JPH05102783A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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- JPH05102783A JPH05102783A JP26381191A JP26381191A JPH05102783A JP H05102783 A JPH05102783 A JP H05102783A JP 26381191 A JP26381191 A JP 26381191A JP 26381191 A JP26381191 A JP 26381191A JP H05102783 A JPH05102783 A JP H05102783A
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- Japan
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- electrode structure
- surface acoustic
- acoustic wave
- wave device
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】入力ＩＤＴと出力ＩＤＴを有する電極構造列を
複数個縦続接続した弾性表面波装置において、高周波側
の帯域外減衰量の劣化を低減させる。 【構成】少なくとも入力ＩＤＴ２１、４２、４３、６１
と出力ＩＤＴ２２、２３、４１、６２、６３とを有する
電極構造列２０、４０、６０を圧電基板１０上に複数個
縦続接続した弾性表面波装置において、電極構造列２
０、４０、６０間に、表面波を吸収又は散乱する遮断手
段８０、９０を設けるように構成する。
複数個縦続接続した弾性表面波装置において、高周波側
の帯域外減衰量の劣化を低減させる。 【構成】少なくとも入力ＩＤＴ２１、４２、４３、６１
と出力ＩＤＴ２２、２３、４１、６２、６３とを有する
電極構造列２０、４０、６０を圧電基板１０上に複数個
縦続接続した弾性表面波装置において、電極構造列２
０、４０、６０間に、表面波を吸収又は散乱する遮断手
段８０、９０を設けるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は入力ＩＤＴと出力ＩＤＴ
を有する電極構造列を圧電基板上に複数個縦続接続した
弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
を有する電極構造列を圧電基板上に複数個縦続接続した
弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信等の分野で弾性表面波
を利用した帯域フィルタとしての弾性表面波装置が用い
られるようになっている。このような分野の弾性表面波
装置は、非常に高性能な帯域特性を求められ、特に、帯
域外において大きく減衰するような減衰特性が求められ
ている。
を利用した帯域フィルタとしての弾性表面波装置が用い
られるようになっている。このような分野の弾性表面波
装置は、非常に高性能な帯域特性を求められ、特に、帯
域外において大きく減衰するような減衰特性が求められ
ている。
【０００３】そのような帯域外減衰特性を得るために、
移動体通信等の分野では、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴを有
する電極構造列を２個以上縦続接続した弾性表面波装置
が用いられている。
移動体通信等の分野では、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴを有
する電極構造列を２個以上縦続接続した弾性表面波装置
が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極構
造列を２個以上縦続接続すると高周波側の帯域外減衰量
が予想よりも劣化して、満足すべき帯域特性を得ること
ができないという問題があった。本発明の目的は、高周
波側の帯域外減衰量の劣化を低減した弾性表面波装置及
びその製造方法を提供することにある。
造列を２個以上縦続接続すると高周波側の帯域外減衰量
