JPH05120992A - 熱陰極素子の製造方法 - Google Patents
熱陰極素子の製造方法Info
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- JPH05120992A JPH05120992A JP4099855A JP9985592A JPH05120992A JP H05120992 A JPH05120992 A JP H05120992A JP 4099855 A JP4099855 A JP 4099855A JP 9985592 A JP9985592 A JP 9985592A JP H05120992 A JPH05120992 A JP H05120992A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000005262 decarbonization Methods 0.000 claims description 4
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 abstract description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019595 ReF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 最初に熱陰極素子の複数のサブ層を基板部材
上にＣＶＤプロセスにより連続的に堆積し、希土類酸化
物ドープ耐熱金属から成る熱陰極素子を製造する方法に
おいて、後の作業のために要求される熱陰極素子の機械
的強度を向上させることにある。 【構成】 ＣＶＤプロセス中に脱炭素中間処理を実行
し、後に熱陰極素子を後処理により加炭する。
上にＣＶＤプロセスにより連続的に堆積し、希土類酸化
物ドープ耐熱金属から成る熱陰極素子を製造する方法に
おいて、後の作業のために要求される熱陰極素子の機械
的強度を向上させることにある。 【構成】 ＣＶＤプロセス中に脱炭素中間処理を実行
し、後に熱陰極素子を後処理により加炭する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、最初に熱陰極素子の複
数のサブ層を基板部材上にＣＶＤプロセスにより連続的
に堆積し、希土類酸化物ドープ耐熱金属から成る熱陰極
素子を製造する方法に関するものである。本発明はこの
ような熱陰極素子を具える陰極線管にも関するものであ
る。
数のサブ層を基板部材上にＣＶＤプロセスにより連続的
に堆積し、希土類酸化物ドープ耐熱金属から成る熱陰極
素子を製造する方法に関するものである。本発明はこの
ような熱陰極素子を具える陰極線管にも関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の製造方法はＥＰ−Ａ−０２０４
３５６号に記載されている。この方法では、基板円筒の
内面のプラズマ活性化ＣＶＤコーティング（ＰＣＶＤ）
中にトリエーテッドタングステンから成る熱陰極素子内
に炭化タングステン（Ｗ2 Ｃ）も導入させている。その
Ｃ−成分のために、後の熱陰極素子の動作中及び後に、
約2000Ｋの比較的低い温度において熱陰極素子の表面上
にほぼ単原子のトリウム膜の形成及び維持が増進され
る。トリエーテッドタングステン陰極の動作にとって重
要なＷ2 Ｃは、次の反応
３５６号に記載されている。この方法では、基板円筒の
内面のプラズマ活性化ＣＶＤコーティング（ＰＣＶＤ）
中にトリエーテッドタングステンから成る熱陰極素子内
に炭化タングステン（Ｗ2 Ｃ）も導入させている。その
Ｃ−成分のために、後の熱陰極素子の動作中及び後に、
約2000Ｋの比較的低い温度において熱陰極素子の表面上
にほぼ単原子のトリウム膜の形成及び維持が増進され
る。トリエーテッドタングステン陰極の動作にとって重
