JPH05114747A - 改良されたモノリシツクなタンデム型太陽電池 - Google Patents

改良されたモノリシツクなタンデム型太陽電池

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JPH05114747A
JPH05114747A JP4103246A JP10324692A JPH05114747A JP H05114747 A JPH05114747 A JP H05114747A JP 4103246 A JP4103246 A JP 4103246A JP 10324692 A JP10324692 A JP 10324692A JP H05114747 A JPH05114747 A JP H05114747A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高放射抵抗かつ高効率のモノリシックなタン
デム型太陽電池を提供することである。 【構成】 （ａ）上部および下部表面を有するりん化イ
ンジウム基板と、（ｂ）該りん化インジウム基板の上部
表面上の第１感光性サブセルと、（ｃ）該第１サブセル
上の、第２感光性サブセル、および（ｄ）該第２サブセ
ル上の光学的透過性のプリズム状のカバー層とを有する
単結晶のモノリシックなタンデム型太陽電池。該第１感
光性サブセルが、限定された構成のひ化インジウム化ガ
リウムりん化インジウムであり、第２サブセルがりん化
インジウムであり、該２個のサブセルが格子整合されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池に関する。さら
に詳しくは、多接合タンデム型太陽電池に関する。とく
に本発明は改良された、モノリシックなタンデム型太陽
電池に関するもので、この電池は効率がよく、耐放射線
性を有し、かつ、宇宙空間および地上において有用であ
る。
【０００２】
【従来の技術】光電池は、一般に太陽電池として知られ
ているが、本質的には光、太陽輻射（solar radiation)
などの電磁エネルギーを直接電気に変換することができ
る半導体からなっている。そのような半導体は、通常、
価電子帯と伝導電子帯とのあいだにエネルギーバンドギ
ャップ（energy bandgap）を有する固体結晶構造により
特徴づけられている。光が材料に吸収されると、低エネ
ルギー状態をもつ電子が励起され、より高いエネルギー
状態へとバンドギャップを飛び越える。たとえば、半導
体の価電子帯における電子が、太陽輻射の光子（photo
n）から充分なエネルギーを吸収しているとき、当該電
子は、より高いエネルギー状態の伝導帯へとバンドギャ
ップを飛び越えることができる。
【０００３】より高いエネルギー状態に励起された電子
は、当該電子の後に、占有されていない（unoccupied）
低エネルギー状態または正孔を残す。そのような正孔
は、結晶格子中の原子から原子へと動くことができ、そ
れによって帯電キャリアとして、伝導帯中の自由電子が
ふるまうように作用し、結晶の電気伝導度に寄与する。
半導体に吸収された光子のほとんどは光電流を発生させ
る電子と正孔の対を生じさせ、そして太陽電池によって
示される光電圧を発生する。
【０００４】よく知られているように、半導体は帯電キ
ャリアとして用いるための正孔および電子を分離する空
間電荷層を作り出すために、異なった種類の材料でドー
プされる。いったん分離されると、集められた正孔およ
び電子帯電キャリアは、接合（junction）をまたぐ電圧
（すなわち光電圧）になる空間電荷を作り出す。もしこ
れらの正孔および電荷キャリアが外部負荷を通して流れ
ることが許されるなら、該正孔および電荷キャリアが光
電流となる。
【０００５】価電子帯と伝導帯のあいだのしきい値のエ
ネルギーギャップまたはバンドギャップを超える光子エ
ネルギーは、通常、熱として消費される。このように該
エネルギーは浪費されて、有用な作用を奏さない。より
詳しくは、半導体におけるバンドギャップをまたいで一
定量のポテンシャルエネルギーの差が存在する。低エネ
ルギーの価電子帯における電子が、高エネルギーの伝導
帯へとバンドギャップを飛び越えるように励起されるた
めには、通常は吸収された光子から、少なくともバンド
ギャップをまたぐポテンシャルエネルギー差に相当する
値を有する充分なエネルギーの量を吸収しなくてはなら
ない。
【０００６】半導体はバンドギャップ以下の光子エネル
ギーの放射線を透過させる。一方、もし電子がエネルギ
ーのしきい値以上を、たとえば高エネルギーの光子か
ら、吸収すると、該電子はバンドギャップを飛び越え
る。電子がバンドギャップを飛び越えるのに要求される
しきい値を超えて過度にエネルギーが吸収されると、伝
導帯中の他のほとんどの電子よりも高いエネルギーの電
子が生じる。過度のエネルギーは最終的には熱の形で失
われる。結果として言えることは、単一バンドギャップ
の半導体の有効な光電圧はバンドギャップによって制限
されることである。
【０００７】このように、１個の半導体の太陽電池にお
いて、太陽の放射線スペクトルからできるだけ多くの光
子を捕捉するためには、半導体は低エネルギーを有する
光子であってもバンドギャップを飛び越えるために電子
を励起できるような小さいバンドギャップをもたなくて
はならない。もちろんこれには限界が伴う。第１に、小
さいバンドギャップの材料の使用は装置としては低い光
