JPH05102511A - 太陽電池モジユール - Google Patents
太陽電池モジユールInfo
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- JPH05102511A JPH05102511A JP3260716A JP26071691A JPH05102511A JP H05102511 A JPH05102511 A JP H05102511A JP 3260716 A JP3260716 A JP 3260716A JP 26071691 A JP26071691 A JP 26071691A JP H05102511 A JPH05102511 A JP H05102511A
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- polymer resin
- grid electrode
- cell module
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- H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 太陽電池モジュール内への湿度の侵入を防
ぎ、高温高湿条件下で長期間使用した場合でも漏れ電流
が増加しない信頼性の高い太陽電池モジュールを提供す
る。 【構成】 基板101上に金属電極層102、非晶質シ
リコン半導体層103、透明電極層104及びグリッド
電極105を順次有し、さらにその上に高分子樹脂の充
填剤106と耐候性高分子樹脂フィルム107を順に有
する太陽電池モジュール100において、高分子樹脂の
充填剤106より耐透湿性の高い高分子樹脂層112で
グリッド電極105を被覆する。
ぎ、高温高湿条件下で長期間使用した場合でも漏れ電流
が増加しない信頼性の高い太陽電池モジュールを提供す
る。 【構成】 基板101上に金属電極層102、非晶質シ
リコン半導体層103、透明電極層104及びグリッド
電極105を順次有し、さらにその上に高分子樹脂の充
填剤106と耐候性高分子樹脂フィルム107を順に有
する太陽電池モジュール100において、高分子樹脂の
充填剤106より耐透湿性の高い高分子樹脂層112で
グリッド電極105を被覆する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高分子樹脂で被覆され
た非晶質半導体太陽電池に関し、さらに詳しくは耐透湿
性に優れた非晶質シリコン半導体太陽電池モジュールに
関する。
た非晶質半導体太陽電池に関し、さらに詳しくは耐透湿
性に優れた非晶質シリコン半導体太陽電池モジュールに
関する。
【0002】
【従来の技術】最近、CO2 の増加による温室効果で地
球の温暖化が生じることが予測され、クリーンなエネル
ギーの要求がますます高まっている。
球の温暖化が生じることが予測され、クリーンなエネル
ギーの要求がますます高まっている。
【0003】また、CO2 を排出しない原子力発電も放
射性廃棄物の問題が解決されておらず、より安全性の高
いクリーンなエネルギーが望まれている。
射性廃棄物の問題が解決されておらず、より安全性の高
いクリーンなエネルギーが望まれている。
【0004】将来期待されているクリーンなエネルギー
の中でも、特に太陽電池は、そのクリーンさと、安全性
と、取り扱い易さとから期待が大きい。
の中でも、特に太陽電池は、そのクリーンさと、安全性
と、取り扱い易さとから期待が大きい。
【0005】各種太陽電池の中で、非晶質シリコン半導
体太陽電池は大面積に製造でき、製造コストも安価であ
ることから熱心に研究されている。
体太陽電池は大面積に製造でき、製造コストも安価であ
ることから熱心に研究されている。
【0006】上記太陽電池は、集電のために透明電極上
に金属ペーストなどでグリッド電極が形成されている。
また、上記太陽電池は耐候性、耐衝撃性を持たせるため
にフッソ樹脂やエチレン−酢酸ビニルの共重合体(EV
A)などのような樹脂で密封されている。
に金属ペーストなどでグリッド電極が形成されている。
また、上記太陽電池は耐候性、耐衝撃性を持たせるため
にフッソ樹脂やエチレン−酢酸ビニルの共重合体(EV
A)などのような樹脂で密封されている。
【0007】図2に従来例の太陽電池モジュールの概略
構成図を示す。
構成図を示す。
【0008】図2において、201は基板、202は金
属電極層、203は非晶質シリコン層、204は透明電
極層、205は透明電極層上に形成されたグリッド電
極、206は充填剤、207は耐候性高分子樹脂フィル
ム、208は裏面保護シート、209は枠体、210は
正極側リード線、211は負極側リード線である。
属電極層、203は非晶質シリコン層、204は透明電
極層、205は透明電極層上に形成されたグリッド電
極、206は充填剤、207は耐候性高分子樹脂フィル
ム、208は裏面保護シート、209は枠体、210は
正極側リード線、211は負極側リード線である。
【0009】ここで充填剤は高分子樹脂であり、また、
透明電極204上のグリッド電極205は通常、銀と高
分子樹脂バインダーの混合ペーストをスクリーン印刷な
どの方法により形成するため製造上多孔性構造となる。
ここで太陽電池モジュールを高温高湿条件下で長期間使
用した場合には、微量ではあるが大気中の水分がグリッ
ド電極下に侵入してしまう。
透明電極204上のグリッド電極205は通常、銀と高
分子樹脂バインダーの混合ペーストをスクリーン印刷な
どの方法により形成するため製造上多孔性構造となる。
ここで太陽電池モジュールを高温高湿条件下で長期間使
用した場合には、微量ではあるが大気中の水分がグリッ
ド電極下に侵入してしまう。
【0010】この場合、グリッド電極下の非晶質シリコ
ン層にピンホールが存在し、そこに水分が侵入すると上
部透明電極と下部金属電極がショートしてしまうという
現象があった。
ン層にピンホールが存在し、そこに水分が侵入すると上
部透明電極と下部金属電極がショートしてしまうという
現象があった。
【0011】特にグリッド電極に銀を含むペーストを使
用し、かつ、順バイアスに電圧を印加あるいは光照射し
た場合には、銀が両極間にマイグレイションを起こし、
その結果、太陽電池の漏れ電流が時間と共に増加すると
いう欠点があった。
用し、かつ、順バイアスに電圧を印加あるいは光照射し
た場合には、銀が両極間にマイグレイションを起こし、
その結果、太陽電池の漏れ電流が時間と共に増加すると
いう欠点があった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
