JPH0511452A

JPH0511452A - ポジ型感光性樹脂組成物

Info

Publication number: JPH0511452A
Application number: JP16532191A
Authority: JP
Inventors: Tsugio Yamaoka; 亜夫山岡; Toshio Banba; 敏夫番場; Etsu Takeuchi; 江津竹内; Toshiro Takeda; 敏郎竹田
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1991-07-05
Filing date: 1991-07-05
Publication date: 1993-01-22
Anticipated expiration: 2014-11-22
Also published as: JP2981024B2

Abstract

(57)【要約】【構成】一般式（１）,（２）,（３）で示される基を
有するモノマー（Ａ）,（Ｂ）,（Ｃ）【化１】について、（Ｂ）と（Ｃ）の割合を（Ｂ）2〜100モル
％、（Ｃ）0〜98モル％とし、かつ（Ａ）,（Ｂ）,
（Ｃ）を（Ａ）／｛（Ｂ）＋（Ｃ）｝＝ 0.9〜1.1 の
割合で重合した重合度 2〜500のポリベンゾオキサゾー
ル前駆体（Ｄ）に、式（４）で示されるポリアミック酸
（Ｅ）、【化２】式（５）,（６）,（７）,（８）又は（９）で示される
ジヒドロピリジン化合物（Ｆ）、【化３】を（Ｄ）100重量部に対して（Ｅ）10〜200重量部、１種
又は２種以上の（Ｆ）10〜100重量部を配してなるポジ
型感光性樹脂組成物。【効果】シリコン酸化膜のような塗布基板に対して高
い密着性を有し、かつ良好な硬化膜機械特性を示すポジ
型感光性樹脂組成物が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロニクス分野
において、保護層ならびに絶縁層の形成に有用な高密着
性を有するポジ型感光性樹脂組成物に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】現在半導体分野において用いられている
ポジ型レジストは、主としてO-ナフトキノンジアジドス
ルホン酸をトリヒドロキシベンゾフェノンなどの水酸基
に反応させたものを、例えばm-クレゾール型ノボラック
樹脂と混合したり、あるいは直接O-ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸とノボラック樹脂を反応させたりしたもの
である。しかしこのようなレジストは、ベース樹脂がノ
ボラック樹脂であることから、高温となる加工プロセス
には適していない。

【０００３】そこで近年、高温時においてパターン形状
が安定である耐熱性のフォトレジストの開発が行われて
いる。特開昭56-27140号公報においては、ポリベンゾオ
キサゾールのオリゴマーまたはポリマー前駆体物質に感
光性のジアゾキノン類を加えた形の耐熱性のポジ型レジ
ストが提案されている。ポリベンゾオキサゾールの前駆
体は、芳香族ジヒドロキシアミノ化合物とジカルボン酸
クロライド又はそのエステルから合成することができる
ポリアミドである。これを約300〜400℃で加熱すると環
化し高耐熱性のポリベンゾオキサゾールに変る。一般に
ポリベンゾオキサゾール樹脂は、耐熱性の他に優れた機
械的特性、電気的特性を持つことが知られている。従っ
て、そのような性質を有するポリベンゾオキサゾール樹
脂を、半導体分野における絶縁層や保護層に利用するこ
とは有効である。さらに、このポリベンゾオキサゾール
を使用した感光性樹脂中にオルガノポリシロキサンイミ
ドを添加することによりシリコン酸化膜等への密着性が
実用上充分な程度まで向上することも見出された（特願
平2-137111号、特願平2-154049号）。