電圧となり、当然のことながら、低い出力電力しか発生
しない。第２に、高エネルギーの放射線からの光子は、
熱として失われる過度のエネルギーを発生する。
【０００８】一方、もし半導体が、光電圧を増加させ、
ホットキャリヤ（hot carrier)の加熱により引き起こさ
れるエネルギー損失を減じるために大きいバンドギャッ
プをもつように設計されておれば、低エネルギーの光子
は吸収されない。したがって、従来の単一接合型の太陽
電池の設計の際、これらの点の均衡をとり、該均衡にお
いて高および低エネルギーの光子から重大なエネルギー
損失が必ずあることを勘案して、最適のバンドギャップ
を有する半導体を設計する必要がある。
【０００９】近年、タンデムまたは多接合（カスケー
ド）型の太陽電池構造を作製することによりこの問題を
解決するために、多くの努力が払われてきた。この構造
において、頂部のセルは大きいバンドギャップを有して
おり、高エネルギーの光子を吸収する。一方、低エネル
ギーの光子は該頂部電池を通過して、低エネルギーの放
射線を吸収するより小さいバンドギャップを有する下部
または底部のセルへと通り抜ける。
【００１０】前記バンドギャップは、光カスケード効果
（optical cascading effect）を達成するために、最大
から最小へ、頂部から底部へ、配置される。原則的に
は、任意の数のサブセル（subcells）がそのように積み
重ねられるが、実用上の限度は通常２ないし３個と考え
られている。多接合の太陽電池は、個々のサブセルが、
効率的にエネルギーを変換する小さい光子波長バンドに
おいて太陽エネルギーを電気エネルギーに変換するの
で、高変換効率を達成できる。
【００１１】種々のサブセル間の電気的接続について
は、（１）直列型、（２）電圧共通型（voltage matche
d)および（３）独立接合型を含み種々の選択ができる。
タンデム型太陽電池の直列接合型においては、２個のサ
ブセルの電流は同じである。独立接合型の利点は、２個
のサブセルを電気的に接続しなければならないという問
題を回避することである。この接続型は、太陽電池の設
計においてより多くの可能性を許容する。しかしなが
ら、太陽電池の製作に関してはより複雑であり、個々の
分離したセルから単一の電気的負荷までエネルギーを伝
えるという見地にたてばより複雑である。これはシステ
ム上の問題となる。
【００１２】そのようなタンデム型電池は、２つの異な
った方法で製作されうる。第１の方法は、異なったバン
ドギャップを有する個々のセルを別々に製造し、いくつ
かの公知の方法によって光学的に直列になるように機械
的に電池を積み重ねることを含んでいる。この方法の不
利な点は、そのような積み重ねられた配列を形成するの
が複雑であることである。有利な点は個々の頂部に異な
った材料を積み重ねることができるという柔軟性であ
る。
【００１３】タンデム型太陽電池の製作の第２の方法
は、所望のバンドギャップを有する材料のモノリシック
な結晶積層体（monolithic crystalline stack）を形成
することを含んでいる。この方法の利点は、製造が容易
であることである。不利な点は、装置の品質（device-q
uality）の形態においてエピタキシャル成長が可能な材
料の組み合わせの数が限られていることである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】モノリシックな多接合
のタンデム型デバイス用の所望の形態が頂部セル材と底
部セル材との格子整合（lattice matching）により最良
に達成されることは当業者によって一般に認められてき
た。格子定数の不整合は結晶格子中に欠陥や転移を生じ
るが、そこでは再結晶の中心（recombination centers)
が生じ、光によって生成された（photogenerated）少数
のキャリヤの損失をひき起こしうる。このようにデバイ
スの光特性を著しく低下させる。より詳しくは、そのよ
うな効果は開路電圧（Ｖoc）、短絡電流（Ｊsc）、およ
び有効な出力電力のための電流と電圧のあいだの関係ま
たは均衡を表わすフィルファクター（fill factor)（Ｆ
Ｆ）を減少させる。このように格子整合されたモノリシ
ックな多接合によるアプローチは、高品質のタンデム型
セルの構造にはすぐれた方法を提供する。
【００１５】従来の半導体に関する１つの共通した問題
は、宇宙空間で品質劣化を起こすことなく動作すること
の保証が要求されているにもかかわらず、耐放射線性
（radiation resistance）が欠如していることである。
この問題は、宇宙空間の光を考慮したときとくにやっか
いである。宇宙空間では、従来のシリコン（Si）太陽電
池は時間の経過につれて劣化する。こうして、これらの
問題を克服するために、代替の半導体材料が研究されて
きた。
【００１６】非常に多くの格子整合がなされた III−Ｖ
族の３元および４元の材料、たとえば、GaAsSb、GaInA
s、AlAsSb、GaInAsP およびAlInAsが利用できるので、
ヘテロ構造（heterostructure)を含む種々の電子デバイ
スへの適用に対しりん化インジウム（InP)は、魅力的な
III−Ｖ族の半導体である。格子整合されていることに
加えてこれらの化合物は、複雑なデバイス構造の設計に
おいて一助となる広範囲のバンドギャップを提供する。
りん化インジウムはまた、すぐれた放射線硬さ（radiat
