JPH05102084A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPH05102084A JPH05102084A JP29241191A JP29241191A JPH05102084A JP H05102084 A JPH05102084 A JP H05102084A JP 29241191 A JP29241191 A JP 29241191A JP 29241191 A JP29241191 A JP 29241191A JP H05102084 A JPH05102084 A JP H05102084A
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- JP
- Japan
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- etching
- gas
- etched
- gas introduction
- radicals
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- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被エッチング物の置かれた位置や上下による
エッチング処理速度の誤差をなくす。 【構成】 真空ポンプ１で真空引きした後に、複数のガ
ス導入量を各々制御する流量計２及びガス導入口６ａを
備えているエッチングガス導入装置３で、エッチングガ
ス４を被エッチング物５に向けて均一に石英チャンバー
内に導入させる。 【効果】 均一にエッチングガスを石英チャンバー内に
導入することで、ラジカルの発生が均一となり、エッチ
ング処理速度の不均一を改善できる。
エッチング処理速度の誤差をなくす。 【構成】 真空ポンプ１で真空引きした後に、複数のガ
ス導入量を各々制御する流量計２及びガス導入口６ａを
備えているエッチングガス導入装置３で、エッチングガ
ス４を被エッチング物５に向けて均一に石英チャンバー
内に導入させる。 【効果】 均一にエッチングガスを石英チャンバー内に
導入することで、ラジカルの発生が均一となり、エッチ
ング処理速度の不均一を改善できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマエッチング装置
に関し、特に、半導体製造方法におけるドライエッチン
グ工程に使用する円筒形プラズマエッチング装置に関す
る。
に関し、特に、半導体製造方法におけるドライエッチン
グ工程に使用する円筒形プラズマエッチング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマエッチング装置は、真空
引きした後、エッチングガスを導入した石英ガラスチャ
ンバー内で高周波を与え、高周波電極からプラズマ放電
を起こして、エッチングガスをイオンとラジカルに解離
する。
引きした後、エッチングガスを導入した石英ガラスチャ
ンバー内で高周波を与え、高周波電極からプラズマ放電
を起こして、エッチングガスをイオンとラジカルに解離
する。
【０００３】解離したラジカルが被エッチング物と化学
反応を起こし、エッチングするようになっていた。
反応を起こし、エッチングするようになっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプラズ
マエッチング装置は、エッチングガスの導入方向が一定
で、かつ導入口が石英ガラスチャンバーの上部一ヶ所に
限定しているために、チャンバー内にエッチングガスが
均一に広がらず、ラジカルが被エッチング物と均一に反
応しない。
マエッチング装置は、エッチングガスの導入方向が一定
で、かつ導入口が石英ガラスチャンバーの上部一ヶ所に
限定しているために、チャンバー内にエッチングガスが
均一に広がらず、ラジカルが被エッチング物と均一に反
応しない。
【０００５】そのため、被エッチング物の置かれた位置
や上下によって処理速度が異なり、エッチング効果が被
エッチング物内で不均一になるという問題点があった。
や上下によって処理速度が異なり、エッチング効果が被
エッチング物内で不均一になるという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、エッチングガスを被エッ
チング物に向けて均一に導入できるようにしたプラズマ
エッチング装置を提供することにある。
チング物に向けて均一に導入できるようにしたプラズマ
エッチング装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るプラズマエッチング装置においては、