【０００４】しかし、このようなポリベンゾオキサゾー
ルのオリゴマーまたはポリマー前駆体物質に感光性のジ
アゾキノン類を加えた形の耐熱性のポジ型レジストは、
次のような欠点を有する。先ず第一の問題点として密着
性が悪いことが挙げられる。つまり半導体プロセスにお
いて用いられるシリコン酸化膜などに対する密着性が悪
く、現像中にパターンが剥離を起こしてしまうため、そ
のままでは実用性が低く、例えばシラン系カップリング
剤、チタン系カップリング剤、ヘキサメチレンジシラザ
ン、アルミニウムキレート剤等で塗布基板表面を予め前
処理することが必要となり、工程が繁雑であるという欠
点があった。第二の問題点としては、レジストの感度な
らびに残膜率を高めるため感光剤であるジアゾキノン類
の添加量を増やした場合、得られたフィルムが非常に脆
くなる。そのため良好なフィルムを得ようとするとその
添加量が制限されるという欠点があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、半導体プロセスにおいて用いられるシリコン酸
化膜のような塗布基板に対して高い密着性を有し、かつ
優れた硬化膜機械特性を示すポジ型感光性樹脂組成物を
提供するにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式
（１）,（２）,（３）で示される基を有するモノマー
（Ａ）,（Ｂ）,（Ｃ）について、（Ｂ）と（Ｃ）の割合
を（Ｂ）2〜100モル％、（Ｃ）0〜98モル％とし、かつ
（Ａ）,（Ｂ）,（Ｃ）を（Ａ）／｛（Ｂ）＋（Ｃ）｝
＝0.9〜1.1 の割合で重合した重合度 2〜500のポリベン
ゾオキサゾール前駆体（Ｄ）に、式（４）で示されるポ
リアミック酸（Ｅ）、式（５）,（６）,（７）,（８）
又は（９）で示されるジヒドロピリジン化合物（Ｆ）を
（Ｄ）100重量部に対して（Ｅ）10〜200重量部、１種又
は２種以上の（Ｆ）10〜100重量部を配してなるポジ型
感光性樹脂組成物である。

【０００７】

【作用】本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）
の構成成分であるモノマー（Ａ）のＸは芳香族基を示
し、例えば

【０００８】

【化４】

【０００９】などで、これらのうち少なくとも１種類か
ら、あるいは２種類以上から構成されるが、これに限定
されるものではなく、モノマー（Ｂ）のＹは芳香族基を
示し、例えば