ion hardness）および証明された高効率の故に、宇宙空
間での光電池の適用の第１候補と考えられている。
【００１７】このように、宇宙空間への適用のための、
放射線硬さの大きいリン化インジウムをベースとしたタ
ンデム型太陽電池を構成することの可能性は見込みがあ
りそうである。しかしながら、現在のところだれもこの
技術を開示していない。
【００１８】タンデム型太陽電池を製造する他の技術も
知られている。たとえば、米国特許4,289,920 号明細書
は、異なった半導体の材料が、透明な絶縁基板の対向す
る面上に成長した、２個のセル構造を記載している。言
い換えれば、これら２個の半導体は、互いに物理的に接
触していない。したがって、２個の半導体を格子接合さ
せる必要がない。しかしながら、中間にある基板上に高
品質の半導体を形成することに関連した問題は確実に大
きい。下部半導体の底部表面を覆う金属層はデバイスを
透過した光を反射する。金属層は、電気的に直列に２個
のセルを接続するために周縁部のまわりを包んでいる。
【００１９】これまで、本発明によって示された有利な
点と好ましい特性の組み合わせを有するモノリシックな
タンデム型太陽電池は提供されていない。
【００２０】本発明の目的は、高い放射線抵抗および効
率を有するモノリシックなタンデム型太陽電池を提供す
ることである。
【００２１】本発明の他の目的は、プリズム状の被覆層
を含んでいるモノリシックなタンデム型太陽電池を提供
することである。
【００２２】本発明のさらに他の目的は、りん化インジ
ウムInP およびひ化りん化ガリウムGaPAs （またはひ化
インジウム化ガリウムGaInAs）の層からなる、モノリシ
ックなタンデム型太陽電池であって、たとえば、宇宙空
間における電力への適用に有用であるモノリシックなタ
ンデム型太陽電池を提供することである。
【００２３】本発明のさらに他の目的は、改善された出
力−質量比を有するモノリシックなタンデム型太陽電池
を提供することである。
【００２４】本発明のさらに他の目的は、２個のサブセ
ル間に独特の中間接触領域が含まれているモノリシック
なタンデム型太陽電池を提供することである。
【００２５】本発明のさらに他の目的は、改善された３
端子のモノリシックなタンデム型太陽電池を提供するこ
とである。
【００２６】本発明の付加的な目的、有利な点および新
しい特性は、ある程度以下に記載されているので、残り
の部分は以下の記載を検討することで当業者にとっては
明らかであろうし、また本発明の実施により学ぶことが
できるかもしれない。本発明の目的および有利な点は、
本願のクレーム中で詳しく指摘された手段または組み合
わせにより実現され、達成されるであろう。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本明細書において具体化
されかつ広範に記載されているように、叙上の目的およ
び他の目的を達成するために、本発明のモノリシックな
タンデム型太陽電池は、（ａ）上部および下部表面を有
するりん化インジウム基板、（ｂ）該基板の上部表面上
にあり、ひ化インジウム化ガリウムからなり、かつホモ
接合を含む第１感光性サブセル、（ｃ）該第１感光サブ
セル上にあり、りん化インジウムからなり、かつ、ホモ
接合を含む第２感光性サブセル、および（ｄ）該第２サ
ブセル上の光学的透過性のカバー層からなる。
【００２８】前記ひ化インジウム化ガリウム（りん化ひ
化インジウム化ガリウムを含んでもよい）サブセルはり
ん化インジウムと格子整合されている。前記りん化イン
ジウムサブセルは前記第１サブセルより大きいバンドギ
ャップを有している。
【００２９】本発明の太陽電池はいくつかの利点を有し
ている。その有利な点は、原則的にわずか４個の異なる
エピタキシャル層から製作されうるモノリシックな格子
整合されたデバイスの構造である。下部のサブセルのバ
ンドギャップは、格子整合を考慮することなく調整もし
くは設計されうる。
【００３０】本発明の太陽電池の性能についてのコンピ
ュータによるモデルは、ＡＭＯのもと、あるいは地上の
日照条件下（とくに、強い太陽光のもと）で非常に高い
効率が可能となることを示している。
【００３１】りん化インジウムおよびりん化ひ化インジ
ウム化ガリウム材料を製造し扱う技術は、他の電子およ
び光電子デバイス分野において充分に開発されているた
め、デバイスの製造は容易である。
【００３２】タンデム型太陽電池は、その総出力の７５
％から８０％を発生する耐放射線性の頂部セルを用いて
いるので、宇宙空間への適用にはタンデム型太陽電池
は、とくに有利である。
【００３３】さらに、本発明の太陽電池の構成は、独特
の中間部接触（contact)領域を含む３端子のデバイスと
して与えられているのが好ましい。好ましい太陽電池の
構成はまた、りん化インジウムの頂部セルと頂部接触部
とのあいだにｎ型のひ化インジウム化ガリウムおよびり
ん化インジウムの層を含んでいる。
【００３４】
【実施例】明細書に添付された図面は本発明の好ましい
実施例を説明するものであり、発明の詳細な説明ととも
に本発明の原理を説明するものである。
【００３５】図１は本発明のモノリシックなタンデム型
太陽電池の一実施例を説明する側面図、図２は本発明の
モノリシックなタンデム型太陽電池の他の実施例を説明
する側面図、図３は本発明のモノリシックなタンデム型
太陽電池のさらに他の実施例を説明する側面図、図４は
図１に示された太陽電池の量子効率の測定値を示す図、
