JPH051153Y2 - - Google Patents

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JPH051153Y2
JPH051153Y2 JP1987096378U JP9637887U JPH051153Y2 JP H051153 Y2 JPH051153 Y2 JP H051153Y2 JP 1987096378 U JP1987096378 U JP 1987096378U JP 9637887 U JP9637887 U JP 9637887U JP H051153 Y2 JPH051153 Y2 JP H051153Y2
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【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は例えばプログラマブル・ロジツク・
デイバイス(以下PLDと称す)に書込信号を与
える駆動回路に関する。
[Detailed explanation of the invention] "Industrial application field" This invention is applicable to, for example, programmable logic,
The present invention relates to a drive circuit that provides a write signal to a device (hereinafter referred to as PLD).

「従来の技術」 プログラマブル・ロジツク・デイバイスは外部
から書込信号を与えて内部の接続状態に変化を与
え、ロジツクの状態を希望する状態にプログラム
することができる素子である。この書込信号を与
える駆動回路は通常の半導体集積回路を駆動する
駆動回路と比べて特殊な機能が要求される。
``Prior Art'' A programmable logic device is an element that can be programmed to a desired logic state by applying a write signal from the outside to change the internal connection state. A drive circuit that provides this write signal is required to have a special function compared to a drive circuit that drives a normal semiconductor integrated circuit.

つまり印加電圧は数10V程度の高電圧であり、
印加電流は数100mA程度の高電流である。電圧
印加モードでも電流印加モードでも正確なタイミ
ング・コントロール下で使用されるため高速性が
要求される。
In other words, the applied voltage is a high voltage of several tens of volts,
The applied current is a high current of about several 100 mA. Both voltage application mode and current application mode are used under precise timing control, so high speed is required.

しかも素子の形式によつて電圧印加モードで書
込みを行う素子と、電流印加モードで書込みを行
う素子とがある。
Furthermore, depending on the type of element, there are elements that perform writing in voltage application mode and elements that perform writing in current application mode.

つまり端子から内部を見た特性が抵抗特性を有
し、この抵抗特性を持つ端子に一定電圧の尖頭値
を持つパルスを与えて内部回路の接続状態に変化
を与える素子の場合、内部の回路に過大な電流が
流入し、素子を破損させないように負荷電流を一
定の範囲に制限する機能が要求される。
In other words, in the case of an element that has resistance characteristics when viewed inside from the terminal, and that changes the connection state of the internal circuit by applying a pulse with a constant voltage peak value to the terminal with this resistance characteristic, the internal circuit A function is required to limit the load current to a certain range to prevent excessive current from flowing into the device and damaging the device.

一方端子から内部を見た特性が非直線特性(ダ
イオードの特性)を有し、この非直線特性を持つ
端子に一定電流の尖頭値を持つパルス状の電流信
号を与え、そのパルス電流によつて内部回路に変
化を与える素子の場合、駆動パルス電流を印加し
ている状態で端子の電圧が過大な電圧に達し、素
子を破損させることを防止するために負圧電圧を
一定範囲に制限する機能が要求される。
On the other hand, the characteristics when looking inside from the terminal have non-linear characteristics (characteristics of a diode), and if a pulse-like current signal with a constant current peak value is applied to the terminal with this non-linear characteristic, the pulse current In the case of an element that causes a change in the internal circuit, the negative pressure voltage must be limited to a certain range to prevent the terminal voltage from reaching an excessive voltage while applying a drive pulse current and damaging the element. functionality is required.

第3図に電圧印加モードで動作する従来の駆動
回路を示す。入力端子1に電圧V1を持つ正極性
のパルスが与えられると、トランジスタQ2がオ
ンとなり、出力端子2に電圧V0を出力し、負荷
3に電圧V0を持つパルスを印加する。
FIG. 3 shows a conventional drive circuit operating in voltage application mode. When a positive pulse with voltage V 1 is applied to input terminal 1, transistor Q 2 is turned on, outputs voltage V 0 to output terminal 2, and applies a pulse with voltage V 0 to load 3.

パルスが与えられている状態で負荷3の内部回
路の変化で過大電流が流れようとすると、その過
大電流は抵抗器4で検出され、トランジスタQ1
をオンに制御する。トランジスタQ1がオンにな
ると、トランジスタQ2はオフに制御され負荷3
に対する電圧V0の印加を制御する。
If an excessive current attempts to flow due to a change in the internal circuit of load 3 while a pulse is being applied, the excessive current is detected by resistor 4, and transistor Q 1
control on. When transistor Q 1 is turned on, transistor Q 2 is controlled off and load 3
Controls the application of voltage V 0 to .

