JPH0510979A - 微小電流センサ - Google Patents
微小電流センサInfo
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- JPH0510979A JPH0510979A JP3192436A JP19243691A JPH0510979A JP H0510979 A JPH0510979 A JP H0510979A JP 3192436 A JP3192436 A JP 3192436A JP 19243691 A JP19243691 A JP 19243691A JP H0510979 A JPH0510979 A JP H0510979A
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Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 鉄心2を使用せずに微小電流を効果的に検出
できる小型の微小電流センサを提供する。 【構成】 基板6上にホール素子13を形成し、このホー
ル素子13上に絶縁膜7を成膜する。この絶縁膜7上にコ
イルパターン5を形成し、コイルパターン5を絶縁膜8
で被覆し、この絶縁膜8の表面にコイルパターン5の引
き出し端子9を形成する。
できる小型の微小電流センサを提供する。 【構成】 基板6上にホール素子13を形成し、このホー
ル素子13上に絶縁膜7を成膜する。この絶縁膜7上にコ
イルパターン5を形成し、コイルパターン5を絶縁膜8
で被覆し、この絶縁膜8の表面にコイルパターン5の引
き出し端子9を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁界検出素子を用いた
微小電流センサに関するものである。
微小電流センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図6には従来の微小電流センサの概略の
構成図が示されている。同図において、微小電流センサ
10はC字型鉄心2のギャップ部分11にホール素子1を配
置した構成からなり、鉄心2には微小電流を流す導線3
がコイル状に巻かれている。この微小電流センサ10は鉄
心2に巻かれているコイル12の導線3に電流を流すこと
によって鉄心2に磁界を発生させ、その磁界をホール素
子1で検出するものである。
構成図が示されている。同図において、微小電流センサ
10はC字型鉄心2のギャップ部分11にホール素子1を配
置した構成からなり、鉄心2には微小電流を流す導線3
がコイル状に巻かれている。この微小電流センサ10は鉄
心2に巻かれているコイル12の導線3に電流を流すこと
によって鉄心2に磁界を発生させ、その磁界をホール素
子1で検出するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の微小電流センサ
10は鉄心2とホール素子1との組み合わせによって構成
されており、その鉄心2は微小電流であってもそれを検
出できるようにホール素子1に大きな磁界が加わるよう
に設けられるもので、必須の構成要素となっている。し
かし、鉄心2はホール素子1に比較して非常に大きく、
そのために、微小電流センサ10も鉄心2の大きさに左右
されて、大きくなるという問題がある。
10は鉄心2とホール素子1との組み合わせによって構成
されており、その鉄心2は微小電流であってもそれを検
出できるようにホール素子1に大きな磁界が加わるよう
に設けられるもので、必須の構成要素となっている。し
かし、鉄心2はホール素子1に比較して非常に大きく、
そのために、微小電流センサ10も鉄心2の大きさに左右
されて、大きくなるという問題がある。
【0004】本発明は上記従来の課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、鉄心を用いることな
く微小電流を効果的に検出できる小型の微小電流センサ
を提供することにある。
なされたものであり、その目的は、鉄心を用いることな
く微小電流を効果的に検出できる小型の微小電流センサ
を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明は、磁界検出素子の少なくとも表裏一方側の絶縁形
成面に通電によって磁界を発生させるコイルパターンを
一体的に形成したことを特徴として構成されている。
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明は、磁界検出素子の少なくとも表裏一方側の絶縁形
成面に通電によって磁界を発生させるコイルパターンを
一体的に形成したことを特徴として構成されている。
【0006】
【作用】上記構成の本発明において、コイルパターンに
微小電流が流れると、フレミングの右手の法則によって
電流の流れに対して直角方向、つまり、磁界検出素子を
貫通する方向に磁界が発生する。磁界検出素子はこの磁
界を受けて磁界の大きさに対応する電圧等の信号を電流
検出信号として出力する。
微小電流が流れると、フレミングの右手の法則によって
電流の流れに対して直角方向、つまり、磁界検出素子を
貫通する方向に磁界が発生する。磁界検出素子はこの磁
界を受けて磁界の大きさに対応する電圧等の信号を電流
検出信号として出力する。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1には本発明に係る微小電流センサの構造図が
示されている。同図において微小電流センサ10は基板6
上に磁界を検出する磁界検出素子としてのホール素子13
を形成し、このホール素子13上に絶縁膜7を被覆する。
そして、絶縁膜7上に渦巻き状のコイルパターン5が形
成され、このコイルパターン5上に絶縁膜8を塗布し、
この絶縁膜8上にコイルパターン5と接続する引き出し
端子9を設けた構造となっている。図1の(a)は微小
電流センサ10の構成を理解し易いように絶縁膜7および
8を透明とし、コイルパターン5の中心取り出し端子9
を省略した状態で示してある。
する。図1には本発明に係る微小電流センサの構造図が
示されている。同図において微小電流センサ10は基板6
上に磁界を検出する磁界検出素子としてのホール素子13
を形成し、このホール素子13上に絶縁膜7を被覆する。
そして、絶縁膜7上に渦巻き状のコイルパターン5が形
成され、このコイルパターン5上に絶縁膜8を塗布し、
この絶縁膜8上にコイルパターン5と接続する引き出し
端子9を設けた構造となっている。図1の(a)は微小
電流センサ10の構成を理解し易いように絶縁膜7および
8を透明とし、コイルパターン5の中心取り出し端子9
