JPH0510340Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0510340Y2 JPH0510340Y2 JP1982165585U JP16558582U JPH0510340Y2 JP H0510340 Y2 JPH0510340 Y2 JP H0510340Y2 JP 1982165585 U JP1982165585 U JP 1982165585U JP 16558582 U JP16558582 U JP 16558582U JP H0510340 Y2 JPH0510340 Y2 JP H0510340Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- inductance element
- coil conductor
- helical coil
- recessed part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、高密度実装された電子装置の部品と
して好適なチツプ形インダクタンス素子に関す
る。
して好適なチツプ形インダクタンス素子に関す
る。
電子回路を構成する際に高いインダクタンス素
子を得るには、一般にドラム状又はつぼ状磁心に
コイル導線を巻回して得られる。しかしコイル巻
回に手数を要し、大量生産するには不利である。
子を得るには、一般にドラム状又はつぼ状磁心に
コイル導線を巻回して得られる。しかしコイル巻
回に手数を要し、大量生産するには不利である。
一方、生産性を考慮した小型で容量の大きいセ
ラミツクコンデンサは、使用周波数帯域により適
宜印刷配線を施すことにより得られるため、信頼
性及び価格の点で上記構造のものより有利であ
る。このインダクタンス素子は、高透磁率フエラ
イト板に渦巻状導体を形成したもの、円筒状高透
磁率フエライト筒体に金属膜を蒸着又は塗布して
全面を覆い螺旋状の溝を機械加工により形成して
螺旋導体を形成したものがある。
ラミツクコンデンサは、使用周波数帯域により適
宜印刷配線を施すことにより得られるため、信頼
性及び価格の点で上記構造のものより有利であ
る。このインダクタンス素子は、高透磁率フエラ
イト板に渦巻状導体を形成したもの、円筒状高透
磁率フエライト筒体に金属膜を蒸着又は塗布して
全面を覆い螺旋状の溝を機械加工により形成して
螺旋導体を形成したものがある。
しかし、このような構造では大きなインダクタ
ンス値を得るには限界があり、同一体積中に高密
度形成しなければ、高密度化された電子装置の他
の部品との整合性が取れない。
ンス値を得るには限界があり、同一体積中に高密
度形成しなければ、高密度化された電子装置の他
の部品との整合性が取れない。
ところで、絶縁板に貫通孔を穿設し、貫通孔を
介してその上下面に周回導電パタ−ンを形成した
チツプ状インダクタンス素子が知られている（特
開昭55−91804号公報）が、この種のインダクタ
ンス素子は長さが１cm程度と小さく、当然に導電
パタ−ン自体の幅はもつと小さいものであり、し
たがつて、貫通孔も導電パタ−ンと同様に小さい
ものであるから、上下面の導電パタ−ンが貫通孔
を介して確実に導通されたか否かは、製造段階で
は直ちに判明し難く、別途検査段階で測定しなけ
れば導通は判明できないという欠点がある。した
がつて、製造としての歩どまりが悪い。
介してその上下面に周回導電パタ−ンを形成した
チツプ状インダクタンス素子が知られている（特
開昭55−91804号公報）が、この種のインダクタ
ンス素子は長さが１cm程度と小さく、当然に導電
パタ−ン自体の幅はもつと小さいものであり、し
たがつて、貫通孔も導電パタ−ンと同様に小さい
ものであるから、上下面の導電パタ−ンが貫通孔
を介して確実に導通されたか否かは、製造段階で
は直ちに判明し難く、別途検査段階で測定しなけ
れば導通は判明できないという欠点がある。した
がつて、製造としての歩どまりが悪い。
本考案はかかる点に鑑み、インダクタンス素子
片に螺旋コイル導体を形成するため一定間隔の凹
欠部を設け、この凹欠部に塗布又はメツキにより
コイル導体を付着し、同一体積中に高密度にイン
ダクタンス素子片を積層すると共に、各素子片の