が予想よりも劣化して、満足すべき帯域特性を得ること
ができないという問題があった。本発明の目的は、高周
波側の帯域外減衰量の劣化を低減した弾性表面波装置及
びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、入力ＩＤ
Ｔと出力ＩＤＴを有する電極構造列を２個以上縦続接続
した弾性表面波装置の減衰特性を測定し、高周波側の帯
域外減衰量が劣化している原因を種々検討した結果、縦
続接続された一方の電極構造列において発生した弾性表
面波が漏れて隣接する他方の電極構造列に影響を及ぼし
ていることが主な原因であることを見出した。
Ｔと出力ＩＤＴを有する電極構造列を２個以上縦続接続
した弾性表面波装置の減衰特性を測定し、高周波側の帯
域外減衰量が劣化している原因を種々検討した結果、縦
続接続された一方の電極構造列において発生した弾性表
面波が漏れて隣接する他方の電極構造列に影響を及ぼし
ていることが主な原因であることを見出した。
【０００６】そこで、本願発明者は電極構造列間におけ
る弾性表面波の影響を遮断するために、縦続接続された
電極構造列間に、表面波を吸収又は散乱する遮断手段を
設けるようにすればよいことに思い至った。表面波を吸
収又は散乱する遮断手段としては、粘性の高いエポキシ
系樹脂を電極構造列間に塗布する等、種々の手段が考え
られるが、電極構造列間に溝を設けることが望ましい手
段である。
る弾性表面波の影響を遮断するために、縦続接続された
電極構造列間に、表面波を吸収又は散乱する遮断手段を
設けるようにすればよいことに思い至った。表面波を吸
収又は散乱する遮断手段としては、粘性の高いエポキシ
系樹脂を電極構造列間に塗布する等、種々の手段が考え
られるが、電極構造列間に溝を設けることが望ましい手
段である。
【０００７】これは、電極構造列間に単に溝を掘るだけ
でよいので、化学的影響による他の特性に対する劣化を
招く虞れがないからである。また、切断装置により弾性
表面波装置を圧電基板から切り離す際に、弾性表面波装
置内の電極構造列間に切断装置の切断刃を浅く切り込ん
で溝を形成すればよいので、新たな工程を増加させるこ
とがないからである。
でよいので、化学的影響による他の特性に対する劣化を
招く虞れがないからである。また、切断装置により弾性
表面波装置を圧電基板から切り離す際に、弾性表面波装
置内の電極構造列間に切断装置の切断刃を浅く切り込ん
で溝を形成すればよいので、新たな工程を増加させるこ
とがないからである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、電極構造列間に表面波を吸収
又は散乱する遮断手段を設けたので、電極構造列間にお
ける弾性表面波の影響を遮断して、高周波側の帯域外減
衰量の劣化を低減させることができる。図１に、遮断手
段として電極構造列間に溝を設けた場合において、溝の
深さと高周波側の帯域外減衰量との関係を示す。横軸は
表面波波長により規格化された溝の深さ［波長］であ
り、縦軸は高周波側の帯域外減衰量［ｄＢ］である。
又は散乱する遮断手段を設けたので、電極構造列間にお
ける弾性表面波の影響を遮断して、高周波側の帯域外減
衰量の劣化を低減させることができる。図１に、遮断手
段として電極構造列間に溝を設けた場合において、溝の
深さと高周波側の帯域外減衰量との関係を示す。横軸は
表面波波長により規格化された溝の深さ［波長］であ
り、縦軸は高周波側の帯域外減衰量［ｄＢ］である。
【０００９】図１のグラフから、溝の深さが深くなれば
帯域外減衰量の劣化も低減することがわかった。また、
移動体通信機等で必要とされる５０ｄＢ以上の帯域外減
衰量を得るためには、溝の深さがλ／８でもよく、λ／
２以上にすればより確実であることがわかった。
帯域外減衰量の劣化も低減することがわかった。また、
移動体通信機等で必要とされる５０ｄＢ以上の帯域外減
衰量を得るためには、溝の深さがλ／８でもよく、λ／
２以上にすればより確実であることがわかった。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例による弾性表面波装置につ
いて図２を用いて説明する。約４００μｍ厚の４５°回
転ＸカットＺ伝搬のＬｉ2 Ｂ4 Ｏ7 圧電基板１０上に、