図５は図１に示された太陽電池の電流−電圧の測定値を
示す図、図６は本発明のモノリシックなタンデム型太陽
電池の他の実施例を説明する側面図、図７は図６に示さ
れた太陽電池の斜視図、図８は本発明の３端子タンデム
型太陽電池の効率を示す図、および図９は本発明の改良
型太陽電池の電流−電圧の測定値を示す図である。
【００３６】図１は単結晶の、モノリシックな２接合
（two-junction）タイプの３端子タンデム型太陽電池で
ある。このセルはホモ接合１０Ａを含む、りん化インジ
ウムの上部サブセル１０を有している。前記太陽電池
は、また、ひ化インジウム化ガリウムまたはりん化ひ化
インジウム化ガリウムの底部サブセル２０を有してお
り、該底部サブセル２０はホモ接合２０Ａを含んでい
る。底部サブセルの下にはりん化インジウムの基板１５
が存在している。
【００３７】頂部の導電性接触部（contact)１１は、図
示されているように上部サブセル１０の上部表面によっ
て支持されており、低抵抗であり電気的にオーミック
（ohmic)である。裏面の導電性接触部１３は、りん化イ
ンジウムの基板下部表面と接触しており、低抵抗であり
電気的にオーミックである。中間接触部１２は、上部セ
ル１０のｐ型層によって支持されており、低抵抗であり
電気的にオーミックである。接触部１１および１３は、
たとえば金であってもよい。接触部１２は、たとえば金
と亜鉛の積層体であってもよい。
【００３８】各サブセルは感光領域を含んでいる。たと
えば、サブセル１０の感光領域は、ｎ＋型りん化インジ
ウムの上部領域およびｎ＋／ｐ接合の直下のｐ型領域を
含んでいる。サブセル２０の感光領域はｐ＋型領域およ
びｎ型領域を含んでいる。サブセル１０の下部領域およ
びサブセル２０の上部領域は共通の導電型である。すな
わち、図１に描かれているように、サブセル１０の下部
領域およびサブセル２０の上部領域は共にｐ型である。
もちろん、もし要すれば、前記両領域はｎ型に代えるこ
とができる（すなわち、ｐｎｐデバイス用）。オーミッ
クな中間接触部１２は両サブセルの感光領域のあいだに
配置されている。
【００３９】上部サブセル１０の頂部表面には、従来の
反射防止被覆１４が存在する。この被覆の目的は放射線
がサブセル１０の上部表面で反射するのを防止すること
である。
【００４０】基板１５はりん化インジウムの基板として
図に示されている。りん化インジウムは、その電子的お
よび光電子的特性のゆえに、種々の電子デバイスへ適用
できる魅力的な III−Ｖ族の半導体である。しかしなが
ら、基板材料として使用する際の不利な点としては、コ
スト高、脆さおよびりん化インジウムの高密度があげら
れる。
【００４１】基板１５は本質的にりん化インジウムから
なっていてもよいし、他の半導体材料上のりん化インジ
ウムの薄い層であってもよいし、あるいはまた、参照用
として本発明に取り入れられた米国特許4,963,949 号明
細書において定義されているような他の基板構成のうち
のいずれでもよい。前記明細書には、りん化インジウム
層への転移の伝達を最小にしながら、特性が異なる基板
上にりん化インジウムのデバイスとしての品質を向上さ
せる技術が記載されている。そのような技術は、りん化
インジウムをベースにした半導体装置用に用いられるた
めの良好な強度を有する、低コスト、低重量の基板構成
を可能にする。したがって、そのような技術は、本発明
において有用である基板構成の作製に用いられる。
【００４２】下部または底部サブセル２０は、サブセル
２０の材料がりん化インジウムと格子整合されるよう
に、りん化インジウムの基板１５の上部表面上にエピタ
キシャル成長させられる。上部または頂部サブセル１０
はりん化インジウムの頂部サブセルが下部サブセルと格
子整合されるように、下部サブセルの上部表面上にエピ
タキシャル成長させられる。このようにして、単結晶の
モノリシックなタンデム型太陽電池がえられる。
【００４３】下部サブセル２０の組成は、式Ｇａx Ｉｎ
1-x Ａｓy Ｐ1-y によって表わされる。ここにx は0.20
0 から0.467 の範囲内にあり、y は0.436 から1.000 の
範囲内にある。
【００４４】x とy のあいだの必要な関係は、式 y=2.2
09x / (1＋0.06864x) によって定義される。y が１であ
る一つの終了点では該化合物には、りんは存在しない。
該化合物が叙上のx とy の関係により定義されているか
ぎり、下部サブセルの材料は、りん化インジウムの基
板、およびりん化インジウムの頂部サブセルと格子整合
される。本発明におけるひ化インジウム化ガリウムまた
はりん化ひ化インジウム化ガリウムに対する基準は、叙
上のごとく定義されたように下部サブセルの化合物の一
般的な基準である。以下に、りん化ひ化インジウム化ガ
リウムについて言及する。
【００４５】りん化ひ化インジウム化ガリウム層は、り
ん化インジウム基板上に成長または堆積されてもよく、
りん化インジウムの上部サブセルは、有機金属の常圧気
相エピタキシー（atmospheric-pressure metalorganic
vapor phase epitaxy)などのエピタキシャル結晶成長技
術により、りん化ひ化インジウム化ガリウムの上部表面
上に堆積される。この技術は公知の技術である。
【００４６】上部サブセルは、下部サブセルより大きい
エネルギーのバンドギャップを有している。上部サブセ
ルのエネルギーのバンドギャップは、絶対温度300Kで1.