電気的機械的接続を確実にすることにより、上記
欠点を解消することを主たる目的とする。
片に螺旋コイル導体を形成するため一定間隔の凹
欠部を設け、この凹欠部に塗布又はメツキにより
コイル導体を付着し、同一体積中に高密度にイン
ダクタンス素子片を積層すると共に、各素子片の
電気的機械的接続を確実にすることにより、上記
欠点を解消することを主たる目的とする。
以下本考案の一実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
第１図、第２図及び第３図は本考案の一例を示
す平面図、正面図及び底面図である。このインダ
クタンス素子は、螺旋状導体を付着せしめたフエ
ライト板１及びフエライト板１の螺旋導体の巻回
方向と反対に形成した螺旋状導体を付着したフエ
ライト板２及びこれらフエライト板１，２の間に
絶縁を施すためのフエライト板３を交互に積層形
成したものである。
す平面図、正面図及び底面図である。このインダ
クタンス素子は、螺旋状導体を付着せしめたフエ
ライト板１及びフエライト板１の螺旋導体の巻回
方向と反対に形成した螺旋状導体を付着したフエ
ライト板２及びこれらフエライト板１，２の間に
絶縁を施すためのフエライト板３を交互に積層形
成したものである。
第１インダクタンス素子片を構成するフエライ
ト板１は、一定の厚さの高透磁率磁性材料によつ
て構成され、螺旋コイル導体を形成するため長辺
側に一定の間隔のコイル導体凹欠部１ａが形成さ
れたものである（第４図参照）。凹欠部１ａは導
体を形成したとき導体が外部と接触しないように
するために設けられる。具体的には予め凹欠部１
ａに対応する凸部を有する型にフエライト粉末を
プレス成型して形成される。そして銀パラジウム
の螺旋状導体の塗布又はニツケル無電界メツキに
よる螺旋導体６が形成される。４はフエライト板
１の短辺側の上下面に連続して形成した電極を示
す。螺旋状導体６は最左右端に位置する凹欠部１
ａの裏面に一部突出形成して導体左端６ａ及び導
体右端６ｂとする。
ト板１は、一定の厚さの高透磁率磁性材料によつ
て構成され、螺旋コイル導体を形成するため長辺
側に一定の間隔のコイル導体凹欠部１ａが形成さ
れたものである（第４図参照）。凹欠部１ａは導
体を形成したとき導体が外部と接触しないように
するために設けられる。具体的には予め凹欠部１
ａに対応する凸部を有する型にフエライト粉末を
プレス成型して形成される。そして銀パラジウム
の螺旋状導体の塗布又はニツケル無電界メツキに
よる螺旋導体６が形成される。４はフエライト板
１の短辺側の上下面に連続して形成した電極を示
す。螺旋状導体６は最左右端に位置する凹欠部１
ａの裏面に一部突出形成して導体左端６ａ及び導
体右端６ｂとする。
第２インダクタンス素子片を構成するフエライ
ト板２は、第６図に示す如く、螺旋状導体６′が
導体６の螺旋方向と反対方向に形成されている以
外はフエライト板１と同じものである。導体左端
６ｃ及び導体右端６ｄは螺旋方向が反対のため、
フエライト板２の表面に形成されることになる。
従つて、第１及び第２のフエライト板１，２の導
体左端６ａ，６ｃは重なり、導体右端６ｂ，６ｄ
も重なることになる。
ト板２は、第６図に示す如く、螺旋状導体６′が
導体６の螺旋方向と反対方向に形成されている以
外はフエライト板１と同じものである。導体左端
６ｃ及び導体右端６ｄは螺旋方向が反対のため、
フエライト板２の表面に形成されることになる。
従つて、第１及び第２のフエライト板１，２の導
体左端６ａ，６ｃは重なり、導体右端６ｂ，６ｄ
も重なることになる。
第１及び第２インダクタンス素子片１，２の間
に介在する絶縁板３は、第７図及び第８図に示す
如く、第１及び第２のフエライト板１，２の大き
さと同じに形成された高透磁率磁性材によつて形
成される。そして短辺にフエライト板１，２と同
様の上下面に連続する電極４が形成され、左端又
は右端に位置する凹欠部１ａに対応する凹欠部３
ａが形成され、凹欠部３ａの上下面に連続する導
体３ｂが形成される。従つて、絶縁板３にフエラ
イト板１を重ねることにより、電極４が接続され
ると共にフエライト板１の導体左端６ａと絶縁板
３の導体３ｂが接続されることになる。絶縁板３
は第７図例以外に第１図に示すように、第１イン