【００１０】

【化５】

【００１１】などであるが、これに限定されるものでは
ない。またモノマー（Ｃ）のＺは芳香族基あるいは脂肪
族基を示し、例えば該基を含む原料化合物として、m-フ
ェニレン-ジアミン、p-フェニレン-ジアミン、2,3,5,6-
テトラメチル-p-フェニレンジアミン、1-イソプロピル-
2,4-フェニレン-ジアミン、ビス(トリフルオロメチル)
フェニレンジアミン、m-キシリレン-ジアミン、p-キシ
リレン-ジアミン、メチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン、2,5-ジメチルヘキサメチレンジアミン、3-メト
キシ-ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミ
ン、2,5-ジメチル-ヘプタメチレンジアミン、3-メチル
ヘプタメチレンジアミン、4,4-ジメチル-ヘプタメチレ
ンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジ
アミン、5-メチル-ノナメチレンジアミン、2,5-ジメチ
ル-ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、エ
チレンジアミン、プロピレンジアミン、2,2-ジメチル-
プロピレンジアミン、1,10-ジアミノ-1,10-ジメチルデ
カン、2,11-ジアミノ-ドデカン、1,12-ジアミノ-オクタ
デカン、2,12-ジアミノ-オクタデカン、2,17-ジアミノ-
アイコサン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルメタン、4,4-ジ
アミノ-ジフェニルメタン、3,3-ジメチル-4,4'-ジアミ
ノ-ジフェニルメタン、ビス(p-アミノ-シクロヘキシル)
メタン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルエタン、4,4'-ジア
ミノ-ジフェニルエタン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルエ
ーテル、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテ
ル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノ-ジフェニルエーテ
ル、3,3'-ジアミノ-ジフェニルプロパン、4,4'-ジアミ
ノ-ジフェニルプロパン、2,2'-ビス(p-アミノフェニル)
プロパン、2,2'-ビス(アミノフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2,2'-ビス[4-(p-アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン、2,2'-ビス[(アミノフェノキシ)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、ビス{[(トリフルオロメチル)
アミノフェノキシ]フェニル}ヘキサフルオロプロパン、
2,5-ジアミノ-m-キシレン、2,5-ジアミノ-ｐ-キシレ
ン、2,6-ジアミノ-ピリジン、2,5-ジアミノ-ピリジン、
2,6-ジアミノ-4-トリフルオロメチルピリジン、2,5-ジ
アミノ-1,3,4-オキサジアゾール、1,4-ジアミノ-シクロ
ヘキサン、ピペラジン、4,4'-メチレン-ジアニリン、4,
4'-メチレン-ビス(o-クロルアニリン)、4,4'-メチレン-
ビス(3-メチルアニリン)、4,4'-メチレン-ビス(2-エチ
ルアニリン)、4,4'-メチレン-ビス(2-メトキシアニリ
ン)、4,4'-メチレン-ビス(2-メチルアニリン)、4,4'-オ
キシ-ジアニリン、4,4'-オキシ-ビス(2-メトキシアニリ
ン)、4,4'-オキシ-ビス(2-クロルアニリン)、4,4'-チオ
-ジアニリン、4,4'-チオ-ビス(2-メチルアニリン)、4,
4'-チオ-ビス(2-メトキシアニリン)、4,4'-チオ-ビス(2
-クロルアニリン)、3,3'-スルホニル-ジアニリン、4,4'
-スルホニル-ジアニリン、4,4'-スルホニル-ビス(2-メ
チルアニリン)、4,4'-スルホニル-ビス(2-エトキシアニ
リン)、4,4'-スルホニル-ビス(2-クロルアニリン)、4,
4'-イソプロピリデン-ジアニリン、4,4'-メチレン-ビス
(3-カルボキシアニリン)、1,3-ビス-(3-アミノプロピ
ル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス-(2-アミノエ
チルアミノメチル)-1,1',3,3'-テトラメチルジシロキサ
ン、1,3-ビス-(m-アミノフェニル)-1,1',3,3'-テトラメ
チルジシロキサン、ビス(アミノプロピル)ポリジメチル
シロキサン、ビス(アミノフェニル)ポリジメチルシロキ
サン、1,4-ビス(3-アミノプロピルジメチルシリル)ベン
ゼン、ビス(4-アミノフェニル)ジメチルシラン、ビス(4
-アミノフェニル)ジエチルシラン、ビス(4-アミノフェ
ニル)ジフェニルシラン、ビス(4-アミノフェノキシ)ジ
メチルシラン、5,5-メチレン-ビス-(2-アミノフェノー
ル)、5,5-オキシ-ビス-(2-アミノフェノール)、5,5-ス
ルホニル-ビス-(2-アミノフェノール)、ビス(4-アミノ
フェニル)エチルホスフィンオキサイド、N-[ビス(4-ア
ミノフェニル)]-N-メチルアミン、N-[ビス(4-アミノフ
ェニル)]-N-フェニルアミン、5-アミノ-1-(4-アミノフ
ェニル)-1,3,3-トリメチルインダン、3,3'-ジアミノ-ジ
フェニルスルフィド、4,4'-ジアミノ-ジフェニルスルフ
ィド、3,3'-ジアミノ-ジフェニルスルホン、4,4'-ジア
ミノ-ジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノ-ジフェニル
エーテル、4,4'-ジアミノ-ジフェニルエーテル、2,2'-
ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノ-ジフェニル
エーテル、3,3'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジア
ミノ-ジフェニルエーテル、3,3',5,5'-テトラキス(トリ
フルオロメチル)-4,4'-ジアミノ-ジフェニルエーテル、
ジアミノベンゾ-トリフルオライド、2,6-ジアミノ-4-カ
ルボキシリックベンゼン、ビス{2-[(アミノフェノキシ)
フェニル]ヘキサフルオロイソプロピル}ベンゼン、1,4-
ビス(p-アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェ
ノキシ)ジ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノ
フェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、ビス[(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ]ベン
ゼン、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼ
ン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-
ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、ジア
ミノ-テトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ
(ペンタフロオロエチル)ベンゼン、ベンジジン、3,3'-
ジメチルベンジジン、3,3'-ジメトキシ-ベンジジン、2,
2'-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、3,3'-ビス
(トリフルオロメチル)ベンジジン、3,3'-ジクロルベン
ジジン、3,3'-ジカルボキシベンジジン、3,3'-ジアミノ
-4,4'-ジカルボキシリックベンジジン、3,3'-ジアミノ-
ビフェニル、3,4'-ジアミノ-ビフェニル、4,4'-ジアミ
ノ-ビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノ-ビフェ
ニル、4,4'-ビス(p-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビ
ス[(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ]ビフェニ
ル、3,3'-ジアミノ-ベンゾフェノン、3,4'-ジアミノ-ベ
ンゾフェノン、4,4'-ジアミノ-ベンゾフェノン、3,3'-
ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノ-ベンゾフェ
ノン、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノ-ベンゾフェノン、
3,3'-ジメトキシ-4,4'-ジアミノ-ベンゾフェノン、3,3'
-ジクロル-4,4'-ジアミノ-ベンゾフェノン、3,3"-ジア
ミノ-p-テルフェニル、4,4"-ジアミノ-p-テルフェニ
ル、4,4"-ジアミノ-クオーターフェニル、1,5-ジアミノ
-ナフタレン、2,6-ジアミノ-ナフタレン、2,4-ジアミノ
-トルエン、2,5-ジアミノ-トルエン、2,4-ビス(β-アミ
ノ-t-ブチル)トルエンなどを用いることができるが、こ
れに限定されるものではない。