の欠点を解決し、太陽電池モジュールが高温高湿条件下
で長期間使用された場合でも、太陽電池モジュールの漏
れ電流が増加することなく、従って長期間の使用に耐え
る信頼性の高い太陽電池モジュールを提供することにあ
る。
の欠点を解決し、太陽電池モジュールが高温高湿条件下
で長期間使用された場合でも、太陽電池モジュールの漏
れ電流が増加することなく、従って長期間の使用に耐え
る信頼性の高い太陽電池モジュールを提供することにあ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は基板上に金属電極層、非晶質シリコン半導体
層、透明電極層、グリッド電極を順次形成してなり、さ
らにその上に高分子樹脂の充填剤と耐候性高分子樹脂フ
ィルムとを順に有する太陽電池モジュールにおいて、前
記グリッド電極と充填剤との間に、グリッド電極を覆っ
て充填剤より耐透湿性の高い高分子樹脂層を有するよう
に構成するもので、上記グリッド電極が銀を主成分とす
ることを含むものである。
に本発明は基板上に金属電極層、非晶質シリコン半導体
層、透明電極層、グリッド電極を順次形成してなり、さ
らにその上に高分子樹脂の充填剤と耐候性高分子樹脂フ
ィルムとを順に有する太陽電池モジュールにおいて、前
記グリッド電極と充填剤との間に、グリッド電極を覆っ
て充填剤より耐透湿性の高い高分子樹脂層を有するよう
に構成するもので、上記グリッド電極が銀を主成分とす
ることを含むものである。
【0014】
【作用】本発明によれば、グリッド電極と充填剤の間に
グリッド電極を被覆するように充填剤よりも耐透湿性の
高い高分子樹脂層を形成することにより、太陽電池モジ
ュールが高温高湿条件下で長期間使用された場合におい
てもグリッド電極下への水分の侵入を防ぐことができ
る。このため、グリッド電極下で短絡したり、漏れ電流
が増加したりすることがなく、長期間性能が安定し、信
頼性の優れた太陽電池を提供することが可能となる。
グリッド電極を被覆するように充填剤よりも耐透湿性の
高い高分子樹脂層を形成することにより、太陽電池モジ
ュールが高温高湿条件下で長期間使用された場合におい
てもグリッド電極下への水分の侵入を防ぐことができ
る。このため、グリッド電極下で短絡したり、漏れ電流
が増加したりすることがなく、長期間性能が安定し、信
頼性の優れた太陽電池を提供することが可能となる。
【0015】特にグリッド電極が銀ペーストで形成され
ている場合でも、銀のマイグレーションを有効に防止し
てモジュールを長期間安定に動作させることができる。
ている場合でも、銀のマイグレーションを有効に防止し
てモジュールを長期間安定に動作させることができる。
【0016】以下、本発明を図面を参照しながら詳細に
説明する。
説明する。
【0017】図1に本発明の太陽電池モジュールの概略
構成断面図を示した。
構成断面図を示した。
【0018】図1において、101は太陽電池基板、1
02は金属電極層、103はp/i/n非晶質シリコン
半導体層、104は透明電極層、105はグリッド電
極、106は充填剤、107は耐候性高分子樹脂フィル
ム、108は裏面保護シート、109は枠体、110は
正極側リード線、111は負極側リード線、112はグ
リッド電極105と充填剤106との間に形成された充
填剤106よりも高い耐透湿性を有する高分子樹脂層で
あり、グリッド電極105と充填剤106との間にグリ
ッド電極105を被覆するような形で形成される。
02は金属電極層、103はp/i/n非晶質シリコン
半導体層、104は透明電極層、105はグリッド電
極、106は充填剤、107は耐候性高分子樹脂フィル
ム、108は裏面保護シート、109は枠体、110は
正極側リード線、111は負極側リード線、112はグ
リッド電極105と充填剤106との間に形成された充
填剤106よりも高い耐透湿性を有する高分子樹脂層で
あり、グリッド電極105と充填剤106との間にグリ
ッド電極105を被覆するような形で形成される。
【0019】本発明においてグリッド電極105を被覆
する高分子樹脂層112は充填剤106よりも高い耐透
湿性を有する高分子樹脂である。
する高分子樹脂層112は充填剤106よりも高い耐透
湿性を有する高分子樹脂である。
【0020】通常、ある物質の透湿性を評価する場合に
は、一定温度、一定湿度、一定時間内に一定厚み、一定
面積の物質を透過する水分量で定義される水蒸気透過率
が用いられる。たとえば、一般に用いられる充填剤であ
るエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)の水蒸気透
過率は20〜30g/m2・day ・0.1mm/40℃90
%RHであるため本発明で用いられるグリッド電極10
5を被覆する高分子樹脂層112は水蒸気透過率がEV
Aの透過率よりも小さい20g/m2・day ・0.1mm/
40℃90%RH以下の高分子樹脂である必要がある。
具体的には、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン−塩
化ビニル共重合体、フッ素樹脂などを用いることができ
る。
は、一定温度、一定湿度、一定時間内に一定厚み、一定
面積の物質を透過する水分量で定義される水蒸気透過率
が用いられる。たとえば、一般に用いられる充填剤であ
るエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)の水蒸気透
過率は20〜30g/m2・day ・0.1mm/40℃90
%RHであるため本発明で用いられるグリッド電極10
5を被覆する高分子樹脂層112は水蒸気透過率がEV
Aの透過率よりも小さい20g/m2・day ・0.1mm/
40℃90%RH以下の高分子樹脂である必要がある。
具体的には、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン−塩
化ビニル共重合体、フッ素樹脂などを用いることができ
る。
【0021】これらの高分子樹脂の中でもホットメルト
吐出が可能な樹脂を用いると、グリッド電極105上に
高分子樹脂層112を容易に形成できるためより好まし
い。
吐出が可能な樹脂を用いると、グリッド電極105上に
高分子樹脂層112を容易に形成できるためより好まし
い。
【0022】また、上記の高分子樹脂層のモノマーある
いはオリゴマーをグリッド電極105上にスクリーン印
刷で形成した後、加熱あるいは光により重合させること
によって高分子樹脂層112を形成することも可能であ
る。ここで耐透湿性を有する高分子樹脂層112は上記
の高分子樹脂に限られたものではなく、充填剤106よ
りも耐透湿性に優れておればどのような種類の高分子樹