ダクタンス素子のフエライト板１と同様の凹欠部
を形成することができる。
に介在する絶縁板３は、第７図及び第８図に示す
如く、第１及び第２のフエライト板１，２の大き
さと同じに形成された高透磁率磁性材によつて形
成される。そして短辺にフエライト板１，２と同
様の上下面に連続する電極４が形成され、左端又
は右端に位置する凹欠部１ａに対応する凹欠部３
ａが形成され、凹欠部３ａの上下面に連続する導
体３ｂが形成される。従つて、絶縁板３にフエラ
イト板１を重ねることにより、電極４が接続され
ると共にフエライト板１の導体左端６ａと絶縁板
３の導体３ｂが接続されることになる。絶縁板３
は第７図例以外に第１図に示すように、第１イン
ダクタンス素子のフエライト板１と同様の凹欠部
を形成することができる。
チツプ状インダクタンス素子を構成するには、
第１及び第２フエライト板１，２並びに絶縁板３
を交互に積層して形成される。第２は、螺旋導体
６を４段にした例を示しているが、この場合は下
から絶縁板３、第２素子片２、絶縁板３′、第１
素子片１、絶縁板３、第２素子片２、絶縁板３′、
第１素子片１、絶縁板３の順に積層されている。
尚、絶縁板３′は第７図例のものを反転して積層
したことを意味する。しかして最上下の絶縁板３
の電極４と導体３ｂとを電気的に接続するため、
導電ペイント７を塗布することにより、左右の電
極４，４が４本の螺旋導体６，６′を介して電気
的に接続されることになる。そして積層した電極
４を一体化するため半田付けされてインダクタン
ス素子が完成される。
第１及び第２フエライト板１，２並びに絶縁板３
を交互に積層して形成される。第２は、螺旋導体
６を４段にした例を示しているが、この場合は下
から絶縁板３、第２素子片２、絶縁板３′、第１
素子片１、絶縁板３、第２素子片２、絶縁板３′、
第１素子片１、絶縁板３の順に積層されている。
尚、絶縁板３′は第７図例のものを反転して積層
したことを意味する。しかして最上下の絶縁板３
の電極４と導体３ｂとを電気的に接続するため、
導電ペイント７を塗布することにより、左右の電
極４，４が４本の螺旋導体６，６′を介して電気
的に接続されることになる。そして積層した電極
４を一体化するため半田付けされてインダクタン
ス素子が完成される。
第９図は本考案の他の例を示す平面図である。
本例においては、各フエライト板１，２，３の長
辺の電極形成部分を除く導体形成部分を凹段状と
なるように削除したものである。凹欠部はその凹
段面から所定に形成される。従つて、このインダ
クタンス素子を電子装置に実装したとき他の電子
部品が導体と接触して短絡する虞れを回避するこ
とができる。
本例においては、各フエライト板１，２，３の長
辺の電極形成部分を除く導体形成部分を凹段状と
なるように削除したものである。凹欠部はその凹
段面から所定に形成される。従つて、このインダ
クタンス素子を電子装置に実装したとき他の電子
部品が導体と接触して短絡する虞れを回避するこ
とができる。
以上述べた如く本考案によれば、高透磁率フエ
ライト板に螺旋コイル導体を形成するため一定間
隔の凹欠部を設け、該凹欠部にコイル導体を付着
した第１インダクタンス素子片と、上記コイル導
体を反対方向に形成した第２インダクタンス素子
片と、上記第１及び第２インダクタンス素子片の
間に介在する高透磁率フエライト板より成る絶縁
板とより構成したチツプ形インダクタンス素子に
おいて、 第１インダクタンス素子片の螺旋コイル導体は
塗布又はメツキにより上下面及び凹欠部に連続し
て形成され、かつ最左右端に位置する凹欠部より
一部突出形成して導体左端及び右端とされ、第２
インダクタンス素子片の螺旋コイル導体は第１イ
ンダクタンス素子片の螺旋コイル導体の螺旋方向
が逆に塗布又はメツキにより上下面及び凹欠部に
連続して形成され、かつ最左右端に位置する凹欠
部より一部形成して導体左端及び右端とされ、導
体左端及び右端は第１インダクタンス素子片の螺
旋コイル導体の導体左端及び右端と重なる位置に
設けられ、上記絶縁板には第１及び第２インダク
タンス素子片の螺旋コイル導体左又は右端に対応
する凹欠部が形成され、凹欠部には上下面に連続
する導体が形成され、かつ最上下の絶縁板の導体
と電極とが電気的接続され、第１及び第２インダ
クタンス素子片並びに絶縁板の両短辺側の夫々の
