JPH05114680A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH05114680A JPH05114680A JP27578191A JP27578191A JPH05114680A JP H05114680 A JPH05114680 A JP H05114680A JP 27578191 A JP27578191 A JP 27578191A JP 27578191 A JP27578191 A JP 27578191A JP H05114680 A JPH05114680 A JP H05114680A
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- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/931—Shapes of bond pads
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、製造が容易で信頼性の高いリード
フレームを提供することを目的とする。 【構成】 本発明では、金属条材の所定の領域を所定の
厚さとなるまでエッチング除去し肉薄部を形成したの
ち、この肉薄部内に少なくともインナーリード先端領域
が形成されるように、少なくともインナーリードの先端
領域をエッチングで形状加工するとともに、アウターリ
ードなどをプレス法で形状加工するようにしている。望
ましくは、肉薄部内に半導体チップ搭載用のパッドも含
まれるようにしている。さらにインナーリードの内、ア
ウターリードと平行に伸びる領域は、プレス加工により
形成されるようにしている。
フレームを提供することを目的とする。 【構成】 本発明では、金属条材の所定の領域を所定の
厚さとなるまでエッチング除去し肉薄部を形成したの
ち、この肉薄部内に少なくともインナーリード先端領域
が形成されるように、少なくともインナーリードの先端
領域をエッチングで形状加工するとともに、アウターリ
ードなどをプレス法で形状加工するようにしている。望
ましくは、肉薄部内に半導体チップ搭載用のパッドも含
まれるようにしている。さらにインナーリードの内、ア
ウターリードと平行に伸びる領域は、プレス加工により
形成されるようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの製造
方法に係り、特に高密度のリードフレームの製造方法に
関する。
方法に係り、特に高密度のリードフレームの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、フォトエッチング法またはプレス加工のい
ずれかの方法によって、０．２５mmあるいは０．１５mm
の板厚の金属条材の不要部分を除去することによって形
状加工したのち、所定部分にめっきを行うめっき工程、
テープを貼着しインナーリード相互間を固定する固定工
程等を経て形成される。
フレ−ムは、フォトエッチング法またはプレス加工のい
ずれかの方法によって、０．２５mmあるいは０．１５mm
の板厚の金属条材の不要部分を除去することによって形
状加工したのち、所定部分にめっきを行うめっき工程、
テープを貼着しインナーリード相互間を固定する固定工
程等を経て形成される。
【０００３】ところで、半導体装置の高密度化・高集積
化および薄型化に伴い、チップ面積が増大すると共にリ
―ドピン数が増加するものの、パッケ―ジは従来通りか
もしくは小型化・薄型化の傾向にある。
化および薄型化に伴い、チップ面積が増大すると共にリ
―ドピン数が増加するものの、パッケ―ジは従来通りか
もしくは小型化・薄型化の傾向にある。
【０００４】従って、同一面積内においてインナ−リ―
ドの本数が増加すれば、当然ながらインナ−リ―ドの幅
および隣接するインナ−リ―ドとの間隔は狭くなる。こ
のため、リードフレームの加工精度も極めて高いものが
要求されるようになってきており、強度の低下によるイ
ンナ−リ―ドの変形およびその変形によるインナ−リ―
ド間の短絡等の不良が問題となっている。
ドの本数が増加すれば、当然ながらインナ−リ―ドの幅
および隣接するインナ−リ―ドとの間隔は狭くなる。こ
のため、リードフレームの加工精度も極めて高いものが
要求されるようになってきており、強度の低下によるイ
ンナ−リ―ドの変形およびその変形によるインナ−リ―
ド間の短絡等の不良が問題となっている。
【０００５】そこで本発明者らは、先にインナーリード
をエッチング法で形成するとともに、アウターリードを
プレス加工法で形成することによりリードフレームを形
成する方法を提案している（特公平３−６６６３号公
報）。
をエッチング法で形成するとともに、アウターリードを
プレス加工法で形成することによりリードフレームを形
成する方法を提案している（特公平３−６６６３号公
報）。
【０００６】しかしながら、インナーリードをエッチン
