JPH05114546A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH05114546A JPH05114546A JP3273667A JP27366791A JPH05114546A JP H05114546 A JPH05114546 A JP H05114546A JP 3273667 A JP3273667 A JP 3273667A JP 27366791 A JP27366791 A JP 27366791A JP H05114546 A JPH05114546 A JP H05114546A
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- reflecting mirror
- intensity
- synchrotron radiation
- reflecting
- ray
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料に照射されるＸ線の強度を従来に比べ精
度よく一定にすることのできるＸ線露光装置を提供す
る。 【構成】 Ｘ線露光装置は、Ｘ線発生源（１）から出射
するＸ線（２０）を反射鏡（１０ａ、１０ｂ）で反射さ
せて試料（４）に照射する。試料（４）に照射されるＸ
線（２０ｂ）の強度が一定になるように、反射鏡（１０
ａ、１０ｂ）の反射特性が反射角に依存して異なること
に基づいて反射鏡（１０ａ、１０ｂ）を移動させる反射
鏡移動手段（１３ａ、１３ｂ）を備える。
度よく一定にすることのできるＸ線露光装置を提供す
る。 【構成】 Ｘ線露光装置は、Ｘ線発生源（１）から出射
するＸ線（２０）を反射鏡（１０ａ、１０ｂ）で反射さ
せて試料（４）に照射する。試料（４）に照射されるＸ
線（２０ｂ）の強度が一定になるように、反射鏡（１０
ａ、１０ｂ）の反射特性が反射角に依存して異なること
に基づいて反射鏡（１０ａ、１０ｂ）を移動させる反射
鏡移動手段（１３ａ、１３ｂ）を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線露光装置に係り、
特にＸ線発生源から出射するＸ線を反射鏡で反射させて
試料に照射するＸ線露光装置に関する。
特にＸ線発生源から出射するＸ線を反射鏡で反射させて
試料に照射するＸ線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のより高い高集積化の要請に
伴い、超ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を製造する際の微細加工
手段の一つとしてＸ線リソグラフィー技術が検討されて
いる。そして近年、Ｘ線リソグラフィー用の極めて強力
なＸ線としてシンクロトロン放射光が注目され、このシ
ンクロトロン放射光を用いたＸ線露光装置の開発が進め
られている。
伴い、超ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を製造する際の微細加工
手段の一つとしてＸ線リソグラフィー技術が検討されて
いる。そして近年、Ｘ線リソグラフィー用の極めて強力
なＸ線としてシンクロトロン放射光が注目され、このシ
ンクロトロン放射光を用いたＸ線露光装置の開発が進め
られている。
【０００３】図５にシンクロトロン放射光発生装置１を
備える従来のＸ線露光装置を示す。図５において、シン
クロトロン放射光発生装置１には入射部６が接続されて
おり、この入射部６を介して入射用加速器５から電子ビ
ームが送られる。シンクロトロン放射光発生装置１に送
られた電子ビームは真空ダクト７内を周回し、真空ダク
ト７内に蓄積される。電子ビームはシンクロトロン放射
光発生装置１の４隅に載置された偏向電磁石８によって
進行方向を変えられ、この際にシンクロトロン放射光を
発生する。
備える従来のＸ線露光装置を示す。図５において、シン
クロトロン放射光発生装置１には入射部６が接続されて
おり、この入射部６を介して入射用加速器５から電子ビ
ームが送られる。シンクロトロン放射光発生装置１に送