35eVである。下部サブセルのエネルギーのバンドギャッ
プは、りん化ひ化インジウム化ガリウムのサブセル中の
成分を変えることにより変更させることができる。
【００４７】底部または下部サブセルの最適バンドギャ
ップは動作状況（たとえば、温度、太陽光集中比（sola
r concentration ratio)および入射スペクトル）および
サブセルの接続性に依存して0.75から1.0eV まで変動す
る。このバンドギャップの範囲は叙上のごとく定義され
ているようにりん化ひ化インジウム化ガリウムの下部サ
ブセルの広い組成範囲内でえられる。
【００４８】図１の太陽電池はｎ／ｐ型の上部サブセル
とｐ／ｎ型の下部サブセルからなるように描かれている
が、逆の形態も機能的に同一と考えられる。
【００４９】下部サブセルの厚さは変えてもよいが、一
般的には３ないし６ミクロンの範囲内である。上部サブ
セルの厚さも変えてよいが、一般的には0.5ないし５ミ
クロンの範囲内である。基板１５の厚さは、約300 から
600 ミクロンの範囲内であるのが好ましい。
【００５０】図１に描かれたタンデム型太陽電池は３端
子型のデバイスである。この形態を用いれば、電圧整合
された動作も独立の動作も可能である。
【００５１】上部サブセルは良好な耐放射線性を示す。
したがって、タンデム型太陽電池は宇宙空間での適用に
用いられる。また、前記サブセルは高変換効率および高
い電力−質量比を示す。これは、低バンドギャップの底
部サブセルは、ＡＭＯスペクトル中にきわめて多い赤外
線に敏感であるという事実に起因している。もちろん、
この太陽電池は、以下に詳しく述べられるように地上で
の適用にも有益である。
【００５２】ｎ型のドーピングとしては、たとえば、硫
黄、テルリウムまたはセレニウムなどの従来の外因性不
純物（extrinsic impurities）を用いることが知られて
いる。ｐ型のドーピングとしては、たとえば、亜鉛、カ
ドミウム、ベリリウムまたはマグネシウムを用いること
が知られている。つぎの表１は、下部サブセルが化合物
Ｇａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓを有しているときの図１のタンデ
ム型太陽電池のモデル化された効率を示している。表中
の数値は、ＡＭＯ（すなわち、宇宙空間）での太陽電池
の理論的動作についてのものである。
【００５３】
【表１】
【００５４】つぎの表２は、地上の日照下での理論的動
作に対する同様のタンデム型太陽電池のモデル化された
効率を示している。
【００５５】
【表２】
【００５６】図４は、図１に示されたタイプの実際の太
陽電池に対する絶対的外的量子効率（absolute externa
l quantum efficiency）のデータを示している。図４に
おける太陽電池は、反射防止被覆を含んでいなかった。
該太陽電池は、総合的に非常に高い量子効率を示してい
る。
【００５７】図５は、図１に示されたタイプの実際の太
陽電池に対する標準的な包括的（global）スペクトルの
もとでの照光電流−電圧の測定値を示している。ただ
し、該太陽電池は反射防止被覆を含んでいない。太陽電
池は、反射防止被覆が存在しておれば、さらによい結果
を示すであろう。
【００５８】たとえば、図１に示されているような３端
子の形態は、モノリシックな積層体における各サブセル
からの独立した電力収集を許すので、有利である。これ
は、総合的なタンデム効率（tandem efficiency)への放
射線損傷による不利な衝撃を最小にするものである。
【００５９】実際のコンピュータのモデル計算は、集中
比１から1000に対してＡＭＯ照明（２５℃）のもとでの
Ｇａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓの底部セルが７〜１１％効率を上
昇させることを予測している。このように、ＩｎＰ／Ｇ
ａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓでは、実際に２５％から３２％のＡ
ＭＯ効率が可能であると考えられる。
【００６０】図２は単結晶の、モノリシックな２接合２
端子のタンデム型太陽電池の他の実施例である。このセ
ルはホモ接合３０Ａを含むりん化インジウムの上部また
は頂部サブセル３０を有している。下部または底部４０
はホモ接合４０Ａを含んでいる。下部サブセルの下には
叙上のようにりん化インジウムの基板１５が存在する。
【００６１】頂部の導電性接触部１１は、図示されてい
るように上部サブセル３０上部表面により支持され、該
表面と電気的に接触している。裏面の導電性接触部１３
はりん化インジウムの下部表面と電気的に接触してい
る。従来の反射防止被覆１４は上部サブセルの上部表面
上で支持されている。下部サブセル４０は図１の太陽電