真空ポンプを備えたガラスチャンバーに、高周波発振装
置に接続された高周波電極と、ガス導入量を制御する流
量計及びガス導入口を備えたエッチングガス導入装置と
を複数備えたものである。
め、本発明に係るプラズマエッチング装置においては、
真空ポンプを備えたガラスチャンバーに、高周波発振装
置に接続された高周波電極と、ガス導入量を制御する流
量計及びガス導入口を備えたエッチングガス導入装置と
を複数備えたものである。
【０００８】
【作用】本発明のプラズマエッチング装置は、真空引き
した後にエッチングガスを導入した石英ガラスチャンバ
ー内で高周波を与え、高周波電極からプラズマ放電を起
こしてエッチングガスをイオンとラジカルとに解離す
る。
した後にエッチングガスを導入した石英ガラスチャンバ
ー内で高周波を与え、高周波電極からプラズマ放電を起
こしてエッチングガスをイオンとラジカルとに解離す
る。
【０００９】解離して発生したラジカルが被エッチング
物と化学反応を起こしてエッチングする際に、エッチン
グガスを均一に石英ガラスチャンバー内に導入できるガ
ス導入量を制御する流量計とガス導入口とを備えたエッ
チングガス導入装置を複数個備えている。
物と化学反応を起こしてエッチングする際に、エッチン
グガスを均一に石英ガラスチャンバー内に導入できるガ
ス導入量を制御する流量計とガス導入口とを備えたエッ
チングガス導入装置を複数個備えている。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は、本発明に係るプラズマエッチング
装置の一実施例を示す正面断面図、図２は、同側面断面
図である。
装置の一実施例を示す正面断面図、図２は、同側面断面
図である。
【００１２】図において、石英ガラスチャンバー６は、
その上部に複数のガス導入口６ａ．６ａ…を有し、各ガ
ス導入口６ａには、ガス導入量を制御する流量計２が取
付けてある。ここに、ガス導入口６ａと流量計２等によ
り、エッチングガス導入装置３が構成されている。ま
た、チャンバー６内には、被エッチング物５を保持する
ホルダ６ｂが設置されている。
その上部に複数のガス導入口６ａ．６ａ…を有し、各ガ
ス導入口６ａには、ガス導入量を制御する流量計２が取
付けてある。ここに、ガス導入口６ａと流量計２等によ
り、エッチングガス導入装置３が構成されている。ま
た、チャンバー６内には、被エッチング物５を保持する
ホルダ６ｂが設置されている。
【００１３】さらに、チャンバー６のガス導入口６ａ，
ガス排気口６ｃには高周波電極部７が設けられ、電極部
７は高周波電源１０に接続されている。
ガス排気口６ｃには高周波電極部７が設けられ、電極部
７は高周波電源１０に接続されている。
【００１４】また、チャンバー６内は、ガス排気口６ｃ
より真空ポンプ１で真空排気される。
より真空ポンプ１で真空排気される。
【００１５】実施例において、チャンバー６内を真空ポ
ンプ１で１０の−１乗ｔｏｒｒに真空引きした後に、ガ
ス導入量をおのおの制御する複数の流量計２とガス導入
口６ａとを備えているエッチングガス導入装置３でＯ2
エッチングガス４を被エッチング物５に向けて均一に導
入し、石英ガラスチャンバー６内で８００Ｗの高周波を
与え、高周波電極部７から石英ガラスチャンバー６内部
に向けてプラズマ放電を起こしてＯ2 エッチングガス４
をＯのマイナスイオン８とＯラジカル９とに解離する。
ンプ１で１０の−１乗ｔｏｒｒに真空引きした後に、ガ
ス導入量をおのおの制御する複数の流量計２とガス導入
口６ａとを備えているエッチングガス導入装置３でＯ2
エッチングガス４を被エッチング物５に向けて均一に導
入し、石英ガラスチャンバー６内で８００Ｗの高周波を
与え、高周波電極部７から石英ガラスチャンバー６内部
に向けてプラズマ放電を起こしてＯ2 エッチングガス４
をＯのマイナスイオン８とＯラジカル９とに解離する。
【００１６】解離して発生したＯラジカル９が、被エッ
チング物５とエッチングガス４とが均一に導入されるこ
とで均一な速度で化学反応を起こして、被エッチング物
５を均一にエッチングしている。
チング物５とエッチングガス４とが均一に導入されるこ
とで均一な速度で化学反応を起こして、被エッチング物
５を均一にエッチングしている。
【００１７】この時の被エッチング物（Ｃ）５は、レジ
ストフィルムをさす。その反応式を下記に示す。
ストフィルムをさす。その反応式を下記に示す。
【００１８】
【数１】
【００１９】また、別の実施例として、真空ポンプ１で
１０の−１乗ｔｏｒｒに真空引きした後にガス導入量を
各々制御する複数の流量計２と、ガス導入口６ａとを備
えているエッチングガス導入装置３でＣＦ4 エッチング
ガス４を被エッチング物（Ｓｉ）５に向けて均一に導入
した石英ガラスチャンバー６内で７００Ｗの高周波を与