脂も使用することができる。
いはオリゴマーをグリッド電極105上にスクリーン印
刷で形成した後、加熱あるいは光により重合させること
によって高分子樹脂層112を形成することも可能であ
る。ここで耐透湿性を有する高分子樹脂層112は上記
の高分子樹脂に限られたものではなく、充填剤106よ
りも耐透湿性に優れておればどのような種類の高分子樹
脂も使用することができる。
【0023】また、耐透湿性を有する高分子樹脂層11
2は透光性であり、さらに高分子樹脂層112の屈折率
が充填剤106の屈折率よりも大きいことが好ましい。
グリッド電極105を覆う高分子樹脂層112が非透光
性の場合、透明電極層104上においてシャドーロスが
生じるため起電力を低下させ不利である。また、高分子
樹脂層112の屈折率が充填剤106の屈折率より大き
い場合、耐候性高分子樹脂フィルム107及び充填剤1
06を透過した入射光は、非発電領域であるグリッド電
極105に到達する前に、高分子樹脂層112と充填剤
106との界面で屈折しやすくなり、その結果、変換効
率が高くなり好ましい。
2は透光性であり、さらに高分子樹脂層112の屈折率
が充填剤106の屈折率よりも大きいことが好ましい。
グリッド電極105を覆う高分子樹脂層112が非透光
性の場合、透明電極層104上においてシャドーロスが
生じるため起電力を低下させ不利である。また、高分子
樹脂層112の屈折率が充填剤106の屈折率より大き
い場合、耐候性高分子樹脂フィルム107及び充填剤1
06を透過した入射光は、非発電領域であるグリッド電
極105に到達する前に、高分子樹脂層112と充填剤
106との界面で屈折しやすくなり、その結果、変換効
率が高くなり好ましい。
【0024】本発明で用いられる太陽電池の基板101
の種類に制約はないが、導電性基板の適用が好ましい。
具体的には、ステンレススチール、アルミニウム、銅、
カーボンシート等があるが、好ましくはステンレススチ
ールが使用される。
の種類に制約はないが、導電性基板の適用が好ましい。
具体的には、ステンレススチール、アルミニウム、銅、
カーボンシート等があるが、好ましくはステンレススチ
ールが使用される。
【0025】本発明で用いられる基板上に設けられた金
属電極としては、Ti、Cr、Mo、W、Al、Ag、
Ni等が用いられ、形成方法としては抵抗加熱蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング法等がある。
属電極としては、Ti、Cr、Mo、W、Al、Ag、
Ni等が用いられ、形成方法としては抵抗加熱蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング法等がある。
【0026】本発明で用いられる太陽電池素子の光起電
力層は、p/i/n非晶質シリコン半導体層103であ
る。上記半導体層103はシランガス等のプラズマCV
Dや光CVD等の公知の方法で形成される。
力層は、p/i/n非晶質シリコン半導体層103であ
る。上記半導体層103はシランガス等のプラズマCV
Dや光CVD等の公知の方法で形成される。
【0027】本発明で用いられる太陽電池素子の透明電
極に用いる材料としては、In2 O 3 、SnO2 、In
2 O3 −SnO2 、ZnO、TiO2 、CdSnO4 等
があり、形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング法、スプレー法、CVD法等があ
る。
極に用いる材料としては、In2 O 3 、SnO2 、In
2 O3 −SnO2 、ZnO、TiO2 、CdSnO4 等
があり、形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング法、スプレー法、CVD法等があ
る。
【0028】本発明で用いられるグリッド電極は、たと
えば金属電極、金属と高分子バインダーが分散された導
電性電極等があげられるが、一般には、金属粉末と高分
子樹脂バインダーがペースト状になった金属ペーストが
用いられている。これらの金属ペーストは通常、スクリ
ーン印刷法により透明電極上に形成される。これらの金
属ペーストのなかで導電率やコストを考慮すると銀ペー
ストが好ましいがこれに限られたものではない。また、
本発明は、グリッド電極に銀ペーストを用いたときにマ
イグレーションを有効に防止して大きな効果を発揮する
ものである。
えば金属電極、金属と高分子バインダーが分散された導
電性電極等があげられるが、一般には、金属粉末と高分
子樹脂バインダーがペースト状になった金属ペーストが
用いられている。これらの金属ペーストは通常、スクリ
ーン印刷法により透明電極上に形成される。これらの金
属ペーストのなかで導電率やコストを考慮すると銀ペー
ストが好ましいがこれに限られたものではない。また、
本発明は、グリッド電極に銀ペーストを用いたときにマ
イグレーションを有効に防止して大きな効果を発揮する
ものである。
【0029】本発明で用いられる高分子樹脂からなる透
光性の充填剤としてはたとえばエチレン−酢酸ビニル共
重合体(EVA)、ポリビニルブチロール、シリコーン
樹脂等があげられるがこれに限られたものではない。
光性の充填剤としてはたとえばエチレン−酢酸ビニル共
重合体(EVA)、ポリビニルブチロール、シリコーン
樹脂等があげられるがこれに限られたものではない。
【0030】本発明の耐候性高分子樹脂フィルムは透光
性の保護膜で、これは紫外線やオゾンに安定な耐候性が
あることが必要である。例えば、フッソ樹脂フィルム、
シリコーン樹脂等があげられるがこれに限られたもので
はない。
性の保護膜で、これは紫外線やオゾンに安定な耐候性が
あることが必要である。例えば、フッソ樹脂フィルム、
シリコーン樹脂等があげられるがこれに限られたもので
はない。
【0031】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【0032】実施例1 図3は、本実施例の太陽電池モジュールの上面外観図で
あり、図4は、図3のA−A’間の層構成を示す断面図
である。
あり、図4は、図3のA−A’間の層構成を示す断面図
である。
【0033】図3,図4において、301はステンレス
よりなる基板であり、302はAl−Siよりなる金属
電極層であり、303はp/i/n構造を有する非晶質
シリコン半導体層である。304は透明電極層であるI
TO、305は銀のグリッド電極、306はエチレン−
酢酸ビニル共重合体(EVA)、307はフッ素樹脂で
あるエチレン−テトラフロロエチレン共重合体、308
はガルバニウム鋼板、310は正極側の取り出しである