グによって成形しても、板厚に対してリード幅が狭いた
め、リード断面が長方形状になり、ワイヤボンディング
の際にキャピラリの当たり具合によってリードが捩れた
り、リード位置が変位するなどの問題が残っていた。
グによって成形しても、板厚に対してリード幅が狭いた
め、リード断面が長方形状になり、ワイヤボンディング
の際にキャピラリの当たり具合によってリードが捩れた
り、リード位置が変位するなどの問題が残っていた。
【０００７】また、近年パッケージの薄型化が望まれる
中で、リードフレームに用いる素材の板厚も薄くなりつ
つあるが、アウターリードが薄くなることで、実装後の
リードの曲りも深刻な問題となっている。
中で、リードフレームに用いる素材の板厚も薄くなりつ
つあるが、アウターリードが薄くなることで、実装後の
リードの曲りも深刻な問題となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体装
置の高集積化に伴い、リ−ド間隔およびリード幅は小さ
くなる一方であり、加工精度の向上が大きな問題となっ
ていた。
置の高集積化に伴い、リ−ド間隔およびリード幅は小さ
くなる一方であり、加工精度の向上が大きな問題となっ
ていた。
【０００９】従って、リードフレーム全体の板厚を薄く
する必要がある。しかしながら、リードフレーム全体を
肉薄にすると、全体の強度が低下して搬送、取扱いおよ
び位置決めの際にリードフレームの変形、損傷が生じ半
導体装置の信頼性および歩留まり低下の原因となってい
た。
する必要がある。しかしながら、リードフレーム全体を
肉薄にすると、全体の強度が低下して搬送、取扱いおよ
び位置決めの際にリードフレームの変形、損傷が生じ半
導体装置の信頼性および歩留まり低下の原因となってい
た。
【００１０】また、パッケージの薄型化への要求が強ま
っており、樹脂厚の薄型化に伴う樹脂の密着性の問題と
ともにダイパッド領域の厚さも問題となっている。
っており、樹脂厚の薄型化に伴う樹脂の密着性の問題と
ともにダイパッド領域の厚さも問題となっている。
【００１１】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、製造が容易で信頼性の高いリードフレームを提供す
ることを目的とする。
で、製造が容易で信頼性の高いリードフレームを提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、金属
条材の所定の領域を所定の厚さとなるまでエッチング除
去し肉薄部を形成したのち、この肉薄部内に少なくとも
インナーリード先端領域が形成されるように、少なくと
もインナーリードの先端領域をエッチングで形状加工す
るとともに、アウターリードなどをプレス法で形状加工
するようにしている。
条材の所定の領域を所定の厚さとなるまでエッチング除
去し肉薄部を形成したのち、この肉薄部内に少なくとも
インナーリード先端領域が形成されるように、少なくと
もインナーリードの先端領域をエッチングで形状加工す
るとともに、アウターリードなどをプレス法で形状加工
するようにしている。
【００１３】望ましくは、肉薄部内に半導体チップ搭載
用のパッドも含まれるようにしている。
用のパッドも含まれるようにしている。
【００１４】さらにインナーリードの内、アウターリー
ドと平行に伸びる領域は、プレス加工により形成される
ようにしている。
ドと平行に伸びる領域は、プレス加工により形成される
ようにしている。
【００１５】
【作用】上記構成によれば、少なくともインナーリード
先端部となる領域にエッチングにより残留応力のない肉
薄部を形成してエッチングで形状加工するとともに、残
る領域はプレス加工により形状加工を行うようにしてい
るため、外枠は、肉厚で強固である一方、寸法精度の厳
しいインナーリード部等の領域は肉薄部からの加工であ
り、高精度の微細パターンの形成が可能となる。
先端部となる領域にエッチングにより残留応力のない肉
薄部を形成してエッチングで形状加工するとともに、残
る領域はプレス加工により形状加工を行うようにしてい
るため、外枠は、肉厚で強固である一方、寸法精度の厳
しいインナーリード部等の領域は肉薄部からの加工であ
り、高精度の微細パターンの形成が可能となる。
【００１６】また、半導体チップ搭載用のパッドも肉薄
とすることにより、パッケージの厚さをさらに薄くする
ことが可能となる。
とすることにより、パッケージの厚さをさらに薄くする
ことが可能となる。
【００１７】さらにまた、パッドの裏面にエッチングに
より複数の凹部を形成するようにしてもよく、このよう
にすることにより、樹脂との密着性が向上し、樹脂厚が
小さくても、パッケージの抜けや剥がれを防ぎ、信頼性
の高いものを得ることができる。
より複数の凹部を形成するようにしてもよく、このよう
にすることにより、樹脂との密着性が向上し、樹脂厚が
小さくても、パッケージの抜けや剥がれを防ぎ、信頼性