負荷3が負極パルス駆動回路の場合は入力端子
1に負極パルスを与え、トランジスタQ4をオン
に制御して負荷3の端子に負極性の電圧を与え
る。この場合もパルスの印加中に負荷に過大な電
流が流れると、トランジスタQ3がオンとなり、
これによつてトランジスタQ4がオフに制御され
て電流を遮断し、負荷3の破損を阻止する。
If the load 3 is a negative pulse drive circuit, a negative pulse is applied to the input terminal 1, the transistor Q4 is turned on, and a negative voltage is applied to the terminal of the load 3. In this case too, if excessive current flows through the load during the application of the pulse, transistor Q3 turns on,
As a result, the transistor Q4 is controlled to be turned off to cut off the current, thereby preventing damage to the load 3.

第4図は電流印加モードで動作する駆動回路を
示す。この回路では入力端子1が電源電圧+Vと
−Vの中心電圧の状態ではダイオードD1〜D4
全てオンとなり、電流源6を流れる電流IAは全て
ダイオードブリツジを通じて電流源7に流れる。
従つてこの状態では負荷3に対して電流の流入及
び流出はない。
FIG. 4 shows a drive circuit operating in current application mode. In this circuit, when the input terminal 1 is at the center voltage between the power supply voltages +V and -V, all of the diodes D 1 to D 4 are turned on, and all of the current I A flowing through the current source 6 flows to the current source 7 through the diode bridge.
Therefore, in this state, no current flows into or out of the load 3.

入力端子1に電圧V〓を持つ正極性のパルスを
与えると、このパルスが印加されている状態では
ダイオードD2とD3がオンとなり、電流IAが出力
端子2を通じて負荷3に流入する。この電流の流
入によつて負荷3の内部回路が駆動される。
When a positive pulse with voltage V is applied to input terminal 1, diodes D 2 and D 3 are turned on while this pulse is applied, and current I A flows into load 3 through output terminal 2. The internal circuit of the load 3 is driven by this inflow of current.

負荷3の回路が駆動されている状態で負荷の端
子の電圧が異常に上昇し入力端子1に与えられて
いるパルスの電圧V〓を越えると、ダイオードD2
がオフとなり、代わつてダイオードD1がオンと
なつて出力端子2の電圧はV〓に維持される。
When the voltage at the load terminal increases abnormally and exceeds the pulse voltage V〓 applied to input terminal 1 while the load 3 circuit is being driven, diode D 2
is turned off, and the diode D1 is turned on instead, so that the voltage at the output terminal 2 is maintained at V〓.

入力端子1に負極性のパルスが与えられた場合
はダイオードD1とD4がオンとなり、この場合に
は電流源6を流れる電流IAはダイオードD1を通じ
て入力端子1に流れ信号源(特に図示しない)に
流れ込む。これと共に電流源7を流れる電流IB
ダイオードD4を通じて負荷3を流れ、負極電流
で負荷3を駆動する。
When a negative pulse is applied to input terminal 1, diodes D 1 and D 4 turn on, and in this case, the current I A flowing through current source 6 flows to input terminal 1 through diode D 1 and is connected to the signal source (especially (not shown). At the same time, the current I B flowing through the current source 7 flows through the load 3 through the diode D 4 and drives the load 3 with a negative current.

この状態で負荷3の端子の電圧が入力端子1の
電圧より負方向に偏倚したとすると、この場合に
はダイオードD4がオフとなり、ダイオードD2
オンとなり、出力端子2の電圧を入力端子1に与
えられている電圧に維持させる。
In this state, if the voltage at the terminals of load 3 deviates in a negative direction from the voltage at input terminal 1, in this case diode D4 turns off, diode D2 turns on, and the voltage at output terminal 2 is transferred to the input terminal. The voltage applied to 1 is maintained.

「考案が解決しようとする問題点」 従来は電圧印加モードで書込みを行う駆動回路
と、電流印加モードで書込みを行う駆動回路が
別々になつているため、例えばPLDの内部の状
態を希望する状態に書込みを行う装置では電圧印
加モードで動作する駆動回路と、電流印加モード
で動作する駆動回路の双方を用意しなければなら
なかつた。
``Problem that the invention aims to solve'' Conventionally, the drive circuit that writes in voltage application mode and the drive circuit that writes in current application mode are separate, so for example, the internal state of the PLD can be changed to a desired state. In a device that performs writing, it is necessary to prepare both a drive circuit that operates in a voltage application mode and a drive circuit that operates in a current application mode.