規格化膜厚が約１％のアルミニウム層による３つの電極
構造列２０、４０、６０が形成されている。電極構造列
２０、４０、６０は、それぞれ同一の構造であり弾性表
面波の伝搬波長をλとして約２０λの間隔をあけて伝搬
方向が平行になるように形成されている。本実施例では
弾性表面波の速度が約３５１０ｍ／ｓｅｃ、中心周波数
が９０ＭＨｚであるので、波長λは３９μｍとなり、電
極構造列２０、４０、６０間は約７８０μｍの間隔をあ
けて形成されている。
いて図２を用いて説明する。約４００μｍ厚の４５°回
転ＸカットＺ伝搬のＬｉ2 Ｂ4 Ｏ7 圧電基板１０上に、
規格化膜厚が約１％のアルミニウム層による３つの電極
構造列２０、４０、６０が形成されている。電極構造列
２０、４０、６０は、それぞれ同一の構造であり弾性表
面波の伝搬波長をλとして約２０λの間隔をあけて伝搬
方向が平行になるように形成されている。本実施例では
弾性表面波の速度が約３５１０ｍ／ｓｅｃ、中心周波数
が９０ＭＨｚであるので、波長λは３９μｍとなり、電
極構造列２０、４０、６０間は約７８０μｍの間隔をあ
けて形成されている。
【００１１】第１段目の電極構造列２０は、中央の入力
ＩＤＴ２１の両側に出力ＩＤＴ２２、２３が設けられ、
これらＩＤＴ２１、２２、２３を一対の反射器２４、２
５により挟んだ構造をしている。入力ＩＤＴ２１の外側
には入力用ボンディングパッド２６が設けられ、電極構
造列４０側には接地用ボンディングパッド２７が設けら
れている。出力ＩＤＴ２２、２３の外側には接地用ボン
ディングパッド２８、２９が設けられ、電極構造列４０
側には出力用ボンディングパッド３０、３１が設けられ
ている。
ＩＤＴ２１の両側に出力ＩＤＴ２２、２３が設けられ、
これらＩＤＴ２１、２２、２３を一対の反射器２４、２
５により挟んだ構造をしている。入力ＩＤＴ２１の外側
には入力用ボンディングパッド２６が設けられ、電極構
造列４０側には接地用ボンディングパッド２７が設けら
れている。出力ＩＤＴ２２、２３の外側には接地用ボン
ディングパッド２８、２９が設けられ、電極構造列４０
側には出力用ボンディングパッド３０、３１が設けられ
ている。
【００１２】第２段目の電極構造列４０は、中央の出力
ＩＤＴ４１の両側に入力ＩＤＴ４２、４３が設けられ、
これらＩＤＴ４１、４２、４３を一対の反射器４４、４
５により挟んだ構造をしている。出力ＩＤＴ４１の電極
構造列２０側には接地用ボンディングパッド４６が設け
られ、電極構造列６０側には出力用ボンディングパッド
４７が設けられている。入力ＩＤＴ４２、４３の電極構
造列２０側には入力用ボンディングパッド４８、４９が
設けられ、電極構造列６０側には接地用ボンディングパ
ッド５０、５１が設けられている。
ＩＤＴ４１の両側に入力ＩＤＴ４２、４３が設けられ、
これらＩＤＴ４１、４２、４３を一対の反射器４４、４
５により挟んだ構造をしている。出力ＩＤＴ４１の電極
構造列２０側には接地用ボンディングパッド４６が設け
られ、電極構造列６０側には出力用ボンディングパッド
４７が設けられている。入力ＩＤＴ４２、４３の電極構
造列２０側には入力用ボンディングパッド４８、４９が
設けられ、電極構造列６０側には接地用ボンディングパ
ッド５０、５１が設けられている。
【００１３】第３段目の電極構造列６０は、中央の入力
ＩＤＴ６１の両側に出力ＩＤＴ６２、６３が設けられ、
これらＩＤＴ６１、６２、６３を一対の反射器６４、６
５により挟んだ構造をしている。入力ＩＤＴ６１の電極
構造列４０側には入力用ボンディングパッド６６が設け
られ、外側には接地用ボンディングパッド６７が設けら
れている。出力ＩＤＴ６２、６３の電極構造列６０側に
は接地用ボンディングパッド６８、６９が設けられ、外
側には出力用ボンディングパッド７０、７１が設けられ
ている。
ＩＤＴ６１の両側に出力ＩＤＴ６２、６３が設けられ、
これらＩＤＴ６１、６２、６３を一対の反射器６４、６
５により挟んだ構造をしている。入力ＩＤＴ６１の電極
構造列４０側には入力用ボンディングパッド６６が設け
られ、外側には接地用ボンディングパッド６７が設けら
れている。出力ＩＤＴ６２、６３の電極構造列６０側に
は接地用ボンディングパッド６８、６９が設けられ、外
側には出力用ボンディングパッド７０、７１が設けられ
ている。