錫メッキ銅バスバー、311は負極側の取り出しとなる
銅箔、312はグリッド電極と錫メッキ銅バスバーとを
接続するための接着性銀インク、313は素子分離部、
314は銅箔をスポット溶接するためにステンレス基板
を露出した部分である。315は短絡防止用の絶縁テー
プである。そして、320はグリッド電極305と接着
性銀インク312とを被覆したポリプロピレンである。
よりなる基板であり、302はAl−Siよりなる金属
電極層であり、303はp/i/n構造を有する非晶質
シリコン半導体層である。304は透明電極層であるI
TO、305は銀のグリッド電極、306はエチレン−
酢酸ビニル共重合体(EVA)、307はフッ素樹脂で
あるエチレン−テトラフロロエチレン共重合体、308
はガルバニウム鋼板、310は正極側の取り出しである
錫メッキ銅バスバー、311は負極側の取り出しとなる
銅箔、312はグリッド電極と錫メッキ銅バスバーとを
接続するための接着性銀インク、313は素子分離部、
314は銅箔をスポット溶接するためにステンレス基板
を露出した部分である。315は短絡防止用の絶縁テー
プである。そして、320はグリッド電極305と接着
性銀インク312とを被覆したポリプロピレンである。
【0034】このような太陽電池を作成するため、本実
施例では、まず、洗浄した厚さ0.1mmのロール状ス
テンレス基板301上にロール・ツー・ロール法でSi
を1%含有するAl 302をスパッタ法により膜厚5
000 蒸着した。次いでSiH4 、PH3 、B2 H
6 、H2 ガス等のプラズマCVDにより、膜厚4000
のn,i,nの非晶質シリコン膜303を順次形成した
後、膜厚800 のITO 304を抵抗加熱蒸着で形
成した。
施例では、まず、洗浄した厚さ0.1mmのロール状ス
テンレス基板301上にロール・ツー・ロール法でSi
を1%含有するAl 302をスパッタ法により膜厚5
000 蒸着した。次いでSiH4 、PH3 、B2 H
6 、H2 ガス等のプラズマCVDにより、膜厚4000
のn,i,nの非晶質シリコン膜303を順次形成した
後、膜厚800 のITO 304を抵抗加熱蒸着で形
成した。
【0035】次に、ITOのエッチング材(FeCl
3 、HCl)によりITO層の一部を除去して素子分離
部313を形成することにより、各太陽電池素子に分離
した後、各太陽電池を切断した。次にITO上に集電用
グリッド電極305を、銀ペーストをスクリーン印刷す
ることにより形成した。次にグリッド電極の集電用バス
バー電極である錫メッキ銅バスバー310を銀ペースト
で形成したグリッド電極と直交させる形で載置したの
ち、銀電極との交点に接着性銀インク312を点下し、
グリッド電極とバスバー電極とを接続した。
3 、HCl)によりITO層の一部を除去して素子分離
部313を形成することにより、各太陽電池素子に分離
した後、各太陽電池を切断した。次にITO上に集電用
グリッド電極305を、銀ペーストをスクリーン印刷す
ることにより形成した。次にグリッド電極の集電用バス
バー電極である錫メッキ銅バスバー310を銀ペースト
で形成したグリッド電極と直交させる形で載置したの
ち、銀電極との交点に接着性銀インク312を点下し、
グリッド電極とバスバー電極とを接続した。
【0036】つぎに、グリッド電極305上および接着
性銀インク312上にホットメルト状のポリプロピレン
320をディスペンサーで塗布して耐透湿性高分子樹脂
層を形成した。
性銀インク312上にホットメルト状のポリプロピレン
320をディスペンサーで塗布して耐透湿性高分子樹脂
層を形成した。
【0037】次にエチレン−テトラフロロエチレン共重
合体/EVA/太陽電池素子/EVA/ガルバリウム鋼
板を順に重ねあわせ、真空ラミネーターを用いて150
℃でEVAを溶融させることにより太陽電池を樹脂封止
した。なお、エチレン−テトラフロロエチレン共重合体
はEVAとの接着力を高めるため予めプラズマ処理を施
した。
合体/EVA/太陽電池素子/EVA/ガルバリウム鋼
板を順に重ねあわせ、真空ラミネーターを用いて150
℃でEVAを溶融させることにより太陽電池を樹脂封止
した。なお、エチレン−テトラフロロエチレン共重合体
はEVAとの接着力を高めるため予めプラズマ処理を施
した。
【0038】次に、この太陽電池モジュールに温度85
℃、湿度85%の高温、高湿条件下で+0.3ボルトの
バイアスを順方向に印加し、太陽電池の漏れ電流を測定
した。
℃、湿度85%の高温、高湿条件下で+0.3ボルトの
バイアスを順方向に印加し、太陽電池の漏れ電流を測定
した。
【0039】実施例2 銀グリッド電極および接着性銀インク上の耐透湿性高分
子樹脂層320にポリメチルメタクリレート(PMM
A)を用いた以外は、実施例1と同様の方法で太陽電池
モジュールを作成し、実施例1と同様に高湿高温下での
漏れ電流を測定した。PMMAはホットメルト状にした
あと、ディスペンサーで塗布した。
子樹脂層320にポリメチルメタクリレート(PMM
A)を用いた以外は、実施例1と同様の方法で太陽電池
モジュールを作成し、実施例1と同様に高湿高温下での
漏れ電流を測定した。PMMAはホットメルト状にした
あと、ディスペンサーで塗布した。
【0040】実施例3 銀グリッド電極および接着性銀インク上に重合開始剤を
含んだメチルメタクリレートモノマーをディスペンサー
で塗布した後、紫外線を照射し、光硬化させることによ
り耐透湿性高分子樹脂層320を形成した以外は実施例
1と同様の方法で太陽電池モジュールを作成し、実施例
1と同様に高湿高温下での漏れ電流を測定した。
含んだメチルメタクリレートモノマーをディスペンサー
で塗布した後、紫外線を照射し、光硬化させることによ
り耐透湿性高分子樹脂層320を形成した以外は実施例
1と同様の方法で太陽電池モジュールを作成し、実施例
1と同様に高湿高温下での漏れ電流を測定した。
【0041】比較例 実施例1において、耐透湿性高分子樹脂層320を形成
しなかった以外は実施例1と同様の方法で太陽電池モジ
ュールを作成し、実施例1と同様に高湿高温下での漏れ
電流を測定した。
しなかった以外は実施例1と同様の方法で太陽電池モジ
ュールを作成し、実施例1と同様に高湿高温下での漏れ
電流を測定した。
【0042】[結果]実施例1〜3および比較例の、高
温高湿下での順バイアステストでの漏れ電流の結果を図
5に示した。
温高湿下での順バイアステストでの漏れ電流の結果を図
5に示した。
【0043】この図から明らかなように、本実施例の太
陽電池モジュールは、高温高湿下で順バイアス方向に電
圧を印加しても漏れ電流がほとんど増加することがなか
った。
陽電池モジュールは、高温高湿下で順バイアス方向に電
