JPH05121361A - 半導体ウエハ冷却装置 - Google Patents
半導体ウエハ冷却装置Info
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- JPH05121361A JPH05121361A JP28116291A JP28116291A JPH05121361A JP H05121361 A JPH05121361 A JP H05121361A JP 28116291 A JP28116291 A JP 28116291A JP 28116291 A JP28116291 A JP 28116291A JP H05121361 A JPH05121361 A JP H05121361A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 冷却能力を常に一定に保持し、製品品質のバ
ラツキを防止することができる半導体ウエハ冷却装置を
提供する。 【構成】 真空チャンバー１内に設けられ半導体ウエハ
５を所定の間隙６を介して支持するステージ３と、間隙
６内へガス導入路８を介して所定量の冷媒ガス９を導入
する冷媒ガス導入バルブ１０と、ガス導入路８内に設け
られガス導入路８内に圧力差を発生させるオリフイス２
１と、このオリフイス２１の前後にそれぞれ設けられガ
ス導入路８内のそれぞれの位置の圧力を測定する第１お
よび第２の圧力測定器２２，２３と、これら第１および
第２の圧力測定器２２，２３でそれぞれ測定される各圧
力値Ｐ1，Ｐ2および圧力差（Ｐ2−Ｐ1）によって冷媒ガ
ス導入バルブ１０の開閉量を調節して間隙６内の圧力を
一定に制御するバルブ開閉制御器２４とを備える。
ラツキを防止することができる半導体ウエハ冷却装置を
提供する。 【構成】 真空チャンバー１内に設けられ半導体ウエハ
５を所定の間隙６を介して支持するステージ３と、間隙
６内へガス導入路８を介して所定量の冷媒ガス９を導入
する冷媒ガス導入バルブ１０と、ガス導入路８内に設け
られガス導入路８内に圧力差を発生させるオリフイス２
１と、このオリフイス２１の前後にそれぞれ設けられガ
ス導入路８内のそれぞれの位置の圧力を測定する第１お
よび第２の圧力測定器２２，２３と、これら第１および
第２の圧力測定器２２，２３でそれぞれ測定される各圧
力値Ｐ1，Ｐ2および圧力差（Ｐ2−Ｐ1）によって冷媒ガ
ス導入バルブ１０の開閉量を調節して間隙６内の圧力を
一定に制御するバルブ開閉制御器２４とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばＲＩＥ（反応
性イオンエッチング）およびＣＶＤ（化学気相堆積）等
のような半導体ウエハ真空処理装置に用いられ、被処理
物としての半導体ウエハを冷却する半導体ウエハ冷却装
置に関するものである。
性イオンエッチング）およびＣＶＤ（化学気相堆積）等
のような半導体ウエハ真空処理装置に用いられ、被処理
物としての半導体ウエハを冷却する半導体ウエハ冷却装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体ウエハ冷却装置が適
用された半導体ウエハ真空処理装置の概略構成を示す図
である。図において、１は壁面に反応ガス２の導入口１
ａおよび真空ポンプ（図示せず）への接続口１ｂがそれ
ぞれ形成される真空チャンバー、３はこの真空チャンバ
ー２の底部に設けられ、Ｏリング４を介して半導体ウエ
ハ５を担持するステージ、６はこのステージ３と半導体
ウエハ５の裏面との間に形成される間隙、７は真空チャ
ンバー２の上部のステージ３と対向する位置に設けられ
る電極である。
用された半導体ウエハ真空処理装置の概略構成を示す図
である。図において、１は壁面に反応ガス２の導入口１
ａおよび真空ポンプ（図示せず）への接続口１ｂがそれ
ぞれ形成される真空チャンバー、３はこの真空チャンバ
ー２の底部に設けられ、Ｏリング４を介して半導体ウエ
ハ５を担持するステージ、６はこのステージ３と半導体
ウエハ５の裏面との間に形成される間隙、７は真空チャ
