JPH0510815A - 光励起振動子形センサ - Google Patents
光励起振動子形センサInfo
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- JPH0510815A JPH0510815A JP16066691A JP16066691A JPH0510815A JP H0510815 A JPH0510815 A JP H0510815A JP 16066691 A JP16066691 A JP 16066691A JP 16066691 A JP16066691 A JP 16066691A JP H0510815 A JPH0510815 A JP H0510815A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で安価、かつ使い易い光励起振動子形セ
ンサを提供する。 【構成】 振動子１と、振動子１にその連続発振状態で
光ビームを照射する検出用レーザ２と、振動子１からの
反射光８が内部光９と干渉して生ずる光出力１０から振
動子１の固有振動数を検知する光検出器３が同一基板上
に一体化されている。
ンサを提供する。 【構成】 振動子１と、振動子１にその連続発振状態で
光ビームを照射する検出用レーザ２と、振動子１からの
反射光８が内部光９と干渉して生ずる光出力１０から振
動子１の固有振動数を検知する光検出器３が同一基板上
に一体化されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧力、温度、変位、流
量などの測定に使用される光励起振動子形センサに関す
る。
量などの測定に使用される光励起振動子形センサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図６（１）、（２）はそれぞれナイフエ
ッジ法、干渉法による従来の光励起振動子形センサの概
略構成図（羽根：「フォトサーマル振動の非破壊光計測
への応用」光学、１９，ＰＰ．８５〜９０，１９９０）
である。図６（１）の場合、振動励起用半導体レーザ２
４で集光レンズ２５を通して振動子２１をその固有振動
数の光パルスで照射し、振動子２１の厚さ方向に熱応力
を発生させて固有振動を励起し、一方検出用半導体レー
ザ２２で振動子２１の振動部を照射し、その反射光の位
置ずれを光ディスクの焦点誤差検出と同じ原理でナイフ
エッジ２６を通して光検出器２３で検知する。振動子２
１の固有振動数は振動子２１に加わる圧力、温度などで
変化する。この種のセンサは振動数の変化からそれらの
量を測定するので、測定感度が極めて高いという特徴を
有する。図６（２）は、検出用半導体レーザ２２、ナイ
フエッジ２６、光検出器２３に代えて光路変換用ミラー
２７と干渉計２８を用いたもので、干渉計２８から光路
変換用ミラー２７を通して振動子２１に光ビームを照射
し、その反射光と内部光との干渉から振動子２１の固有
振動数を測定する。
ッジ法、干渉法による従来の光励起振動子形センサの概
略構成図（羽根：「フォトサーマル振動の非破壊光計測
への応用」光学、１９，ＰＰ．８５〜９０，１９９０）
である。図６（１）の場合、振動励起用半導体レーザ２
４で集光レンズ２５を通して振動子２１をその固有振動
数の光パルスで照射し、振動子２１の厚さ方向に熱応力
を発生させて固有振動を励起し、一方検出用半導体レー
ザ２２で振動子２１の振動部を照射し、その反射光の位
置ずれを光ディスクの焦点誤差検出と同じ原理でナイフ
エッジ２６を通して光検出器２３で検知する。振動子２
１の固有振動数は振動子２１に加わる圧力、温度などで
変化する。この種のセンサは振動数の変化からそれらの
量を測定するので、測定感度が極めて高いという特徴を
有する。図６（２）は、検出用半導体レーザ２２、ナイ
フエッジ２６、光検出器２３に代えて光路変換用ミラー
２７と干渉計２８を用いたもので、干渉計２８から光路
変換用ミラー２７を通して振動子２１に光ビームを照射
し、その反射光と内部光との干渉から振動子２１の固有
振動数を測定する。
【０００３】図７は図６（２）の光励起振動子形センサ
を圧力センサに適用した例を示している。振動子２１は
Ｓｉの異方性エッチング技術により作製され、共振板２
１ａとダイアフラムバネ２１ｂより構成されている。部
位３０と３１の圧力差による振動子２１の固有振動数を
光ファイバ２９を通し、図６（２）に示す干渉計２８で
検知する。なお、振動励起用半導体レーザ２４の光出力
は２．２５ｍＷで、振動子２１上の直径約６０μｍの領
域を照射している。
を圧力センサに適用した例を示している。振動子２１は