られた電子ビームは真空ダクト７内を周回し、真空ダク
ト７内に蓄積される。電子ビームはシンクロトロン放射
光発生装置１の４隅に載置された偏向電磁石８によって
進行方向を変えられ、この際にシンクロトロン放射光を
発生する。
【０００４】発生したシンクロトロン放射光は強い指向
性を有し、ビームポート２およびミラーボックス３から
なるシンクロトロン放射光照射部９を介して露光部４に
照射される。
性を有し、ビームポート２およびミラーボックス３から
なるシンクロトロン放射光照射部９を介して露光部４に
照射される。
【０００５】図６に従来のシンクロトロン放射光照射部
９を示す。図６において、ミラーボックス３内にはミラ
ー１０が納められている。シンクロトロン放射光はミラ
ー１０を所定角度振ることによって露光部４における必
要な露光面積を照射し、回路パターンの転写等が行われ
る。
９を示す。図６において、ミラーボックス３内にはミラ
ー１０が納められている。シンクロトロン放射光はミラ
ー１０を所定角度振ることによって露光部４における必
要な露光面積を照射し、回路パターンの転写等が行われ
る。
【０００６】ところで、シンクロトロン放射光発生装置
１に蓄積された電子ビームの電流は、電子と真空ダクト
７内の残留ガスとの衝突、電子同志の衝突、あるいは電
子シンクロトロン振動が大きくなるため電子がｒｆ−ｂ
ａｃｋｅｔからこぼれること等の原因により、一般に徐
々に減少してゆくことが知られている。電子ビームの強
度Ｉは、当初蓄積していた電子ビーム電流の強度Ｉｏと
すると、時間ｔの経過と共に式Ｉ＝Ｉｏ・ｅｘｐ（−ｔ
／τ）に従って減少する。ここでτは蓄積された電子ビ
ームの寿命を表す。
１に蓄積された電子ビームの電流は、電子と真空ダクト
７内の残留ガスとの衝突、電子同志の衝突、あるいは電
子シンクロトロン振動が大きくなるため電子がｒｆ−ｂ
ａｃｋｅｔからこぼれること等の原因により、一般に徐
々に減少してゆくことが知られている。電子ビームの強
度Ｉは、当初蓄積していた電子ビーム電流の強度Ｉｏと
すると、時間ｔの経過と共に式Ｉ＝Ｉｏ・ｅｘｐ（−ｔ
／τ）に従って減少する。ここでτは蓄積された電子ビ
ームの寿命を表す。
【０００７】半導体の露光工程においては、均一の露光
条件に揃える必要があるため、シンクロトロン放射光の
強度はできるだけ時間的に一定であることが要求され
る。
条件に揃える必要があるため、シンクロトロン放射光の
強度はできるだけ時間的に一定であることが要求され
る。
【０００８】日本の主な電気メーカ等によって設立され
た株式会社ＳＯＲＴＥＣ（以後、ソルテックという）に
よって製造されたシンクロトロン放射光発生装置におい
ては、電子ビーム電流がわずかに減少するとその分の電
子ビームを追加注入することによって、長時間に渡って
電子ビーム電流の変動を抑制できるようになっている。
この結果、電子ビーム電流の変動を±０．５％以内に制
御できた（平成３年電気学会電子・情報・システム部門
全国大会予稿「ソルテックにおけるＳＯＲ光源施設の現
状」）。
た株式会社ＳＯＲＴＥＣ（以後、ソルテックという）に
よって製造されたシンクロトロン放射光発生装置におい
ては、電子ビーム電流がわずかに減少するとその分の電
子ビームを追加注入することによって、長時間に渡って
電子ビーム電流の変動を抑制できるようになっている。
この結果、電子ビーム電流の変動を±０．５％以内に制
御できた（平成３年電気学会電子・情報・システム部門
全国大会予稿「ソルテックにおけるＳＯＲ光源施設の現
状」）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ソルテ
ックにおける電子ビーム電流の変動を制御する手法によ
っても、シンクロトロン放射光の強度を一定に制御する
ことは不十分であった。特に、電子ビーム電流の減少に
応じてその分の電子ビームを追加注入するため、図３の
（ｂ）に示すように、シンクロトロン放射光の強度が鋸
歯状に変動してしまうという問題点があった。
ックにおける電子ビーム電流の変動を制御する手法によ
っても、シンクロトロン放射光の強度を一定に制御する