上下面に連続形成した電極を重畳し半田液処理し
て各素子を電気的機械的一体化したので、 螺旋コイル導体を複数小さい容積中に設けるこ
とができ、よつて従来の構造に較べて同一容積で
大きいインダクタンス値を得ることができ、高密
度化された電子装置に実装して整合性が取れる効
果を有する。
ライト板に螺旋コイル導体を形成するため一定間
隔の凹欠部を設け、該凹欠部にコイル導体を付着
した第１インダクタンス素子片と、上記コイル導
体を反対方向に形成した第２インダクタンス素子
片と、上記第１及び第２インダクタンス素子片の
間に介在する高透磁率フエライト板より成る絶縁
板とより構成したチツプ形インダクタンス素子に
おいて、 第１インダクタンス素子片の螺旋コイル導体は
塗布又はメツキにより上下面及び凹欠部に連続し
て形成され、かつ最左右端に位置する凹欠部より
一部突出形成して導体左端及び右端とされ、第２
インダクタンス素子片の螺旋コイル導体は第１イ
ンダクタンス素子片の螺旋コイル導体の螺旋方向
が逆に塗布又はメツキにより上下面及び凹欠部に
連続して形成され、かつ最左右端に位置する凹欠
部より一部形成して導体左端及び右端とされ、導
体左端及び右端は第１インダクタンス素子片の螺
旋コイル導体の導体左端及び右端と重なる位置に
設けられ、上記絶縁板には第１及び第２インダク
タンス素子片の螺旋コイル導体左又は右端に対応
する凹欠部が形成され、凹欠部には上下面に連続
する導体が形成され、かつ最上下の絶縁板の導体
と電極とが電気的接続され、第１及び第２インダ
クタンス素子片並びに絶縁板の両短辺側の夫々の
上下面に連続形成した電極を重畳し半田液処理し
て各素子を電気的機械的一体化したので、 螺旋コイル導体を複数小さい容積中に設けるこ
とができ、よつて従来の構造に較べて同一容積で
大きいインダクタンス値を得ることができ、高密
度化された電子装置に実装して整合性が取れる効
果を有する。
特に従来の絶縁板に貫通孔を穿設し、貫通孔を
介してその上下面に周回導電パタ−ンを形成した
チツプ状インダクタンス素子のように、上下面の
導電パタ−ンが貫通孔を介して確実に導通された
か否かを外部より容易に判断し難いという欠点を
解消し得る。
介してその上下面に周回導電パタ−ンを形成した
チツプ状インダクタンス素子のように、上下面の
導電パタ−ンが貫通孔を介して確実に導通された
か否かを外部より容易に判断し難いという欠点を
解消し得る。
また本考案によれば、各素子の接続は半田槽に
単に直接浸すだけで良く、従来のインダクタンス
素子のように各素子をエポキシ接着剤又は低融点
ガラスによる接着後加圧加熱することなく、電気
的機械的接続を確実にする事ができる。
単に直接浸すだけで良く、従来のインダクタンス
素子のように各素子をエポキシ接着剤又は低融点
ガラスによる接着後加圧加熱することなく、電気
的機械的接続を確実にする事ができる。
第１図、第２図及び第３図は本考案の一例を示
す平面図、正面図及び底面図、第４図及び第５図
は第１インダクタンス素子片の一例を示す平面図
及び正面図、第６図は第２インダクタンス素子片
の一例を示す平面図、第７図及び第８図は絶縁板
の一例を示す平面図及び正面図、第９図は本考案
の他の例を示す平面図である。 １……第１インダクタンス素子片、１ａ……凹
欠部、２……第２インダクタンス素子片、３……
絶縁板、３ｂ……導体、４……電極、６……螺旋
コイル導体、６ａ……導体左端、６ｂ……導体右
端、７……導電ペイント。
す平面図、正面図及び底面図、第４図及び第５図
は第１インダクタンス素子片の一例を示す平面図
及び正面図、第６図は第２インダクタンス素子片
の一例を示す平面図、第７図及び第８図は絶縁板
の一例を示す平面図及び正面図、第９図は本考案
の他の例を示す平面図である。 １……第１インダクタンス素子片、１ａ……凹
欠部、２……第２インダクタンス素子片、３……
絶縁板、３ｂ……導体、４……電極、６……螺旋
コイル導体、６ａ……導体左端、６ｂ……導体右
端、７……導電ペイント。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 高透磁率フエライト板に螺旋コイル導体を形成
するため一定間隔の凹欠部を設け、該凹欠部にコ
イル導体を付着した第１インダクタンス素子片