要なＷ2 Ｃは、次の反応
【数１】ＴｈＯ2 ＋２Ｗ2 Ｃ →Ｔｈ＋４Ｗ＋２ＣＯ↑ により金属トリウムを解放し、粒界に沿って表面まで拡
散し、この区域に堆積されている本質的に単原子のTh膜
を補充する。他方、炭素含有は熱陰極素子を脆化するた
め、熱陰極素子を破損しないよう極めて注意深く取扱う
必要がある。
散し、この区域に堆積されている本質的に単原子のTh膜
を補充する。他方、炭素含有は熱陰極素子を脆化するた
め、熱陰極素子を破損しないよう極めて注意深く取扱う
必要がある。
【０００３】本発明の目的は後の作業のために必要とさ
れる熱陰極素子の機械的強度を向上するようにした上述
した種類の製造方法を提供することにある。本発明では
この目的を、ＣＶＤプロセス中に脱炭素中間処理を実行
し、後に熱陰極素子を後処理により加炭することにより
達成する。本発明では，たとえ熱陰極素子内に所定の炭
素成分が望まれるとしても、ＣＶＤ層をＣＶＤ反応器内
で脱炭素処理する。再加炭処理を、熱陰極素子に破損の
惧れがある機械的負荷を及ぼす必要がなくなった後、好
ましくは熱陰極素子を管内に組み込むために設けられた
支持部材に連結した後にのみ実行する。高周波管、Ｘ線
管又は熱陰極試験装置に組み込んだ後に支持部材により
支持された熱陰極素子を炭化水素ガス雰囲気中でアニー
ルする。このとき生ずる脆化は，熱陰極素子が既に支持
部材に連結されているために最早問題にならず、2000Ｋ
を越える陰極動作温度においても問題を生じない。ほぼ
完全な脱炭素は、基板部材上に耐熱金属、特にタングス
テンと希土類酸化物、特にThO x の交互の層を堆積し、
各希土類酸化物層の堆積後に特にＡr / Ｏ 2 を用いて脱
炭素プラズマ中間処理を実行することにより達成され
る。Ｏ2/Ａrプラズマ中の酸化により形成される有害な
タングステン酸化物は、必要に応じ、タングステン層の
堆積後にＨ2/Ａr プラズマ中間処理を実行することによ
り避けることができる。
れる熱陰極素子の機械的強度を向上するようにした上述
した種類の製造方法を提供することにある。本発明では
この目的を、ＣＶＤプロセス中に脱炭素中間処理を実行
し、後に熱陰極素子を後処理により加炭することにより
達成する。本発明では，たとえ熱陰極素子内に所定の炭
素成分が望まれるとしても、ＣＶＤ層をＣＶＤ反応器内
で脱炭素処理する。再加炭処理を、熱陰極素子に破損の
惧れがある機械的負荷を及ぼす必要がなくなった後、好
ましくは熱陰極素子を管内に組み込むために設けられた
支持部材に連結した後にのみ実行する。高周波管、Ｘ線
管又は熱陰極試験装置に組み込んだ後に支持部材により
支持された熱陰極素子を炭化水素ガス雰囲気中でアニー
ルする。このとき生ずる脆化は，熱陰極素子が既に支持
部材に連結されているために最早問題にならず、2000Ｋ
を越える陰極動作温度においても問題を生じない。ほぼ
完全な脱炭素は、基板部材上に耐熱金属、特にタングス
テンと希土類酸化物、特にThO x の交互の層を堆積し、
各希土類酸化物層の堆積後に特にＡr / Ｏ 2 を用いて脱
炭素プラズマ中間処理を実行することにより達成され
る。Ｏ2/Ａrプラズマ中の酸化により形成される有害な
タングステン酸化物は、必要に応じ、タングステン層の
堆積後にＨ2/Ａr プラズマ中間処理を実行することによ
り避けることができる。
【０００４】本発明方法は任意の形状の熱陰極素子に対
し使用することができる。しかし、本発明方法は円筒状
基板部材の内壁上に堆積した高感度円筒状熱陰極素子の
製造に特に好適である。この場合には各層をプラズマ活
性化ＣＶＤ（ＰＣＶＤ）により堆積するのが好ましい。
本発明により製造される熱陰極素子の脆性は、レニウム
を熱陰極素子に同時に堆積することにより更に低下す
る。数パーセントまでのReの同時堆積はＲｅＦ6/ＷＦ6/
Ｈ2混合物からＷ堆積と一緒に達成し得る。基板部材と
しては内面が１μm 以下の表面粗さを有する金属円筒、