このため装置が大形になる欠点と、二種類の駆
動回路が存在することから電圧印加モードで駆動
すべき負荷を電流印加モードで動作する駆動回路
で駆動してしまつたり、電流印加モードで駆動す
べく負荷を電圧印加モードで動作する駆動回路で
駆動してしまつたり、誤つた使い方をしてしまう
ことが起きる欠点もある。
This has the disadvantage of making the device large, and since there are two types of drive circuits, a load that should be driven in voltage application mode may end up being driven by a drive circuit that operates in current application mode, or a load that should be driven in voltage application mode may be driven by a drive circuit that operates in current application mode. There is also the drawback that a load may be driven by a drive circuit that operates in voltage application mode, or may be used incorrectly.

仮に電圧印加モードで駆動すべき負荷を、第4
図に示した電流印加モードで動作する駆動回路で
駆動したとすると、駆動中に負荷3の状態が変化
し、負荷3に過大電流が流れ込んだとしても、こ
れを検出することができず負荷を破損させてしま
うおそれがある。
If the load to be driven in voltage application mode is
If the drive circuit operates in the current application mode shown in the figure, even if the state of the load 3 changes during driving and an excessive current flows into the load 3, this cannot be detected and the load is There is a risk of damage.

また電流印加モードで駆動すべき負荷を第3図
に示した電圧印加モードで動作する駆動回路で駆
動したとすると駆動中に負荷3の状態が変化し、
負荷3の端子に過大電圧が発生してもこれを検出
することはできない。
Furthermore, if a load to be driven in the current application mode is driven by a drive circuit operating in the voltage application mode shown in FIG. 3, the state of the load 3 changes during driving.
Even if an excessive voltage occurs at the terminals of the load 3, this cannot be detected.

この考案の目的の一つの回路で電圧印加モード
と、電流印加モードの双方で動作し、従つて過大
電流の制限と過大電圧の制限の双方を実行するこ
とができる駆動回路を提供するにある。
One object of this invention is to provide a drive circuit that operates in both voltage application mode and current application mode, and is therefore capable of limiting both excessive current and excessive voltage.

「問題点を解決するための手段」 この考案では出力電流が規定の電流以下の状態
では一定電圧と一定電流を出力して定電圧、定電
流源として動作し、出力電流が予定した電流値に
達すると内部抵抗が急激に大きくなつて出力電圧
を急激に低下させる機能を持つ電源回路と、この
電源回路の出力端子と負荷との間に接続され、入
力信号によつて電源の出力端子を負荷の端子に接
続する駆動スイツチ素子(駆動トランジスタ)
と、負荷の端子電圧が設定値より上昇または下降
するときオンとなつて負荷の端子電圧の上昇を抑
制する能動端子(トランジスタ)とによつて駆動
回路を構成したものである。
``Means for solving the problem'' In this invention, when the output current is less than the specified current, it outputs a constant voltage and constant current and operates as a constant voltage and constant current source, so that the output current does not reach the planned current value. The output terminal of the power supply circuit is connected between the output terminal of this power supply circuit and the load, and the output terminal of this power supply circuit is connected between the output terminal of the power supply circuit and the load, and the output terminal of the power supply is loaded with the input signal. Drive switch element (drive transistor) connected to the terminal of
and an active terminal (transistor) that turns on when the terminal voltage of the load rises or falls from a set value to suppress a rise in the terminal voltage of the load.

この考案の回路構造によれば入力信号によつて
駆動スイツチ素子(駆動トランジスタ)がオンに
なると電源回路から負荷の端子に一定の電圧が印
加される。
According to the circuit structure of this invention, when a drive switch element (drive transistor) is turned on by an input signal, a constant voltage is applied from the power supply circuit to the terminals of the load.

負荷が電圧印加モードで駆動すべき回路構造で
あつた場合は負荷の電源回路から一定の電圧が印
加される。この電圧印加状態で負荷の内部におい
て異常が発生し、規定の電流より大きい電流が流
れ始めたとすると、電源回路は電流の増加を検出
して出力電圧を降下させ、電流の増加を抑制す
る。
If the load has a circuit structure to be driven in voltage application mode, a constant voltage is applied from the power supply circuit of the load. If an abnormality occurs inside the load while this voltage is being applied and a current larger than the specified current begins to flow, the power supply circuit detects the increase in current and lowers the output voltage to suppress the increase in current.

