JPH05112470A - トラン化合物の製造方法 - Google Patents

トラン化合物の製造方法

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JPH05112470A
JPH05112470A JP4070000A JP7000092A JPH05112470A JP H05112470 A JPH05112470 A JP H05112470A JP 4070000 A JP4070000 A JP 4070000A JP 7000092 A JP7000092 A JP 7000092A JP H05112470 A JPH05112470 A JP H05112470A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ジ置換またはポリ置換されたトラン化合物を
安価な、容易に入手できる出発物質から高い収率で製造
する。 【構成】 置換されたベンジルアリールスルホンを縮合
剤の存在のもとに、置換されたベンズアルデヒドと反応
させ、得られたアリールスルホンスチルベン誘導体を強
塩基で処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はジ置換またはポリ置換さ
れたトラン化合物を製造するに当り、置換されたベンジ
ルアリールスルホンを、縮合剤の存在のもとに、置換さ
れたベンズアルデヒドと反応させ、そしてその得られた
アリールスルホンスチルベン誘導体を強塩基によって処
理する方法に関する。
【０００２】式Ｉの化合物は種々の液晶媒質の成分とし
て用いることができ、特にねじれセルの原理、ゲスト−
ホスト効果、立ちあがり相の変形の効果または動的散乱
の効果にもとづくディスプレー用として用いることがで
きる。
【０００３】
【従来の技術】従来技術（例えばドイツ特許第 37 11 3
06号）によれば、ジまたはポリ置換されたトラン化合物
が、それ相当に置換された臭化ベンゼンまたは沃化ベン
ゼン及び４−置換されたフェニルアセチレンを例えばビ
ス（トリフェニル）ホスフィンパラジウム(II)クロリド
のようなパラジウム触媒または沃化銅(I) の存在のもと
に反応させるか、または逆の方式でｐ−アルキル又はア
ルコキシフェニルアセチレンをそれ相当に置換された臭
化ベンゼンまたは沃化ベンゼンと反応させることによっ
て製造することができる。
【０００４】式Ｉの化合物を製造するための別の可能性
は、それ相当のスチルベン化合物を臭素化し、ついで脱
ハロゲン化水素することよりなる（例えばヨーロッパ特
許第0 255 700号）。この場合にこの反応の、ここでは
詳細に説明しない公知の種々の変法を用いることができ
る。
【０００５】更にまた、J. Otera 等："J. Org. Che
m." (1986) 51, 3830 - 3833 は 1-アセトキシ-2-(フ
ェニルスルホニル)-1,2-ジフェニルエタンをカリウム-t
ert-ブチラートで処理することによる非置換のトラン化
合物の製造を記述している。この化合物は、またここで
も、ベンジルフェニルスルフィドのブチルリチウムによ
る -78℃における脱プロトン、引き続くベンズアルデヒ
ドとの反応及びそれに続いての無水酢酸によるアセチル
化とｎ−クロル過安息香酸による酸化による３段階合成
法で製造される。
【０００６】Otera 等により記述された方法によれば、
一般にヘキサン中の自然発火しやすい希薄溶液として用
いなければならないような反応性の高い有機金属試薬で
あるｎ−ブチルリチウムを用いて低温度において操作し
なければならない。このような試薬に対する安全性の要
求は非常に高く、その結果生産規模による作業はそのた
めにほとんど不可能であった。
【０００７】例えばドイツ特許第 37 11 306号に従うよ
うな、フェニルアセチレンをパラジウム触媒の存在のも
とに臭化ベンゼンまたは沃化ベンゼンの誘導体と結合さ
せることによるトラン化合物の製造においては、一般に
その触媒によって汚染された生成物が得られ、従って非
常に慎重にクロマトグラィーによって精製しなければな
らない。この場合にしばしば大きな収率の損失が現れ
る。その上に高価な重金属触媒を用いるために、その使
用した溶媒を精製することが強く要求される。
【０００８】例えばヨーロッパ特許第 0 255 700号に従
うスチルベン化合物の臭素化と引き続く脱臭化水素化に