圧を印加しても漏れ電流がほとんど増加することがなか
った。
【0044】
【発明の効果】本発明に係る太陽電池モジュールは上記
のように構成したので、高温高湿度下で長期間使用され
た場合でも太陽電池モジュールの漏れ電流が増加しない
ため、信頼性が高く、長寿命な太陽電池モジュールを提
供することが可能となる。
のように構成したので、高温高湿度下で長期間使用され
た場合でも太陽電池モジュールの漏れ電流が増加しない
ため、信頼性が高く、長寿命な太陽電池モジュールを提
供することが可能となる。
【図1】本発明の太陽電池モジュールを示す概略構成断
面図である。
面図である。
【図2】従来例の太陽電池モジュールの一例を示す概略
構成断面図である。
構成断面図である。
【図3】本発明の一実施例を示す概略構成平面図であ
る。
る。
【図4】図3のA−A’切断線に沿った層構成を示す断
面図である。
面図である。
【図5】本実施品と比較品とを用いて、高温高湿条件下
で順バイアスを印加したときの漏れ電流を示すグラフで
ある。
で順バイアスを印加したときの漏れ電流を示すグラフで
ある。
101 基板 102 金属電極層 103 非晶質シリコン半導体層 104 透明電極層 105 グリッド電極 106 充填剤 107 耐候性高分子樹脂フィルム 108 裏面保護シート 109 枠体 110 正極側リード線 111 負極側リード線 112 耐透湿性高分子樹脂層 201 基板 202 金属電極層 203 非晶質シリコン層 204 透明電極層 205 グリッド電極 206 充填剤 207 耐候性高分子樹脂フィルム 208 裏面保護シート 209 枠体 210 正極側リード線 211 負極側リード線 301 基板 302 金属電極層 303 非晶質シリコン半導体層 304 透明電極 305 グリッド電極 306 エチレン−酢酸ビニル共重合体 307 エチレン−テトラフロロエチレン共重合体 308 ガルバニウム鋼板 310 錫メッキ銅バスバー 311 銅泊 312 接着性銀インク 313 素子分離部 314 ステンレス基板露出部 315 短絡防止用絶縁テープ 320 ポリプロピレン
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に金属電極層、非晶質シリコン半
導体、透明電極層、グリッド電極を順次形成してなり、
さらにその上に高分子樹脂の充填剤と耐候性高分子樹脂
フィルムとを順に有する太陽電池モジュールにおいて、
前記グリッド電極と充填剤との間に、グリッド電極を覆
って充電剤より耐透湿性の高い高分子樹脂層を有するこ
とを特徴とする太陽電池モジュール。 - 【請求項2】 上記グリッド電極が銀を主成分とするこ
とを特徴とする請求項1記載の太陽電池モジュール。
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|---|---|---|---|
| JP3260716A JP2938634B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 太陽電池モジュール |
| US07/957,374 US5344498A (en) | 1991-10-08 | 1992-10-07 | Solar cell module with improved weathering characteristics |
| AU26291/92A AU660721B2 (en) | 1991-10-08 | 1992-10-07 | Solar cell module with improved weathering characteristics |
| DE69210350T DE69210350T2 (de) | 1991-10-08 | 1992-10-08 | Sonnenzellenmodul mit verbesserten witterungsbeständigen Eigenschaften |
| EP92117179A EP0536738B1 (en) | 1991-10-08 | 1992-10-08 | Solar cell module with improved weathering characteristics |
| US08/402,988 US5527717A (en) | 1991-10-08 | 1995-03-13 | Method of making solar cell module with improved weathering characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3260716A JP2938634B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 太陽電池モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102511A true JPH05102511A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2938634B2 JP2938634B2 (ja) | 1999-08-23 |
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ID=17351768
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3260716A Expired - Fee Related JP2938634B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 太陽電池モジュール |
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|---|---|
| US (2) | US5344498A (ja) |
| EP (1) | EP0536738B1 (ja) |
| JP (1) | JP2938634B2 (ja) |
| AU (1) | AU660721B2 (ja) |
| DE (1) | DE69210350T2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007207957A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換素子 |