Ｓｉの異方性エッチング技術により作製され、共振板２
１ａとダイアフラムバネ２１ｂより構成されている。部
位３０と３１の圧力差による振動子２１の固有振動数を
光ファイバ２９を通し、図６（２）に示す干渉計２８で
検知する。なお、振動励起用半導体レーザ２４の光出力
は２．２５ｍＷで、振動子２１上の直径約６０μｍの領
域を照射している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光励起
振動子形センサは、振動子自体は小形であるが、振動励
起系，振動数検出系はそれぞれ別構成でともに大型であ
るため、高価で使いづらいという欠点があった。本発明
の目的は、小型で安価、かつ使い易い光励起振動子形セ
ンサを提供することである。
振動子形センサは、振動子自体は小形であるが、振動励
起系，振動数検出系はそれぞれ別構成でともに大型であ
るため、高価で使いづらいという欠点があった。本発明
の目的は、小型で安価、かつ使い易い光励起振動子形セ
ンサを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の光励起振
動形センサは、振動子と、該振動子に光ビームを照射
し、その反射光と内部光の干渉にもとづく光出力から前
記振動子の固有振動数を検知する光検出器付半導体レー
ザとが同一基板上に一体化されてなる。本発明の第２の
光励起振動形センサは、振動子と、該振動子に固有振動
を励起する振動励起用半導体レーザと、該振動子に光ビ
ームを照射し、その反射光と内部光の干渉にもとづく光
出力から前記振動子の固有振動数を検知する光検出器付
半導体レーザとが同一基板上に一体化されてなる。
動形センサは、振動子と、該振動子に光ビームを照射
し、その反射光と内部光の干渉にもとづく光出力から前
記振動子の固有振動数を検知する光検出器付半導体レー
ザとが同一基板上に一体化されてなる。本発明の第２の
光励起振動形センサは、振動子と、該振動子に固有振動
を励起する振動励起用半導体レーザと、該振動子に光ビ
ームを照射し、その反射光と内部光の干渉にもとづく光
出力から前記振動子の固有振動数を検知する光検出器付
半導体レーザとが同一基板上に一体化されてなる。
【０００６】本発明の第３の光励起振動形センサは、振
動子と、該振動子に固有振動を励起する振動励起用半導
体レーザと、該振動励起用半導体レーザの光ビームを前
記振動子上に集光するための第１のレンズと、前記振動
子の振動状態を検出するための第２のレンズと、第２の
レンズを介して該振動子に光ビームを照射し、第２のレ
ンズを通して帰還するその反射光と内部光の干渉にもと
づく光出力から前記振動子の固有振動数を検知する光検
出器付半導体レーザとが同一基板上に一体化されてな
る。
動子と、該振動子に固有振動を励起する振動励起用半導
体レーザと、該振動励起用半導体レーザの光ビームを前
記振動子上に集光するための第１のレンズと、前記振動
子の振動状態を検出するための第２のレンズと、第２の
レンズを介して該振動子に光ビームを照射し、第２のレ
ンズを通して帰還するその反射光と内部光の干渉にもと
づく光出力から前記振動子の固有振動数を検知する光検
出器付半導体レーザとが同一基板上に一体化されてな
る。
【０００７】
【作用】本発明では、振動励起系の原理は従来と同一で
あるが、振動数検出系には振動子での反射光が光検出器
付半導体レーザに帰還する場合の複合共振作用を利用し
ている。この方法では振動子の端面と光検出器付半導体
レーザの出力端面が複合共振器を構成しているので、検
出用半導体レーザの光出力は両者の距離ｈに対してλ／
２（λ：光波長）を周期として余弦関数で変化する。つ
まり、検出用半導体レーザの光出力変化から振動子の固
有数の変化を検知する。
あるが、振動数検出系には振動子での反射光が光検出器
付半導体レーザに帰還する場合の複合共振作用を利用し
ている。この方法では振動子の端面と光検出器付半導体
レーザの出力端面が複合共振器を構成しているので、検
出用半導体レーザの光出力は両者の距離ｈに対してλ／
２（λ：光波長）を周期として余弦関数で変化する。つ
まり、検出用半導体レーザの光出力変化から振動子の固
有数の変化を検知する。
【０００８】第１の光励起振動子形センサでは、振動子
と振動数検出系が一体化され、第２、第３の光励起振動
子形センサでは振動子と振動数検出系と振動励起系が一
体化されるので、光励起振動子センサが小形で安価にな
り、使用も容易となる。さらに、第３の光励起振動子形
センサでは振動励起系と振動数検出系の間隔を広げるこ
とができるために、光励起振動子形センサの作製が容易
となる。