え、高周波電極部７から石英ガラスチャンバー６内部に
向けてプラズマ放電を起こしてＣＦ4 エッチングガス４
をＣＦ4 のプラスイオン８とＦラジカル９とに解離す
る。
１０の−１乗ｔｏｒｒに真空引きした後にガス導入量を
各々制御する複数の流量計２と、ガス導入口６ａとを備
えているエッチングガス導入装置３でＣＦ4 エッチング
ガス４を被エッチング物（Ｓｉ）５に向けて均一に導入
した石英ガラスチャンバー６内で７００Ｗの高周波を与
え、高周波電極部７から石英ガラスチャンバー６内部に
向けてプラズマ放電を起こしてＣＦ4 エッチングガス４
をＣＦ4 のプラスイオン８とＦラジカル９とに解離す
る。
【００２０】解離して発生したＦラジカル９が被エッチ
ング物（Ｓｉ）５とエッチングガス４とが均一に導入さ
れることで均一な速度で化学反応を起こしてＳｉ（被エ
ッチング物５）を均一にエッチングしている。
ング物（Ｓｉ）５とエッチングガス４とが均一に導入さ
れることで均一な速度で化学反応を起こしてＳｉ（被エ
ッチング物５）を均一にエッチングしている。
【００２１】この時のＳｉ（被エッチング物５）は無機
絶縁材料をさす。
絶縁材料をさす。
【００２２】
【数２】
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、解離して
発生したラジカルが被エッチング物と化学反応を起こし
てエッチングする際に、エッチングガスを被エッチング
物に向けて均一に導入できるガス導入量を制御する流量
計及びガス導入口を備えたエッチングガス導入装置を複
数個備えることで、被エッチング物とラジカルを均一な
速度で化学反応させることが可能となり、従来の円筒形
プラズマエッチング装置の欠点であったエッチング処理
速度の不均一を改善できる。
発生したラジカルが被エッチング物と化学反応を起こし
てエッチングする際に、エッチングガスを被エッチング
物に向けて均一に導入できるガス導入量を制御する流量
計及びガス導入口を備えたエッチングガス導入装置を複
数個備えることで、被エッチング物とラジカルを均一な
速度で化学反応させることが可能となり、従来の円筒形
プラズマエッチング装置の欠点であったエッチング処理
速度の不均一を改善できる。
【図１】本発明に係るプラズマエッチング装置の一実施
例を示す正面側面図である。
例を示す正面側面図である。
【図２】同側面断面図である。
１ 真空ポンプ ２ 流量計 ３ エッチングガス導入装置 ４ エッチングガス ５ 被エッチング物 ６ 石英ガラスチャンバー ７ 高周波電極部 ８ イオン ９ ラジカル １０ 高周波電源
Claims (1)
- 【請求項１】 真空ポンプを備えたガラスチャンバー
に、 高周波発振装置に接続された高周波電極と、 ガス導入量を制御する流量計及びガス導入口を備えたエ
ッチングガス導入装置とを複数備えたことを特徴とする
プラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29241191A JPH05102084A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29241191A JPH05102084A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102084A true JPH05102084A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17781440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29241191A Pending JPH05102084A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023074135A (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-29 | 株式会社アルバック | エッチング方法、および、エッチング装置 |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP29241191A patent/JPH05102084A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023074135A (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-29 | 株式会社アルバック | エッチング方法、および、エッチング装置 |
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