JPH05119329A - Ｌｃｄの製造装置 - Google Patents
Ｌｃｄの製造装置Info
- Publication number
- JPH05119329A JPH05119329A JP27943391A JP27943391A JPH05119329A JP H05119329 A JPH05119329 A JP H05119329A JP 27943391 A JP27943391 A JP 27943391A JP 27943391 A JP27943391 A JP 27943391A JP H05119329 A JPH05119329 A JP H05119329A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000008207 working material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＬＣＤ基板上に成長した加工材料をプラズマ雰
囲気中のイオン衝撃により所望の形状に加工する装置に
関し、従来の装置に比べエッチング速度の均一性を向上
させることにより加工精度を著しく向上させる事ができ
るとともにエッチング時間を短縮させ、ＴＦＴ素子の特
性劣化及び損傷の程度を著しく軽減することができるＬ
ＣＤ製造装置を提供することを目的とする。 【構成】本発明のＬＣＤ製造装置は、高周波により励起
・活性化されたプラズマを封入するための真空容器と、
高周波電力を供給するための高周波電源と、反応性ガス
に高周波電力を印加するための一対の電極とを有してお
り、特にＬＣＤ基板設置側と相対向する電極を移動せし
める構造を有している。
囲気中のイオン衝撃により所望の形状に加工する装置に
関し、従来の装置に比べエッチング速度の均一性を向上
させることにより加工精度を著しく向上させる事ができ
るとともにエッチング時間を短縮させ、ＴＦＴ素子の特
性劣化及び損傷の程度を著しく軽減することができるＬ
ＣＤ製造装置を提供することを目的とする。 【構成】本発明のＬＣＤ製造装置は、高周波により励起
・活性化されたプラズマを封入するための真空容器と、
高周波電力を供給するための高周波電源と、反応性ガス
に高周波電力を印加するための一対の電極とを有してお
り、特にＬＣＤ基板設置側と相対向する電極を移動せし
める構造を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＣＤ製造装置に関
し、特にＬＣＤ基板上に成長させた加工材料をプラズマ
雰囲気中のイオン衝撃により所望の形状に加工する装置
に関する。
し、特にＬＣＤ基板上に成長させた加工材料をプラズマ
雰囲気中のイオン衝撃により所望の形状に加工する装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＬＣＤ製造装置は、図４
に示す様に平行平板型の電極１を真空容器２内に平行に
配置し、電極１に高周波電源３により高周波電極を印加
して真空容器２内に導入した反応性ガスを励起、活性化
することによってプラズマを発生させ、電極１上のＬＣ
Ｄ基板４上に成長させた加工材料をエッチングする方法
がとられていた。
に示す様に平行平板型の電極１を真空容器２内に平行に
配置し、電極１に高周波電源３により高周波電極を印加
して真空容器２内に導入した反応性ガスを励起、活性化
することによってプラズマを発生させ、電極１上のＬＣ
Ｄ基板４上に成長させた加工材料をエッチングする方法
がとられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＬＣＤ製造
装置は、生産性および加工材料に対するエッチング選択
性が低いという欠点を有する。そこで、エッチング選択
性を改善すべく加工材料に対する選択性が良い反応性ガ
スを使用し、且つ選択性にのみ着目して最適の放電条件
を設定すると、他の加工性能、例えば加工精度が低下し
てしまうという難点がある。すなわち、電極上に設置さ
れたＬＣＤ基板上に形成されている加工材料に対するエ
ッチング速度が、ＬＣＤ基板の中央部と周辺部で異なっ
てしまい周辺部においてエッチング速度が遅いという欠
点がある。このエッチング速度の不均一性により加工精
度が低下してしまう。
装置は、生産性および加工材料に対するエッチング選択
性が低いという欠点を有する。そこで、エッチング選択
性を改善すべく加工材料に対する選択性が良い反応性ガ
スを使用し、且つ選択性にのみ着目して最適の放電条件