の高いものを得ることができる。
【００１８】さらにインナーリードの内、比較的リード
間隔の大きい領域であるアウターリードと平行に伸びる
領域は、肉厚のままにしプレス加工により形成するよう
にすればさらに機械的強度の高いものを得ることができ
る。
間隔の大きい領域であるアウターリードと平行に伸びる
領域は、肉厚のままにしプレス加工により形成するよう
にすればさらに機械的強度の高いものを得ることができ
る。
【００１９】ここで、肉薄部は外枠等の肉厚部の約１／
２程度の肉厚を有するように加工するのが望ましい。
２程度の肉厚を有するように加工するのが望ましい。
【００２０】インナーリード先端等の形状加工のエッチ
ングに際し、出発材料が肉薄となっているため、アンダ
ーカットが少なく高精度のパターン形成が可能となる。
ングに際し、出発材料が肉薄となっているため、アンダ
ーカットが少なく高精度のパターン形成が可能となる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００２２】本発明実施例の方法によって形成されるリ
―ドフレ―ムは、図１(a) に平面図、図１(b) にその断
面図、図２に部分斜視図を示す如く、ダイパッド１１お
よびインナーリード１２の先端領域Ｒ１はサイドバーな
どの外側領域の肉厚の１／２程度に肉薄化したのちエッ
チングで形状加工し、一方インナーリードの内、比較的
リード間隔の大きい領域（Ｒ２）であるアウターリード
と平行に伸びる領域およびアウターリード、サイドバー
などは、肉厚のままプレス加工で成形するようにしたこ
とを特徴とするものである。
―ドフレ―ムは、図１(a) に平面図、図１(b) にその断
面図、図２に部分斜視図を示す如く、ダイパッド１１お
よびインナーリード１２の先端領域Ｒ１はサイドバーな
どの外側領域の肉厚の１／２程度に肉薄化したのちエッ
チングで形状加工し、一方インナーリードの内、比較的
リード間隔の大きい領域（Ｒ２）であるアウターリード
と平行に伸びる領域およびアウターリード、サイドバー
などは、肉厚のままプレス加工で成形するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【００２３】すなわち、ダイパッド１１とそのまわりに
放射状に配列されたインナーリード先端領域Ｒ１と、イ
ンナーリードの平行領域、ダムバー１３、アウターリー
ド１４、サイドバー１５，１６などの形成された外側領
域Ｒ２とから構成されている。必要に応じて裏面にポリ
イミドテープを貼着しても良い。
放射状に配列されたインナーリード先端領域Ｒ１と、イ
ンナーリードの平行領域、ダムバー１３、アウターリー
ド１４、サイドバー１５，１６などの形成された外側領
域Ｒ２とから構成されている。必要に応じて裏面にポリ
イミドテープを貼着しても良い。
【００２４】次に、このリ−ドフレ−ムの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２５】まず、フォトリソ法を用いて帯条材料のイ
ンナーリード１２先端形成領域およびダイパッド１１形
成領域を除く領域をレジストパターンで被覆する。
ンナーリード１２先端形成領域およびダイパッド１１形
成領域を除く領域をレジストパターンで被覆する。
【００２６】この後、このレジストパターンをマスクと
し、約１／２の深さまでエッチングし、肉薄領域Ｒ１を
形成する。
し、約１／２の深さまでエッチングし、肉薄領域Ｒ１を
形成する。
【００２７】このようにして肉薄領域の形成された金属
条材を用いて、レジストパターンを形成しこれをマスク
としてエッチングを行いインナーリード１２の先端部お
よびダイパッド１１の形状加工を行う。
条材を用いて、レジストパターンを形成しこれをマスク
としてエッチングを行いインナーリード１２の先端部お
よびダイパッド１１の形状加工を行う。
【００２８】そしてさらに、インナーリード１２の一
部、ダムバー１３、アウターリード１４の一部などの抜
き型を具備した金型に装着し、プレス加工を行なうこと
により、残る領域をパタ―ニングする。
部、ダムバー１３、アウターリード１４の一部などの抜
き型を具備した金型に装着し、プレス加工を行なうこと
により、残る領域をパタ―ニングする。
【００２９】続いて、必要に応じて裏面全体にインナー
リード固定用のポリイミドテープを貼着し、めっき工程
を経て、リードフレームの形状加工が終了する。
リード固定用のポリイミドテープを貼着し、めっき工程
を経て、リードフレームの形状加工が終了する。
【００３０】このようにして形成されたリ―ドフレ―ム
は、微細なインナーリード先端部の形状加工のためのエ
ッチング工程の出発材料が肉薄となっているため、サイ
ドエッチングもなく高精度でかつ捩じれなどの加工応力
の少ないリードフレームを得ることができ、従って、後
続工程における加熱工程を経ても変形の少ないリードフ
レームを得ることが可能となる。