特に銅円筒を用いるのが好ましい。例えば、基板円筒を
肉厚の管を旋削して造り、10μm までの溝構造及び粗さ
を容認すると、そのでこぼこが熱陰極素子の外表面上に
痕跡として現われ、こわれやすい弱い部分になる。これ
は、肉厚管を最初に所要の内寸まで施削し研磨した後に
その外面を所要の厚さまで施削することにより避けられ
る。Cu基板円筒は電気めっきにより１μm 以下の表面粗
さの金型上に、対応する小さな表面粗さで直接形成する
こともできる。熱陰極素子の強度を更に増大させるに
は、ＣＶＤ中に、反応器の軸方向に延在する陽極と陰極
を互に軸方向に往復運動させると共に回転運動させる。
この場合、堆積される層の円周方向の厚さの変化の減少
が得られ、これにより熱陰極素子の動作特性も向上す
る。
し使用することができる。しかし、本発明方法は円筒状
基板部材の内壁上に堆積した高感度円筒状熱陰極素子の
製造に特に好適である。この場合には各層をプラズマ活
性化ＣＶＤ（ＰＣＶＤ）により堆積するのが好ましい。
本発明により製造される熱陰極素子の脆性は、レニウム
を熱陰極素子に同時に堆積することにより更に低下す
る。数パーセントまでのReの同時堆積はＲｅＦ6/ＷＦ6/
Ｈ2混合物からＷ堆積と一緒に達成し得る。基板部材と
しては内面が１μm 以下の表面粗さを有する金属円筒、
特に銅円筒を用いるのが好ましい。例えば、基板円筒を
肉厚の管を旋削して造り、10μm までの溝構造及び粗さ
を容認すると、そのでこぼこが熱陰極素子の外表面上に
痕跡として現われ、こわれやすい弱い部分になる。これ
は、肉厚管を最初に所要の内寸まで施削し研磨した後に
その外面を所要の厚さまで施削することにより避けられ
る。Cu基板円筒は電気めっきにより１μm 以下の表面粗
さの金型上に、対応する小さな表面粗さで直接形成する
こともできる。熱陰極素子の強度を更に増大させるに
は、ＣＶＤ中に、反応器の軸方向に延在する陽極と陰極
を互に軸方向に往復運動させると共に回転運動させる。
この場合、堆積される層の円周方向の厚さの変化の減少
が得られ、これにより熱陰極素子の動作特性も向上す
る。
【０００５】ＣＶＤ層の完成後及び／又は基板部材から
の分離後に熱陰極素子に機械的応力を除去する熱処理を
施こすことも有効である。この場合、この熱処理は陰極
活性化用フレーム構造内で実行するのが好ましい。例え
ば、Cu基板円筒を熱陰極素子から溶融により分離する必
要があるときは、基板円筒の下面に接触する環状収集パ
ンを配置することにより基板円筒の接触区域にCu粒子が
残留しないようにする。特に、多数のＰＣＶＤ層から成
る熱陰極素子の製造においては、極めて高いパワー密度
のプラズマ及び特にグロー放電が好ましい。これはグロ
ー放電によるＰＣＶＤプロセス中に生ずるイオン化を磁
界により高めることにより達成することができる。外
部、例えば円筒加熱ジャケット上に巻かれたコイル（必
要に応じ超電導コイル）により発生される１テスラまで
の磁界強度を有する軸方向磁界の重畳によって電子及び
イオンのサイクロトロン運動により高いプラズマ内のイ
オン化度及びパワー密度が得られる。
の分離後に熱陰極素子に機械的応力を除去する熱処理を
施こすことも有効である。この場合、この熱処理は陰極
活性化用フレーム構造内で実行するのが好ましい。例え
ば、Cu基板円筒を熱陰極素子から溶融により分離する必
要があるときは、基板円筒の下面に接触する環状収集パ
ンを配置することにより基板円筒の接触区域にCu粒子が
残留しないようにする。特に、多数のＰＣＶＤ層から成
る熱陰極素子の製造においては、極めて高いパワー密度
のプラズマ及び特にグロー放電が好ましい。これはグロ
ー放電によるＰＣＶＤプロセス中に生ずるイオン化を磁
界により高めることにより達成することができる。外
部、例えば円筒加熱ジャケット上に巻かれたコイル（必
要に応じ超電導コイル）により発生される１テスラまで