ことは不十分であった。特に、電子ビーム電流の減少に
応じてその分の電子ビームを追加注入するため、図３の
（ｂ）に示すように、シンクロトロン放射光の強度が鋸
歯状に変動してしまうという問題点があった。
【００１０】また、ソルテックによる電子ビーム電流の
変動を制御する手法においては、電子ビームの寿命が長
くない場合やシンクロトロン放射光の安定度の要求が厳
しい場合には、減少した電子ビーム電流分を頻繁に追加
注入する必要があるため、電子入射器５を頻繁に稼働し
なければならなくなる。このため、電子入射器５の電源
を大きくする必要があったり、電子入射器５の定期点検
を行う期間を短くする必要があるという問題点があっ
た。例えば、シンクロトロン放射光の強度の必要な安定
度を±０．５％以内としたとき、電子ビームの寿命が２
時間のシンクロトロン放射光発生装置１の場合には追加
注入の時間間隔は約１分以内である必要がある。
変動を制御する手法においては、電子ビームの寿命が長
くない場合やシンクロトロン放射光の安定度の要求が厳
しい場合には、減少した電子ビーム電流分を頻繁に追加
注入する必要があるため、電子入射器５を頻繁に稼働し
なければならなくなる。このため、電子入射器５の電源
を大きくする必要があったり、電子入射器５の定期点検
を行う期間を短くする必要があるという問題点があっ
た。例えば、シンクロトロン放射光の強度の必要な安定
度を±０．５％以内としたとき、電子ビームの寿命が２
時間のシンクロトロン放射光発生装置１の場合には追加
注入の時間間隔は約１分以内である必要がある。
【００１１】また、複数のシンクロトロン放射光発生装
置１を１台の電子入射器５を介して追加注入する場合に
は、シンクロトロン放射光発生装置の台数に応じて追加
注入の時間間隔を変える必要があり繁雑である。
置１を１台の電子入射器５を介して追加注入する場合に
は、シンクロトロン放射光発生装置の台数に応じて追加
注入の時間間隔を変える必要があり繁雑である。
【００１２】また、電子ビームの寿命を長くすることに
より追加注入の時間間隔を長くすることができるが、こ
のためにはシンクロトロン放射光発生装置１内の圧力を
非常に低くする必要がある。この場合、排気ポンプの排
気速度を大きくするか、あるいはシンクロトロン放射光
発生装置１のコンディショニングに長く時間を要すると
いう問題点があった。
より追加注入の時間間隔を長くすることができるが、こ
のためにはシンクロトロン放射光発生装置１内の圧力を
非常に低くする必要がある。この場合、排気ポンプの排
気速度を大きくするか、あるいはシンクロトロン放射光
発生装置１のコンディショニングに長く時間を要すると
いう問題点があった。
【００１３】そこで本発明の目的は、上記従来技術の有
する問題を解消し、試料に照射されるＸ線の強度を従来
に比べ精度よく一定にすることのできるＸ線露光装置を
提供することである。
する問題を解消し、試料に照射されるＸ線の強度を従来
に比べ精度よく一定にすることのできるＸ線露光装置を
提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、Ｘ線発生源から出射するＸ線を反射鏡で
反射させて試料に照射するＸ線露光装置において、前記
反射鏡の反射特性が反射角に依存して異なることに基づ
いて、試料に照射されるＸ線の強度が一定になるよう
に、前記反射鏡を移動させる反射鏡移動手段を備えるこ
とを特徴とする。
に、本発明は、Ｘ線発生源から出射するＸ線を反射鏡で
反射させて試料に照射するＸ線露光装置において、前記
反射鏡の反射特性が反射角に依存して異なることに基づ
いて、試料に照射されるＸ線の強度が一定になるよう
に、前記反射鏡を移動させる反射鏡移動手段を備えるこ
とを特徴とする。
【００１５】
【作用】Ｘ線を試料に照射する反射鏡を回転または並進
移動させて、反射鏡に入射するＸ線の反射角を反射鏡の
反射特性が反射角に依存して異なることに基づいて変え
ることにより、試料に照射されるＸ線の強度を一定にす
る。
移動させて、反射鏡に入射するＸ線の反射角を反射鏡の
反射特性が反射角に依存して異なることに基づいて変え