よるトラン化合物の製造においてはその用いられるスチ
ルベン化合物はしばしば多段階合成によって製造するし
かない。しかもこのような一連の反応は不満足な総合収
率しかもたらさない（ヨーロッパ特許第 0 255 700号の
例１参照：スチルベン：25ｇ＝理論値の40％、ジブロム
化合物：24.5ｇ＝理論値の 65 ％、トラン：15ｇ＝理論
値の92％、総合収率：理論値の24％）。これに対して非
常に類似したトラン化合物が本発明に従う中間生成物を
用いた場合には55％と言う２倍以上高い総合収率で得ら
れる。
【０００９】上述した種々の方法には工業的見地から見
ると、種々の不利な点が付随している。高価であって、
しかもしばしば入手の困難な触媒の使用に加えて、一部
では特にジフルオロトランの場合に必要であるような低
温度における作業は高い装置的費用を必要とする。多く
の場合にそれら出発物質の合成も問題である。一部分で
悪い収率の多段階合成は高経費を要し、かつ時間がかか
る。
【００１０】更にまた種々の置換トラン化合物を製造す
る方法においてはｍ−クロル過安息香酸のような強い酸
化剤の使用は避けなければならず、というのはこれはそ
の置換基、特にベンジル基が容易にそのような酸化剤に
よってアタックされるために種々の副反応生成物が生ず
るからである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は容易に
入手できる出発物質に基づき、しかも従来の方法の前述
のような種々の不利な点を全く示さないか、または僅か
な程度にしか示さないような、ジ置換又はポリ置換され
たトラン化合物の製造方法を見出すことである。驚くべ
きことに本発明者等は置換されたベンジルアリールスル
ホン化合物が縮合剤の存在のもとに、置換されたベンズ
アルデヒド化合物によってアリールスル９ホンスチルベ
ン誘導体を介して、さらに引き続き強塩基による処理に
よって、大きな収率の低下をもたらす副反応を生ずるこ
となく、対応するトラン化合物に導くことができること
を見出した。
【００１２】
【課題を解決するための手段】従って本発明の対象はジ
置換またはポリ置換されたトラン化合物の製造方法であ
り、置換されたベンジルアリールスルホンを縮合剤の存
在のもとに置換されたベンズアルデヒドと反応させ、そ
の後にこの得られたアリールスルホンスチルベン誘導体
を強塩基で処理するものである。特に本発明の方法によ
れば下記の式Ｉのジ置換またはポリ置換されたトラン化
合物が次のように製造される。
【００１３】
【化１０】 においてＲ1 とＲ2 とはそれぞれ互いに独立に、それぞ
れ１８個までの炭素原子を有するアルキルまたはアルケ
ニルを意味し、その際非隣接の１つまたは２つのCH2-基
も -O-または -S-によって置換されていることが出来
て、基Ｒ1およびＲ2 のうちの一方は F、Cl、CN、CF
3 、OCF3または OCF2Hであることも意味し、Ａ1 とＡ2
とはそれぞれ互いに独立に 1,4- シクロヘキシレン、1,
4-フェニレン、2-または 3- フルオロ-1,4- フェニレ
ン、2,3-ジフルオロ-1,4- フェニレン、2,6-ジフルオロ
-1,4- フェニレン、3,5-ジフルオロ-1,4- フェニレン、
ジオキサン-2,5- ジイル、ピリジン-2,5- ジイル、また
はピリミジン-2,5- ジイルを意味し、Ｚ1 とＺ2 とはそ
れぞれ互いに独立に -CH2CH2- 、-CH2O-、-OCH2-、-C≡
C-または単結合を意味し、ｍとｐとはそれぞれ０または
１を意味し、ｎとｏとはそれぞれ０、１または２を意味
する、ここで下記の式 II の置換されたベンジルアリル
スルホンを縮合剤の存在下で下記式III の置換されたベ
ンズアルデヒドと反応させて、この物質を強塩基で処理
するのである。すなわち式II
【００１４】
【化１１】 においてＲ1、Ａ1、Ｚ1、ｍおよびｎは前記の意味を有し、
更にＡｒは非置換のフェニル、またはハロゲン、１ない
し３個の炭素原子のアルキル基またはアルコキシ基ある
いはニトロ基でモノ置換またはポリ置換されているフェ
ニルを意味し、下記の式 III
【００１５】
【化１２】 においてＲ2、Ａ2、Ｚ2、ｏおよびｐが前記の意味を有し、
次いで下記式 IV のアリルスルホニルスチルベン−誘導
体を単離する。すなわち下記の式IV
【００１６】
【化１３】 においてＲ1 、Ｒ2 、Ａ1 、Ａ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、ｍ、