を省略した状態で示してある。
【0008】次に、上記微小電流センサ10の作製方法を
図面に基づいて順を追って説明する。まず、図2に示す
ように基板6上に十字型の化合物半導体4を真空蒸着の
3温度法、MOCVD法、MBE法等を用いて形成し、
ホール素子13を作製する。この化合物半導体4の材料に
はホール素子13の検出感度を向上させる目的で、ホール
移動度の大きいGaAs,InSb,InAs等の半導
体が用いられる。このホール素子13の4a部は駆動電圧
の入力部であり、4bは出力電圧の取り出し部である。
このホール素子13上に図3に示すように絶縁膜7を形成
する。この絶縁膜7の材料はSiO2 ,ポリイミド等が
用いられ、成膜法として、物理的付着、化学的付着ある
いは塗布等による成膜が行われる。次に、この絶縁膜7
上に図4に示すように渦巻き状の導体層を蒸着やフォト
リソグラフィーのプリント技術等を用いて形成してコイ
ルパターン5を作る。なお、絶縁膜7の膜厚はホール素
子13とコイルパターン5との絶縁が保たれる範囲で、極
めて薄い膜とする。この薄膜、すなわち、コイルパター
ン5とホール素子13との間隔を小さくすることによって
コイルパターン5に流れる微小電流で発生する微小磁界
においてもホール素子13は効果的にその磁界を検出する
ことができる。また、前記コイルパターン5は素子の中
心に大きな磁界を発生させるために渦巻き状に形成した
もので、この導体の材料としては導電率の大きいCu,
Al等の金属を用いる。そして、このコイルパターン5
の上に図5に示すように、絶縁膜8を形成する。絶縁膜
8の成膜法は図3の絶縁膜7と同一方法、すなわち、物
理的付着、化学的付着、または塗布等によって成膜す
る。そして材料としてはSiO2 ,ポリイミド等を用い
る。この絶縁膜8の中央部には前記コイルパターンの中
心側の端子接続部14に対向する穴15を設ける。そして、
絶縁膜8の表面に引き出し端子9の導体膜を形成し、こ
の引き出し端子9の一端側を前記穴15を利用して導通す
る。以上の工程を経て、磁界発生部としてのコイルパタ
ーン5と磁界検出部としてのホール素子13とを同一基板
6上に一体に形成する。
図面に基づいて順を追って説明する。まず、図2に示す
ように基板6上に十字型の化合物半導体4を真空蒸着の
3温度法、MOCVD法、MBE法等を用いて形成し、
ホール素子13を作製する。この化合物半導体4の材料に
はホール素子13の検出感度を向上させる目的で、ホール
移動度の大きいGaAs,InSb,InAs等の半導
体が用いられる。このホール素子13の4a部は駆動電圧
の入力部であり、4bは出力電圧の取り出し部である。
このホール素子13上に図3に示すように絶縁膜7を形成
する。この絶縁膜7の材料はSiO2 ,ポリイミド等が
用いられ、成膜法として、物理的付着、化学的付着ある
いは塗布等による成膜が行われる。次に、この絶縁膜7
上に図4に示すように渦巻き状の導体層を蒸着やフォト
リソグラフィーのプリント技術等を用いて形成してコイ
ルパターン5を作る。なお、絶縁膜7の膜厚はホール素
子13とコイルパターン5との絶縁が保たれる範囲で、極
めて薄い膜とする。この薄膜、すなわち、コイルパター
ン5とホール素子13との間隔を小さくすることによって
コイルパターン5に流れる微小電流で発生する微小磁界
においてもホール素子13は効果的にその磁界を検出する
ことができる。また、前記コイルパターン5は素子の中
心に大きな磁界を発生させるために渦巻き状に形成した
もので、この導体の材料としては導電率の大きいCu,
Al等の金属を用いる。そして、このコイルパターン5
の上に図5に示すように、絶縁膜8を形成する。絶縁膜
8の成膜法は図3の絶縁膜7と同一方法、すなわち、物
理的付着、化学的付着、または塗布等によって成膜す
る。そして材料としてはSiO2 ,ポリイミド等を用い
る。この絶縁膜8の中央部には前記コイルパターンの中
心側の端子接続部14に対向する穴15を設ける。そして、
絶縁膜8の表面に引き出し端子9の導体膜を形成し、こ
の引き出し端子9の一端側を前記穴15を利用して導通す
る。以上の工程を経て、磁界発生部としてのコイルパタ
ーン5と磁界検出部としてのホール素子13とを同一基板
6上に一体に形成する。
【0009】上記のようにして作製された微小電流セン
サによれば、コイルパターン5に図示されていないリー
ド線等を介して微小電流が流れると、フレミングの右手
の法則によってホール素子13を貫通する磁界が発生す
る。この磁界はコイルパターン5と近接配置されている
ホール素子13に強く作用する。ホール素子13は前記磁界
を受けてその大きさに比例する電圧を発生する結果、こ
の電圧を検出することにより前記微小電流が検出可能と
なる。
サによれば、コイルパターン5に図示されていないリー
ド線等を介して微小電流が流れると、フレミングの右手
の法則によってホール素子13を貫通する磁界が発生す
る。この磁界はコイルパターン5と近接配置されている
ホール素子13に強く作用する。ホール素子13は前記磁界
を受けてその大きさに比例する電圧を発生する結果、こ
の電圧を検出することにより前記微小電流が検出可能と
なる。
【0010】本実施例によれば、鉄心2を使用すること
なく、同一基板6上にコイルパターン5とホール素子13
とを形成したので、小型、軽量の画期的な微小電流セン
サ10を得ることができる。
なく、同一基板6上にコイルパターン5とホール素子13
とを形成したので、小型、軽量の画期的な微小電流セン
サ10を得ることができる。
【0011】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば上記実
施例ではホール素子13と、コイルパターン5とを基板6
の片面側に形成したが、これを基板6の両面に形成して
もよい。
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば上記実
施例ではホール素子13と、コイルパターン5とを基板6
の片面側に形成したが、これを基板6の両面に形成して
もよい。
【0012】また、上記実施例では、基板6上にホール
素子13を形成し、この上に絶縁膜7を成膜し、この絶縁
膜7上にコイルパターン5を形成しているが、これを、
基板6上にコイルパターン5を設け、次いで、絶縁膜
7,ホール素子13の順に形成してもよい。
素子13を形成し、この上に絶縁膜7を成膜し、この絶縁
膜7上にコイルパターン5を形成しているが、これを、
基板6上にコイルパターン5を設け、次いで、絶縁膜
7,ホール素子13の順に形成してもよい。
【0013】さらに、上記実施例では微小電流センサを
1個のホール素子と1個のコイルパターンとの一体結合