ることにより、試料に照射されるＸ線の強度を一定にす
る。
【００１６】
【実施例】以下に本発明によるＸ線露光装置の一実施例
を図１乃至図４を参照して説明する。図５および図６と
同一部材には同一符号を付して説明する。
を図１乃至図４を参照して説明する。図５および図６と
同一部材には同一符号を付して説明する。
【００１７】図１において、シンクロトロン放射光放射
部９はシンクロトロン放射光発生装置１から放射された
シンクロトロン放射光２０を全反射する第１反射鏡１０
ａと、この第１反射鏡１０ａで反射された放射光２０ａ
を全反射して放射光２０ｂにする第２反射鏡１０ｂと、
第１反射鏡１０ａを移動する第１反射鏡移動手段１３ａ
と、第２反射鏡１０ｂを移動する第２反射鏡移動手段１
３ｂと、露光部４に照射される放射光２０ｂの強度をモ
ニターする放射光モニター手段１１と、放射光モニター
手段１１の検出信号に応じて反射鏡移動手段１３ａ、１
３ｂを移動させる反射鏡制御装置１２とを備えている。
部９はシンクロトロン放射光発生装置１から放射された
シンクロトロン放射光２０を全反射する第１反射鏡１０
ａと、この第１反射鏡１０ａで反射された放射光２０ａ
を全反射して放射光２０ｂにする第２反射鏡１０ｂと、
第１反射鏡１０ａを移動する第１反射鏡移動手段１３ａ
と、第２反射鏡１０ｂを移動する第２反射鏡移動手段１
３ｂと、露光部４に照射される放射光２０ｂの強度をモ
ニターする放射光モニター手段１１と、放射光モニター
手段１１の検出信号に応じて反射鏡移動手段１３ａ、１
３ｂを移動させる反射鏡制御装置１２とを備えている。
【００１８】反射鏡制御装置１２には、Ｘ線の強度の一
定値として目標とする目標値が予め設定されており、放
射光モニター手段１１の検出信号がこの目標値と一致す
るように、第１反射鏡移動手段１３ａおよび第２反射鏡
移動手段１３ｂに制御信号が送られる。
定値として目標とする目標値が予め設定されており、放
射光モニター手段１１の検出信号がこの目標値と一致す
るように、第１反射鏡移動手段１３ａおよび第２反射鏡
移動手段１３ｂに制御信号が送られる。
【００１９】放射光モニター手段１１は放射光の全量を
測定するものであっても、特定の波長あるいは波長範囲
のＸ線の量を測定するものであってもよい。
測定するものであっても、特定の波長あるいは波長範囲
のＸ線の量を測定するものであってもよい。
【００２０】図２に一枚の反射鏡の反射角に対するＸ線
反射率の関係の一例を示す。反射角に対するＸ線反射率
の関係は一般にＸ線の波長によって変わる。図２は波長
が１０オングストロームのＸ線について示したものであ
る。横軸の反射角の単位はｍｒａｄである。図２からわ
かるように、Ｘ線の反射率は反射角に依存して大きく変
化する。
反射率の関係の一例を示す。反射角に対するＸ線反射率
の関係は一般にＸ線の波長によって変わる。図２は波長
が１０オングストロームのＸ線について示したものであ
る。横軸の反射角の単位はｍｒａｄである。図２からわ
かるように、Ｘ線の反射率は反射角に依存して大きく変
化する。
【００２１】なお、第１反射鏡移動手段１３ａと第２反
射鏡移動手段１３ｂとは連動して第１反射鏡１０ａおよ
び第２反射鏡１０ｂを移動できるようになっている。第
１反射鏡１０ａおよび第２反射鏡１０ｂの各々の連動し
て調整されるべき反射角の値は、図２に示すＸ線の反射
率の反射角依存性に基づいて、露光部４に照射される放
射光２０ｂの強度を連続的に補正できるように予め演算
されている。この演算結果に基づき反射鏡制御装置１２
には、放射光２０ｂの強度が目標値となるように、第１
反射鏡移動手段１３ａおよび第２反射鏡移動手段１３ｂ
の各々に制御信号を送るようになっている。
射鏡移動手段１３ｂとは連動して第１反射鏡１０ａおよ
び第２反射鏡１０ｂを移動できるようになっている。第
１反射鏡１０ａおよび第２反射鏡１０ｂの各々の連動し
て調整されるべき反射角の値は、図２に示すＸ線の反射
率の反射角依存性に基づいて、露光部４に照射される放
射光２０ｂの強度を連続的に補正できるように予め演算
されている。この演算結果に基づき反射鏡制御装置１２