は、微細なインナーリード先端部の形状加工のためのエ
ッチング工程の出発材料が肉薄となっているため、サイ
ドエッチングもなく高精度でかつ捩じれなどの加工応力
の少ないリードフレームを得ることができ、従って、後
続工程における加熱工程を経ても変形の少ないリードフ
レームを得ることが可能となる。
【００３１】さらにまた、リード間隔を良好に維持し、
ボンディング性を高めることが可能となる。
ボンディング性を高めることが可能となる。
【００３２】また、半導体チップ搭載用のパッドも肉薄
となっているため、パッケージの厚さをさらに薄くする
ことが可能となる。
となっているため、パッケージの厚さをさらに薄くする
ことが可能となる。
【００３３】このリードフレームは、素子チップの搭
載、ワイヤボンディング、樹脂封止などの工程を経て半
導体素子として完成されるが、薄型でかつ極めて信頼性
の高いものとなっている。
載、ワイヤボンディング、樹脂封止などの工程を経て半
導体素子として完成されるが、薄型でかつ極めて信頼性
の高いものとなっている。
【００３４】なお、前記実施例では、インナーリード部
先端とダイパッドのみを肉薄部としたが、図３(a) およ
び(b) に示すように、インナーリード先端部形成領域Ｒ
３のみをハーフエッチングで肉薄とし、ダイパッド裏面
には複数の凹部Ｈを形成するようにしてもよい。このよ
うにすることにより、樹脂との密着性が向上し、樹脂厚
が小さくても、パッケージの抜けや剥がれを防ぎ、信頼
性の高いものを得ることができる。
先端とダイパッドのみを肉薄部としたが、図３(a) およ
び(b) に示すように、インナーリード先端部形成領域Ｒ
３のみをハーフエッチングで肉薄とし、ダイパッド裏面
には複数の凹部Ｈを形成するようにしてもよい。このよ
うにすることにより、樹脂との密着性が向上し、樹脂厚
が小さくても、パッケージの抜けや剥がれを防ぎ、信頼
性の高いものを得ることができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、少なくともインナーリード先端部となる領域にエッ
チングにより残留応力のない肉薄部を形成してエッチン
グで形状加工するとともに、残る領域はプレス加工によ
り形状加工を行うようにしているため、外枠は、肉厚で
強固である一方、寸法精度の厳しいインナーリード部等
の領域は肉薄部からの加工であり、高精度の微細パター
ンの形成が可能となる。
ば、少なくともインナーリード先端部となる領域にエッ
チングにより残留応力のない肉薄部を形成してエッチン
グで形状加工するとともに、残る領域はプレス加工によ
り形状加工を行うようにしているため、外枠は、肉厚で
強固である一方、寸法精度の厳しいインナーリード部等
の領域は肉薄部からの加工であり、高精度の微細パター
ンの形成が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の方法で形成されたリー
ドフレームを示す図
ドフレームを示す図
【図２】同リードフレームの要部斜視図
【図３】本発明の第２の実施例の方法で形成されたリー
ドフレームを示す図
ドフレームを示す図
１１ ダイパッド １２ インナ−リ−ド １３ ダムバー １４ アウターリード １５ サイドバー １６ サイドバー Ｈ 凹部
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するためのダイパッ
ドと、前記パッドから所定の間隔をおいて配列されたイ
ンナーリードと、前記インナーリードに連設されたアウ
ターリードとを有するリードフレームの製造方法におい
て、 金属条材の少なくともインナーリード先端形成領域を含
む領域をエッチングによって肉薄化する肉薄化工程と前
記金属条材をレジストパターンを介してエッチングする
ことにより、インナーリードの少なくとも一部を形成す
る第１の形状加工工程と、 残る領域をプレスにより形状加工する第２の形状加工工
程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方
法。 - 【請求項２】 前記肉薄化工程は、ダイパッド形成領域
を含むように肉薄化する工程であることを特徴とする請
求項１に記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項３】 前記第２の形状加工工程は、インナーリ
ードの内、アウターリードと平行に伸びる領域のプレス
加工を含む工程であることを特徴とする請求項１に記載
のリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27578191A JP2632456B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27578191A JP2632456B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114680A true JPH05114680A (ja) | 1993-05-07 |