の磁界強度を有する軸方向磁界の重畳によって電子及び
イオンのサイクロトロン運動により高いプラズマ内のイ
オン化度及びパワー密度が得られる。
【０００６】上述した方法の一つにより製造される熱陰
極素子は中空円筒形状を有し、例えば高周波管又は類似
の管に使用することができる。このような中空円筒素子
から好ましくは電子ビーム処理により異なる形状の熱陰
極素子、例えばディスク状又はストリップ状素子を形成
することができる。これらの素子は、例えばＸ線分析用
のＸ線管（固定陽極管）又は医用回転Ｘ線管のような既
知の陰極線管に用いることができる。この種の熱陰極素
子は製造後及び／又は組込み後に応力除去のための熱処
理を施こすのが好ましく、また慣例のフィラメント又は
間接加熱平陰極と取り替えるのが有利である。
極素子は中空円筒形状を有し、例えば高周波管又は類似
の管に使用することができる。このような中空円筒素子
から好ましくは電子ビーム処理により異なる形状の熱陰
極素子、例えばディスク状又はストリップ状素子を形成
することができる。これらの素子は、例えばＸ線分析用
のＸ線管（固定陽極管）又は医用回転Ｘ線管のような既
知の陰極線管に用いることができる。この種の熱陰極素
子は製造後及び／又は組込み後に応力除去のための熱処
理を施こすのが好ましく、また慣例のフィラメント又は
間接加熱平陰極と取り替えるのが有利である。
【０００７】
【実施例】図面につき本発明を説明する。図１はグロー
放電活性化反応の堆積を実施する装置の断面図であり、
この図はその反応チャンバの区域の詳細を線図的に示
す。互に挿入し得る高純度スチールのインサート1bを有
する例えば石英から成る外囲管1a内に、銅から成る基板
円筒２を高純度スチール又は銅リング３上に同軸的に積
み重ねる。リング３は直流電圧源（図示せず）の負極に
接続する。
放電活性化反応の堆積を実施する装置の断面図であり、
この図はその反応チャンバの区域の詳細を線図的に示
す。互に挿入し得る高純度スチールのインサート1bを有
する例えば石英から成る外囲管1a内に、銅から成る基板
円筒２を高純度スチール又は銅リング３上に同軸的に積
み重ねる。リング３は直流電圧源（図示せず）の負極に
接続する。
【０００８】外囲管1aの周囲に加熱巻線５を巻装し、こ
れにより基板円筒２を例えば500 ℃以上の温度に保つ。
外囲管１内に内部電極を同軸的に配置し、この電極を直
流電源（図示せず）の正極に陽極６として接続する。陽
極６は駆動手段（図示せず）により軸方向に移動可能で
あり（双頭矢印10）、且つ回転可能である（双頭矢印
４）。陽極６の高純度スチールから成るマウンティング
ロッド７をAl2O3 セラミックから成る絶縁スリーブ8aに
より包囲する。陽極６の直前で約１mmの幅及び数センチ
メートルの深さを有する円周溝９を開始させ、これによ
り導電スルー成長を阻止する。陽極６の少なくとも近傍
において絶縁スリーブ8aを導電成長の剥がれを阻止する
材料から成る外側スリーブ8bで包囲する。この種の材料
は例えばエレクトログラファイトである。陽極６、マウ
ンティングロッド７及びシールディングスリーブ8a及び
8bから成る組立体は軸方向に移動可能であると共に回転
可能である。グロー放電11は陽極６と基板円筒２との間
に生ずる。外囲管1aは管区分14及び15間に封止リング12
及び13により保持する。ガスを陽極と反対側から矢印16
の方向に供給する。ガスは陽極側から矢印17の方向に排
気する。参照番号18は矢印19の方向に１テスラまでの定
常磁界を発生する巻線であり、必要に応じ超電導励磁巻
線とすることができる。陽極６を回転運動させる代り
に、外囲管１を軸承して加熱巻線５内を回転し得るよう
にすることもできる。この場合には封止部12及び13を、
基板円筒２の内面上にＰＣＶＤ層の堆積中に外囲管１が
回転し得るように構成する必要がある。この場合には銅
リング３への電流の供給は摺動接点により行なう必要が