ンバー２の上部のステージ３と対向する位置に設けられ
る電極である。
【０００３】８はステージ３内を貫通して間隙６に連通
し、間隙６内に冷媒ガス９を導入するガス導入路、１０
はこのガス導入路８に接続されガス導入路８内を流れる
冷媒ガス９の流量を調節する冷媒ガス導入バルブ、１１
はガス導入路８内の圧力を測定する圧力測定器、１２は
この圧力測定器１１からの測定圧力信号１３を取り込
み、冷媒ガス導入バルブ１０へ開閉量指示信号１４を送
出するバルブ開閉制御器である。そして、これら間隙
６、ガス導入路８、冷媒ガス導入バルブ１０、圧力測定
器１１およびバルブ開閉制御器１２で半導体ウエハ冷却
装置２０を構成している。
し、間隙６内に冷媒ガス９を導入するガス導入路、１０
はこのガス導入路８に接続されガス導入路８内を流れる
冷媒ガス９の流量を調節する冷媒ガス導入バルブ、１１
はガス導入路８内の圧力を測定する圧力測定器、１２は
この圧力測定器１１からの測定圧力信号１３を取り込
み、冷媒ガス導入バルブ１０へ開閉量指示信号１４を送
出するバルブ開閉制御器である。そして、これら間隙
６、ガス導入路８、冷媒ガス導入バルブ１０、圧力測定
器１１およびバルブ開閉制御器１２で半導体ウエハ冷却
装置２０を構成している。
【０００４】次に動作について説明する。ＲＩＥやＣＶ
Ｄ等のような半導体ウエハ真空処理装置においては、反
応ガス２を導入口１ａから真空チャンバー１内に流し込
み、真空チャンバー１内が所定の圧力となるように、真
空ポンプによって接続口１ｂから排気しながら、電極７
とステージ３間に高周波電力を印加し、両者７、３間に
プラズマを生成して半導体ウエハ５を処理している。こ
のような処理中に半導体ウエハ５はプラズマに曝され、
又、表面での化学反応により加熱される。
Ｄ等のような半導体ウエハ真空処理装置においては、反
応ガス２を導入口１ａから真空チャンバー１内に流し込
み、真空チャンバー１内が所定の圧力となるように、真
空ポンプによって接続口１ｂから排気しながら、電極７
とステージ３間に高周波電力を印加し、両者７、３間に
プラズマを生成して半導体ウエハ５を処理している。こ
のような処理中に半導体ウエハ５はプラズマに曝され、
又、表面での化学反応により加熱される。
【０００５】このような加熱の影響を防ぐために、装置
には半導体ウエハ冷却装置２０が組み込まれている。す
なわち、半導体ウエハ冷却装置２０は、ガス道入路８か
らステージ３と半導体ウエハ５の裏面との間に形成され
る間隙６へ冷媒ガス９を供給し、この冷媒ガス９によっ
て半導体ウエハ５の昇温を防止している。この際、冷媒
ガス９の伝熱能力は圧力によって異なるため、間隙６内
の圧力を一定に保持しておく必要がある。このため、Ｏ
リング４等のシール材により冷媒ガス９が真空チャンバ
ー１内に漏れるのを極力抑えるとともに、圧力測定器１
１によりガス導入路８内の圧力を検出し、この測定圧力
信号１３に基づいてバルブ開閉制御器１２は冷媒ガス導
入バルブ１０へ開閉量指示信号１４を送出し、冷媒ガス
導入バルブ１０の開度を調節して間隙６内の冷媒ガス９
の圧力が一定になるように制御する。
には半導体ウエハ冷却装置２０が組み込まれている。す
なわち、半導体ウエハ冷却装置２０は、ガス道入路８か
らステージ３と半導体ウエハ５の裏面との間に形成され
る間隙６へ冷媒ガス９を供給し、この冷媒ガス９によっ
て半導体ウエハ５の昇温を防止している。この際、冷媒
ガス９の伝熱能力は圧力によって異なるため、間隙６内
の圧力を一定に保持しておく必要がある。このため、Ｏ
リング４等のシール材により冷媒ガス９が真空チャンバ
ー１内に漏れるのを極力抑えるとともに、圧力測定器１
１によりガス導入路８内の圧力を検出し、この測定圧力
信号１３に基づいてバルブ開閉制御器１２は冷媒ガス導
入バルブ１０へ開閉量指示信号１４を送出し、冷媒ガス
導入バルブ１０の開度を調節して間隙６内の冷媒ガス９
の圧力が一定になるように制御する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハ冷