| JP2632456B2 JP2632456B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17560317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27578191A Expired - Fee Related JP2632456B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632456B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176669A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電子機器用金属薄板の内部応力低減方法 |
| WO1996005612A1 (en) * | 1994-08-09 | 1996-02-22 | National Semiconductor Corporation | A fine pitch lead frame and method for manufacturing same |
| EP0921562A3 (en) * | 1997-10-28 | 2002-06-05 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to lead frames |
| KR100585586B1 (ko) * | 1999-02-18 | 2006-06-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 리이드프레임의 제조방법 |
| JP2012222081A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
| US10522298B2 (en) | 2009-04-16 | 2019-12-31 | Vishay Sprague, Inc. | Methods of manufacturing a hermetically sealed wet electrolytic capacitor and a hermetically sealed wet electrolytic capacitor |
-
1991
- 1991-10-23 JP JP27578191A patent/JP2632456B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176669A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電子機器用金属薄板の内部応力低減方法 |
| WO1996005612A1 (en) * | 1994-08-09 | 1996-02-22 | National Semiconductor Corporation | A fine pitch lead frame and method for manufacturing same |
| EP0921562A3 (en) * | 1997-10-28 | 2002-06-05 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to lead frames |
| US6635407B1 (en) | 1997-10-28 | 2003-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Two pass process for producing a fine pitch lead frame by etching |
| KR100585586B1 (ko) * | 1999-02-18 | 2006-06-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 리이드프레임의 제조방법 |
| US10522298B2 (en) | 2009-04-16 | 2019-12-31 | Vishay Sprague, Inc. | Methods of manufacturing a hermetically sealed wet electrolytic capacitor and a hermetically sealed wet electrolytic capacitor |
| JP2012222081A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2632456B2 (ja) | 1997-07-23 |
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