一方負荷が電流印加モードで駆動すべき回路構
造であつた場合は電源回路は負荷に一定の電流を
供給する。この電流の供給状態において負荷の電
圧が異常に上昇または下降したとすると能動素子
(トランジスタ)がオンとなつて負荷の端子電圧
を所定の電圧にクランプし、負荷の端子電圧がそ
れ以上に上昇または下降しないように動作する。
On the other hand, if the load has a circuit structure to be driven in current application mode, the power supply circuit supplies a constant current to the load. If the load voltage abnormally rises or falls while this current is being supplied, the active element (transistor) turns on and clamps the load terminal voltage to a predetermined voltage, causing the load terminal voltage to rise or fall beyond that level. Works to prevent it from falling.

このようにこの考案によれば電圧印加モードと
電流印加モードの双方において電圧制限動作と電
流制限動作の双方を実行することができる。
As described above, according to this invention, both the voltage limiting operation and the current limiting operation can be performed in both the voltage application mode and the current application mode.

よつて電圧印加モードで書込みを行うPLDで
も電流印加モードで書込みを行うPLDでも何れ
の種類のPLDでも安全に書込みを行うことがで
きる。
Therefore, writing can be performed safely in any type of PLD, whether it is a PLD that writes in voltage application mode or a PLD that writes in current application mode.

「実施例」 第1図にこの考案の一実施例を示す。図中1は
書込パルスが入力される入力端子、2は出力端
子、3は負荷を示す。
``Example'' Figure 1 shows an example of this invention. In the figure, 1 indicates an input terminal to which a write pulse is input, 2 indicates an output terminal, and 3 indicates a load.

この考案では出力電流が規定の電流値以下の状
態では一定電圧を出力して定電圧源として動作
し、出力電流が規定した電流値に達すると内部抵
抗が急激に大きくなつて出力電圧を急激に低下さ
せる機能を持つ正側電源回路11A、負側電源回
路11Bと、入力信号によつてオン、オフ動作
し、正側電源回路11A,負側電源回路11Bか
ら出力される電圧を負荷3の端子に与える第1駆
動トランジスタ12A、第2駆動トランジスタ1
2Bと、この第1駆動トランジスタ12A、第2
駆動トランジスタ12Bを入力信号に応じてオ
ン、オフ駆動し、第1駆動トランジスタ12A、
第2駆動トランジスタ12Bがオフの状態にある
ときその制御電極に一定の逆バイアス電圧−EK
及び+EKを与え、出力端子2の電圧がこの逆バ
イアス電圧を越えたとき、その第1駆動トランジ
スタ12A、第2駆動トランジスタ12Bの何れ
か一方をオンに制御し、出力端子2の電圧を所定
の電圧にクランプさせる第3トランジスタ13
A、第4トランジスタ13Bとによつて駆動回路
を構成したものである。
In this device, when the output current is below the specified current value, it outputs a constant voltage and operates as a constant voltage source, and when the output current reaches the specified current value, the internal resistance increases rapidly and the output voltage is suddenly increased. The positive side power supply circuit 11A and the negative side power supply circuit 11B, which have the function of lowering the voltage, turn on and off depending on the input signal, and the voltage output from the positive side power supply circuit 11A and the negative side power supply circuit 11B is connected to the terminal of the load 3. The first drive transistor 12A and the second drive transistor 1
2B, this first drive transistor 12A, and the second
The drive transistor 12B is turned on and off according to the input signal, and the first drive transistor 12A,
When the second drive transistor 12B is in the off state, a constant reverse bias voltage −E K is applied to its control electrode.
and +E K , and when the voltage at the output terminal 2 exceeds this reverse bias voltage, either the first drive transistor 12A or the second drive transistor 12B is turned on, and the voltage at the output terminal 2 is set to a predetermined value. The third transistor 13 is clamped to the voltage of
A and a fourth transistor 13B constitute a drive circuit.