却装置は以上のように構成され、圧力測定器１１はガス
導入路８の途中に１個所しか設けられていないため、Ｏ
リング４の部分から冷媒ガス９の漏れが起こっている場
合には、圧力測定器１１で測定されるガス導入路８内の
冷媒ガス９の圧力を一定に制御しても、冷媒ガス９の漏
れが起こっている部分に近い半導体ウエハ５の裏面で
は、冷媒ガス９の圧力が低下し冷却能力が低下する。こ
の冷却能力の低下は冷媒ガス９の漏れ量が多い場合やガ
ス導入路８の径が細い場合に著しくなり、これが原因で
起こる半導体ウエハ５毎の温度差によりエッチング特性
や成膜特性に差が生じたり、半導体ウエハ５にダメージ
を与えたりして、製品品質にバラツキが発生するという
問題点があった。
却装置は以上のように構成され、圧力測定器１１はガス
導入路８の途中に１個所しか設けられていないため、Ｏ
リング４の部分から冷媒ガス９の漏れが起こっている場
合には、圧力測定器１１で測定されるガス導入路８内の
冷媒ガス９の圧力を一定に制御しても、冷媒ガス９の漏
れが起こっている部分に近い半導体ウエハ５の裏面で
は、冷媒ガス９の圧力が低下し冷却能力が低下する。こ
の冷却能力の低下は冷媒ガス９の漏れ量が多い場合やガ
ス導入路８の径が細い場合に著しくなり、これが原因で
起こる半導体ウエハ５毎の温度差によりエッチング特性
や成膜特性に差が生じたり、半導体ウエハ５にダメージ
を与えたりして、製品品質にバラツキが発生するという
問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、冷却能力を常に一定に保持する
ことにより、製品品質のバラツキを防止することができ
る半導体ウエハ冷却装置を提供することを目的とするも
のである。
ためになされたもので、冷却能力を常に一定に保持する
ことにより、製品品質のバラツキを防止することができ
る半導体ウエハ冷却装置を提供することを目的とするも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体ウ
エハ冷却装置は、真空チャンバー内に設けられ半導体ウ
エハを所定の間隙を介して支持するステージと、間隙内
へガス導入路を介して所定量の冷媒ガスを導入する冷媒
ガス導入バルブと、ガス導入路内に設けられガス導入路
内に圧力差を発生させる圧力差発生手段と、この圧力差
発生手段の前後にそれぞれ設けられガス導入路内のそれ
ぞれの位置の圧力を測定する第１および第２の圧力測定
器と、これら第１および第２の圧力測定器でそれぞれ測
定される各圧力値および圧力差によって冷媒ガス導入バ
ルブの開閉量を調節して間隙内の圧力を一定に制御する
圧力制御手段とを備えたものである。
エハ冷却装置は、真空チャンバー内に設けられ半導体ウ
エハを所定の間隙を介して支持するステージと、間隙内
へガス導入路を介して所定量の冷媒ガスを導入する冷媒
ガス導入バルブと、ガス導入路内に設けられガス導入路
内に圧力差を発生させる圧力差発生手段と、この圧力差
発生手段の前後にそれぞれ設けられガス導入路内のそれ
ぞれの位置の圧力を測定する第１および第２の圧力測定
器と、これら第１および第２の圧力測定器でそれぞれ測
定される各圧力値および圧力差によって冷媒ガス導入バ
ルブの開閉量を調節して間隙内の圧力を一定に制御する
圧力制御手段とを備えたものである。
【０００９】
【作用】この発明における半導体ウエハ冷却装置のバル
ブ開閉制御器は、ガス導入路内に形成される圧力差発生
手段前後で測定される圧力と圧力差によって、半導体裏
面の間隙内の冷媒ガスの圧力を予測し、この予測圧力が
一定となるように、冷媒ガス導入バルブの開閉量を制御
する。
ブ開閉制御器は、ガス導入路内に形成される圧力差発生
手段前後で測定される圧力と圧力差によって、半導体裏
面の間隙内の冷媒ガスの圧力を予測し、この予測圧力が
一定となるように、冷媒ガス導入バルブの開閉量を制御
する。
【００１０】
【実施例】実施例１ 以下、この発明の実施例を図について説明する。図１は
この発明の実施例１における半導体ウエハ冷却装置が適