| JP2009206494A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| WO2012090780A1 (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP5213712B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-06-19 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| WO2013140622A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP2013211385A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2016006915A (ja) * | 2015-10-15 | 2016-01-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP2016066826A (ja) * | 2010-07-09 | 2016-04-28 | 鷹羽産業株式会社 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
| JP6243581B1 (ja) * | 2016-12-01 | 2017-12-06 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池セル及び高光電変換効率太陽電池セルの製造方法 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2938634B2 (ja) * | 1991-10-08 | 1999-08-23 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US5616461A (en) * | 1992-05-14 | 1997-04-01 | Dana-Farber Cancer Institute | Assay for antiviral activity using complex of herpesvirus origin of replication and cellular protein |
| JP3287647B2 (ja) | 1992-06-08 | 2002-06-04 | 鐘淵化学工業株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US5428249A (en) * | 1992-07-15 | 1995-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device with improved collector electrode |
| US5480494A (en) * | 1993-05-18 | 1996-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and installation method thereof |
| EP0631328B1 (en) * | 1993-06-24 | 1998-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having heat-fused portion to improve moisture resistance |
| JP3170105B2 (ja) * | 1993-07-01 | 2001-05-28 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US5660645A (en) * | 1994-04-28 | 1997-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module |
| US5487792A (en) * | 1994-06-13 | 1996-01-30 | Midwest Research Institute | Molecular assemblies as protective barriers and adhesion promotion interlayer |
| JP2992464B2 (ja) * | 1994-11-04 | 1999-12-20 | キヤノン株式会社 | 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法 |
| JP3618802B2 (ja) * | 1994-11-04 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP3387741B2 (ja) * | 1995-07-19 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置 |
| TW363262B (en) * | 1995-10-31 | 1999-07-01 | Nhk Spring Co Ltd | Metallic electronic component packaging arrangement |
| ES2197971T3 (es) * | 1996-01-10 | 2004-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Modulo de celula solar con cubierta superficial especifica con buenas caracteristicas de resistencia a humedad y transparencia. |
| JPH10112549A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Canon Inc | 太陽電池モジュール |
| JPH10209474A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Canon Inc | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP3740251B2 (ja) * | 1997-06-09 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| EP1155424B1 (de) * | 1999-02-08 | 2003-01-15 | Kurth Glas + Spiegel AG | Photovoltaische zelle und verfahren zu deren herstellung |