【００１２】本発明の式（４）で示されるポリアミック
酸は、特公昭43-27439号公報にオルガノポリシロキサン
イミドとして明示されている公知物質であり、その特長
及び用途は単独で使用することにより耐高湿性を有する
絶縁材料として有用であると紹介されている。

【００１３】本発明は、式（４）で示されるポリアミッ
ク酸（Ｅ）を、本発明の感光性樹脂組成物の一成分とし
て使用することにより、予想もされなかった著しく優れ
た特徴が発現されることを見出しなされたものである。
すなわち、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）100重
量部に対してポリアミック酸（Ｅ）を10〜200重量部添
加すると、半導体プロセスにおいて用いられるシリコン
酸化膜などの基板に対する密着性が著しく向上した。ポ
リアミック酸（Ｅ）が10重量部未満であると基板に対す
る密着性が不充分で、現像工程で現像液にさらされると
剥離してしまう。200重量部より多いと樹脂組成物の溶
解性が大きくなりすぎ、露光部も未露光部も溶解し、パ
ターンの形成が困難になってしまう。

【００１４】本発明によるポリアミック酸（Ｅ）の添加
により、今までのように、ウェハー等の基板表面を例え
ばシラン系カップリング剤、ヘキサメチレンジシラザ
ン、アルミニウムキレート剤等の密着性向上剤で予め前
処理するという繁雑な工程が必要でなくなった。

【００１５】また本発明において用いられる式（５）,
（６）,（７）,（８）又は（９）で示されるジヒドロピ
リジン化合物（Ｆ）を本発明の感光性樹脂組成物の一成
分として用いると、非常に良好なフィルムが得られるこ
とを見出した。このジヒドロピリジン化合物について
は、例えば、Journal of the Chemical Society誌第198
1巻の1835頁（1931年）等において記載されており、こ
れらの化合物が感光性を示すことは公知である。また最
近では Journal of Imaging Sciense誌第34巻58頁（199
0年）において、ノボラック樹脂と組合せると良好なポ
ジ型のレリーフパターンが得られるということは報告さ
れている。本発明者等は、式（５）,（６）,（７）,
（８）又は（９）で示されるジヒドロピリジン化合物
（Ｆ）を本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体及びポ
リアミック酸を主体とする感光性樹脂組成物の一成分と
して用いると良好なポジ型のレリーフパターンが得られ
るという新たな特性が付与できることを見出した。これ
はポリベンゾオキサゾール前駆体とナフトキノンジアジ
ドからなる特開昭56-27140号公報において示されるポジ
型レジストにおいては非常に機械特性に劣るフィルムし
か得られないという大きな欠点を解決するものである。
これらジヒドロピリジン化合物は、最終硬化時において
大部分が飛散し、フィルム膜中に残らないという利点が
あり、硬化後のフィルム特性を非常に向上させる。例え
ばポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）100重量部とポ
リアミック酸（Ｅ）10〜200重量部に対してジヒドロピ
リジン化合物（Ｆ）を10〜100重量部を配してなるポジ
型感光性樹脂組成物より得られるフィルムはナフトキノ
ンジアジド化合物を用いたものよりも機械特性において
非常に優れるということを見出した。このジヒドロピリ
ジン化合物が10重量部未満になると非常に樹脂の溶解性
が増し、その結果、現像後の残膜率（現像後の膜厚／現
像前の膜厚）が非常に低く、100重量部以上用いると組
成物の保存安定性が悪くなるので好ましくない。本発明
のジヒドロピリジン化合物（Ｆ）は、ハンチ（Hantzsc
h）のピリジン合成法を利用して合成することができ
る。例えば（６）のジヒドロピリジン化合物は、2モル
のアセト酢酸エチルと1モルの2-ニトロベンズアルデヒ
ドアンモニアをエタノール中で還流することにより製造
することができる。