には、放射光２０ｂの強度が目標値となるように、第１
反射鏡移動手段１３ａおよび第２反射鏡移動手段１３ｂ
の各々に制御信号を送るようになっている。
【００２２】また、第１反射鏡１０ａおよび第２反射鏡
１０ｂは回転変位および並進変位をできるようになって
いる。これにより放射光２０ｂの強度を調整するととも
に露光部４の所定範囲からはずれることなくＸ線を照射
することができる。
１０ｂは回転変位および並進変位をできるようになって
いる。これにより放射光２０ｂの強度を調整するととも
に露光部４の所定範囲からはずれることなくＸ線を照射
することができる。
【００２３】なお、第１反射鏡１０ａおよび第２反射鏡
１０ｂが移動しても放射光２０ｂの経路が変動しないよ
うに連動機構を機構学的に工夫することも可能である。
１０ｂが移動しても放射光２０ｂの経路が変動しないよ
うに連動機構を機構学的に工夫することも可能である。
【００２４】また、図１において、簡単のために第１反
射鏡１０ａを回転変位のみさせ、第２反射鏡１０ｂを回
転変位および並進変位させることが点線で示されてい
る。図２の横軸に示されるように反射角の回転角が微小
であることを考慮すると、このような移動によっても放
射光２０ｂの強度を調整することができる。
射鏡１０ａを回転変位のみさせ、第２反射鏡１０ｂを回
転変位および並進変位させることが点線で示されてい
る。図２の横軸に示されるように反射角の回転角が微小
であることを考慮すると、このような移動によっても放
射光２０ｂの強度を調整することができる。
【００２５】また、複数の反射鏡１０ａ、１０ｂを設け
ることにより、Ｘ線の照射量の調整範囲を広くとること
ができる。これによってシンクロトロン放射光発生装置
１におけるＸ線の強度の変動が大きい場合でも、露光部
４におけるＸ線の強度を一定に補正することができる。
例えば、反射鏡１０ａ、１０ｂをほぼ平行にして反射角
を１８ｍｒａｄから３０ｍｒａｄまで変化させることに
より、照射量は各々の反射率の積になることより略０．
７７から０．１３まで調整範囲をとることができる。す
なわち、例えば最初シンクロトロン放射光発生装置１に
１００ｍＡの電子ビーム電流が蓄積されていた場合に、
反射鏡１０ａ、１０ｂの反射角を大きく設定しておけ
ば、電子ビーム電流が略１７ｍＡに減衰したとしても反
射鏡１０ａ、１０ｂの反射角を小さくすることにより、
露光部４に一定の強度のＸ線を照射することができる。
ることにより、Ｘ線の照射量の調整範囲を広くとること
ができる。これによってシンクロトロン放射光発生装置
１におけるＸ線の強度の変動が大きい場合でも、露光部
４におけるＸ線の強度を一定に補正することができる。
例えば、反射鏡１０ａ、１０ｂをほぼ平行にして反射角
を１８ｍｒａｄから３０ｍｒａｄまで変化させることに
より、照射量は各々の反射率の積になることより略０．
７７から０．１３まで調整範囲をとることができる。す
なわち、例えば最初シンクロトロン放射光発生装置１に
１００ｍＡの電子ビーム電流が蓄積されていた場合に、
反射鏡１０ａ、１０ｂの反射角を大きく設定しておけ
ば、電子ビーム電流が略１７ｍＡに減衰したとしても反
射鏡１０ａ、１０ｂの反射角を小さくすることにより、
露光部４に一定の強度のＸ線を照射することができる。
【００２６】また、露光部４における露光面積を拡大す
るために、反射鏡１０ａまたは１０ｂを振ることによっ
て行われる。また特開昭６２−１３９００号公報に提案
されているようにシンクロトロン放射光発生装置１の出
口の放射光２０自身を振る場合には、反射鏡１０ａ、１
０ｂを振る必要はない。
るために、反射鏡１０ａまたは１０ｂを振ることによっ
て行われる。また特開昭６２−１３９００号公報に提案
されているようにシンクロトロン放射光発生装置１の出
口の放射光２０自身を振る場合には、反射鏡１０ａ、１
０ｂを振る必要はない。
【００２７】次に本実施例の作用について説明する。
【００２８】シンクロトロン放射光発生装置１から放出
される放射光２０は蓄積した電子ビーム電流の強度にほ
ぼ比例する強度を有し、電子ビーム電流の減衰とともに
放射光２０の強度も減衰する。また、電子ビームの追加