正側電源回路11A、負側電源回路11Bはそ
れぞれ二本のトランジスタ14,15と、一方の
トランジスタ15に一定の電流を流し、他方のト
ランジスタ14に流れる一定電流の値を規定する
定電流回路16と、エミツタ抵抗器17,18と
によつて構成することができる。正側電源回路1
1Aではトランジスタ14及び15はPNP型ト
ランジスタを用い、エミツタはそれぞれエミツタ
抵抗器17,18を通じて正極電源端子に接続す
る。
The positive side power supply circuit 11A and the negative side power supply circuit 11B each include two transistors 14 and 15, and a constant current circuit 16 that allows a constant current to flow through one transistor 15 and defines the value of the constant current that flows through the other transistor 14. and emitter resistors 17 and 18. Positive side power supply circuit 1
For 1A, transistors 14 and 15 are PNP type transistors, and their emitters are connected to the positive power supply terminal through emitter resistors 17 and 18, respectively.

負側電源回路11Bではトランジスタ14及び
15はNPN型トランジスタを用い、エミツタは
エミツタ抵抗器17,18を通じて負電源端子に
接続する。その他の構造は正側電源回路11Aと
同等である。
In the negative side power supply circuit 11B, transistors 14 and 15 are NPN type transistors, and their emitters are connected to the negative power supply terminal through emitter resistors 17 and 18. The other structure is the same as that of the positive power supply circuit 11A.

トランジスタ14には定電流回路16によつて
常時一定の電流が流れる。この定電流によつてト
ランジスタ15のエミツタ抵抗器18に一定の電
圧降下が生じ、トランジスタ15のベース電位が
一定値に維持される。この結果他方のトランジス
タ14のベース電位が一定値に維持される。
A constant current always flows through the transistor 14 by a constant current circuit 16. This constant current causes a constant voltage drop across the emitter resistor 18 of the transistor 15, and the base potential of the transistor 15 is maintained at a constant value. As a result, the base potential of the other transistor 14 is maintained at a constant value.

この状態で第1駆動トランジスタ12Aまたは
第2駆動トランジスタ12Bの何れか一方がオン
になると、正側電源回路11Aまたは負側電源回
路11Bが第1駆動トランジスタ12Aまたは第
2駆動トランジスタ12Bを通じて負荷3に接続
され、正側電源回路11A、負側電源回路11B
によつて規定される電圧及び電流を負荷3に与え
る。このとき負荷3が電圧印加モードで駆動すべ
き素子の場合は、出力端子2は一定の電圧に維持
される。
When either the first drive transistor 12A or the second drive transistor 12B is turned on in this state, the positive side power supply circuit 11A or the negative side power supply circuit 11B is connected to the load 3 through the first drive transistor 12A or the second drive transistor 12B. connected, positive side power supply circuit 11A, negative side power supply circuit 11B
A voltage and current defined by is applied to the load 3. At this time, if the load 3 is an element to be driven in the voltage application mode, the output terminal 2 is maintained at a constant voltage.

また負荷3が電流印加モードで駆動すべき素子
の場合は正側電源回路11A、負側電源回路11
Bで決められる電流が出力端子2を通じて負荷3
に与えられる。
In addition, if the load 3 is an element to be driven in current application mode, the positive side power supply circuit 11A and the negative side power supply circuit 11A
The current determined by B is passed through output terminal 2 to load 3.
given to.

第1駆動トランジスタ12A、第2駆動トラン
ジスタ12Bは第3トランジスタ13A、第4ト
ランジスタ13Bのオン、オフ動作によつてオ
ン、オフ操作される。つまりこの第3トランジス
タ13A、第4トランジスタ13Bと直列に第5
トランジスタ19A、第6トランジスタ19Bが
設けられる。この第5トランジスタ19A、第6
トランジスタ19Bのベースは第1定電圧降下素
子21A、第2定電圧降下素子21Bを通じて入
力端子1に接続すると共にこの第1定電圧降下素
子21A、第2定電圧降下素子21Bと第5トラ
ンジスタ19A、第6トランジスタ19Bのベー
スとの接続点にトランジスタ22A,22Bを介
して正側電源回路23A、負側電源回路23Bを
接続する。
The first drive transistor 12A and the second drive transistor 12B are turned on and off by the on and off operation of the third transistor 13A and the fourth transistor 13B.
The fifth transistor 19A and the sixth transistor 19B are provided.
The base of transistor 19B is connected to the input terminal 1 via a first constant voltage drop element 21A and a second constant voltage drop element 21B, and a positive side power supply circuit 23A and a negative side power supply circuit 23B are connected to the connection point between the first constant voltage drop element 21A and the base of the fifth transistor 19A and the second constant voltage drop element 21B and the base of the sixth transistor 19B via transistors 22A and 22B.