ある。基板円筒２上に複数のＷ及び ThOx 層の堆積を、
これらの堆積中に本発明に従ってＡr / Ｏ2 を用いて脱
炭素プラズマ中間処理を行なって実施した後に、内面に
堆積された熱陰極素子を有する基板円筒を反応器から取
り出す。好ましくは安定化熱処理後に、ＰＣＶＤ層が設
けられた銅基板円筒２をリングパン上にそれらの軸線が
垂直になるように配置する。銅を熱陰極素子から溶融除
去してリングパンにより集める。このリングパンは熱陰
極素子のリング側下面が溶融金属と接触したままとなる
のを阻止する。まだ無炭素であり、従って脆くないこれ
らの熱陰極素子は管内に組み込むために必要とされる支
持手段に取り付けた後に炭化水素雰囲気中で加炭するこ
とができる。
れにより基板円筒２を例えば500 ℃以上の温度に保つ。
外囲管１内に内部電極を同軸的に配置し、この電極を直
流電源（図示せず）の正極に陽極６として接続する。陽
極６は駆動手段（図示せず）により軸方向に移動可能で
あり（双頭矢印10）、且つ回転可能である（双頭矢印
４）。陽極６の高純度スチールから成るマウンティング
ロッド７をAl2O3 セラミックから成る絶縁スリーブ8aに
より包囲する。陽極６の直前で約１mmの幅及び数センチ
メートルの深さを有する円周溝９を開始させ、これによ
り導電スルー成長を阻止する。陽極６の少なくとも近傍
において絶縁スリーブ8aを導電成長の剥がれを阻止する
材料から成る外側スリーブ8bで包囲する。この種の材料
は例えばエレクトログラファイトである。陽極６、マウ
ンティングロッド７及びシールディングスリーブ8a及び
8bから成る組立体は軸方向に移動可能であると共に回転
可能である。グロー放電11は陽極６と基板円筒２との間
に生ずる。外囲管1aは管区分14及び15間に封止リング12
及び13により保持する。ガスを陽極と反対側から矢印16
の方向に供給する。ガスは陽極側から矢印17の方向に排
気する。参照番号18は矢印19の方向に１テスラまでの定
常磁界を発生する巻線であり、必要に応じ超電導励磁巻
線とすることができる。陽極６を回転運動させる代り
に、外囲管１を軸承して加熱巻線５内を回転し得るよう
にすることもできる。この場合には封止部12及び13を、
基板円筒２の内面上にＰＣＶＤ層の堆積中に外囲管１が
回転し得るように構成する必要がある。この場合には銅
リング３への電流の供給は摺動接点により行なう必要が
ある。基板円筒２上に複数のＷ及び ThOx 層の堆積を、
これらの堆積中に本発明に従ってＡr / Ｏ2 を用いて脱
炭素プラズマ中間処理を行なって実施した後に、内面に
堆積された熱陰極素子を有する基板円筒を反応器から取
り出す。好ましくは安定化熱処理後に、ＰＣＶＤ層が設
けられた銅基板円筒２をリングパン上にそれらの軸線が
垂直になるように配置する。銅を熱陰極素子から溶融除
去してリングパンにより集める。このリングパンは熱陰
極素子のリング側下面が溶融金属と接触したままとなる
のを阻止する。まだ無炭素であり、従って脆くないこれ
らの熱陰極素子は管内に組み込むために必要とされる支
持手段に取り付けた後に炭化水素雰囲気中で加炭するこ
とができる。
【０００９】図２に示すような特に医療診断用に使用さ
れる回転陽極Ｘ線管はＸ線射出窓23を有する壁22を具え
る。この壁22は陰極26の給電導体25のための通路24も有
している。陰極26は、電子を陽極表面上に集束してＸ線
を発生させる孔28を有する集束陽極27を具える。陰極26
は、更に、適応する形状及び幾何寸法を有し可制御稠密
電子ビーム31を発生する本発明による熱陰極素子29を具
える。この目的のために、素子29には平坦電子放射表面
30を設けるのが好ましい。斯くして、動作中、陰極26は
電子ビームを放射し、この電子ビームが陽極32の方向に
加速され、この陽極上のターゲット点33に入射する。陽
極32は駆動装置35により軸34を介して例えば9000r.p.m.