注入をする場合にはその際放射光２０の強度が増加す
る。
される放射光２０は蓄積した電子ビーム電流の強度にほ
ぼ比例する強度を有し、電子ビーム電流の減衰とともに
放射光２０の強度も減衰する。また、電子ビームの追加
注入をする場合にはその際放射光２０の強度が増加す
る。
【００２９】露光部４に照射される放射光２０ｂの強度
が目標値に比べて高いときには、反射鏡１０ａ、１０ｂ
に対する反射角を大きくしてＸ線の反射率を小さくす
る。また、放射光２０ｂの強度が目標値に比べて低いと
きには、反射鏡１０ａ、１０ｂに対する反射角を小さく
してＸ線の反射率を大きくする。
が目標値に比べて高いときには、反射鏡１０ａ、１０ｂ
に対する反射角を大きくしてＸ線の反射率を小さくす
る。また、放射光２０ｂの強度が目標値に比べて低いと
きには、反射鏡１０ａ、１０ｂに対する反射角を小さく
してＸ線の反射率を大きくする。
【００３０】本実施例の構成によれば、第１反射鏡移動
手段１３ａおよび第２反射鏡移動手段１３ｂによって第
１反射鏡１０ａおよび第２反射鏡１０ｂの反射角を変え
ることができるので、シンクロトロン放射光発生装置１
から放出される放射光２０の強度が変動したとしても、
図３（ａ）に示すように露光部４に照射される放射光２
０ｂの照射強度が一定になるように調整することができ
る。
手段１３ａおよび第２反射鏡移動手段１３ｂによって第
１反射鏡１０ａおよび第２反射鏡１０ｂの反射角を変え
ることができるので、シンクロトロン放射光発生装置１
から放出される放射光２０の強度が変動したとしても、
図３（ａ）に示すように露光部４に照射される放射光２
０ｂの照射強度が一定になるように調整することができ
る。
【００３１】また、複数の反射鏡１０ａおよび１０ｂの
反射角を変えることにより露光部４に照射される放射光
２０ｂの照射強度の調整範囲を大きくとることができる
ので、電子ビームを追加注入する必要をなくすることが
できる。これにより、図３（ｂ）に示すようなＸ線の強
度のリップルを避けることができる。
反射角を変えることにより露光部４に照射される放射光
２０ｂの照射強度の調整範囲を大きくとることができる
ので、電子ビームを追加注入する必要をなくすることが
できる。これにより、図３（ｂ）に示すようなＸ線の強
度のリップルを避けることができる。
【００３２】また、電子ビームを追加注入するとして
も、大部分の調整範囲を複数の反射鏡１０ａおよび１０
ｂの反射角を変えることにより置換できるので、電子ビ
ームを追加注入する間隔を従来に比べて大きくすること
ができる。
も、大部分の調整範囲を複数の反射鏡１０ａおよび１０
ｂの反射角を変えることにより置換できるので、電子ビ
ームを追加注入する間隔を従来に比べて大きくすること
ができる。
【００３３】さらに、通常、シンクロトロン放射光発生
装置１には複数のビームポート２が接続されているが、
本実施例によれば各々のビームポート２に接続されてい
る反射鏡の反射角を独立に調整することができる。これ
により、電子ビームの追加入射を行った場合に各々のビ
ームポート２に対応する露光部４までの放射光の強度の
ばらつきがあっても、各々の反射鏡の反射角を独立に調
整することにより各々の露光部４における放射光の強度
を均一にすることができる。
装置１には複数のビームポート２が接続されているが、
本実施例によれば各々のビームポート２に接続されてい
る反射鏡の反射角を独立に調整することができる。これ
により、電子ビームの追加入射を行った場合に各々のビ
ームポート２に対応する露光部４までの放射光の強度の
ばらつきがあっても、各々の反射鏡の反射角を独立に調
整することにより各々の露光部４における放射光の強度
を均一にすることができる。
【００３４】次に本発明の第２実施例を図４を参照して
説明する。
説明する。
【００３５】図４においては、第１実施例と異なり、第
１反射鏡１０ａと第２反射鏡１０ｂとは放射光２０ａに
対して同じ側の配置されている。また、露光部４の照射
されるＸ線を直接モニターせずに、シンクロトロン放射
光発生装置１から放射される放射光２０ｃを放射光モニ