を設定すると、他の加工性能、例えば加工精度が低下し
てしまうという難点がある。すなわち、電極上に設置さ
れたＬＣＤ基板上に形成されている加工材料に対するエ
ッチング速度が、ＬＣＤ基板の中央部と周辺部で異なっ
てしまい周辺部においてエッチング速度が遅いという欠
点がある。このエッチング速度の不均一性により加工精
度が低下してしまう。
【０００４】近年のＬＣＤの大面積化により増々高い加
工精度が必要とされているが、従来のＬＣＤ製造装置で
は、このような所望の加工精度を満足させることができ
ないという問題点がある。一方、ＬＣＤ基板上に形成さ
れた加工材料をエッチングしている間プラズマ中にさら
されているため、プラズマ中のイオン及び電子の衝撃に
よりＴＦＴ素子の特性が劣化したり、ＴＦＴ素子が損傷
したりする弊害の影響を受けやすい。この特性劣化及び
損傷の原因となるイオン及び電子の衝撃を和ろげるた
め、エッチング中の圧力を所望の加工精度を確保できる
範囲内で高圧力側で使用するが、高圧力側で使うと真空
容器内の放電領域が狭くなり、上述のエッチング速度の
不均一性が増長されるという問題点がある。又、この特
性劣化及び損傷の程度は、プラズマ中にさらされている
時間に比例して増大するのでＬＣＤ基板上に形成された
加工材料のエッチング時間を長くすることができない。
工精度が必要とされているが、従来のＬＣＤ製造装置で
は、このような所望の加工精度を満足させることができ
ないという問題点がある。一方、ＬＣＤ基板上に形成さ
れた加工材料をエッチングしている間プラズマ中にさら
されているため、プラズマ中のイオン及び電子の衝撃に
よりＴＦＴ素子の特性が劣化したり、ＴＦＴ素子が損傷
したりする弊害の影響を受けやすい。この特性劣化及び
損傷の原因となるイオン及び電子の衝撃を和ろげるた
め、エッチング中の圧力を所望の加工精度を確保できる
範囲内で高圧力側で使用するが、高圧力側で使うと真空
容器内の放電領域が狭くなり、上述のエッチング速度の
不均一性が増長されるという問題点がある。又、この特
性劣化及び損傷の程度は、プラズマ中にさらされている
時間に比例して増大するのでＬＣＤ基板上に形成された
加工材料のエッチング時間を長くすることができない。
【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、エッチング速度の均一性を向上させるこ
とによって加工精度を著しく向上させることができると
共に、エッチング時間を短縮させ、ＴＦＴ素子の特性劣
化及び損傷の程度を著しく軽減することができるＬＣＤ
製造装置を提供することを目的とする。
ものであって、エッチング速度の均一性を向上させるこ
とによって加工精度を著しく向上させることができると
共に、エッチング時間を短縮させ、ＴＦＴ素子の特性劣
化及び損傷の程度を著しく軽減することができるＬＣＤ
製造装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＣＤ製造装置
は、高周波により励起・活性化されたプラズマを封入す
るための真空容器と、高周波電力を供給するための高周
波電源と、反応性ガスに高周波電力を印加するための一
対の電極を有しており、ＬＣＤ基板設置側と相対向する
電極を移動せしめる構造を有している。
は、高周波により励起・活性化されたプラズマを封入す
るための真空容器と、高周波電力を供給するための高周
波電源と、反応性ガスに高周波電力を印加するための一
対の電極を有しており、ＬＣＤ基板設置側と相対向する
電極を移動せしめる構造を有している。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の縦断面図である。金
属製の真空容器２内の中央部に一対の対向する電極５，
６が設置されており、上方電極５は接地され下方電極６
は高周波電源３に接続されている。このように構成され
た本実施例によるＬＣＤ製造装置において先ず下方電極
１の上面上にＬＣＤ基板を設置する。そして、真空容器
２内を所定の真空度に排気した後、ガス導入口を介して
真空容器２内に反応性ガスを導入し、真空容器２内を５
〜５０Ｐａの圧力の反応性ガス雰囲気にする。
る。図１は本発明の第１の実施例の縦断面図である。金
属製の真空容器２内の中央部に一対の対向する電極５，
６が設置されており、上方電極５は接地され下方電極６
は高周波電源３に接続されている。このように構成され
た本実施例によるＬＣＤ製造装置において先ず下方電極
１の上面上にＬＣＤ基板を設置する。そして、真空容器
２内を所定の真空度に排気した後、ガス導入口を介して