構造としたが、絶縁膜を介してホール素子とコイルパタ
ーンとを重ねて複数積層した多層構造としたものでもよ
い。
1個のホール素子と1個のコイルパターンとの一体結合
構造としたが、絶縁膜を介してホール素子とコイルパタ
ーンとを重ねて複数積層した多層構造としたものでもよ
い。
【0014】さらに、上記実施例では磁界検出素子とし
てホール素子13を用いたが、これを例えば、磁気抵抗素
子等の磁界検出素子としてもよい。
てホール素子13を用いたが、これを例えば、磁気抵抗素
子等の磁界検出素子としてもよい。
【0015】
【発明の効果】本発明は、鉄心を用いることなく、同一
基板上に磁界発生用のコイルパターンと磁界検出用のホ
ール素子とを一体に形成したので、微小電流でも効果的
に検出できる極めて小型の微小電流センサを提供するこ
とができる。
基板上に磁界発生用のコイルパターンと磁界検出用のホ
ール素子とを一体に形成したので、微小電流でも効果的
に検出できる極めて小型の微小電流センサを提供するこ
とができる。
【図1】本発明の微小電流センサの一実施例の構成図で
ある。
ある。
【図2】同実施例のホール素子の構成図である。
【図3】同実施例のホール素子上に絶縁膜を形成した構
成図である。
成図である。
【図4】同実施例のコイルパターンの構成図である。
【図5】同実施例のコイルパターン上に絶縁膜を形成
し、引き出し端子を取り付けた状態を示す構成図であ
る。
し、引き出し端子を取り付けた状態を示す構成図であ
る。
【図6】従来の微小電流センサの構成図である。
1 ホール素子 2 鉄心 4 十字型の化合物半導体 5 コイルパターン 6 基板 7 絶縁膜 10 微小電流センサ 13 ホール素子
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 磁界検出素子の少なくとも表裏一方側の
絶縁形成面に通電によって磁界を発生させるコイルパタ
ーンを一体的に形成した微小電流センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19243691A JP3206027B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 微小電流センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19243691A JP3206027B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 微小電流センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0510979A true JPH0510979A (ja) | 1993-01-19 |
| JP3206027B2 JP3206027B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=16291278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19243691A Expired - Lifetime JP3206027B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 微小電流センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3206027B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230467A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-08-24 | Sanken Electric Co Ltd | ホール素子を備えた電流検出装置 |
| JP2006514283A (ja) * | 2003-02-11 | 2006-04-27 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積センサ |
| JP2008185537A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Kaiser Technology:Kk | 交流信号検出装置、受信装置及び基板間伝送システム |
| US7501928B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-03-10 | Tdk Corporation | Current sensor |
| US7504927B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-03-17 | Tdk Corporation | Current sensor |
| JP2010176964A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Denso Corp | 電流測定装置 |
| CN103165580A (zh) * | 2011-12-14 | 2013-06-19 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种金属线圈及电流检测结构 |
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| JP2020085853A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社東芝 | 電流検出装置 |
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| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
| US11994541B2 (en) | 2022-04-15 | 2024-05-28 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor assemblies for low currents |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP19243691A patent/JP3206027B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP3206027B2 (ja) | 2001-09-04 |
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