回路の場所にもよる
が、回路全体の評価ができないため、短絡の場所を特定
することができず、その原因の探究も困難で、正常な回
路を使用することもできなくなる。結局、Ａ点を選択す
るほうが有利であると結論できる。

【００３４】本発明によると、このような干渉性による
影響をデータとして回転塗布装置に入力しておくことに
よってＡ点の膜厚に相当する感度を自動的に決定して最
適の厚さの感光性被膜を塗布することができる。

【００３５】（第５実施例）〔感光性被膜塗布法〕基板の上に感光性被膜を塗布する
際には、通常回転塗布装置が用いられているが、この装
置を用いると、塗布被膜の厚さは、塗布塗料の性状と回
転基板の回転数によって決定される。

【００３６】図４は、回転塗布装置の回転数と塗布被膜
の膜厚の関係の説明図である。すなわち、この図の例え
ば実線で示されるように、回転塗布装置の回転数と塗布
被膜の膜厚の間には一定の関係があるが、膜厚は感光性
被膜の感度と一定の関係を有するから、塗布被膜の膜厚
自体を求める必要はなく、所望の感光性被膜の感度を得
るための回転塗布装置の回転数を直接管理すればよいこ
とになる。

【００３７】感光性塗料は、製造の際の製品ロットによ
って諸特性にばらつきがあるため、ロット毎に回転塗布
装置の回転数と膜厚の関係が図４中のａあるいはｂのよ
うに微妙にシフトすることを避けることができない。

【００３８】そこで、定期的に、ロット毎に回転数と膜
厚の関係の測定を行い、このデータを回転塗布装置に入
力することによって自動的に回転塗布装置を適切な回転
数で回転させることができる。

【００３９】（第６実施例）〔感光性被膜の現像の面内不均一性の測定法〕感光性被
膜が均一の厚さで塗布され、均一に露光されていても、
現像液の供給方法の不具合、温度の不均一性等現像条件
が何らかの原因で適切でなくなったために、感光性被膜
の露光、現像後の残存状態にむらが生じることがある。
本実施例は、そのような現像条件の面内不均一性を測定
する方法に関するものである。

【００４０】図５は、感光性被膜の現像条件の面内不均
一性の測定法の説明図である。この図において、７は基
板、８は現像後の感光性被膜である。

【００４１】この方法においては、先ず、テスト用基板
７に感光性被膜を均一な膜厚で塗布し、ステップ式投影
露光装置（ステッパ）によって同一の露光量で感光性被
膜上の複数の領域を露光した試料を用意しておき、これ
を、製造工程に適宜間隔をおいて挿入して現像した後、
感光性被膜の残存膜厚の状態を画像データに変換し、各
露光領域の輝度レベルとその分布から、現像条件の不均
一性を検出し、この現像工程によって製造している半導
体装置に対して許容できない現像むらが発生したことを
検知した場合は警報を発し、あるいは、現像装置の動作
を停止して保守点検を行うようにすることができる。

【００４２】この方法によると、露光、現像後のテスト
用基板７の感光性被膜の残存状態を、ＣＣＤ等によって
画像データに変換し、得られた各領域の輝度信号を比較
することにより、現像条件のばらつきの幅を人手を介す
ることなく検出することができるから、許容限度を超え
る現像むらが発生したときは、迅速かつ自動的に上記の
適切な対応措置をとることができ、不良品の発生を最小
限度に抑制することができる。

【００４３】上記の説明は、テスト用基板を使用して現
像条件のむらの発生を検出する場合であったが、テスト
用試料を使用しないで、製造中の半導体基板上の感光性
被膜の残存状態を画像データに変換し、各領域内の輝度
を平均化することによって現像条件のむらを検出するこ
ともできる。

【００４４】（第７実施例）〔感光性被膜の現像条件の変動の測定法〕図６は、感光
性被膜の現像条件の変動の測定法の説明図である。この
図において、９、１１、１３、１５はテスト用基板、１
０、１２、１４、１６は残存した感光性被膜である。

【００４５】複数のテスト用基板に同じ膜厚の感光性被
膜を形成し、これらの感光性被膜の複数領域を例えば、
０．９Ｅ_th、１．０Ｅ_th、１．１Ｅ_th、１．３Ｅ_thと感
度Ｅ _thに異なる係数を乗じた露光量で均一に露光した試
料を用意しておき、これを、製造工程に挿入して現像し
た後、感光性被膜の残存膜厚の状態を画像データに変換
し、複数領域の感光性被膜の一部が抜け始める露光量
（この例では露光量０．９Ｅ_thのとき２つの領域の感光
性被膜が抜けている。）と、全ての感光性被膜が完全に
抜ける露光量（この例では露光量１．３Ｅ_thのとき全て
の感光性被膜が抜けている。）の幅を決定する（この例
では１．３Ｅ_th−０．９Ｅ_th＝０．４Ｅ_thである。）。

【００４６】このように感光性被膜の膜厚が均一で露光
量が各基板については均一であるにかかわらず現像むら
が生じ、あるいは時間的に変化する原因は、局部的な現
像むらによる実効的現像時間、あるいは、現像速度の不
均一性、および、それらの変動であり、感光性被膜が最
初に抜けてから全部が抜けるまでの露光量の幅から、配
線パターンの線幅のばらつきが推定できる。