【００１４】電極構造列２０のボンディングパッド２
７、３０、３１と、電極構造列４０のボンディングパッ
ド４６、４８、４９との間には、弾性表面波を吸収又は
散乱するために、幅２００μｍ、深さ１００μｍ（約
２．５６λ）の溝８０が弾性表面波の伝搬方向とほぼ平
行に形成されている。電極構造列２０のボンディングパ
ッド２７、３０、３１と、電極構造列４０のボンディン
グパッド４６、４８、４９とは、溝８０を越えて、それ
ぞれワイヤ８１により接続され、電極構造列２０と電極
構造列４０が縦続接続されている。
７、３０、３１と、電極構造列４０のボンディングパッ
ド４６、４８、４９との間には、弾性表面波を吸収又は
散乱するために、幅２００μｍ、深さ１００μｍ（約
２．５６λ）の溝８０が弾性表面波の伝搬方向とほぼ平
行に形成されている。電極構造列２０のボンディングパ
ッド２７、３０、３１と、電極構造列４０のボンディン
グパッド４６、４８、４９とは、溝８０を越えて、それ
ぞれワイヤ８１により接続され、電極構造列２０と電極
構造列４０が縦続接続されている。
【００１５】同様に、電極構造列４０のボンディングパ
ッド４７、５０、５１と、電極構造列６０のボンディン
グパッド６６、６８、６９との間にも、弾性表面波を吸
収又は散乱するために、幅２００μｍ、深さ１００μｍ
（約２．５６λ）の溝９０が弾性表面波の伝搬方向とほ
ぼ平行に形成されている。電極構造列４０のボンディン
グパッド４７、５０、５１と、電極構造列６０のボンデ
ィングパッド６６、６８、６９とは、溝９０を越えて、
それぞれワイヤ９１により接続され、電極構造列４０と
電極構造列６０が縦続接続されている。
ッド４７、５０、５１と、電極構造列６０のボンディン
グパッド６６、６８、６９との間にも、弾性表面波を吸
収又は散乱するために、幅２００μｍ、深さ１００μｍ
（約２．５６λ）の溝９０が弾性表面波の伝搬方向とほ
ぼ平行に形成されている。電極構造列４０のボンディン
グパッド４７、５０、５１と、電極構造列６０のボンデ
ィングパッド６６、６８、６９とは、溝９０を越えて、
それぞれワイヤ９１により接続され、電極構造列４０と
電極構造列６０が縦続接続されている。
【００１６】本実施例による弾性表面波装置の通過帯域
特性を図３に示す。横軸は中心周波数ｆ0 により規格化
された規格化周波数［ｆ／ｆ0 ］であり、縦軸は挿入損
失［ｄＢ］である。図４のグラフは、比較例として溝８
０、９０を形成する前の弾性表面波装置の通過帯域特性
である。横軸は中心周波数ｆ0 により規格化された規格
化周波数［ｆ／ｆ0 ］であり、縦軸は挿入損失［ｄＢ］
である。
特性を図３に示す。横軸は中心周波数ｆ0 により規格化
された規格化周波数［ｆ／ｆ0 ］であり、縦軸は挿入損
失［ｄＢ］である。図４のグラフは、比較例として溝８
０、９０を形成する前の弾性表面波装置の通過帯域特性
である。横軸は中心周波数ｆ0 により規格化された規格
化周波数［ｆ／ｆ0 ］であり、縦軸は挿入損失［ｄＢ］
である。
【００１７】図３と図４を比較すれば明らかなように、
高周波側の帯域外減衰量が溝８０、９０を形成すること
により飛躍的に改善され、低周波側の帯域外減衰量と同
程度になっている。本発明の一実施例による弾性表面波
装置の製造方法を図５を用いて説明する。図５は、図２
に示す弾性表面波装置の電極構造列２０、４０、６０の
中央のＩＤＴ２１、４１、６１を通る切断線により切断
した断面形状を工程毎に示したものである。
高周波側の帯域外減衰量が溝８０、９０を形成すること
により飛躍的に改善され、低周波側の帯域外減衰量と同
程度になっている。本発明の一実施例による弾性表面波
装置の製造方法を図５を用いて説明する。図５は、図２
に示す弾性表面波装置の電極構造列２０、４０、６０の
中央のＩＤＴ２１、４１、６１を通る切断線により切断
した断面形状を工程毎に示したものである。
【００１８】まず、約４００μｍ厚の４５°回転Ｘカッ
トＺ伝搬のＬｉ2 Ｂ4 Ｏ7 圧電基板１０上に、規格化膜
厚が約１％のアルミニウム層による電極構造列２０、４
０、６０を形成する（図５（ａ））。次に、レジストに
よる保護膜１００を全面に塗布する（図５（ｂ））。次
に、ダイシング工程において、回転するダイシングソー
により弾性表面波装置間を切断する際に、弾性表面波装