の回転速度で回転される。回転陽極装置の給電導体は壁
22の通路36を経て挿通する。陽極32の回転の結果として
ターゲット点は円形ターゲット点軌道を描き、Ｘ線ビー
ム37が窓23から放射される。
れる回転陽極Ｘ線管はＸ線射出窓23を有する壁22を具え
る。この壁22は陰極26の給電導体25のための通路24も有
している。陰極26は、電子を陽極表面上に集束してＸ線
を発生させる孔28を有する集束陽極27を具える。陰極26
は、更に、適応する形状及び幾何寸法を有し可制御稠密
電子ビーム31を発生する本発明による熱陰極素子29を具
える。この目的のために、素子29には平坦電子放射表面
30を設けるのが好ましい。斯くして、動作中、陰極26は
電子ビームを放射し、この電子ビームが陽極32の方向に
加速され、この陽極上のターゲット点33に入射する。陽
極32は駆動装置35により軸34を介して例えば9000r.p.m.
の回転速度で回転される。回転陽極装置の給電導体は壁
22の通路36を経て挿通する。陽極32の回転の結果として
ターゲット点は円形ターゲット点軌道を描き、Ｘ線ビー
ム37が窓23から放射される。
【００１０】図３は特にＸ線分析用に使用されるＸ線管
の他の例を示し、このＸ線管は外囲器40、円錐セラミッ
クベース42、電子放射素子46を有する陰極44とを具え、
その電子放射素子は円錐電子ビームを発生するためリン
グ状であり、このビームを集束陽極45により陽極表面47
上に装置の測定モードに応じて点状又はリング上に集束
させる。このリング状電子放射素子46は本発明方法によ
り製造された円筒状素子から好ましくは切り取った熱陰
極素子であり、長寿命に亘って稠密電子ビームを発生し
得る。このＸ線管は更に円筒壁48と射出窓50を具える。
陽極52は射出窓50の内面上に陽極材料の層の形で設け
る。陽極は、例えばクロム、スカンジウム又は他の陽極
材料から成る。この層の厚さは所望の放射、材料の放射
吸収特性、特にその電子吸収特性及び管の所望の高電圧
に適応させる。外囲器内には、インレット56、アウトレ
ット58及び射出窓を取り囲むフローダクト60を有する冷
却ダクト54を設ける。外囲器の周囲に取付フランジ66を
有する取付ブッシュ64及びフローダクト60を限界する追
加の放射遮へい体68を設ける。管の周囲には更に薄い取
付ブッシュ70を配置し、このブッシュ内に冷却ダクトを
収納し、Ｘ線管に温度等化作用を与えて例えば陰極−陽
極空間の熱分布の変動を除去して陽極への電子ビームの
明確な集束が得られるようにする。
の他の例を示し、このＸ線管は外囲器40、円錐セラミッ
クベース42、電子放射素子46を有する陰極44とを具え、
その電子放射素子は円錐電子ビームを発生するためリン
グ状であり、このビームを集束陽極45により陽極表面47
上に装置の測定モードに応じて点状又はリング上に集束
させる。このリング状電子放射素子46は本発明方法によ
り製造された円筒状素子から好ましくは切り取った熱陰
極素子であり、長寿命に亘って稠密電子ビームを発生し
得る。このＸ線管は更に円筒壁48と射出窓50を具える。
陽極52は射出窓50の内面上に陽極材料の層の形で設け
る。陽極は、例えばクロム、スカンジウム又は他の陽極
材料から成る。この層の厚さは所望の放射、材料の放射
吸収特性、特にその電子吸収特性及び管の所望の高電圧
に適応させる。外囲器内には、インレット56、アウトレ
ット58及び射出窓を取り囲むフローダクト60を有する冷
却ダクト54を設ける。外囲器の周囲に取付フランジ66を
有する取付ブッシュ64及びフローダクト60を限界する追
加の放射遮へい体68を設ける。管の周囲には更に薄い取
付ブッシュ70を配置し、このブッシュ内に冷却ダクトを
収納し、Ｘ線管に温度等化作用を与えて例えば陰極−陽
極空間の熱分布の変動を除去して陽極への電子ビームの
明確な集束が得られるようにする。
【図１】グロー放電活性化反応堆積を実施する装置の断
面図である。
面図である。
【図２】医療診断用回転Ｘ線管の断面図である。
【図３】Ｘ線分析用Ｘ線管の断面図である。
1a, 1b 外囲管 2 基板部材 3 リング（陰極） 5 加熱巻線 6 陽極 11 グロー放電 18 磁界発生コイル 26 陰極 29 熱陰極素子 44 陰極 46 熱陰極素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ペーター ヤニール ドイツ連邦共和国 5102 ヴユールセレン オツトー−デイツクス−シユトラーセ １
Claims (18)
- 【請求項１】 最初に熱陰極素子の複数のサブ層を基板
部材上にＣＶＤプロセスにより連続的に堆積し、希土類
酸化物ドープ耐熱金属から成る熱陰極素子を製造するに
当り、ＣＶＤプロセス中に脱炭素中間処理を実行し、次
いで熱陰極素子を後処理により加炭することを特徴とす
る熱陰極素子の製造方法。 - 【請求項２】 基板部材上に、耐熱金属のサブ層と希土
類酸化物のサブ層を交互に堆積し、各希土類酸化物層の
堆積後に脱炭素プラズマ中間処理を実行することを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 耐熱金属はタングステンであり、タング
ステン層の堆積後にＨ2/Ａr プラズマ中間処理を実行す
ることを特徴とする請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 希土類酸化物が ThOX であり、プラズマ
中間処理をＡr / Ｏ 2 を用いて実行することを特徴とす
る請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項５】 熱陰極素子のサブ層を円筒状基板部材の
内壁上に堆積することを特徴とする請求項１〜４の何れ
かに記載の方法。 - 【請求項６】 サブ層をプラズマ活性化ＣＶＤ（ＰＣＶ