と、上記コイル導体を反対方向に形成した第２イ
ンダクタンス素子片と、上記第１及び第２インダ
クタンス素子片の間に介在する高透磁率フエライ
ト板より成る絶縁板とより構成したチツプ形イン
ダクタンス素子において、 第１インダクタンス素子片の螺旋コイル導体は
塗布又はメツキにより上下面及び凹欠部に連続し
て形成され、かつ最左右端に位置する凹欠部より
一部突出形成して導体左端及び右端とされ、 第２インダクタンス素子片の螺旋コイル導体は
第１インダクタンス素子片の螺旋コイル導体の螺
旋方向が逆に塗布又はメツキにより上下面及び凹
欠部に連続して形成され、かつ最左右端に位置す
る凹欠部より一部突出形成して導体左端及び右端
とされ、導体左端及び右端は第１インダクタンス
素子片の螺旋コイル導体の導体左端及び右端と重
なる位置に設けられ、 上記絶縁板には第１及び第２インダクタンス素
子片の螺旋コイル導体左又は右端に対応する凹欠
部が形成され、凹欠部には上下面に連続する導体
が形成され、かつ最上下の絶縁板の導体と電極と
が電気的接続され、 第１及び第２インダクタンス素子片並びに絶縁
板の夫々の両短辺側の夫々の上下面に連続形成し
た電極を重畳し半田液処理して各素子を電気的機
械的一体化したことを特徴とするチツプ形インダ
クタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16558582U JPS5970310U (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | チツプ形インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16558582U JPS5970310U (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | チツプ形インダクタンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970310U JPS5970310U (ja) | 1984-05-12 |
| JPH0510340Y2 true JPH0510340Y2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=30362731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16558582U Granted JPS5970310U (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | チツプ形インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970310U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8093982B2 (en) * | 2010-03-25 | 2012-01-10 | Qualcomm Incorporated | Three dimensional inductor and transformer design methodology of glass technology |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5048149U (ja) * | 1973-08-30 | 1975-05-13 | ||
| JPS5591804A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-11 | Tdk Corp | Chip type inductor |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP16558582U patent/JPS5970310U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5970310U (ja) | 1984-05-12 |
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