ター手段１１によってモニターしている。なお、放射光
２０ｃの放射光モニター手段１１でモニターする代わり
に、シンクロトロン放射光発生装置１に蓄積された電子
ビーム電流をモニター１５によってモニターしてもよ
い。
１反射鏡１０ａと第２反射鏡１０ｂとは放射光２０ａに
対して同じ側の配置されている。また、露光部４の照射
されるＸ線を直接モニターせずに、シンクロトロン放射
光発生装置１から放射される放射光２０ｃを放射光モニ
ター手段１１によってモニターしている。なお、放射光
２０ｃの放射光モニター手段１１でモニターする代わり
に、シンクロトロン放射光発生装置１に蓄積された電子
ビーム電流をモニター１５によってモニターしてもよ
い。
【００３６】第１反射鏡１０ａと第２反射鏡１０ｂは図
４の点線に示すように移動される。
４の点線に示すように移動される。
【００３７】本実施例の構成によれば、第１反射鏡１０
ａと第２反射鏡１０ｂとは放射光２０ａに対して同じ側
に放射光を反射するので、第１反射鏡１０ａの反射角と
第２反射鏡１０ｂの反射角の和を略一定にしたまま、露
光部４の照射されるＸ線の強度を調整することができ
る。
ａと第２反射鏡１０ｂとは放射光２０ａに対して同じ側
に放射光を反射するので、第１反射鏡１０ａの反射角と
第２反射鏡１０ｂの反射角の和を略一定にしたまま、露
光部４の照射されるＸ線の強度を調整することができ
る。
【００３８】例えば、反射鏡１０ａ、１０ｂの反射角の
和が４８ｍｒａｄとする。このとき、反射鏡１０ａ、１
０ｂの各々の反射角が２４ｍｒａｄである場合には、反
射率の積は図２より約０．６２になる。一方、反射鏡１
０ａ、１０ｂの各々の反射角が１８ｍｒａｄ、３０ｍｒ
ａｄである場合には、反射率の積は図２より約０．３２
になる。すなわち、反射角の和を４８ｍｒａｄにしたま
ま、反射率を約０．６２と約０．３２の範囲で変えるこ
とができる。したがって、電子ビーム電流の強度が略半
分変動したとしても、反射角の和を略一定にしたまま調
整することができる。この結果、第１反射鏡１０ａおよ
び第２反射鏡１０ｂの連動機構を単純な構成にすること
ができる。
和が４８ｍｒａｄとする。このとき、反射鏡１０ａ、１
０ｂの各々の反射角が２４ｍｒａｄである場合には、反
射率の積は図２より約０．６２になる。一方、反射鏡１
０ａ、１０ｂの各々の反射角が１８ｍｒａｄ、３０ｍｒ
ａｄである場合には、反射率の積は図２より約０．３２
になる。すなわち、反射角の和を４８ｍｒａｄにしたま
ま、反射率を約０．６２と約０．３２の範囲で変えるこ
とができる。したがって、電子ビーム電流の強度が略半
分変動したとしても、反射角の和を略一定にしたまま調
整することができる。この結果、第１反射鏡１０ａおよ
び第２反射鏡１０ｂの連動機構を単純な構成にすること
ができる。
【００３９】また、第１反射鏡１０ａと第２反射鏡１０
ｂとは放射光２０ａに対して同じ側に放射光を反射する
ようにしたので、図５に示すようにシンクロトロン放射
光発生装置１に複数のビームポート２を接続して複数の
シンクロトロン放射光放射部９を取り付けた場合に、相
互のシンクロトロン放射光放射部９を空間的に干渉しに
くくすることができる。この結果、Ｘ線露光装置をコン
パクトに構成することができる。
ｂとは放射光２０ａに対して同じ側に放射光を反射する
ようにしたので、図５に示すようにシンクロトロン放射
光発生装置１に複数のビームポート２を接続して複数の
シンクロトロン放射光放射部９を取り付けた場合に、相
互のシンクロトロン放射光放射部９を空間的に干渉しに
くくすることができる。この結果、Ｘ線露光装置をコン
パクトに構成することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射鏡の反射特性が反射角に依存して異なることに基づ
いて反射鏡を移動させる反射鏡移動手段を備えるので、
試料に照射されるＸ線の強度を一定にすることができ
る。
反射鏡の反射特性が反射角に依存して異なることに基づ
いて反射鏡を移動させる反射鏡移動手段を備えるので、
試料に照射されるＸ線の強度を一定にすることができ
る。