ｎ、ｏおよびｐが前記の意味を有する。
【００１７】好ましい実施態様の一つは、反応容器中に
ある置換されたベンズアルデヒドに置換されたベンジル
アリールスルホンと塩基との混合物を加える方法であ
る。
【００１８】更にまた好ましい方法の一つは、反応を -
50℃と +100 ℃との間、好ましくは-20 ℃と +50℃との
間、特に０℃と 35 ℃との間の温度において実施する方
法である。
【００１９】置換されたベンズアルデヒドとアリールベ
ンジルスルホン化合物との縮合には通常のクネーベナー
ゲル反応に適した縮合剤を使用することができ〔例えば
J.March; McGraw-Hill International (1977) 刊行
の "Adv. Org. Chem."第２版、第 854 -859 頁参照〕、
好ましくは種々の無機および有機塩基を使用することが
できる。
【００２０】式 IV のアリールスルホニルスチルベン誘
導体を式Ｉの化合物へ導くためには通常の強塩基類が適
しており、好ましくは塩基として金属アルコラート、特
に第１級または第２級の金属アルコラート、あるいはカ
リウム-tert-ブチラート等、または金属アミド類、特に
ハロゲノマグネシウムジイソプロピルアミドまたはリチ
ウムジイソプロピルアミドが用いられる。
【００２１】本発明に従う方法においては好ましくはそ
の用いた式 IV のアリールスルホニルスチルベン誘導体
について 1.0 ないし８当量が用いられる。
【００２２】更に、本発明の対象はまた、式 II の置換
されたベンジルアリールスルホンの製造方法であり、こ
れは下記の式 V、すなわち Ar-SO2 (-)Kat(+) ・・・・V においてAr は前記の意味を有し、Kat(+)は Li(+)、 N
a(+)、K(+)または NR4 (+) を意味し、その際 Rは１ない
し８個の炭素原子を有するアルキル基を意味する。式V
のアリールスルフィン酸の塩を下記の式 VI 、すなわち
【００２３】
【化１４】 において R1、A1、 Z1、m および nは前記の意味を有し、
そして Xは -OSO2R'（ここで R' は１ないし 12 個の炭
素原子を有するアルキル、アリール、またはパーフルオ
ロアルキルである）、Cl、BrまたはＩを意味する。前記
の式VIの置換されたベンジルハロゲニドと反応させるこ
とよりなる。
【００２４】本発明の更にもう一つの対象は式 II のベ
ンジルアリールスルホン化合物であって、特に下記の式
IIa
【００２５】
【化１５】 においてm および nは前記の意味を有し、alkyl は１な
いし８個の炭素原子を有するアルキル基を意味し、
【００２６】
【化１６】 は下記の式、すなわち
【００２７】
【化１７】 を意味し、ｑは零または１をそれぞれ意味する。
【００２８】本発明の方法により製造される式Ｉのトラ
ン化合物は以下にあげる各従属式Iaないし Io の好まし
いトラン化合物を包含する：
【００２９】
【化１８】
【００３０】
【化１９】 好ましい R1 及び R2 の基は例えば、メチル、エチル、
プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、ウンデシル又はドデシルのよ
うな１ないし 12 個の炭素原子を有するアルキル基、例
えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペン
トキシ、ヘキソキシ、ヘキシロキシ、ヘプチロキシ、オ
クチロキシ、ノニロキシ、デシロキシ、ウンデシロキシ
およびドデシロキシのようなアルコキシ基及び例えばメ
トキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブ
トキシメチル、ペントキシメチル、ヘキソキシメチルあ
るいはメトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエ
チル、ブトキシエチルまたはペントキシエチルのような
オキサアルキル基である。
【００３１】R2 は好ましくは F、Cl、CN、CF3、 OCF3
または OCF2H、特に Fまたは OCF3をも意味する。
【００３２】本発明の方法の出発化合物として必要な置
換されたベンズアルデヒド化合物は公知であるか、また
は公知の方法によって容易に製造できるものである。
【００３３】式 II のベンジルアリールスルホン化合物