Ｄ）により堆積することを特徴とする請求項１〜５の何
れかに記載の方法。 - 【請求項７】 サブ層の堆積中に陽極と陰極を相対的に
移動させることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記
載の方法。 - 【請求項８】 熱陰極素子を基板部材から分離し、次い
で後処理中に加炭することを特徴とする請求項１〜７の
何れかに記載の方法。 - 【請求項９】 グロー放電によるＰＣＶＤプロセス中に
生ずるイオン化を磁界により高めることを特徴とする請
求項１〜８の何れかに記載の方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜９の何れかに記載の方法で
製造されたことを特徴とする熱陰極素子。 - 【請求項１１】 熱陰極材料がレニウムを含むことを特
徴とする請求項10記載の熱陰極素子。 - 【請求項１２】 ディスク状であることを特徴とする請
求項10又は11記載の熱陰極素子。 - 【請求項１３】 ストリップ状であることを特徴とする
請求項10又は11記載の熱陰極素子。 - 【請求項１４】 中空円筒状であることを特徴とする請
求項10又は11記載の熱陰極素子。 - 【請求項１５】 その製造後に機械的応力を除去する熱
処理が施こされていることを特徴とする請求項10〜14の
何れかに記載の熱陰極素子。 - 【請求項１６】 請求項10〜15の何れかに記載の熱陰極
素子を具えることを特徴とする陰極線管。 - 【請求項１７】 請求項14記載の中空熱陰極を具えるこ
とを特徴とする高周波管。 - 【請求項１８】 請求項12又は13記載のディスク状又は
ストリップ状熱陰極素子を具えることを特徴とするＸ線
管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE41130855 | 1991-04-22 | ||
| DE4113085A DE4113085A1 (de) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | Verfahren zur herstellung eines gluehkathodenelements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120992A true JPH05120992A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=6430100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4099855A Pending JPH05120992A (ja) | 1991-04-22 | 1992-04-20 | 熱陰極素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5283085A (ja) |
| EP (1) | EP0510766B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05120992A (ja) |
| DE (2) | DE4113085A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009526366A (ja) * | 2006-02-08 | 2009-07-16 | ヴァリアン メディカル システムズ インコーポレイテッド | Ｘ線管のための改良型陰極構造 |
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|---|---|---|---|---|
| US5549937A (en) * | 1989-10-11 | 1996-08-27 | U.S. Philips Corporation | Method of plasma-activated reactive deposition of electrically conducting multicomponent material from a gas phase |
| DE4400353A1 (de) * | 1994-01-08 | 1995-07-13 | Philips Patentverwaltung | Steuerbarer thermionischer Elektronenemitter |
| US6155198A (en) * | 1994-11-14 | 2000-12-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for constructing an oxidized film on a semiconductor wafer |
| US6699530B2 (en) * | 1995-07-06 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method for constructing a film on a semiconductor wafer |
| US6162715A (en) | 1997-06-30 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Method of forming gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride |
| US9255329B2 (en) * | 2000-12-06 | 2016-02-09 | Novellus Systems, Inc. | Modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