真空容器２内に反応性ガスを導入し、真空容器２内を５
〜５０Ｐａの圧力の反応性ガス雰囲気にする。
【０００８】次いで、高周波電源３により電極５，６間
に例えば１ＭＨｚ以下の高周波電極を印加することによ
って真空容器２内の反応性ガスを励起し活性化させプラ
ズマを発生させる。この発生したプラズマ中のイオンに
より下方電極６上に設置されたＬＣＤ基板４の加工材料
がエッチングされる。本実施例では、上方電極５がモー
タ７によって下方電極６の中心よりやや距離が離れた同
心円上を回転することにより、従来放電領域の端にあた
るためエッチング速度の遅い下方電極６の外周部分に
も、エッチングに有効な放電領域を使用することができ
る。このため下方電極６の外周部分に設置されたＬＣＤ
基板４上の加工材料のエッチング速度を上昇させること
ができるので、下方電極６上のＬＣＤ基板４に形成され
た加工材料のエッチング速度の均一性を向上させること
ができる。
に例えば１ＭＨｚ以下の高周波電極を印加することによ
って真空容器２内の反応性ガスを励起し活性化させプラ
ズマを発生させる。この発生したプラズマ中のイオンに
より下方電極６上に設置されたＬＣＤ基板４の加工材料
がエッチングされる。本実施例では、上方電極５がモー
タ７によって下方電極６の中心よりやや距離が離れた同
心円上を回転することにより、従来放電領域の端にあた
るためエッチング速度の遅い下方電極６の外周部分に
も、エッチングに有効な放電領域を使用することができ
る。このため下方電極６の外周部分に設置されたＬＣＤ
基板４上の加工材料のエッチング速度を上昇させること
ができるので、下方電極６上のＬＣＤ基板４に形成され
た加工材料のエッチング速度の均一性を向上させること
ができる。
【０００９】図３は、横軸に下方電極６の面内位置をと
り、縦軸にエッチング速度の測定値をとって下方電極の
位置におけるエッチング速度の均一性を示すグラフであ
る。図３から明らかなように、従来装置の場合は、下方
電極６の周辺部に対応するＬＣＤ基板４に形成された加
工材料については、中央部に形成された加工材料に比べ
てエッチング速度が遅くエッチング速度の差が大きいの
に対し、本実施例においては、下方電極６の周辺部の加
工材料のエッチング速度が、従来に比べて増加していて
エッチング速度の均一性が高い。
り、縦軸にエッチング速度の測定値をとって下方電極の
位置におけるエッチング速度の均一性を示すグラフであ
る。図３から明らかなように、従来装置の場合は、下方
電極６の周辺部に対応するＬＣＤ基板４に形成された加
工材料については、中央部に形成された加工材料に比べ
てエッチング速度が遅くエッチング速度の差が大きいの
に対し、本実施例においては、下方電極６の周辺部の加
工材料のエッチング速度が、従来に比べて増加していて
エッチング速度の均一性が高い。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例の断面図であ
る。図２において、図１と同一物には同一符号を付して
ありその説明を省略する。本実施例は、上方電極８，９
の形成のみが第１の実施例と異なる。上方電極８，９
は、上方電極固定部９は移動せず下方電極６の周辺部に
対応する上方電極回転部８のみ、偏心した回転円運動を
行う。
る。図２において、図１と同一物には同一符号を付して
ありその説明を省略する。本実施例は、上方電極８，９
の形成のみが第１の実施例と異なる。上方電極８，９
は、上方電極固定部９は移動せず下方電極６の周辺部に
対応する上方電極回転部８のみ、偏心した回転円運動を
行う。
【００１１】このように構成された本実施例によるＬＣ
Ｄ製造装置においては、第１の実施例と同様に上方電極
８，９と下方電極６との間に高周波電極を印加し真空容
器２内の反応性ガスを励起し活性化すると、真空容器２
内にプラズマが発生し、このプラズマ中のイオンにより
ＬＣＤ基板４上に形成された加工材料がエッチングされ
る。本実施例では、上方電極の周辺部のみ回転させる
が、周辺部の電極と下方電極の距離を変えることによ
り、より均一な放電状態を設定してエッチング速度の均
一性を更に向上させることができるという利点がある。
Ｄ製造装置においては、第１の実施例と同様に上方電極
８，９と下方電極６との間に高周波電極を印加し真空容
器２内の反応性ガスを励起し活性化すると、真空容器２
内にプラズマが発生し、このプラズマ中のイオンにより
ＬＣＤ基板４上に形成された加工材料がエッチングされ
る。本実施例では、上方電極の周辺部のみ回転させる
が、周辺部の電極と下方電極の距離を変えることによ
