JPH0510375Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、発光性半導体チツプを用いてレーザ
光を発生させる半導体レーザにおいて、その発光
性半導体チツプの前端面と、当該発光性半導体チ
ツプを搭載するサブマウントの前端面とに、反射
防止用の塗膜を塗着するための装置に関するもの
である。

〔従来の技術〕

半導体レーザ１０に使用される発光性半導体チ
ツプ１１は、例えば、第７図に示されるように中
間に活性層１１ａを有する多層結晶体に形成し、
その下面にストライプ１１ｃを形成することによ
り、前記活性層１１ａのうち前記ストライプ１１
ｃの近傍箇所におけるレーザ発光領域１１ｂから
レーザ光をストライプ１１ｃの長手方向に延びる
光軸線に沿つて矢印Ａ，A′のように射出するも
のである。

そして、この発光性半導体チツプ１１は、第４
図に示すように半導体レーザ１０における金属製
のステム１２から突出するブロツク１３の上面に
ダイボンデングしたシリコン製のサブマウント１
４を介して載置され、前面にガラス窓１５付きの
キヤツプ１６にてカバーされている。なお、ステ
ム１２の後端面にはＰ，Ｎ端子１ａ，１ｂが突出
すると共に、モニタ用フオトダイオード１７に対
する端子１ｃが突出している。

このような半導体レーザ１０を使用して、例え
ばコンパクトデイスクCDの片面に予め形成され
た記録メデイアの記録信号を読み出す装置を構成
するには、第５図に示すように、半導体レーザ１
０から発射されたレーザ光を回折格子１８、ビー
ムスプリツタ１９、コリメートレンズ２０、ミラ
ー２１、対物レンズ２２等からなる光学系を介し
てコンパクトデイスクCDの片面に照射し、その
面の記録メデイアの反射度に応じて強弱する反射
レーザ光を、前記光学系のうち対物レンズ２２、
ミラー２１、コリメートレンズ２０及びビームス
プリツタ１９の返路において、検出レンズ２３方
向に一部屈曲させてフオトダイオード２４にて信
号を検出するのである。

このとき、光路中に回折格子１８があるため、
半導体レーザ１０への再入射のレーザ光は回折さ
れ、第７図にＢ又はB′で示すように、出射光軸
Ａと一致しない成合を持つものである。

この場合、前記ビームスプリツタ１９及び回折
格子１８を介して発光性半導体チツプ１１の前端
面に帰つて来た再入射のレーザ光Ｂ又はB′の位
置は、レーザ発光領域１１ｂの位置と異なり、一
般にレーザ発光領域１１ｂの上側または下側にな
る。

そして、前記再入射のレーザ光Ｂ又はB′が、
発光性半導体チツプ１１の前端面にて再反射した
レーザ光が、前記光学系に戻つて被照射物である
コンパクトデイスクCDに照射すると、当該コン
パクトデイスクCDにおける記録メデイアの信号
の読み取り精度が悪くなつたり、前記フオトダイ
オード２４による検出信号にダブリ等の干渉が生
じ、装置全体としての精度が極端に悪化するとい
う問題がある。

そこで、従来の技術では、発光性半導体チツプ
１１の前端面及びサブマウント１４の前端面に、
予めインクジエツト等により反射防止用の塗膜２
６，２６′を塗着することにより、当該箇所に再
入射して来るレーザ光Ｂ，B′の再反射を防止す
ることが実開昭61−94367号公報等により提案さ
れている。

〔考案が解決しようとする問題点〕

ところで、発光性半導体チツプ１１及びサブマ
ウント１４の前端面への反射防止用塗膜２６，２
６′の塗着箇所が限定されていたり、それら反射
防止用塗膜の面積が小さく限られていると、前記
再入射するレーザ光Ｂ，B′が、前記反射防止用
塗膜２６，２６′の領域内に入らないことがある。

すなわち、従来は、前記反射防止用塗膜２６，
２６′を塗着するには、第８図に示すように、イ
ンクジエツト装置における二つのジエツトノズル
２７，２７′を、発光半導体チツプ１１の前端面
と、サブマウント１４の前端面とに近付けて、こ
の両ジエツトノズル２７，２７′からインクを噴
射することによつて行うようにしているから、前
記両反射防止用塗膜２６，２６′は、略円または
楕円状になる。

従つて、前記両ジエツトノズル２７，２７′の
直径を大きくすれば、両反射防止用塗膜２６，２
６′における発光半導体チツプ１１の厚さ方向
（ｙ方向）への塗り幅寸法が大きくなり過ぎて、
レーザ発光領域１１ｂに反射防止用塗膜２６，２
６′が塗着されると言う不都合が発生するから、
勢い前記両ジエツトノズル２７，２７′の直径を
小さくする必要に迫られるが、直径を小さくする
と両反射防止用塗膜２６，２６′の面積が狭くな
過ぎて、前記再入射のレーザ光Ｂ，B′が当たる
位置と、両反射防止用塗膜２６，２６′の位置と
がずれて、反射防止を達成できないことが多発す
ると言う問題がある。

また、発光性半導体チツプ１１は、その幅方向
（ｘ方向）に適宜寸法（Ｓ）にてへき開すること
から、そのへき開の精度誤差により、当該発光性
半導体チツプ１１の幅寸法（Ｓ）の中心に対する
前記ストライプ１１ｃの位置ひいてはレーザ発光
領域１１ｂのｘ方向の位置ずれが生じるものであ
り、しかも、発光性半導体チツプ１１のサブマウ
ント１４へのダイボンデイングの厚さ寸法にも誤
差が生じることから、前記再入射のレーザ光Ｂ，
B′が当たる位置に対して、両反射防止用塗膜２
６，２６′の塗着位置がずれることが一層に増大
されるのであつた。