| FR2863769B1 (fr) | 2003-12-12 | 2006-03-24 | Ge Med Sys Global Tech Co Llc | Procede de fabrication d'un filament de cathode d'un tube a rayons x et tube a rayons x |
| US8747964B2 (en) | 2010-11-04 | 2014-06-10 | Novellus Systems, Inc. | Ion-induced atomic layer deposition of tantalum |
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|---|---|---|---|---|
| US2501563A (en) * | 1946-02-20 | 1950-03-21 | Libbey Owens Ford Glass Co | Method of forming strongly adherent metallic compound films by glow discharge |
| JPS57187382A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-18 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Rare earth phosphor |
| DE3148441A1 (de) * | 1981-12-08 | 1983-07-21 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer thermionischen kathode |
| JPS5982466A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-12 | 信越化学工業株式会社 | カ−ボン繊維の表面改質方法 |
| JPS59226592A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-19 | Fujitsu Ltd | 立体表示装置 |
| DE3516078A1 (de) * | 1985-05-04 | 1986-11-06 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur glimmentladungsaktivierten reaktiven abscheidung von elektrisch leitendem material aus einer gasphase |
| JPS63266740A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板形陰極線管 |
| US4751101A (en) * | 1987-04-30 | 1988-06-14 | International Business Machines Corporation | Low stress tungsten films by silicon reduction of WF6 |
| DE3800712A1 (de) * | 1988-01-13 | 1989-07-27 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur plasmaaktivierten reaktiven abscheidung von elektrisch leitendem mehrkomponentenmaterial aus einer gasphase |
-
1991
- 1991-04-22 DE DE4113085A patent/DE4113085A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-04-20 US US07/870,655 patent/US5283085A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-20 JP JP4099855A patent/JPH05120992A/ja active Pending
- 1992-04-21 EP EP92201113A patent/EP0510766B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-21 DE DE59201434T patent/DE59201434D1/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009526366A (ja) * | 2006-02-08 | 2009-07-16 | ヴァリアン メディカル システムズ インコーポレイテッド | Ｘ線管のための改良型陰極構造 |
| US9384935B2 (en) | 2006-02-08 | 2016-07-05 | Varian Medical Systems, Inc. | Cathode structures for X-ray tubes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0510766A1 (de) | 1992-10-28 |
| DE4113085A1 (de) | 1992-10-29 |
| US5283085A (en) | 1994-02-01 |
| EP0510766B1 (de) | 1995-02-22 |
| DE59201434D1 (de) | 1995-03-30 |
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