用された半導体ウエハ真空処理装置の概略構成を示す図
である。図において、真空チャンバー１、導入口１ａ、
反応ガス２、ステージ３、Ｏリング４、半導体ウエハ
５、間隙６、電極７、ガス導入路８、冷媒ガス９および
冷媒ガス導入バルブ１０は図３に示す従来装置における
ものと同様である。
この発明の実施例１における半導体ウエハ冷却装置が適
用された半導体ウエハ真空処理装置の概略構成を示す図
である。図において、真空チャンバー１、導入口１ａ、
反応ガス２、ステージ３、Ｏリング４、半導体ウエハ
５、間隙６、電極７、ガス導入路８、冷媒ガス９および
冷媒ガス導入バルブ１０は図３に示す従来装置における
ものと同様である。
【００１１】２１はガス導入路８内に形成される圧力差
発生手段としてのオリフイス、２２はこのオリフイス２
１の冷媒ガス９の流れの下流側に接続され圧力を測定す
る第１の圧力測定器、２３はオリフイス２１の冷媒ガス
９の流れの上流側に接続され圧力を測定する第２の圧力
測定器、２４はこれら第１および第２の圧力測定器２
２，２３によってそれぞれ測定され、出力される各測定
圧力信号２５，２６に基づいて、冷媒ガス導入バルブ１
０へ開閉量指示信号２７を送出して、ガス導入路８内に
導入される冷媒ガス９の流量を制御するバルブ開閉制御
器である。そして、これら間隙６、ガス導入路８、冷媒
ガス９、冷媒ガス導入バルブ１０、オリフイス２１、第
１の圧力測定器２２、第２の圧力測定器２３およびバル
ブ開閉制御器２４で半導体ウエハ冷却装置３０を構成し
ている。
発生手段としてのオリフイス、２２はこのオリフイス２
１の冷媒ガス９の流れの下流側に接続され圧力を測定す
る第１の圧力測定器、２３はオリフイス２１の冷媒ガス
９の流れの上流側に接続され圧力を測定する第２の圧力
測定器、２４はこれら第１および第２の圧力測定器２
２，２３によってそれぞれ測定され、出力される各測定
圧力信号２５，２６に基づいて、冷媒ガス導入バルブ１
０へ開閉量指示信号２７を送出して、ガス導入路８内に
導入される冷媒ガス９の流量を制御するバルブ開閉制御
器である。そして、これら間隙６、ガス導入路８、冷媒
ガス９、冷媒ガス導入バルブ１０、オリフイス２１、第
１の圧力測定器２２、第２の圧力測定器２３およびバル
ブ開閉制御器２４で半導体ウエハ冷却装置３０を構成し
ている。
【００１２】次に、上記のように構成されるこの発明の
実施例１における半導体ウエハ冷却装置３０の動作につ
いて説明する。図２（Ａ）は図１における半導体ウエハ
冷却装置３０のガス導入路８の詳細を示す拡大断面図、
図２（Ｂ）は図２（Ａ）の各部に対応した冷媒ガス流系
の等価回路図であり、図中、Ｉはガス導入路８内を流れ
る冷媒ガス９の流量、Ｐ1は第１の圧力測定器２２で測
定される圧力値、Ｐ2は第２の圧力測定器２３で測定さ
れる圧力値、Ｐは半導体ウエハ５の裏面に形成される間
隙６内の圧力値、Ｒ0はオリフイス２１の流路抵抗、Ｒ1
はガス道入路８内の流路抵抗、Ｒ2はＯリング４部から
の冷媒ガス９の漏れ流路抵抗をそれぞれ表す。
実施例１における半導体ウエハ冷却装置３０の動作につ
いて説明する。図２（Ａ）は図１における半導体ウエハ
冷却装置３０のガス導入路８の詳細を示す拡大断面図、
図２（Ｂ）は図２（Ａ）の各部に対応した冷媒ガス流系
の等価回路図であり、図中、Ｉはガス導入路８内を流れ
る冷媒ガス９の流量、Ｐ1は第１の圧力測定器２２で測
定される圧力値、Ｐ2は第２の圧力測定器２３で測定さ
れる圧力値、Ｐは半導体ウエハ５の裏面に形成される間
隙６内の圧力値、Ｒ0はオリフイス２１の流路抵抗、Ｒ1
はガス道入路８内の流路抵抗、Ｒ2はＯリング４部から
の冷媒ガス９の漏れ流路抵抗をそれぞれ表す。
【００１３】まず、図２（Ｂ）に示す等価回路から次式
が成立する。 Ｐ2−Ｐ1＝Ｒ0Ｉ・・・・・・・・・・・（１） Ｐ1−Ｐ＝Ｒ1Ｉ ・・・・・・・・・・・（２） 上記式（１）、（２）よりＩを消去してＰについて整理
すると、 Ｐ＝Ｐ1−Ｒ1／Ｒ0（Ｐ2−Ｐ1）・・・・（３） が得られる。この式（３）より、圧力Ｐを一定に制御す
るためには、第１の圧力測定器２２で測定される圧力値