第5トランジスタ19A、第6トランジスタ1
9Bのベースとコレクタの間にダイオード24
A,24Bを接続する。このダイオード24A,
24Bは例えばゲルマニユームダイオードのよう
にその順方向電圧は第5トランジスタ19A、第
6トランジスタ19Bのベース−エミツタ間の電
圧降下よりも小さくなる素子に選定する。
Fifth transistor 19A, sixth transistor 1
Diode 24 between the base and collector of 9B
Connect A and 24B. This diode 24A,
24B is selected as an element, such as a germanium diode, whose forward voltage is smaller than the voltage drop between the bases and emitters of the fifth transistor 19A and the sixth transistor 19B.

トランジスタ22A,22Bのベースには入力
端子1に与えられる入力パルスV1の尖頭値より
充分高いバイアス電圧V1とV2を与える。
Bias voltages V 1 and V 2 that are sufficiently higher than the peak value of the input pulse V 1 applied to the input terminal 1 are applied to the bases of the transistors 22A and 22B.

入力端子1に第2図Aに示す正極性のパルスが
入力されると、第4トランジスタ13Bの電流が
増加し、第2駆動トランジスタ12Bのベース電
流を減少させ、コレクタ−エミツタ間のインピー
ダンスを増加させる。これと共に第3トランジス
タ13Aの電流が減少し、第3トランジスタ13
Aのインピーダンスが大きくなる方向に制御す
る。つまり第1駆動トランジスタ12Aを完全に
オンの状態に操作する。
When the positive pulse shown in FIG. 2A is input to the input terminal 1, the current of the fourth transistor 13B increases, the base current of the second drive transistor 12B decreases, and the impedance between the collector and emitter increases. let At the same time, the current of the third transistor 13A decreases, and the third transistor 13A decreases.
The impedance of A is controlled in the direction of increasing. In other words, the first drive transistor 12A is completely turned on.

第1駆動トランジスタ12Aが完全にオンの状
態になることによつて負荷3には第2図Bに示す
電圧VIOが与えられる。
When the first drive transistor 12A is completely turned on, the voltage VIO shown in FIG. 2B is applied to the load 3.

負荷3が電圧印加モードで動作する回路構造の
場合、出力電圧VIOが与えられている状態におい
て負荷3の内部が異常を起こし、電流が第2図C
に示すように急激に流れ始めたとする。このとき
負荷に流れる出力電流IOが正側電源回路11Aに
設定した制限値ILLを越えると出力電流IOは第2図
Cに示すように制限値ILLに制限され、電流IOはそ
れ以上に増加することが阻止される。これと共に
正側電源回路11Aを構成するトランジスタ14
を流れる電流が増加したことにより、エミツタ抵
抗器17における電圧降下が大となつてこのトラ
ンジスタ14がカツトオフとなり、高インピーダ
ンスを呈するから正側電源回路11Aにおける電
圧降下が大となる。よつて負荷3に印加される出
力電圧VIOは第2図Dに示すように電流IOが制限
値ILLに達している状態で電圧VLLに制限される。
If the load 3 has a circuit structure that operates in the voltage application mode, an abnormality occurs inside the load 3 when the output voltage VIO is applied, and the current increases as shown in Figure 2C.
Suppose that the flow starts rapidly as shown in . At this time, if the output current I O flowing to the load exceeds the limit value I LL set in the positive side power supply circuit 11A, the output current I O is limited to the limit value I LL as shown in Figure 2C, and the current I O Any further increase is prevented. The transistor 14 which together constitutes the positive side power supply circuit 11A
As the current flowing through the emitter resistor 17 increases, the voltage drop across the emitter resistor 17 becomes large, and this transistor 14 is cut off, exhibiting a high impedance, resulting in a large voltage drop in the positive power supply circuit 11A. Therefore, the output voltage VIO applied to the load 3 is limited to the voltage VLL when the current IO has reached the limit value ILL , as shown in FIG. 2D.

なお、このときダイオード24Aが導通し負荷
3には電源回路23Aからも電流IB1が与えられ
る。よつて、このとき負荷3にはIO=IB1+ILL
流れる。
Note that at this time, the diode 24A becomes conductive, and the current I B1 is also applied to the load 3 from the power supply circuit 23A. Therefore, at this time, I O = I B1 + I LL flows through the load 3.