は新規であって、アリールスルホン酸塩と式 VI のベン
ジル誘導体との反応によって容易に入手することができ
る。式VI のベンジル誘導体は公知であるか、または公
知の方法によって容易に製造できるものである。
【００３４】この製造方法の実施は簡単であり、その際
各出発物質を極性の、好ましくは非プロトン性溶媒、特
にジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンまたは
ヘキサメチル燐酸トリアミドのようなアミド、あるいは
ジメチルスルホンのようなスルホンの中で -20℃と +70
℃との間、好ましくは０℃と 35 ℃との間の温度で、常
圧のもとに互いに反応させることができる。
【００３５】トラン化合物製造のための本発明の製造方
法の反応の実施は簡単であり、その際各出発物質を -50
℃と 100℃との間、好ましくは -20℃と +50℃との間、
特に０℃と 35 ℃との間の温度で加圧または減圧のもと
で、好ましくは常圧において反応させることができる。
【００３６】好都合には置換されたアリールベンジルス
ルホンを不活性溶剤中に予め加えておき、これに縮合剤
を加え、次にこれに置換されたベンズアルデヒドを加え
る。本発明の方法の特に好ましい実施態様の一つは、反
応容器中に加えてあるベンズアルデヒドに置換されたベ
ンジルアリールスルホンと塩基との混合物を加えること
である。この態様においてはそのベンジルアリールスル
ホン化合物の、その既に生じている式 IV のアリールス
ルホニルスチルベン誘導体への可能なミカエル付加反応
は完全に抑制される。
【００３７】化学量論量以下の量の強塩基の存在のもと
での式 II のベンジルアリールスルホン化合物と式 III
のベンズアルデヒドとの反応において、用いたアリール
ベンジルスルホンに対して好ましくは 0.1ないし 0.9モ
ル、特に 0.15 ないし 0.7モルの塩基を用いたときに、
まず最初に式 IV のアリールスルホニルスチルベンが生
ずる。この物質は通常の後処理によって分離し、精製す
ることができるか、あるいはまた後処理することなく更
に追加量の強塩基を加えて反応させることによって式Ｉ
のトラン化合物に変換することができ、その際その縮合
反応に際して生じた水は過剰量の強塩基に結合する。
【００３８】この場合に式 II の化合物と式 IIIの化合
物との反応のために用いた塩基と同じ強塩基を用いるの
が好ましい。一般にこの脱離反応のためには用いた式 I
V のアリールスルホニルエテンに対して 1.0 ないし 1
0 当量、好ましくは１ないし８当量の強塩基が用いられ
る。
【００３９】もう一つの好ましい実施態様において式 I
V の化合物はこの化合物が望ましくない副反応生成物と
容易に分離することができ、引き続いて強塩基によって
式Ｉのトラン化合物に変換することができるので、これ
を分離して精製する。
【００４０】式 IV の化合物を強塩基で処理するための
稀釈剤としては、強塩基との種々の反応に通常に用いら
れる溶媒があげられ、例えばジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフランまたはメチル-tert-ブチルエーテルのよう
なエーテル類、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
ベンゾール、トルオール、キシロールまたはシクロヘキ
サンのような炭化水素類、例えばジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドンまたはヘキサメチル燐酸トリ
アミドのようなアミド類あるいはこれらの溶媒の混合物
である。これらの稀釈剤には、例えばテトラメチルエチ
レンジアミン（ＴＭＥＤＡ）、ジメチルプロピレン尿素
（ＤＭＰＵ）のような共溶媒、或いは例えば 18-クラウ
ン-6のようなクラウンエーテル類も加えることができ
る。その溶媒の量は重要ではないが、一般に用いた式 I
V の化合物の１モル当たり 100 ないし 5000 ｇの溶媒
を使用することができる。好ましい強塩基は、 例えば H
ouse著Bejamin 社刊行の "Modern Synthitic Reactio
n"、第２版 1972 の第 546 -547頁に記載されている。
【００４１】特に好ましいものは金属アルコラート類、
特に第１級、第２級および第３級のナトリウムアルコラ
ート及びカリウムアルコラート類、特にカリウム-tert-