置内の電極構造列２０、４０、６０間にダイシングソー
を浅く切り込んで約１００μｍ深さの溝８０、９０を形
成する（図５（ｃ））。
トＺ伝搬のＬｉ2 Ｂ4 Ｏ7 圧電基板１０上に、規格化膜
厚が約１％のアルミニウム層による電極構造列２０、４
０、６０を形成する（図５（ａ））。次に、レジストに
よる保護膜１００を全面に塗布する（図５（ｂ））。次
に、ダイシング工程において、回転するダイシングソー
により弾性表面波装置間を切断する際に、弾性表面波装
置内の電極構造列２０、４０、６０間にダイシングソー
を浅く切り込んで約１００μｍ深さの溝８０、９０を形
成する（図５（ｃ））。
【００１９】次に、保護膜１００を除去した後、電極構
造列２０のボンディングパッド２７、３０、３１と、電
極構造列４０のボンディングパッド４６、４８、４９と
を、それぞれワイヤ８１により接続し、電極構造列４０
のボンディングパッド４７、５０、５１と、電極構造列
６０のボンディングパッド６６、６８、６９とを、それ
ぞれワイヤ９１により接続すると共に、電極構造列２０
のボンディングパッド２６、２８、２９をワイヤ１０１
により、それぞれ外部電極１０２に接続し、電極構造列
６０のボンディングパッド６７、６８、６９をワイヤ１
０３により、それぞれ外部電極１０４に接続する（図５
（ｄ））。
造列２０のボンディングパッド２７、３０、３１と、電
極構造列４０のボンディングパッド４６、４８、４９と
を、それぞれワイヤ８１により接続し、電極構造列４０
のボンディングパッド４７、５０、５１と、電極構造列
６０のボンディングパッド６６、６８、６９とを、それ
ぞれワイヤ９１により接続すると共に、電極構造列２０
のボンディングパッド２６、２８、２９をワイヤ１０１
により、それぞれ外部電極１０２に接続し、電極構造列
６０のボンディングパッド６７、６８、６９をワイヤ１
０３により、それぞれ外部電極１０４に接続する（図５
（ｄ））。
【００２０】このように本実施例によれば、圧電基板か
ら弾性表面波装置を切断して切り出すダイシング工程に
おいて、ダイシングソーを浅く切り込むように制御する
だけで表面波を吸収させるための溝を簡単に形成するこ
とができる。本発明は上記実施例に限らず種々の変形が
可能である。例えば、上記実施例では表面波を吸収又は
散乱する遮断手段として電極構造列間に溝を形成した
が、粘性の高いエポキシ系樹脂等の吸音剤を塗布しても
よい。
ら弾性表面波装置を切断して切り出すダイシング工程に
おいて、ダイシングソーを浅く切り込むように制御する
だけで表面波を吸収させるための溝を簡単に形成するこ
とができる。本発明は上記実施例に限らず種々の変形が
可能である。例えば、上記実施例では表面波を吸収又は
散乱する遮断手段として電極構造列間に溝を形成した
が、粘性の高いエポキシ系樹脂等の吸音剤を塗布しても
よい。
【００２１】また、上記実施例では、ダイシングソーを
浅く切り込むことにより溝を形成したが、エッチングに
より溝を形成してもよい。
浅く切り込むことにより溝を形成したが、エッチングに
より溝を形成してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、電極構造
列間に表面波を吸収又は散乱する遮断手段を設けたの
で、電極構造列間における弾性表面波の影響を遮断し
て、高周波側の帯域外減衰量を低減させることができ
る。
列間に表面波を吸収又は散乱する遮断手段を設けたの
で、電極構造列間における弾性表面波の影響を遮断し
て、高周波側の帯域外減衰量を低減させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による弾性表面波装置における、溝の深
さと高周波側の帯域外減衰量との関係を示すグラフであ
る。
さと高周波側の帯域外減衰量との関係を示すグラフであ
る。
【図２】本発明の一実施例による弾性表面波装置の斜視
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施例による弾性表面波装置の通過
帯域特性を示すグラフである。
帯域特性を示すグラフである。
【図４】比較例の通過帯域特性を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施例による弾性表面波装置の製造