Ｐ1から、オリフイス２１の前後で第１および第２の圧
力測定器２２，２３で測定される圧力値の差（Ｐ2−
Ｐ1）に係数Ｒ1／Ｒ0を乗じた値を差し引いた値が一定
となるように制御すれば良いことがわかる。
が成立する。 Ｐ2−Ｐ1＝Ｒ0Ｉ・・・・・・・・・・・（１） Ｐ1−Ｐ＝Ｒ1Ｉ ・・・・・・・・・・・（２） 上記式（１）、（２）よりＩを消去してＰについて整理
すると、 Ｐ＝Ｐ1−Ｒ1／Ｒ0（Ｐ2−Ｐ1）・・・・（３） が得られる。この式（３）より、圧力Ｐを一定に制御す
るためには、第１の圧力測定器２２で測定される圧力値
Ｐ1から、オリフイス２１の前後で第１および第２の圧
力測定器２２，２３で測定される圧力値の差（Ｐ2−
Ｐ1）に係数Ｒ1／Ｒ0を乗じた値を差し引いた値が一定
となるように制御すれば良いことがわかる。
【００１４】又、係数Ｒ1／Ｒ0は、半導体ウエハ５がス
テージ３上に載置されていない状態（圧力Ｐ＝０とみな
せる）にて、第１および第２の圧力測定器２２，２３で
それぞれの位置の圧力値Ｐ1，Ｐ2を測定することによっ
て容易に得られる。すなわち、上記各圧力値Ｐ1，Ｐ2を
Ｐ10，Ｐ20とすると、式（３）は ０＝Ｐ10−Ｒ1／Ｒ0（Ｐ20−Ｐ10）・・・（４） となり、式４を整理すると、 Ｒ1／Ｒ0＝Ｐ10／Ｐ20−Ｐ10・・・・・・（５） となり、式５として求めることができる。
テージ３上に載置されていない状態（圧力Ｐ＝０とみな
せる）にて、第１および第２の圧力測定器２２，２３で
それぞれの位置の圧力値Ｐ1，Ｐ2を測定することによっ
て容易に得られる。すなわち、上記各圧力値Ｐ1，Ｐ2を
Ｐ10，Ｐ20とすると、式（３）は ０＝Ｐ10−Ｒ1／Ｒ0（Ｐ20−Ｐ10）・・・（４） となり、式４を整理すると、 Ｒ1／Ｒ0＝Ｐ10／Ｐ20−Ｐ10・・・・・・（５） となり、式５として求めることができる。
【００１５】したがって、バルブ開閉制御器２４は第１
および第２の圧力測定器２２，２３からの各測定圧力信
号２５，２６と、予め式（５）によって求められる係数
とを基に、式３に示される間隙６内の圧力Ｐが常に一定
になるように、冷媒ガス導入バルブ１０へ開閉量指示信
号を送出して、冷媒ガス導入バルブ１０の開度を調節す
ることにより、ガス導入路８内に導入される冷媒ガス９
の流量を制御すれば、間隙６内に裏面が隣接される半導
体ウエハ５は常に一定能力で冷却されるので個々でエッ
チング特性や成膜特性に差が生じることはなくなる。
および第２の圧力測定器２２，２３からの各測定圧力信
号２５，２６と、予め式（５）によって求められる係数
とを基に、式３に示される間隙６内の圧力Ｐが常に一定
になるように、冷媒ガス導入バルブ１０へ開閉量指示信
号を送出して、冷媒ガス導入バルブ１０の開度を調節す
ることにより、ガス導入路８内に導入される冷媒ガス９
の流量を制御すれば、間隙６内に裏面が隣接される半導
体ウエハ５は常に一定能力で冷却されるので個々でエッ
チング特性や成膜特性に差が生じることはなくなる。
【００１６】実施例２ 尚、上記実施例１では圧力差発生手段としてオリフイス
２１を示して説明したが、ニードルバルブ等のように流
路抵抗を持つものであれば何でも良く、上記実施例１と
同様の効果を奏する。
２１を示して説明したが、ニードルバルブ等のように流
路抵抗を持つものであれば何でも良く、上記実施例１と
同様の効果を奏する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば真空チ
ャンバー内に設けられ半導体ウエハを所定の間隙を介し
て支持するステージと、間隙内へガス導入路を介して所
定量の冷媒ガスを導入する冷媒ガス導入バルブと、ガス
導入路内に設けられガス導入路内に圧力差を発生させる
圧力差発生手段と、この圧力差発生手段の前後にそれぞ
れ設けられガス導入路内のそれぞれの位置の圧力を測定
する第１および第２の圧力測定器と、これら第１および
第２の圧力測定器でそれぞれ測定される各圧力値および
圧力差によって冷媒ガス導入バルブの開閉量を調節して
間隙内の圧力を一定に制御する圧力制御手段とを備えた