と振動数検出系が一体化され、第２、第３の光励起振動
子形センサでは振動子と振動数検出系と振動励起系が一
体化されるので、光励起振動子センサが小形で安価にな
り、使用も容易となる。さらに、第３の光励起振動子形
センサでは振動励起系と振動数検出系の間隔を広げるこ
とができるために、光励起振動子形センサの作製が容易
となる。
【０００９】
【実施例１】次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１（１）は本発明の第１の実施例の光
励起振動子形センサの平面図、図１（２）はその側面
図、図１（３）は信号検出原理図、図１（４）は光出力
１０の波形図である。
して説明する。図１（１）は本発明の第１の実施例の光
励起振動子形センサの平面図、図１（２）はその側面
図、図１（３）は信号検出原理図、図１（４）は光出力
１０の波形図である。
【００１０】本実施例では、振動子１と、振動子１にそ
の連続発振状態で光ビームを照射する検出用半導体レー
ザ２と、検出用半導体レーザ２の光出力１０から振動子
１の固有振動数を検出する光検出器３が同一基板上に一
体化されている。検出用半導体レーザ２の破線で囲まれ
た部分は導波領域であり、検出用半導体レーザ２の端面
７と振動子１の端面６は互いに対向している。また、検
出用半導体レーザ２と光検出器３の間には両者を電気的
に絶縁するための絶縁溝５が形成されている。なお、検
出用半導体レーザ２と光検出器３が光検出器付半導体レ
ーザを構成している。
の連続発振状態で光ビームを照射する検出用半導体レー
ザ２と、検出用半導体レーザ２の光出力１０から振動子
１の固有振動数を検出する光検出器３が同一基板上に一
体化されている。検出用半導体レーザ２の破線で囲まれ
た部分は導波領域であり、検出用半導体レーザ２の端面
７と振動子１の端面６は互いに対向している。また、検
出用半導体レーザ２と光検出器３の間には両者を電気的
に絶縁するための絶縁溝５が形成されている。なお、検
出用半導体レーザ２と光検出器３が光検出器付半導体レ
ーザを構成している。
【００１１】不図示のレーザ光で振動子１をパルス照射
し、振動子１にその固有振動を水平方向に励起する。一
方、図１（３）に示すように、検出用半導体レーザ２が
反対側から振動子１を連続発振状態で照射すると、反射
光８が検出用半導体レーザ２に帰還する。反射光８は内
部光９と干渉し、図１（４）に示すように、振動子１の
端面６と振動検出用半導体レーザ２の端面７の間隔ｈに
対してλ／２（λ：光波長）を周期として余弦関数で変
化する光出力１０が得られる。この検出用半導体レーザ
２の光出力１０は光検出器３で検出され、振動子１の固
有振動数が測定される。なお、光出力１０は間隔ｈが大
きくなるにつれて、検出用半導体レーザ２から振動子１
に照射される光ビームが周囲に広がるため、振幅が次第
に小さくなる。また、振動子１の垂直方向の振動に対し
ては、間隔ｈは不変であり、反射光８の大小による複合
共振作用から振動子１の固有振動数を測定する。
し、振動子１にその固有振動を水平方向に励起する。一
方、図１（３）に示すように、検出用半導体レーザ２が
反対側から振動子１を連続発振状態で照射すると、反射
光８が検出用半導体レーザ２に帰還する。反射光８は内
部光９と干渉し、図１（４）に示すように、振動子１の
端面６と振動検出用半導体レーザ２の端面７の間隔ｈに
対してλ／２（λ：光波長）を周期として余弦関数で変
化する光出力１０が得られる。この検出用半導体レーザ
２の光出力１０は光検出器３で検出され、振動子１の固
有振動数が測定される。なお、光出力１０は間隔ｈが大
きくなるにつれて、検出用半導体レーザ２から振動子１
に照射される光ビームが周囲に広がるため、振幅が次第
に小さくなる。また、振動子１の垂直方向の振動に対し
ては、間隔ｈは不変であり、反射光８の大小による複合
共振作用から振動子１の固有振動数を測定する。
【００１２】絶縁溝５の溝加工は反応性イオンビームエ
ッチングにより作製する。基板材料にはＳｉではなくＧ
ａＡｓ、ＩｎＰなどの半導体レーザ材料を使用する。振
動子１の作製には選択エッチング法を適用する。これは
半導体レーザ結晶形成時にエッチングレートの大きく異
なるエッチンクストップ層をあらかじめ形成しておき、
エッチングがその層に到達するとエッチングはもはや垂
直方向には進行せず、横方向に進行し、下部をえぐり取
って振動子１が形成されることによる。この深さは例え
ば８μｍ，光励起振動子形センサの基板厚みは約１００
μｍ，寸法は５００ｘ５００μｍ程度である。
ッチングにより作製する。基板材料にはＳｉではなくＧ