一方負荷3が電流印加モードで駆動すべき回路
構造であつた場合は第1駆動トランジスタ12A
が完全にオンになると、負荷3に電源回路11A
で規定した制限値ILLに等しい電流IOが流れ、負荷
3の内部を駆動する。
On the other hand, if the load 3 has a circuit structure that should be driven in current application mode, the first drive transistor 12A
When fully turned on, the power supply circuit 11A is applied to load 3.
A current I O equal to the limit value I LL specified by flows and drives the inside of the load 3.

負荷3に電流IOが流れている状態で負荷3の内
部で異常が発生し、負荷3の端子の電圧が第2図
Fに示すように規定値VMを越える程に大きくな
つたとすると、このときは出力端子2の電位が正
方向に上昇する。出力端子2の電位が接続点Bに
発生しているバイアス電圧+EMを越えると第2
駆動トランジスタ12Bがオンとなり出力端子2
の電位を入力端子1の電位にクランプする。
Suppose that an abnormality occurs inside load 3 while current I O is flowing through load 3, and the voltage at the terminals of load 3 increases to the extent that it exceeds the specified value V M as shown in Figure 2 F. At this time, the potential of the output terminal 2 increases in the positive direction. When the potential of output terminal 2 exceeds the bias voltage + EM generated at connection point B, the second
The drive transistor 12B is turned on and the output terminal 2
The potential of is clamped to the potential of input terminal 1.

つまり第2駆動トランジスタ12Bのエミツタ
電位は接続点Dの電位に対して第2駆動トランジ
スタ12Bのエミツタ−ベース間の電圧降下と、
第5トランジスタ19Bのエミツタ−ベース間の
電圧降下の和にほゞ等しい。これに対して接続点
C及びDと入力端子1との間はダイオードから成
る二本の第1定電圧降下素子21A、第2定電圧
降下素子21Bを用いているから、この第1定電
圧降下素子21A、第2定電圧降下素子21Bの
電圧降下は第2駆動トランジスタ12Bと第6ト
ランジスタ19Bのエミツタ−ベース間の電圧降
下にほゞ等しい。従つてこのような理由によつて
出力端子2の電圧VIOは入力端子1の電位V1
クランプされる。
In other words, the emitter potential of the second drive transistor 12B is the voltage drop between the emitter and base of the second drive transistor 12B with respect to the potential at the connection point D.
It is approximately equal to the sum of the emitter-base voltage drops of the fifth transistor 19B. On the other hand, since two constant voltage drop elements 21A and 21B consisting of diodes are used between connection points C and D and input terminal 1, this first constant voltage drop The voltage drop of the element 21A and the second constant voltage drop element 21B is approximately equal to the voltage drop between the emitter and base of the second drive transistor 12B and the sixth transistor 19B. Therefore, for this reason, the voltage VIO at the output terminal 2 is clamped to the potential V1 at the input terminal 1.

入力パルスが負極正のパルスであつた場合は第
2駆動トランジスタ12Bが完全にオンとなつて
負荷3に負の電圧を印加すると共に、負荷3から
負側電源回路11Bに向かつて電流を吸引する。
このとき負荷3が異常に増大すると、その電流は
負側電源回路11Bに設定した電流値に制限さ
れ、電流はその制限値より負方向に増大すること
を阻止される。また負荷3が電流印加モードで動
作する素子の場合、負荷3の端子電圧が異常に負
方向に偏倚され、今度は出力端子2の電位が接続
点Aのバイアス電圧−EKより負側に越えると第
1駆動トランジスタ12Aがオンとなり、負荷3
の端子電圧がそれ以上負方向に偏倚されないよう
に制限する。
When the input pulse is a negative-positive pulse, the second drive transistor 12B is completely turned on, applies a negative voltage to the load 3, and draws current from the load 3 toward the negative power supply circuit 11B. .
If the load 3 abnormally increases at this time, its current is limited to the current value set in the negative power supply circuit 11B, and the current is prevented from increasing in the negative direction beyond the limit value. In addition, if load 3 is an element that operates in current application mode, the terminal voltage of load 3 will be abnormally biased in the negative direction, and the potential of output terminal 2 will now exceed the bias voltage of connection point A -E K to the negative side. and the first drive transistor 12A turns on, and the load 3
limit the terminal voltage from being biased further in the negative direction.

「考案の効果」 以上説明したようにこの考案によれば一つの回
路で電圧印加モードで書込みを行う素子でも電流
印加モードで書込みを行う素子でも何れの形式の
素子でも駆動し、また異常に対して保護すること
ができる。
``Effects of the invention'' As explained above, according to this invention, one circuit can drive any type of element, whether it is an element that writes in voltage application mode or an element that writes in current application mode, and it can also prevent abnormalities. can be protected.