【００１６】本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、ポリ
ベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）とポリアミック酸
（Ｅ）とジヒドロピリジン化合物（Ｆ）を溶媒に溶かし
て作るが、溶媒としては例えば、N-メチルピロリドン、
N,N-ジメチルアセトアミドなどが使用できる。しかしこ
れに限定されるものではない。

【００１７】本発明による感光性樹脂組成物の使用方法
は、まず、該組成物を適当な支持体、例えばシリコンウ
ェハーやセラミック基板などに塗布する。塗布方法は、
スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用い
た噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティングなどで行
なう。次に、60〜100℃の低温でプリベークして塗膜を
乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学
線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線などが使
用できるが、200〜500nmの波長のものが好ましい。

【００１８】次に露光部を現像液で溶解除去することに
よりパターンを得る。現像液としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウ
ム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アル
カリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミ
ン類、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン等の第二
アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等
の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタ
ノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド等の第四級アンモニウム塩等アルカリ類の水
溶液、及びこれにメタノール、エタノールのようなアル
コール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加
した水溶液を好適に使用することができる。現像方法と
しては、例えばスプレー、パドル、浸漬、超音波などの
方式が可能である。

【００１９】次に、現像によって形成したパターンをリ
ンスする。リンス液としては、例えば蒸留水を使用す
る。次に加熱処理を行ない、オキサゾール環を形成し、
耐熱性に富む最終パターンを得る。

【００２０】本発明による感光性樹脂組成物は、半導体
用途のみならず、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブル
銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向
膜などとしても有用である。以下実施例により本発明を
具体的に説明する。

【００２１】

【実施例】

（実施例１）（ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）の合成）温度
計、撹拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた
四つ口のセパラブルフラスコに、ヘキサフルオロ-2,2-
ビス(2-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン 36.63
ｇ（0.100モル）をジメチルアセトアミド130ml及びピリ
ジン 16.61ｇ（0.210モル）の溶液に溶解した。次にシ
クロヘキサン40mlに溶解したイソフタル酸クロライドと
テレフタル酸クロライドの両者等モルの混合物 21.32ｇ
（0.105モル）を−10〜−15℃で30分間かけて滴下し、
その後室温で４時間撹拌し、反応を終了した。反応混合
物を濾過した後、濾液を水中に投入しポリマーを沈澱さ
せた。このポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）を濾集
し、水で充分洗浄した後、真空下80℃で１昼夜乾燥させ
た。

【００２２】（ポリアミック酸（Ｅ）の合成）1,3-ビス
(γ-アミノプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルシロキサン
43.55ｇ(17.52モル)とベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物 56.45ｇ(17.52モル)をN-メチル-2-ピロリド
ン 400ｇに溶解し、室温で５時間撹拌した。反応溶液を
水に投入し、沈澱を得、80℃で真空乾燥した。

【００２３】（2,6-ジメチル-3,5-ジカルボメトキシ-4-
(2'-ニトロフェニル)-1,4-ジヒドロピリジン（Ｆ）の合
成）2-ニトリロベンズアルデヒド 30.22ｇ(0.20モル)と
アセト酢酸メチル 46.45ｇ(0.40モル）をエタノールに
溶解した後、冷却しながら水酸化アンモニウム 5.12ｇ
(0.30モル)をゆっくり加える。３時間環流後室温まで冷
却し、得られた結晶をエタノールで再結晶した後、50℃
で真空乾燥した。