ので、冷却能力を常に一定に保持して、製品品質のバラ
ツキを防止することができる半導体ウエハ冷却装置を提
供することを目的とするものである。
ャンバー内に設けられ半導体ウエハを所定の間隙を介し
て支持するステージと、間隙内へガス導入路を介して所
定量の冷媒ガスを導入する冷媒ガス導入バルブと、ガス
導入路内に設けられガス導入路内に圧力差を発生させる
圧力差発生手段と、この圧力差発生手段の前後にそれぞ
れ設けられガス導入路内のそれぞれの位置の圧力を測定
する第１および第２の圧力測定器と、これら第１および
第２の圧力測定器でそれぞれ測定される各圧力値および
圧力差によって冷媒ガス導入バルブの開閉量を調節して
間隙内の圧力を一定に制御する圧力制御手段とを備えた
ので、冷却能力を常に一定に保持して、製品品質のバラ
ツキを防止することができる半導体ウエハ冷却装置を提
供することを目的とするものである。
【図１】この発明の実施例１における半導体ウエハ冷却
装置が適用された半導体ウエハ真空処理装置の概略構成
を示す図である。
装置が適用された半導体ウエハ真空処理装置の概略構成
を示す図である。
【図２】図２（Ａ）は図１における半導体ウエハ冷却装
置のガス導入路の詳細を示す拡大断面図、図２（Ｂ）は
図２（Ａ）の各部に対応した冷媒ガス流系の等価回路図
である。
置のガス導入路の詳細を示す拡大断面図、図２（Ｂ）は
図２（Ａ）の各部に対応した冷媒ガス流系の等価回路図
である。
【図３】従来の半導体ウエハ冷却装置が適用された半導
体ウエハ真空処理装置の概略構成を示す図である。
体ウエハ真空処理装置の概略構成を示す図である。
１ 真空チャンバー ３ ステージ ５ 半導体ウエハ ６ 間隙 ７ 電極 ８ ガス導入路 ９ 冷媒ガス １０ 冷媒ガス導入バルブ ２１ オリフイス（圧力差発生手段） ２２ 第１の圧力測定器 ２３ 第２の圧力測定器 ２４ バルブ開閉制御器（圧力制御手段） ３０ 半導体ウエハ冷却装置
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバー内に設けられ半導体ウエ
ハを所定の間隙を介して支持するステージと、上記間隙
内へガス導入路を介して所定量の冷媒ガスを導入する冷
媒ガス導入バルブと、上記ガス導入路内に設けられ上記
ガス導入路内に圧力差を発生させる圧力差発生手段と、
この圧力差発生手段の前後にそれぞれ設けられ上記ガス
導入路内のそれぞれの位置の圧力を測定する第１および
第２の圧力測定器と、これら第１および第２の圧力測定
器でそれぞれ測定される各圧力値および圧力差によって
上記冷媒ガス導入バルブの開閉量を調節して上記間隙内
の圧力を一定に制御する圧力制御手段とを備えたことを
特徴とする半導体ウエハ冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28116291A JPH05121361A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体ウエハ冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28116291A JPH05121361A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体ウエハ冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121361A true JPH05121361A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17635220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28116291A Pending JPH05121361A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体ウエハ冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121361A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100213448B1 (ko) * | 1996-07-25 | 1999-08-02 | 윤종용 | 반도체 제조시스템의 에어 공급장치 |
| US6012509A (en) * | 1996-06-04 | 2000-01-11 | Tokyo Electron Limited | Mechanism and method for holding a substrate on a substrate stage of a substrate treatment apparatus |
| US6059891A (en) * | 1997-07-23 | 2000-05-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6115867A (en) * | 1997-08-18 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| JP2001308023A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び方法 |
| US6431184B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| JP2013191882A (ja) * | 2007-01-26 | 2013-09-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法、半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP28116291A patent/JPH05121361A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6012509A (en) * | 1996-06-04 | 2000-01-11 | Tokyo Electron Limited | Mechanism and method for holding a substrate on a substrate stage of a substrate treatment apparatus |
| KR100213448B1 (ko) * | 1996-07-25 | 1999-08-02 | 윤종용 | 반도체 제조시스템의 에어 공급장치 |
| US6059891A (en) * | 1997-07-23 | 2000-05-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6431184B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6115867A (en) * | 1997-08-18 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| US6276378B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-08-21 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| JP2001308023A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び方法 |
| JP2013191882A (ja) * | 2007-01-26 | 2013-09-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法、半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
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