り、より均一な放電状態を設定してエッチング速度の均
一性を更に向上させることができるという利点がある。
【００１２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、上方電極板
を移動することによって安定した放電領域が高くなる様
に調整することができる。これにより下方電極板上の広
範囲にわたりエッチング速度の均一性を向上させること
ができ、近年の大面積化されたＬＣＤ製造技術に必要と
される加工精度を十分満足させることができる。
を移動することによって安定した放電領域が高くなる様
に調整することができる。これにより下方電極板上の広
範囲にわたりエッチング速度の均一性を向上させること
ができ、近年の大面積化されたＬＣＤ製造技術に必要と
される加工精度を十分満足させることができる。
【００１３】一方、エッチング速度の均一性が向上する
ことにより、エッチング時間の短縮が可能になるのでス
ループットが著しく向上すると共に、ＬＣＤ基板がプラ
ズマ中にさらされる時間も短縮されることにより、プラ
ズマ中のイオン及び電子の衝撃により生ずるＴＦＴ素子
の特性劣化及び損傷を防止することができる。近年のＬ
ＣＤ面積化の背景の下で、上述の如く加工精度の向上及
びプラズマ損傷の軽減が可能になり、本発明はＬＣＤの
歩留向上及び信頼性の向上に多大の効果を奏する。
ことにより、エッチング時間の短縮が可能になるのでス
ループットが著しく向上すると共に、ＬＣＤ基板がプラ
ズマ中にさらされる時間も短縮されることにより、プラ
ズマ中のイオン及び電子の衝撃により生ずるＴＦＴ素子
の特性劣化及び損傷を防止することができる。近年のＬ
ＣＤ面積化の背景の下で、上述の如く加工精度の向上及
びプラズマ損傷の軽減が可能になり、本発明はＬＣＤの
歩留向上及び信頼性の向上に多大の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施例の縦断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の縦断面図である。
【図３】下方電極位置におけるエッチング速度の均一性
を示す図である。
を示す図である。
【図４】従来のＬＣＤ製造装置を示す断面図である。
１ 電極 ２ 真空容器 ３ 高周波電源 ４ ＬＣＤ基板 ５ 上方電極 ６ 下方電極 ７ モータ ８ 上方電極回転部 ９ 上方電極固定部
Claims (1)
- 【請求項１】 ２つの板状の電極を真空容器内に平行に
配置し、一方の電極に高周波を印加し真空容器内に導入
した反応性ガスにプラズマを発生させ電極上に設置した
ＬＣＤ基板のエッチングを行うＬＣＤの製造装置におい
て、ＬＣＤ基板設置側と相対向する電極板を移動させる
構造を有することを特徴とするＬＣＤの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27943391A JPH05119329A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Ｌｃｄの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27943391A JPH05119329A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Ｌｃｄの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119329A true JPH05119329A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17611001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27943391A Pending JPH05119329A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Ｌｃｄの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05119329A (ja) |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP27943391A patent/JPH05119329A/ja active Pending
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