よつてPLDの種類を問わずに書込みのための
駆動を行うことができる。また異常があつても電
圧及び電流の制限動作を行うから安全にPLDの
書込み及び書替えを行うことができる。
Therefore, it is possible to drive for writing regardless of the type of PLD. Furthermore, even if an abnormality occurs, the voltage and current are limited, so writing and rewriting of the PLD can be performed safely.

またこの考案では第3トランジスタ13A、第
4トランジスタ13B及び第1駆動トランジスタ
12A、第2駆動トランジスタ12Bをいかなる
状態にあつても完全にオフにしない構造としたか
ら、入力信号及び負荷3の異常に対して高速度に
応答し、負荷3の保護動作を完全に実行すること
ができる。
In addition, this invention has a structure in which the third transistor 13A, the fourth transistor 13B, the first drive transistor 12A, and the second drive transistor 12B are not completely turned off in any state, so that abnormalities in the input signal and load 3 can be avoided. In contrast, the protection operation for the load 3 can be completely executed by responding at high speed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの考案の一実施例を示す接続図、第
2図はこの考案の動作を説明するための波形図、
第3図及び第4図は従来の駆動回路を説明するた
めの接続図である。 1……入力端子、2……出力端子、3……負
荷、11A,11B……電源回路、12A,12
B……駆動トランジスタ、13A,13B……ト
ランジスタ。
Fig. 1 is a connection diagram showing an embodiment of this invention, Fig. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of this invention,
FIGS. 3 and 4 are connection diagrams for explaining conventional drive circuits. 1...Input terminal, 2...Output terminal, 3...Load, 11A, 11B...Power supply circuit, 12A, 12
B...drive transistor, 13A, 13B...transistor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 設定値以上の電流が流れると内部抵抗が急激に
増加する特性を持つ正側電源回路と、 設定値以上の電流が流れると内部抵抗が急激に
増大する特性を持つ負側電源回路と、 上記正側電源回路と負荷との間に順方向に接続
されたNPN型の第1駆動トランジスタと、 上記負側電源回路と上記負荷との間に順方向に
接続されたPNP型の第2駆動トランジスタと、 エミツタが上記第1駆動トランジスタのベース
に接続され、ベースが入力端子に接続され、コレ
クタが負電源端子に接続されたPNP型第3トラ
ンジスタと、 エミツタが上記第2駆動トランジスタのベース
に接続され、ベースが上記入力端子に接続され、
コレクタが正電源端子に接続されたNPN型第4
トランジスタと、 コレクタが上記正側電源回路に接続され、エミ
ツタが上記第1駆動トランジスタのベースに接続
されたNPN型第5トランジスタと、 コレクタが上記負側電源回路に接続され、エミ
ツタが上記第2駆動トランジスタのベースに接続
されたPNP型第6トランジスタと、 上記第5トランジスタのベースと、上記入力端
子との間に接続された第1定電圧降下素子と、 上記第6トランジスタのベースと上記入力端子
との間に接続された第2定電圧降下素子と、から
なる駆動回路。
[Claims for Utility Model Registration] A positive power supply circuit that has a characteristic that internal resistance increases rapidly when a current exceeding a set value flows, and a positive side power supply circuit that has a characteristic that internal resistance rapidly increases when a current exceeding a set value flows. a negative power supply circuit; a first NPN drive transistor connected in a forward direction between the positive power supply circuit and the load; and a first NPN drive transistor connected in the forward direction between the negative power supply circuit and the load. a PNP-type second drive transistor; a PNP-type third transistor whose emitter is connected to the base of the first drive transistor, whose base is connected to the input terminal, and whose collector is connected to the negative power supply terminal; 2 is connected to the base of the drive transistor, the base is connected to the input terminal,
NPN type 4 with collector connected to positive power supply terminal
a transistor; a fifth NPN transistor having a collector connected to the positive power supply circuit and an emitter connected to the base of the first drive transistor; a fifth NPN transistor having a collector connected to the negative power supply circuit and an emitter connected to the second drive transistor; a PNP type sixth transistor connected to the base of the drive transistor; a first constant voltage drop element connected between the base of the fifth transistor and the input terminal; and a first constant voltage drop element connected between the base of the sixth transistor and the input terminal. a second constant voltage drop element connected between the terminal and the drive circuit.
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