ａＡｓ、ＩｎＰなどの半導体レーザ材料を使用する。振
動子１の作製には選択エッチング法を適用する。これは
半導体レーザ結晶形成時にエッチングレートの大きく異
なるエッチンクストップ層をあらかじめ形成しておき、
エッチングがその層に到達するとエッチングはもはや垂
直方向には進行せず、横方向に進行し、下部をえぐり取
って振動子１が形成されることによる。この深さは例え
ば８μｍ，光励起振動子形センサの基板厚みは約１００
μｍ，寸法は５００ｘ５００μｍ程度である。
【００１３】図２（１）は本発明の第２の実施例の光励
起振動子形センサの平面図、図（２）はその側面図であ
る。本実施例は、振動励起用半導体レーザ４を第１の実
施例の光励起振動子形センサに一体化したもので、動作
原理は第１の実施例と同じである。図３（１）は本発明
の第３の実施例の光励起振動子形センサの平面図、図３
（２）はその側面図である。
起振動子形センサの平面図、図（２）はその側面図であ
る。本実施例は、振動励起用半導体レーザ４を第１の実
施例の光励起振動子形センサに一体化したもので、動作
原理は第１の実施例と同じである。図３（１）は本発明
の第３の実施例の光励起振動子形センサの平面図、図３
（２）はその側面図である。
【００１４】第２の実施例では、光ビームが広がらない
端面領域で検出を行なうので、振動励起用半導体レーザ
４と検出用半導体レーザ２の間隔約１０μｍの間に振動
子１を形成する必要があり、このため構造は簡単である
が、作製には高度の技術が必要になる。そこで、本実施
例ではこの間隔を広げ作製を容易にするとともに、振動
子１、振動励起用半導体レーザ４、該半導体レーザ４の
光ビームを振動子１上に集光するためのレンズ１１、振
動状態を検出するためのレンズ１２、光検出器３、検出
用半導体レーザ２を一体化したものである。レンズ１
１、１２はＳｉ3Ｎ4やＳｉＯ2の誘電体を使用できる。
端面領域で検出を行なうので、振動励起用半導体レーザ
４と検出用半導体レーザ２の間隔約１０μｍの間に振動
子１を形成する必要があり、このため構造は簡単である
が、作製には高度の技術が必要になる。そこで、本実施
例ではこの間隔を広げ作製を容易にするとともに、振動
子１、振動励起用半導体レーザ４、該半導体レーザ４の
光ビームを振動子１上に集光するためのレンズ１１、振
動状態を検出するためのレンズ１２、光検出器３、検出
用半導体レーザ２を一体化したものである。レンズ１
１、１２はＳｉ3Ｎ4やＳｉＯ2の誘電体を使用できる。
【００１５】図４（１）は本発明の第４の実施例の光励
起振動子形センサの平面図、図４（２）はその断面図で
ある。第１、第２、第３の実施例では振動子１は片持ち
梁となっているが、本実施例では両持ち梁となってお
り、これにより振動子１の強度が増している。振動子１
は１３の部位で、図４（２）に示すように基板１４から
浮き上がっている。また、基板１４の裏側の掘込み１５
によりダイアフラム１６を形成し、振動子１と共振系を
形成している。これにより感度が増している。振動子１
の材料は半導体レーザ２、４と同一のＧａＡｓやＩｎＰ
であってもよいし、レンズ１１，１２と同一材料のＳｉ
3Ｎ4やＳｉＯ2の誘電体を使用してもよい。
起振動子形センサの平面図、図４（２）はその断面図で
ある。第１、第２、第３の実施例では振動子１は片持ち
梁となっているが、本実施例では両持ち梁となってお
り、これにより振動子１の強度が増している。振動子１
は１３の部位で、図４（２）に示すように基板１４から
浮き上がっている。また、基板１４の裏側の掘込み１５
によりダイアフラム１６を形成し、振動子１と共振系を
形成している。これにより感度が増している。振動子１
の材料は半導体レーザ２、４と同一のＧａＡｓやＩｎＰ
であってもよいし、レンズ１１，１２と同一材料のＳｉ
3Ｎ4やＳｉＯ2の誘電体を使用してもよい。
【００１６】図５（１）は本発明の第５の実施例の光励
起振動子形センサの平面図、図５（２）はその側面図で
ある。本実施例では振動励起用半導体レーザ４の光軸１
７と検出用半導体レーザ２の光軸１８を互いにずらすこ
とによって、振動励起用半導体レーザ４の光が検出用半
導体レーザ２に入射するのを防止し、信号検出特性の劣
化を防止したものである。本例では第２の実施例に対し
て説明したが、第３、第４の実施例にも同様に適用可能
である。
起振動子形センサの平面図、図５（２）はその側面図で
ある。本実施例では振動励起用半導体レーザ４の光軸１
７と検出用半導体レーザ２の光軸１８を互いにずらすこ
とによって、振動励起用半導体レーザ４の光が検出用半
導体レーザ２に入射するのを防止し、信号検出特性の劣