| AU2233900A (en) * | 1999-03-23 | 2000-09-28 | Kaneka Corporation | Photovoltaic module |
| JP4162447B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-10-08 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子及び光起電力装置 |
| JP4162516B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2008-10-08 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| CN100364117C (zh) * | 2004-08-15 | 2008-01-23 | 李毅 | 用于非晶硅电池测量的标准太阳能电池及其制造方法 |
| JP2006244317A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | パネル用中間膜体、パネル、および、電子タグ |
| US9865793B2 (en) * | 2005-10-05 | 2018-01-09 | Conceptual Werks Llc | Method of forming a thermally enhanced energy generator |
| EP1981088B1 (en) * | 2006-01-31 | 2018-12-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar battery element |
| US20080264411A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Beranek Gerald D | Solar Collector with Hydrophilic Photocatalytic Coated Protective Pane |
| JP5147332B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2013-02-20 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール、太陽電池、及びこれらの製造方法 |
| US20090229596A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Myung-Hun Shin | Solar energy module having repair line, solar energy assembly having the same, method of repairing the solar energy module and method of trimming the solar energy assembly |
| US20090247826A1 (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Olympus Corporation | Tube for endoscope |
| US20090266399A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Basol Bulent M | Metallic foil substrate and packaging technique for thin film solar cells and modules |
| US8742531B2 (en) * | 2008-12-08 | 2014-06-03 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Electrical devices including dendritic metal electrodes |
| US20120199193A1 (en) * | 2009-11-13 | 2012-08-09 | Du Pont-Mitsui Polychemicals Co., Ltd. | Amorphous silicon solar cell module |
| KR101733055B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2017-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
| WO2012088098A2 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | Solar Machines Incorporated | Single cell encapsulation and flexible-format module architecture for photovoltaic power generation and method for constructing the same |
| CA2741508A1 (en) * | 2011-05-24 | 2012-11-24 | Song Ping Zhou | The structure and manufacturing of solar panels for a kind of solar shingles |
| US9698284B2 (en) * | 2011-08-31 | 2017-07-04 | Alta Devices, Inc. | Individual finger isolation through spot application of a dielectric in an optoelectronic device |
| WO2013046386A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 |
| CN111261731A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-06-09 | 宇泽(江西)半导体有限公司 | 一种埋栅晶体硅光伏电池及其制作方法 |
| CN115398652B (zh) * | 2020-03-30 | 2025-06-10 | 株式会社钟化 | 电池单元集合体、电池单元集合体的制造方法、太阳电池单元、及太阳电池单元的制造方法 |