ブチラートである。
【００４２】この他にリチウムジイソプロピルアミド、
リチウムシクロヘキシルイソプロピルアミド、リチウム
ジシクロヘキシルアミド、2,2,6,6-テトラメチルピペリ
ジン-1- イル- リチウム、リチウムヘキサメチルジシラ
ザン、カリウムヘキサメチルジシラザンまたはブロモマ
グネシウムジイソプロピルアミドのような有機アミド塩
基を使用することができる。
【００４３】その反応混合物の後処理およびそれら生成
物の分離は通常の方法で行われ、例えばその反応混合物
を水および／または氷、あるいは希酸に注ぎ、その後水
性相の分離後に、ジ置換またはポリ置換されたトラン化
合物を蒸留、クロマトグラフィーおよび／または結晶化
によって得る。
【００４４】本発明の方法によって式Ｉのジ置換または
ポリ置換されたトラン化合物を容易に入手できる各出発
物質から、入手の困難な触媒を用いることなく、かつ極
端な反応温度を避けて高収率で初めて製造することがで
きるようになった。
【００４５】従ってこの方法は液晶のためのトラン合成
の分野において画期的な進歩をもたらすものである。
【００４６】
【実施例】以下に実施例によって本発明を説明するが、
これは本発明になんらの制限を加えるものではない。
【００４７】以下の例においては下記の省略記号を用い
る： ＫＯＴ： カリウム-tert-ブチラート ＮＭＰ： 1-メチル-2- ピロリドン ＴＨＦ： テトラヒドロフラン Ｋ ： 結晶性 Ｓ ： スメクチック Ｎ ： ネマチック Ｉ ： 等方性 〔これらの記号の間に記載された数字はそれぞれの相転
位温度を℃の単位で示す〕例 １ 1a) trans-4-(4- ペンチルシクロヘキシル)-ベンジルフ
ェニルスルホン 純度98％のベンゾールスルフィン酸ナトリウム塩245g
(1.46 モル) を1600mlのＮＭＰに懸濁させ、ＮＭＰ 250
ml 中に 350ｇ（1.08モル）の trans-4-(4-ペンチルシ
クロヘキシル)-ベンジルブロミド（融点 28 - 31℃）を
溶解させた溶液とこの懸濁液を 10 - 17℃で２時間以内
に混合する。この懸濁液を室温において更に５時間後攪
拌し、１夜静置し、次に５ｌの水と 3.7ｌのトルオール
との混合物の中に攪拌しながら流し込む。下層の水性相
をトルオール懸濁液と分離し、そして各１リットルのト
ルオールで２回抽出する。合一した有機相を真空中で 4
0 ℃において蒸発濃縮し、-30℃に冷却し、吸引濾過す
る。結晶を 0.6リットルのトルオールで洗浄した後に、
この結晶を 30℃で真空中で乾燥する。収量＝380 ｇ
（理論値の 91.3 ％）、 融点：152.5 - 155℃。
【００４８】同様にして下記の各化合物を製造する：
【００４９】
【化２０】 Ｒ1 Ｌ1 Ｌ2 融点（℃） ────────────────────────── C3H7-(1,4-Cyh)- *) H H 150 - 151 CF3-O- H H 205 - 207 C2H5-O- F F 134 - 136 ────────────────────────── 註： *) C3H7-1,4- シクロヘキシレン、すなわち
【００５０】
【化２１】 1b) 1-[trans-4-(4-ペンチルシクロヘキシル)-フェニ
ル]-1-フェニルスルホニル-2-(4-トリフルオロメトキシ
フェニル)-エテン 3100 ml のＮＭＰの中に 360ｇ(0.936モル）の trans-4
-(4-ペンチルシクロヘキシル）ベンジルフェニルスルホ
ンを懸濁し、この -11℃に冷却した懸濁液の中にＫＯＴ
18 gを加える。次にこの懸濁液に18分間以内に−１１
ないし−８℃において 219.4ｇ（1.124 モル）の 4- ト
リフルオロメトキシベンズアルデヒドを加える。この反
応混合物を更に 2.2時間 -８℃において攪拌する。次に
この反応混合物を冷却しながら約 10 分間以内に 4600
mlの水中に注ぐ。この懸濁液をさらに１時間攪拌し、20
℃で吸引濾過する。結晶を 5000 mlの水で洗浄した後、
真空中、 40℃で乾燥する。得られた粗生成物（520 ｇ）
を4000 ml のイソプロパノールから再結晶する。収量＝
431ｇ( 理論値の 82.7 ％)、融点：134.7 - 139.9℃。 1c) 4-(4-ペンチルシクロヘキシル)-4'- トリフルオロ
メトキシトラン 3400 ml の乾燥ＴＨＦの中に425 ｇ(0.763モル）の 1-