方法の工程断面図である。
方法の工程断面図である。
１０…圧電基板 ２０、４０、６０…電極構造列 ２１…入力ＩＤＴ ２２、２３…出力ＩＤＴ ２４、２５…反射器 ２６…入力用ボンディングパッド ２７、２８、２９…接地用ボンディングパッド ３０、３１…出力用ボンディングパッド ４１…出力ＩＤＴ ４２、４３…入力ＩＤＴ ４４、４５…反射器 ４６、５０、５１…接地用ボンディングパッド ４７…出力用ボンディングパッド ４８、４９…入力用ボンディングパッド ６１…入力ＩＤＴ ６２、６３…出力ＩＤＴ ６４、６５…反射器 ６６…入力用ボンディングパッド ６７、６８、６９…接地用ボンディングパッド ７０、７１…出力用ボンディングパッド ８０、９０…溝 ８１、８２、８３、９１、９２、９３…ワイヤ １００…保護膜 １０１、１０３…ワイヤ １０２、１０４…外部電極
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとを
有する電極構造列を圧電基板上に複数個縦続接続した弾
性表面波装置において、 前記電極構造列間に、表面波を吸収又は散乱する遮断手
段を設けたことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波装置におい
て、 前記遮断手段は、前記電極構造列間の圧電基板表面に形
成された溝であることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項３】 圧電基板上に、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴ
とを有する電極構造列を複数個有する弾性表面波装置を
複数個形成する工程と、 切断装置の切断刃により前記複数個の弾性表面波装置間
を切断すると共に、前記切断装置の切断刃を浅く切り込
んで前記弾性表面波装置内の前記電極構造列間に表面波
を吸収又は散乱するための溝を形成する工程と、 前記電極構造列間を電気的に接続することにより前記電
極構造列を縦続接続する工程とを有することを特徴とす
る弾性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26381191A JPH05102783A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26381191A JPH05102783A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102783A true JPH05102783A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17394572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26381191A Pending JPH05102783A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102783A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232261A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kinseki Ltd | 弾性表面波装置 |
| US6911881B2 (en) | 2002-06-13 | 2005-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Surface acoustic wave device |
| US7180388B2 (en) | 2004-01-20 | 2007-02-20 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
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1991
- 1991-10-11 JP JP26381191A patent/JPH05102783A/ja active Pending
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