【図１】本発明によるＸ線露光装置の第１実施例を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図２】反射鏡の反射角とＸ線反射率の関係を示す図。
【図３】（ａ）は本発明によるＸ線露光装置におけるＸ
線放出強度の時間依存性を、（ｂ）は従来のＸ線露光装
置におけるＸ線放出強度の時間依存性を各々示す図であ
り、「注入」は電子ビームを追加注入したことを示す。
線放出強度の時間依存性を、（ｂ）は従来のＸ線露光装
置におけるＸ線放出強度の時間依存性を各々示す図であ
り、「注入」は電子ビームを追加注入したことを示す。
【図４】本発明によるＸ線露光装置の第２実施例を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図５】シンクロトロン放射光発生装置とシンクロトロ
ン放射光放射部の関係を示すブロック図。
ン放射光放射部の関係を示すブロック図。
【図６】従来のシンクロトロン放射光発生装置を示すブ
ロック図。
ロック図。
１ シンクロトロン放射光発生装置 ２ ビームポート ３ ミラーボックス ４ 露光部 ５ 入射用加速器 ６ 入射部 ７ 真空ダクト ８ 偏向電磁石 ９ シンクロトロン放射光放射部 １０ａ 第１反射鏡 １０ｂ 第２反射鏡 １１ 放射光モニター手段 １２ 制御手段 １３ａ 第１反射鏡移動手段 １３ｂ 第２反射鏡移動手段 ２０ 放射光 ２０ａ 放射光 ２０ｂ 放射光 ２０ｃ 放射光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｇ 1/00
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘ線発生源から出射するＸ線を反射鏡で反
射させて試料に照射するＸ線露光装置において、前記反
射鏡の反射特性が反射角に依存して異なることに基づい
て、試料に照射されるＸ線の強度が一定になるように、
前記反射鏡を移動させる反射鏡移動手段を備えることを
特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273667A JPH05114546A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273667A JPH05114546A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114546A true JPH05114546A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17530871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273667A Pending JPH05114546A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016537681A (ja) * | 2013-11-22 | 2016-12-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明系 |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP3273667A patent/JPH05114546A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016537681A (ja) * | 2013-11-22 | 2016-12-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明系 |
| US10310381B2 (en) | 2013-11-22 | 2019-06-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for EUV projection lithography |
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