[trans-4-(4- ペンチルシクロヘキシル)-フェニル]-1-
フェニルスルホニル-2-(4-トリフルオロメトキシフェニ
ル)-エテンを溶解させ、その冷却された溶液に 342.5ｇ
（3.052 モル）のＫＯＴを加える。次にこの反応混合物
を氷水で冷却しながら３時間攪拌し、次いでこれを 190
ｇの塩化ナトリウムを含んだ 1900 mlの水と 1900 mlの
トルオールとの混合物に注ぐ。水性相を分離した後にこ
れをそれぞれ 500 ml のトルオールで２回抽出する。合
一した有機相をそれぞれ 1000 mlの水で３回洗浄し、硫
酸ナトリウムの上で乾燥させ、真空中、40 ℃において蒸
発濃縮する。残渣（353 ｇ）をイソプロパノールから２
回再結晶する。 収量＝230 ｇ( 理論値の72.7％）。 Ｋ 50 ＳB 134 ＳA 167 Ｎ 189.9Ｉ 同様にして下記の各化合物を製造する：
【００５１】
【化２２】 Ｒ1 Ｌ1 Ｌ2 Ｒ2 ──────────────────────────────────── C5H11-(1,4-Cyh)- *) F F OC2H5 K 73 N 217.1 I C3H7- F F OC2H5 K 68 I C5H11- H F Cl K 50 I C3H7-(1,4-Cyh)- *) H H F K 94 S (83) N 192.2 I C3H7-(1,4-Cyh)- *) H H OCF2H K 87 SB 108 SA 132 N 212 I C5H11-(1,4-Cyh)- *) H H OCF2H K 62 SB 123 SA 152 N 203 I C3H7-(1,4-Cyh)- *) H F OCH3 K 107 N 208.4 I C5H11- F F OC2H5 K 57 N 60.9 I C3H7-(1,4-Cyh)- *) F H OC2H5 K 84 N 228.1 I C3H7-(1,4-Cyh)- *) H H OCF3 K 88 SB 125 SA 162 N 198 I 註： *) Cyh は上記註の中の環状化合物を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 17/33 9280−4Ｈ 25/24 9280−4Ｈ 41/18 43/225 Ｃ 8619−4Ｈ 255/46 6917−4Ｈ 255/50 6917−4Ｈ 317/22 7419−4Ｈ (72)発明者 ルドルフ クルーク ドイツ連邦共和国 デー−6100 ダルムシ ユタツトフランクフルター シユトラーセ 250 (72)発明者 デトレフ パウルート ドイツ連邦共和国 デー−6100 ダルムシ ユタツトフランクフルター シユトラーセ 250 (72)発明者 フオルカー ライフエンラート ドイツ連邦共和国 デー−6100 ダルムシ ユタツトフランクフルター シユトラーセ 250 (72)発明者 エケハルト バルトマン ドイツ連邦共和国 デー−6100 ダルムシ ユタツトフランクフルター シユトラーセ 250

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 置換されたベンジルアリールスルホンを
    縮合剤の存在のもとに置換されたベンズアルデヒドと反
    応させ、その得られたアリールスルホンスチルベン誘導
    体を強塩基によって処理することを特徴とするジ置換ま
    たはポリ置換されたトラン化合物を製造する方法。
  2. 【請求項２】 式Ｉ、すなわち 【化１】 においてＲ1 とＲ2 とはそれぞれ互いに独立に、それぞ
    れ１８個までの炭素原子を有するアルキルまたはアルケ
    ニルを意味し、その際非隣接の１つまたは２つのCH2-基
    も -O-または -S-によって置換されていることが出来
    て、基Ｒ1 およびＲ2 のうちの一方は F、Cl、CN、CF3、OCF
    3 または OCF2Hであることも意味し、 Ａ1 とＡ2 とはそれぞれ互いに独立に 1,4- シクロヘキ
    シレン、1,4-フェニレン、2-または 3- フルオル-1,4-
    フェニレン、2,3-ジフルオロ-1,4- フェニレン、2,6-ジ
    フルオロ-1,4- フェニレン、3,5-ジフルオロ-1,4- フェ
    ニレン、ジオキサン-2,5- ジイル、ピリジン-2,5- ジイ
    ル、またはビリミジン-2,5- ジイルを意味し、 Ｚ1 とＺ2 とはそれぞれ互いに独立に -CH2CH2- 、-CH2