化を防止したものである。本例では第２の実施例に対し
て説明したが、第３、第４の実施例にも同様に適用可能
である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、次のよう
な効果がある。 （１）請求項１の発明は、振動数検出系を振動子と一体
化することにより、光励起振動子形センサが小形で安価
になり、使用も容易となる。 （２）請求項２の発明は、振動数検出系と振動励起系を
振動子と一体化することにより、光励起振動子形センサ
が小形で安価になり、使用も容易となる。 （３）請求項３の発明は、振動数検出系と振動励起系を
振動子と一体化することにより、光励起振動子形センサ
が小形で安価になり、使用も容易となり、さらに振動励
起用半導体レーザの光ビームを振動子上に集光するため
のレンズと、振動子の振動状態を検出するためのレンズ
を備えることにより、光励起振動子形センサの作製が容
易となる。 （４）請求項４の発明は、振動励起用半導体レーザの光
軸と検出用半導体レーザの光軸を互いにずらすことによ
り、（２），（３）の効果に加えて、信号検出特性の劣
化を防止できる。
な効果がある。 （１）請求項１の発明は、振動数検出系を振動子と一体
化することにより、光励起振動子形センサが小形で安価
になり、使用も容易となる。 （２）請求項２の発明は、振動数検出系と振動励起系を
振動子と一体化することにより、光励起振動子形センサ
が小形で安価になり、使用も容易となる。 （３）請求項３の発明は、振動数検出系と振動励起系を
振動子と一体化することにより、光励起振動子形センサ
が小形で安価になり、使用も容易となり、さらに振動励
起用半導体レーザの光ビームを振動子上に集光するため
のレンズと、振動子の振動状態を検出するためのレンズ
を備えることにより、光励起振動子形センサの作製が容
易となる。 （４）請求項４の発明は、振動励起用半導体レーザの光
軸と検出用半導体レーザの光軸を互いにずらすことによ
り、（２），（３）の効果に加えて、信号検出特性の劣
化を防止できる。
【図１】本発明の第１の実施例の光励起振動子形センサ
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））と信号
検出原理の説明図（同図（３））と光出力１０の波形図
（同図（４））である。
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））と信号
検出原理の説明図（同図（３））と光出力１０の波形図
（同図（４））である。
【図２】本発明の第２の実施例の光励起振動子形センサ
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））であ
る。
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））であ
る。
【図３】本発明の第３の実施例の光励起振動子形センサ
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））であ
る。
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））であ
る。
【図４】本発明の第４の実施例の光励起振動子形センサ
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））であ
る。
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））であ
る。
【図５】本発明の第５の実施例の光励起振動子形センサ
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））であ
る。
の平面図（同図（１））と側面図（同図（２））であ
る。
【図６】従来の光励起振動子形センサの構成図である。
【図７】図６（２）の従来の光励起振動子形センサを圧
力センサに適用した例を示す図である。
力センサに適用した例を示す図である。
１ 振動子
２ 検出用半導体レーザ
３ 光検出器
４ 振動励起用半導体レーザ
５ 絶縁用溝
６ 振動子１の端面
７ 検出用半導体レーザ２の端面
８ 反射光
９ 内部光
１０ 検出用半導体レーザ２の光出力
１１，１２ レンズ
１３ 部位
１４ 基板
１５ 掘込み
１６ ダイアフラム
１７ 検出用半導体レーザ２の光軸
１８ 振動励起用半導体レーザ４の光軸
２１ 振動子
２２ 検出用半導体レーザ
２３ 光検出器
２４ 振動励起用半導体レーザ
２５ レンズ
２６ ナイフエッジ
２７ 光路変換用ミラー
２８ 干渉計
２９ 光ファイバ