池と関連して記載されたものと同じ組成を有している。
ただし、ｐ／ｎ型の代わりにｎ／ｐ型として設けられて
いる。
【００６２】上部サブセル３０と下部サブセル４０との
あいだにはトンネル接合連絡部３５が存在する。該接合
は上部および下部サブセルを直列に接続している。
【００６３】図２に示された太陽電池の１つの特別な実
施例において、太陽電池は、２個のサブセルの電流密度
を整合させるためりん化インジウムの上部サブセルの厚
さを調節して最適化させることができる。たとえば、底
部サブセルとしてＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓを用いた大きい
形状（すなわち、個々のバンドギャップを超えたエネル
ギーの光子をすべて吸収するに充分な厚さ）のサブセル
にぽて、ＡＭＯスペクトルのもとで前記サブセルは電流
を制限する。したがって、りん化インジウムの頂部サブ
セルの厚さはサブセルの電流が整合されるように適切な
値まで減じられなければならない。
【００６４】図２に示された太陽電池の他の特別な実施
例において、太陽電池は２個のサブセルの電流密度を整
合させるために上部および下部サブセルの面積を調節す
ることにより最適化できる。たとえば、上部サブセルの
面積は下部サブセルの面積より小さくてもよい。これは
以下に述べる技術を用いた上部サブセルの選択的ウエッ
トケミカルエッチング（wet chemical etching）の使用
を含むさまざまな方法で達成できる。
【００６５】図３は単結晶の、モノリシックな２接合２
端子のタンデム型太陽電池の他の実施例を示している。
このセルはホモ接合３０Ａを含むりん化インジウムの上
部サブセル３０を有している。また、このセルはホモ接
合４０Ａを含む下部サブセル４０を有している。
【００６６】図３の実施例において、上部サブセル３０
は金属製連絡部３６により下部サブセル４０と直列に接
続されている。金属製連絡部の製造工程はより複雑にな
るが、これはトンネル接合と機能的に等価である。
【００６７】図６および図７は本発明の改良された３端
子のモノリシックなタンデム型太陽電池を示している。
図示されているように、下部サブセルと上部サブセルの
あいだに特有の中間接触領域が存在する。
【００６８】中間接触領域は高濃度にドープされたｐ型
のりん化インジウムの層と高濃度にドープされたｐ型の
ひ化インジウム化ガリウムの層を含んでいる。ｐ型のり
ん化インジウムの層は両サブセルから共通の中間接触部
への横方向の伝導を許すので横方向の伝導層（ＬＣＬ）
と呼ばれる。ｐ型のひ化インジウム化ガリウムの層は２
つの目的にかなうものである。第１に、りん化インジウ
ムの頂部セル層をつらぬく、トレンチのエッチングを終
了させるエッチング停止（stop-etch)層（ＳＥＬ）であ
る。この機能はタンデム型構造内の所望の位置に中間接
触部を配置するために必要である。第２に、中間接触部
用に低接触抵抗を与えることである。
【００６９】中間接触領域はタンデム型太陽電池におい
てきわめて重要な役割を果たしている。中間接触領域
は、大きい効率の損失とサブセルのカップリング効果を
生成する直列抵抗を減少させる。
【００７０】光学的に透過性のカバー層が図６および図
７に示されている。このカバー層はプリズム状のカバー
である。このものはレンズの屈折と同じように、すなわ
ちレンズの屈折作用により平行光線の向きが変えられる
ように、入射光を屈折させることができる平行な１連の
レンズエレメントからなっている。
【００７１】カバー層は、進入光を太陽電池表面の構造
物から離れるようにそして頂部セルの活性な光吸収領域
の中へ発散する。これは頂部セル表面の実質的な部分が
金属格子で覆われることを許し、中間接触部の配列に要
求されるトレンチの形成を許す。これは大きい光電流を
発生するコンセントレータ（concentrator）セルには重
要な特徴である。カバー層のノード（node）は図示され
ているように、頂部接触部の格子パターンの格子縞の中
心と同列ないしは一直線状である。この種のカバーはた
とえば、参考のために本明細書に取り入れた米国特許4,
711,872 号明細書に記載されている。
【００７２】カバー層の厚さはたとえば0.002 から0.00
5 インチまで変動してよいが、0.003 から0.005 インチ
の厚さが好ましい。カバー層は光学的に透過性であれば
どのような材料からなっていてもよい。経済性の理由か
らプラスチック（たとえば、シリコン）からなっている
のが典型的である。
【００７３】カバー層は通常接着剤により頂部接触部の
上部表面と接着される。接着剤は電気的に絶縁性でなけ
ればならないし、カバー層を構成する材料と似た屈折率
を有しておらなければならない。
【００７４】ここに記載されたカバー層の使用は光線を