    O-、-OCH2-、-C≡C-または単結合を意味し、 ｍとｐとはそれぞれ０または１を意味し、 ｎとｏとはそれぞれ０、１または２を意味する、前記の
    式Ｉのジ置換またはポリ置換されたトラン化合物を製造
    するための請求項１の方法において、式 II、すなわち 【化２】 においてＲ1、Ａ1、Ｚ1、ｍおよびｎが前記の意味を有し、
    更にＡｒが非置換のフエニル、 またはハロゲン、１ないし３個の炭素原子を有するアル
    キル基またはアルコキシ基あるいはニトロ基によってモ
    ノ置換またはポリ置換されているフェニルを意味する、 前記の式IIの置換されたベンジルアリールスルホンを縮
    合剤の存在のもとに、式III、すなわち 【化３】 においてＲ2 、Ａ2 、Ｚ2 、ｏ及びｐが前記の意味を有
    する、前記の式III の置換されたベンズアルデヒドと反
    応させ、その後に式 IV 、すなわち 【化４】 においてＲ1 、Ｒ2 、Ａ1 、Ａ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、ｍ、
    ｎ、ｏおよびｐが前記の意味を有する、前記の式IVのア
    リールスルホンスチルベン誘導体を分離し、この物質を
    強塩基により処理することを特徴とする式Ｉ、すなわち 【化５】 においてＲ1 、Ｒ2 、Ａ1 、Ａ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、ｍ、
    ｐ、 ｎおよびｏは前記の意味を有する、前記の式I のジ
    置換またはポリ置換されたトラン化合物製造のための請
    求項１による方法。
  3. 【請求項３】 反応容器中にある置換されたベンズアル
    デヒドに置換されたベンジルアリールスルホンと塩基と
    の混合物を加えることを特徴とする請求項１あるいは２
    の少なくとも一項の方法。
  4. 【請求項４】 反応を -50℃と +100 ℃間の温度におい
    て実施することを特徴とする請求項１ないし３の少なく
    とも一項の方法。
  5. 【請求項５】 用いた式 IV のアリールスルホンスチル
    ベンについて1.0ないし８当量を用いることを特徴とす
    る請求項２ないし４の少なくとも一項の方法。
  6. 【請求項６】 塩基として金属アルコラートまたは金属
    アミドを用いることを特徴とする請求項１ないし５の少
    なくとも一項の方法。
  7. 【請求項７】 塩基として第１級または第２級の金属ア
    ルコラートを用いることを特徴とする請求項６の方法。
  8. 【請求項８】 塩基としてカリウム-tert-ブチラート、
    ハロゲノマグネシウムジイソプロピルアミドまたはリチ
    ウムジイソプロピルアミドを用いることを特徴とする請
    求項６の方法。
  9. 【請求項９】 式 II の置換されたベンジルアリールス
    ルホンを製造するに当たり、式 V、すなわち Ar-SO2 (-)Kat(+) V においてAr は前記の意味を有し、 Kat(+)は Li(+)、 Na(+)、K(+)または NR4 (+) を意味
    し、その際R は１ないし８個の炭素原子を有するアル
    キル基を意味する前記の式Vベンジルアリール酸の塩を
    式 VI 、すなわち 【化６】 においてR1、A1、Z1、m および nは前記の意味を有し、そ
    して Xは -OSO2R'（ここで R'は１ないし 12 個の炭素
    原子を有するアルキル、 アリール、またはパーフルオロ
    アルキルである）、Cl、BrまたＩを意味する前記の式VIの
    置換されたベンジルハロゲニドと反応させることを特徴
    とする式IIの置換されたベンジルアリールスルホンの製
    造方法。
  10. 【請求項１０】 前記の式 II のベンジルアリールスル
    ホン化合物。
  11. 【請求項１１】 下記の式 IIaのベンジルアリールスル
    ホン化合物 【化７】 においてm および nは前記の意味を有し、 alkyl は１ないし８個の炭素原子を有するアルキル基を
    意味し、 【化８】 は式、すなわち 【化９】 を意味し、 ｑは０または１を意味する。
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