３０，３１ 部位
Claims (4)
- 【請求項１】 振動子と、該振動子に光ビームを照射
し、その反射光と内部光の干渉にもとづく光出力から前
記振動子の固有振動数を検知する光検出器付半導体レー
ザとが同一基板上に一体化されてなる光励起振動子形セ
ンサ。 - 【請求項２】 振動子と、該振動子に固有振動を励起す
る振動励起用半導体レーザと、該振動子に光ビームを照
射し、その反射光と内部光の干渉にもとづく光出力から
前記振動子の固有振動数を検知する光検出器付半導体レ
ーザとが同一基板上に一体化されてなる光励起振動子形
センサ。 - 【請求項３】 振動子と、該振動子に固有振動を励起す
る振動励起用半導体レーザと、該振動励起用半導体レー
ザの光ビームを前記振動子上に集光するための第１のレ
ンズと、前記振動子の振動状態を検出するための第２の
レンズと、第２のレンズを介して該振動子に光ビームを
照射し、第２のレンズを通して帰還するその反射光と内
部光の干渉にもとづく光出力から前記振動子の固有振動
数を検知する光検出器付半導体レーザとが同一基板上に
一体化されてなる光励起振動子形センサ。 - 【請求項４】 前記振動励起用半導体レーザの光軸と前
記光検出器付半導体レーザの検出用半導体レーザの光軸
が互いにずれている請求項２または３記載の光励起振動
子形センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16066691A JPH0510815A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光励起振動子形センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16066691A JPH0510815A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光励起振動子形センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0510815A true JPH0510815A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15719865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16066691A Pending JPH0510815A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光励起振動子形センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0510815A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006106874A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | National University Corporation Gunma University | カンチレバー型センサ |
| US9240617B2 (en) | 2004-05-25 | 2016-01-19 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Secondary battery |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP16066691A patent/JPH0510815A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9240617B2 (en) | 2004-05-25 | 2016-01-19 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Secondary battery |
| WO2006106874A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | National University Corporation Gunma University | カンチレバー型センサ |
| JP2006284391A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Gunma Univ | カンチレバー型センサ |
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