吸収する太陽電池の能力を減じることなく頂部セルの約
２０％が金属に覆われることを可能にする。
【００７５】図６および図７は本発明の改良型タンデム
型太陽電池の他の好ましい特徴を示している。この特徴
は頂部接触部とりん化インジウムの頂部セルとのあいだ
にｎ型のりん化インジウムとひ化インジウム化ガリウム
の層を配設することである。
【００７６】りん化インジウムおよびひ化インジウム化
ガリウムが２つの異なるウエットケミカルエッチング液
を用いて選択的にエッチングされうることが本発明から
分かる。濃塩酸はりん化インジウムをエッチングする
が、ひ化インジウム化ガリウムをエッチングしない。1
0:1:1の割合の硫酸、過酸化水素および水の溶液は、ひ
化インジウム化ガリウムをエッチングするが、りん化イ
ンジウムをエッチングしない。これは半導体材料の所望
のパターンをうるためになされる選択的エッチングを可
能にする。従来のホトレジスタの代替物としてｎ型のり
ん化インジウムとひ化インジウム化ガリウムの層を使用
することは有益である。そのような層は従来のポジティ
ブな（positive）ホトレジスタより確実な働きをする、
きわめて安定しており、かつ不活性のマスクとして機能
すると共に、該層は構造の永続的特徴をそこなうことな
く構造が加工されたとき構造から取り除かれるのが好ま
しい。この技術は非常に小さい寸法のもの（たとえば、
トレンチが10から50ミクロンの幅のもの）に関わるの
で、コンセントレータ型のタンデム型太陽電池を製造す
るのに欠くことができない。もちろん異なった種類のマ
スク材（たとえば、二酸化シリコン）を用いた類似のエ
ッチング技術も要すれば用いることができる。
【００７７】図８は本発明の技術を用いたタンデム型太
陽電池においてえられる効率（すなわち、ＡＳＴＭの直
接効率（Direct Efficiency)と集中比との関係）を示
す。
【００７８】図９は本発明のタンデム型太陽電池の動作
パラメータを示す図である。
【００７９】叙上の記載は本発明の原理だけを示してい
ると考えられる。さらに、多くの改造および変更が当業
者には容易に思いつくであろうから、本発明を記載され
かつ図示され記載された構造および働きのものに限定す
ることは望ましくない。したがってすべての適当な改良
および均等物は特許請求の範囲により定義されているよ
うに本発明の範囲内に含まれるとして訴えられてよい。
【００８０】
【発明の効果】本発明の太陽電池を用いれば、ＡＭＯま
たは地上の日照条件下（とくに、太陽照明のもと）で非
常に高い効率が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のモノリシックなタンデム型太陽電池の
一実施例を説明する側面図である。
【図２】本発明のモノリシックなタンデム型太陽電池の
他の実施例を説明する側面図である。
【図３】本発明のモノリシックなタンデム型太陽電池の
さらに他の実施例を説明する側面図である。
【図４】図１に示された太陽電池の量子効率の測定値を
説明する図である。
【図５】図１に示された太陽電池の電流−電圧の測定値
を説明する図である。
【図６】本発明のモノリシックなタンデム型太陽電池の
他の実施例を説明する側面図である。
【図７】図６に示された太陽電池の斜視図である。
【図８】本発明の３端子型タンデム型太陽電池の効率を
説明する図である。
【図９】本発明の改良型太陽電池の電流−電圧の測定値
である。
【符号の説明】
１０ 頂部セル １１ 頂部接触部 １２ 中間接触部 １３ 裏部接触部 １４ 反射防止被覆 ２０、４０ 底部セル ３０ 上部セル ３４ 金属製連絡接触層 ３５ トンネル接合連絡部 ３６ 金属製連絡部

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）上部および下部表面を有するりん
    化インジウム基板、 （ｂ）該基板の上部表面上にあり、ひ化インジウム化ガ
    リウムからなり、かつホモ接合を含む第１感光性サブセ
    ル、 （ｃ）該第１感光サブセル上にあり、りん化インジウム
    からなり、かつ、ホモ接合を含む第２感光性サブセル、
    および （ｄ）該第２サブセル上の光学的透過性のカバー層 からなる単結晶のモノリシックなタンデム型太陽電池で
    あって、前記ひ化インジウム化ガリウムがりん化インジ
    ウムと格子整合されており、前記第２サブセルが第１サ
    ブセルより大きいエネルギーバンドギャップを有してな
    る単結晶のモノリシックなタンデム型太陽電池。
  2. 【請求項２】 前記ひ化インジウム化ガリウムがＧａx
    Ｉｎ1-x Ａｓy Ｐ1-y によって表される組成であり、x
    が0.200 から0.467 の範囲内にあり、y が0.436 から1.