本考案は、発光半導体チツプ及びサブマウント
における前端面のうち、発光半導体チツプにおけ
るレーザ発光領域を除く部分に対して、インクジ
エツト装置におけるジエツトノズルから噴出する
インクによつて反射防止用塗膜を塗着するに際し
て、前記のような問題を招来することがないよう
にした塗着装置を提供することを目的とするもの
である。

〔問題点を解決するための手段〕

この目的を達成するため本考案は、半導体レー
ザにおけるサブマウントの前端面、及びこのサブ
マウントに搭載した発光半導体チツプの前端面に
対向する部位に、これらの前端面に対してインク
を噴射するためのジエツトノズルを配設する一
方、前記発光半導体チツプの前端面のうちレーザ
発光領域の部分に、棒状の遮蔽マスクを、当該棒
状の遮蔽マスクが発光半導体チツプの幅方向に延
びるように配設することにした。

〔作用〕

このようにすると、サブマウント及び発光半導
体チツプの前端面に、ジエツトノズルから噴射す
るインクにて反射防止用塗膜を塗着するに際し、
前記発光半導体チツプの前端面のうちレーザ発光
領域の部分を、前記棒状の遮蔽マスクにて覆い隠
すことができるから、反射防止用塗膜を、サブマ
ウント及び発光半導体チツプの前端面のうちレー
ザ発光領域を除き、換言すると、レーザ発光領域
の部分に対して反射防止用塗膜を塗着することな
く、当該レーザ発光領域を挟んでその両側の部分
に全体にわたつて確実に塗着することができるの
である。

〔考案の効果〕

このように、本考案によると、サブマウント及
び発光半導体チツプの前端面に形成する反射防止
用塗膜が、従来のように、略円形で小さい面積に
限定されることがなく、反射防止用塗膜を、サブ
マウント及び発光半導体チツプの前端面のうちレ
ーザ発光領域を除く部分の全体にわたつて塗着す
ることができるから、発光性半導体チツプの製作
誤差や半導体レーザへの組立作業誤差等があつて
も、再入射のレーザ光が当たる部分に対して、確
実に反射防止塗膜を形成することができる効果を
有する。

〔実施例〕

以下、本考案の実施例を、図面（第１図〜第３
図）について説明する。

第１図において符号１は、従来と同様にして形
成した半導体レーザにおける多層結晶体から成る
発光性半導体チツプであり、符号１ａは活性層、
符号１ｂはレーザ発光領域、符号１ｃはストライ
プを各々示す。

前記発光性半導体チツプ１は金属製のブロツク
２上面のサブマウント３上にダイボンデイングさ
れている。

また、符号５，５′は、レーザ光を吸収するこ
とができるインクにて形成した反射防止用の塗膜
を示し、この反射防止用塗膜５，５′を、前記発
光性半導体チツプ１の前端面とサブマウント３の
前端面とのうち、レーザ発光領域１ｂの部分を除
き、当該レーザ発光領域１ｂを挟んでその左右両
側の領域に塗着する。

そして、この各塗膜５，５′は、以下のように
して塗着する。

すなわち、サブマウント３及び発光半導体チツ
プ１の前端面に対向する部位に、これらの前端面
に対してインクを噴射するためのジエツトノズル
６を配設する一方、前記発光半導体チツプ１の前
端面のうちレーザ発光領域１ｂの部分に、棒状の
遮蔽マスク７を、当該棒状の遮蔽マスク７が発光
半導体チツプ１の幅方向に延びるように配設し、
この状態で、前記ジエツトノズル６からインクを
噴射する。

すると、前記発光半導体チツプ１の前端面のう
ちレーザ発光領域１ｂの部分は、前記棒状の遮蔽
マスク７にて覆い隠されていることにより、反射
防止用塗膜５，５′を、サブマウント３及び発光
半導体チツプ１の前端面のうちレーザ発光領域１
ｂの部分を除き、換言すると、レーザ発光領域１
ｂの部分に対して反射防止用塗膜を塗着すること
なく、当該レーザ発光領域１ｂを挟んでその両側
の部分に全体にわたつて塗着することが確実にで
きるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本考案の実施例を示し、第１
図は半導体レーザの要部を示す斜視図、第２図は
反射防止用塗膜を塗着・形成している状態の斜視
図、第３図は第２図の−視側面図、第４図は
半導体レーザの断面図、第５図は半導体レーザの
使用例の概略図、第６図は第４図の−視拡大
正面図、第７図は第６図の拡大斜視図、第８図は
従来における塗膜形成方法を示す断面図である。 １……発光性半導体チツプ、１ａ……活性層、
１ｂ……レーザ発光領域、１ｃ……ストライプ、
２……ブロツク、３……サブマウント、Ａ……射
出光軸、５，５′……反射防止用塗膜、６……ジ
エツトノズル、７……棒状の遮蔽マスク。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体レーザにおけるサブマウントの前端面、
   及びこのサブマウントに搭載した発光半導体チツ
   プの前端面に対向する部位に、これらの前端面に
   対してインクを噴射するためのジエツトノズルを
   配設する一方、前記発光半導体チツプの前端面の
   うちレーザ発光領域の部分に、棒状の遮蔽マスク
   を、当該棒状の遮蔽マスクが発光半導体チツプの
   幅方向に延びるように配設したことを特徴とする
   半導体レーザにおける反射防止用塗膜の塗着装
   置。