【００４７】したがって、その現像条件が製造している
半導体装置に対して許容できる範囲であるか否かを判定
し、許容できない範囲に入った場合は、現像装置を停止
し、現像条件を点検、修正することによって、以後の不
良品の発生を抑制することができる。この場合、露光、
現像後の感光性被膜の残存状態を、画像処理による輝度
信号を用いて行うため、人手を介することなく迅速かつ
簡単に実行される。

【００４８】この実施例において、四角形の露光領域を
有するステップ式投影露光装置を使用して露光したの
は、画像データに変換するとき露光領域のエッジによっ
てパターン認識し易くするためであるが、基本的には、
基板全体を均一露光量でブランク露光することもでき、
この場合に感光性被膜が抜けた部分の面積を計算するこ
とにより、上記と同様の測定を行うことができる。

【００４９】上記の説明は、テスト用試料を使用して現
像条件のむらの発生を検出する場合であったが、テスト
用試料を使用しないで、製造中の半導体基板上の感光性
被膜の残存状態を画像データに変換し、各領域内の輝度
を平均化することによって現像条件の変動を検出するこ
ともできる。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
感光性被膜の現像後の残存膜厚の状態を画像処理するこ
とにより感光性被膜の感度を自動的に測定し、この値を
もとにして、製造工程において適正な感光性被膜の塗
布、露光、現像を行うことが可能になり、また、感光性
被膜の現像後の残存状態を画像処理することにより現像
条件の変動やむらの程度を自動的に測定することがで
き、人為的な測定誤差を生じる余地をなくし、製造工程
における不良品の発生を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１実施例の感光性
被膜の感度測定法の説明図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第２実施例の感光性
被膜の感度測定法の説明図である。

【図３】感光性被膜の露光光による干渉効果の説明図で
ある。

【図４】回転塗布装置の回転数と塗布被膜の膜厚の関係
の説明図である。

【図５】感光性被膜の現像条件の面内不均一性の測定法
の説明図である。

【図６】感光性被膜の現像条件の変動の測定法の説明図
である。

【符号の説明】

１感光性被膜が形成された基板２₁、２₂、２₃、２₄、２₅、２₆、２₇、２₈ 露
光領域３₁、３₂、３₃、３₄、３₅、３₆、３₇、３₈ 耐
蝕性被膜４画像データ形成領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の上に形成された感光性被膜の複数
の領域を異なる露光量で露光し、露光されたこの感光性
被膜を現像し、現像された感光性被膜の残存膜厚の状態
を位置と輝度信号からなる画像データに変換し、この画
像データと露光量データを情報処理することを特徴とす
る感光性被膜の感度測定法。
【請求項２】感光性被膜の複数の領域を異なる露光量
で露光するとき、この複数の領域と特定の関係を有する
位置に位置検出マークを露光し、現像された感光性被膜
の残存膜厚の状態をこの位置検出マークを基準にして画
像データに変換することを特徴とする請求項１記載の感
光性被膜の感度測定法。
【請求項３】基板の上に形成された感光性被膜の複数
の領域を異なる露光量で露光し、露光されたこの感光性
被膜を現像し、現像された感光性被膜の残存膜厚の状態
を位置と輝度信号からなる画像データに変換し、この画
像データと露光量データを情報処理することによって感
光性被膜の感度を測定し、その感度に所定の係数を乗じ
た値の露光量で製造工程における基板の上の感光性被膜
を露光することを特徴とする耐蝕性被膜の形成方法。
【請求項４】複数の基板の上に、基板間で異なった膜
厚の感光性被膜を均一に塗布し、各膜厚の基板に対し
て、基板の上に塗布された感光性被膜の複数の領域を異
なる露光量で露光し、露光された感光性被膜を現像し、
現像された感光性被膜の残存膜厚の状態を位置と輝度信
号からなる画像データに変換し、この画像データと露光
量データを情報処理することによって各感光性被膜の感
度を測定し、感光性被膜の膜厚と感度の相関から、感光
性被膜の膜厚を測定する方法。
【請求項５】複数の基板の上に、基板間で異なった膜
厚の感光性被膜を均一に塗布し、各膜厚の基板に対し
て、基板の上に塗布された感光性被膜の複数の領域を異
なる露光量で露光し、露光された感光性被膜を現像し、
現像された感光性被膜の残存膜厚の状態を位置と輝度信
号からなる画像データに変換し、この画像データと露光
量データを情報処理することによって感光性被膜の感度
を測定し、この測定した感光性被膜の干渉効果に基づい
て感光性被膜の塗布膜厚を補正する方法。
【請求項６】基板の上に塗布された感光性被膜の異な
る領域を同一露光量で露光し、現像後の感光性被膜の残
存膜厚の状態を画像データに変換し、この画像データか
ら現像工程における感光性被膜の実効的現像時間あるい
は現像速度の均一性を測定する方法。
【請求項７】複数の基板の上に同じ厚さで均一に塗布
された感光性被膜の複数の領域を、各基板毎に異なる露
光量で均一に露光し、現像後の感光性被膜の残存膜厚の
状態を画像データに変換し、この画像データから、感光
性被膜の一部が溶解し始める露光量と全ての感光性被膜
が溶解する露光量を検出し、その露光量の差から現像工
程における感光性被膜の実効的現像時間あるいは現像速
度の変動状態を測定する方法。