    000 の範囲内にあり、かつ、x とy のあいだの関係が、
    式 y=2.209x/ (1＋0.06864x) によって定義される請求
    項１記載の太陽電池。
  3. 【請求項３】 前記第１および第２サブセルが、おのお
    のｎ／ｐホモ接合を含む請求項１記載の太陽電池。
  4. 【請求項４】 前記太陽電池が２個の端子を含み、サブ
    セルが直列に接続されてなる請求項３記載の太陽電池。
  5. 【請求項５】 前記サブセルの１つがｎ／ｐホモ接合を
    含み、他のサブセルがｐ／ｎホモ接合を含み、かつ、太
    陽電池が３個の端子を含んでなる請求項１記載の太陽電
    池。
  6. 【請求項６】 前記第１感光サブセルがＧａ0.47Ｉｎ
    0.53Ａｓによって表される組成である請求項１記載の太
    陽電池。
  7. 【請求項７】 前記太陽電池が、第２サブセル上に該第
    ２サブセルと低抵抗のオーミック接触をする頂部接触部
    の格子パターンをさらに含んでおり、前記カバー層が、
    前記格子パターンと一直線上にあるノードを含む請求項
    １記載の太陽電池。
  8. 【請求項８】 前記格子パターンと第２サブセルのあい
    だにひ化インジウム化ガリウムおよびりん化インジウム
    の層を有する請求項７記載の太陽電池。
  9. 【請求項９】 前記第１および第２サブセルのあいだに
    中間の接触領域を有し、該中間の接触領域がひ化インジ
    ウム化ガリウムおよびりん化インジウムの別々の連続し
    た層である請求項７記載の太陽電池。
  10. 【請求項１０】 （ａ）上部および下部表面を有するり
    ん化インジウム基板、 （ｂ）該基板の上部表面上にあり、ひ化インジウム化ガ
    リウムからなり、かつ、ホモ接合を含む第１感光性サブ
    セル、 （ｃ）該第１サブセル上にあり、りん化インジウムから
    なり、かつ、ホモ接合を含む第２感光性サブセル、 （ｄ）該第２サブセル上にあり、当該第２サブセルと電
    気的に接触している頂部接触部の格子パターン、および （ｅ）該格子パターン上にあり、かつ、格子パターンと
    一直線にあるノードを含む、光学的に透過性のプリズム
    状のカバー層 からなる単結晶のモノリシックなタンデム型太陽電池で
    あって、前記ひ化インジウム化ガリウムが、Ｇａx Ｉｎ
    1-x Ａｓy Ｐ1-y によって表される組成であり、x が0.
    200 から0.467 の範囲内にあり、y が0.436 から1.000
    の範囲内にあり、x とy のあいだの関係が、式 y=2.209
    x / (1＋0.06864x) によって定義され；前記ひ化インジ
    ウム化ガリウムがりん化インジウムと格子整合されてお
    り；かつ、第２サブセルが第１サブセルより大きいエネ
    ルギーバンドギャップを有する単結晶のモノリシックな
    タンデム型太陽電池。
  11. 【請求項１１】 前記第１感光サブセルがＧａ0.47Ｉｎ
    0.53Ａｓによって表される組成である請求項１０記載の
    太陽電池。
  12. 【請求項１２】 前記第２サブセルが上部表面を有して
    おり、個々のサブセルが感光領域を有しており、第２サ
    ブセルが当該サブセルの前記感光領域の下に下部領域を
    有しており、上部サブセルの下部領域および下部サブセ
    ルの感光性の上部領域が共通の導電型であり、かつ、前
    記太陽電池が（ａ）前記りん化インジウム基板の下部表
    面と低抵抗のオーミック接触を与える導電層、および、 （ｂ）前記第２サブセルの下部領域と低抵抗のオーミッ
    ク接触を与える導電性の中間接触部をさらに含んでなる
    請求項１０記載の太陽電池。
  13. 【請求項１３】 前記格子パターンと第２サブセルとの
    あいだにひ化インジウム化ガリウムおよびりん化インジ
    ウムの層を有する請求項１０記載の太陽電池。
  14. 【請求項１４】 前記第１および第２サブセルのあいだ
    に中間接触部を有し、該中間接触部がひ化インジウム化
    ガリウムおよびりん化インジウムの別々の連続な層から
    なる請求項１２記載の太陽電池。
  15. 【請求項１５】 （ａ）上部表面を有するりん化インジ
    ウムの基板を設ける工程、 （ｂ）ホモ接合がえられるように、前記上部表面上にひ
    化インジウム化ガリウムの層をエピタキシャル成長させ
    て、第１感光サブセルを形成する工程、 （ｃ）該ひ化インジウム化ガリウム層の上にｐ型のりん
    化インジウムの層をエピタキシャル成長させる工程、 （ｄ）該りん化インジウムの層の上にｐ型のひ化インジ
    ウム化ガリウムの層をエピタキシャル成長させる工程、 （ｅ）ホモ接合がえられるように、前記ｐ型のひ化イン
    ジウム化ガリウムの層の上にりん化インジウムの上部層
    をエピタキシャル成長させて、第２感光サブセルを形成
    する工程、 （ｆ）前記りん化インジウムの上部層を選択的にエッチ
    ングして、前記ｐ型ひ化インジウム化ガリウムに対し下
    向きに延びる、空間的に離れたトレンチを形成する工
    程、 （ｇ）該トレンチ内に電気的に導電性の中間接触部を形
    成する工程、および （ｈ）前記りん化インジウムの上部層と低抵抗のオーミ
    ック接触をする頂部接触部の格子パターンを形成する工
    程 からなる、単結晶のモノリシックなタンデム型太陽電池
    の製法。
  16. 【請求項１６】 前記ひ化インジウム化ガリウムが、Ｇ
    ａx Ｉｎ1-x Ａｓy Ｐ1-y によって表される組成であ
    り、x が0.200 から0.467 の範囲内にあり、yが0.436
    から1.000 の範囲内にあり、かつ、x とyのあいだの関
    係が、式 y=2.209x / (1＋0.06864x) によって定義され
    る請求項１５記載の製法。
  17. 【請求項１７】 各ホモ接合がｎ／ｐ型である請求項１
    ５記載の製法。
  18. 【請求項１８】 前記サブセルの１つがｎ／ｐ型ホモ接
    合を含み、他方のサブセルがｐ／ｎ型ホモ接合を含み、
    かつ前記太陽電池が３個の端子を含む請求項１５記載の
    製法。
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