【００２４】（感光性樹脂組成物の作製）合成したポリ
ベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）100重量部、ポリアミ
ック酸（Ｅ）20重量部、ジヒドロピリジン化合物（Ｆ）
30重量部をN-メチルピロリドン200重量部に溶解し、組
成物を得た。

【００２５】得られた組成物をシリコン上にスピンナー
で塗布し、ホットプレート上で溶媒を乾燥させて、厚み
約10μmのフィルムを得た。このフイルムに凸版印刷
製解像度測定用マスク（凸版テストチャートNo.1）を重
ね、800mJ/cm²の紫外線を照射し、次に1.07％のテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、更に蒸
留水でよくリンスをしたところ、解像度5.0μｍまでの
良好なパターンが形成され、高解像度であることがわか
った。なおこの時現像時においてパターンの剥がれ等は
全く見られず、高密着であることがわかった。

【００２６】これとは別に、得られた組成物をアルミ板
の上にスピンナーで塗布し、乾燥機で350℃まで３時間
かけて昇温した後、アルミ板をエッチングして除去し、
厚み約30μmのフィルムを得た。このフィルムの機械特
性をJIS K 6760の試験方法により測定したところ、引張
強さ12kg／mm²、引張弾性率300kg/mm²、引張伸び率10.2
％と非常に優れた機械特性を示した。

【００２７】（比較例１〜２）実施例１においてポリア
ミック酸（Ｅ）の添加量を5重量部にしたところ（比較
例１）、現像時に剥がれが起こりパターンができなかっ
た。逆に250重量部に増やしたところ（比較例２）、露
光部も未露光部も溶解し、パターンが残らなかった。

【００２８】（比較例３〜４）実施例１において、2,6-
ジメチル-3,5-ジカルボメトキシ-4-(2'-ニトロフェニ
ル)-1,4-ジヒドロピリジンの添加量を5重量部にしたと
ころ（比較例３）、未露光部の溶解性が高く、パターン
形成ができなかった。逆に125重量部に増やしたところ
（比較例４）、組成物を冷凍保存中に析出が起こり、保
存安定性に問題があった。

【００２９】（比較例５）実施例１において、2,6-ジメ
チル-3,5-ジカルボメトキシ-4-(2'-ニトロフェニル)-1,
4-ジヒドロピリジンの代りに、β,β-ビス-(4-ヒドロキ
シフェニル)-プロパンのビス-ナフトキノン-(1,2)-ジア
ジド-(2)-5-スルホン酸エステルを30重量部加えて組成
物を得た。その組成物から実施例１と同じ方法でフィル
ムを作製し、その機械特性を測定したところ、引張強さ
6.8kg／mm²、引張弾性率317kg/mm²、引張伸び率2.6％
と、実施例１で得られたフィルムと比べて低い機械特性
を示した。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、シリコン酸化膜のよう
な塗布基板に対して高い密着性を有し、かつ良好な硬化
膜機械特性を示すポジ型感光性樹脂組成物が得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０３Ｆ 7/075 ５２１ 7124−2ＨＨ０１Ｌ 21/027

Claims

【特許請求の範囲】【請求項１】一般式（１）,（２）,（３）で示される
基を有するモノマー（Ａ）,（Ｂ）,（Ｃ）【化１】について、（Ｂ）と（Ｃ）の割合を（Ｂ）2〜100モル
％、（Ｃ）0〜98モル％とし、かつ（Ａ）,（Ｂ）,
（Ｃ）を（Ａ）／｛（Ｂ）＋（Ｃ）｝＝ 0.9〜1.1 の
割合で重合した重合度 2〜500のポリベンゾオキサゾー
ル前駆体（Ｄ）に、式（４）で示されるポリアミック酸
（Ｅ）、【化２】式（５）,（６）,（７）,（８）又は（９）で示される
ジヒドロピリジン化合物（Ｆ）、【化３】を（Ｄ）100重量部に対して（Ｅ）10〜200重量部、１種
又は２種以上の（Ｆ）10〜100重量部を配してなるポジ
型感光性樹脂組成物。