| PL245794B1 (pl) * | 2020-10-29 | 2024-10-14 | Ml System Spolka Akcyjna | Sposób wytwarzania ogniw fotowoltaicznych μ-tandemowych i ogniwo μ-tandemowe wytwarzane tym sposobem |
| DE102021111786A1 (de) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | Hanwha Q Cells Gmbh | Solarmodul und Verwendung einer Schutzschicht |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185071A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質太陽電池 |
| EP0343628B1 (en) * | 1988-05-24 | 1993-12-08 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for producing a glass substrate for a solar cell |
| JPH03185769A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-13 | Canon Inc | 太陽電池 |
| JP2938634B2 (ja) * | 1991-10-08 | 1999-08-23 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP3156973B2 (ja) * | 1991-10-18 | 2001-04-16 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP3260716A patent/JP2938634B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-10-07 US US07/957,374 patent/US5344498A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-07 AU AU26291/92A patent/AU660721B2/en not_active Ceased
- 1992-10-08 DE DE69210350T patent/DE69210350T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-08 EP EP92117179A patent/EP0536738B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-13 US US08/402,988 patent/US5527717A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007207957A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換素子 |
| JP5213712B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-06-19 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2009206494A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2016066826A (ja) * | 2010-07-09 | 2016-04-28 | 鷹羽産業株式会社 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
| US9559241B2 (en) | 2010-07-09 | 2017-01-31 | Takanoha Trading Co., Ltd. | Panel, method for producing panel, solar cell module, printing apparatus, and printing method |
| US9425340B2 (en) | 2010-12-29 | 2016-08-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell and solar cell module |
| JP2012142452A (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| WO2012090780A1 (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| WO2013140622A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP2013211385A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2016006915A (ja) * | 2015-10-15 | 2016-01-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP6243581B1 (ja) * | 2016-12-01 | 2017-12-06 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池セル及び高光電変換効率太陽電池セルの製造方法 |
| WO2018100596A1 (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池セル及び高光電変換効率太陽電池セルの製造方法 |
| US10700223B2 (en) | 2016-12-01 | 2020-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | High photoelectric conversion efficiency solar battery cell and method for manufacturing high photoelectric conversion solar battery cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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