JPH05123968A - 研磨加工方法 - Google Patents
研磨加工方法Info
- Publication number
- JPH05123968A JPH05123968A JP3203528A JP20352891A JPH05123968A JP H05123968 A JPH05123968 A JP H05123968A JP 3203528 A JP3203528 A JP 3203528A JP 20352891 A JP20352891 A JP 20352891A JP H05123968 A JPH05123968 A JP H05123968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- wafer
- water
- polishing
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 研磨加工において、研磨機による研磨加工の
終了した被加工物を水中でプレートから剥離後、有機洗
浄、乾燥を行う。 【効果】 被加工物表面の汚れのない高品質の被加工物
を得ることができる。
終了した被加工物を水中でプレートから剥離後、有機洗
浄、乾燥を行う。 【効果】 被加工物表面の汚れのない高品質の被加工物
を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上利用の分野】本発明は研磨加工方法に関し、研
磨機による研磨加工の終了した被加工物のその後の処理
方法に関するものである。
磨機による研磨加工の終了した被加工物のその後の処理
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のエレクトロニクスを中心とする科
学技術の進展に伴い、それらの機器に使用される部品材
料には平坦度、表面粗さ等の加工精度や、表面清浄度等
の加工品質には極めて高度な水準が要求されている。
学技術の進展に伴い、それらの機器に使用される部品材
料には平坦度、表面粗さ等の加工精度や、表面清浄度等
の加工品質には極めて高度な水準が要求されている。
【０００３】これを実現するための最も信頼性の高い技
術は研磨加工であり、増々その重要度は増大している。
術は研磨加工であり、増々その重要度は増大している。
【０００４】研磨加工には通常図１に示す様な片面研磨
機が広く使用されている。これは加工物１を一旦プレー
ト２の表面上に接着剤で固定後、研磨剤５を供給しつ
つ、研磨布３の装着された定盤４と互いに摺り合わせな
がら加工を進めていくものである。
機が広く使用されている。これは加工物１を一旦プレー
ト２の表面上に接着剤で固定後、研磨剤５を供給しつ
つ、研磨布３の装着された定盤４と互いに摺り合わせな
がら加工を進めていくものである。
【０００５】従来、研磨終了後、プレートを回収し、付
着した研磨剤や他の汚れを除去する目的でこれを十分水
洗いする。その後、窒素の吹き付け或いは遠心乾燥装置
等により乾燥してから、ナイフエッジ状の剥離治具或い
は加熱ヒ−タ−を用いて被加工物をプレートから剥離し
ていた。剥離した被加工物は洗浄工程において洗浄（有
機洗浄、水洗等）されていた。
着した研磨剤や他の汚れを除去する目的でこれを十分水
洗いする。その後、窒素の吹き付け或いは遠心乾燥装置
等により乾燥してから、ナイフエッジ状の剥離治具或い
は加熱ヒ−タ−を用いて被加工物をプレートから剥離し
ていた。剥離した被加工物は洗浄工程において洗浄（有
機洗浄、水洗等）されていた。
【０００６】しかし、研磨終了、水洗、乾燥の工程で被
加工物表面に汚れが発生し易く、一旦発生した汚れは強
固に固着しているので後の洗浄工程では容易には除去で
きず、半導体ウェハーの様にサブミクロン径の汚れまで
問題とする様な高清浄度を要求される場合に問題となっ
ていた。
加工物表面に汚れが発生し易く、一旦発生した汚れは強
固に固着しているので後の洗浄工程では容易には除去で
きず、半導体ウェハーの様にサブミクロン径の汚れまで
問題とする様な高清浄度を要求される場合に問題となっ
ていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上記の欠点
を解決したもので、本発明の目的はプレート上に接着さ
れた研磨加工後の被加工物のその後の処理工程を改善す
ることにより高清浄度の研磨表面を得ることのできる研
磨方法を提供することにある。
を解決したもので、本発明の目的はプレート上に接着さ
れた研磨加工後の被加工物のその後の処理工程を改善す
ることにより高清浄度の研磨表面を得ることのできる研
磨方法を提供することにある。
【０００８】
【手段】本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意
検討を重ねた。この結果、研磨終了後、水洗、乾燥の工
程で被加工物表面を汚染し易いこと、また被加工物はプ
レ−トからの剥離後、裏面に付着した接着剤等を除去す
る目的で洗浄せねばならぬことに着目し、剥離作業を加
工物を水切りすることなく水に濡れた状態において行な
うこととした。
検討を重ねた。この結果、研磨終了後、水洗、乾燥の工
程で被加工物表面を汚染し易いこと、また被加工物はプ
レ−トからの剥離後、裏面に付着した接着剤等を除去す
る目的で洗浄せねばならぬことに着目し、剥離作業を加
工物を水切りすることなく水に濡れた状態において行な
うこととした。
【０００８】すなわち、本発明は研磨終了後の被加工物
を水中でプレ−トから剥離後、有機洗浄、乾燥を行うこ
とを特徴とする研磨加工方法である。
を水中でプレ−トから剥離後、有機洗浄、乾燥を行うこ
とを特徴とする研磨加工方法である。
【０００９】
【作用】本装置では被加工物のプレ−トからの剥離を水
中で実施し、その後すぐに有機洗浄してから乾燥するの
で、従来の水洗後の乾燥工程に起因する被加工物表面へ
の汚れの付着が防止できる。
中で実施し、その後すぐに有機洗浄してから乾燥するの
で、従来の水洗後の乾燥工程に起因する被加工物表面へ
の汚れの付着が防止できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明による実施例を図２に基づいて説
明する。プレ−ト２の上にワックスを用いて貼り付けた
４″φＧａＡｓウエハ−１を片面鏡面研磨装置にて次亜
塩素酸系研磨剤を用いて研磨加工後、プレート２を傾斜
させて保持しシャワーノズル６から清浄な水をウエハ−
１へ散布することによってその全面を水洗する。そして
ナイフエッジ状の剥離治具７をプレート２の中心から外
側へ、プレートの傾斜方向に沿って、プレート表面上で
滑らせながら加工物１とプレート２との間に差し入れ剥
離する様にした。
明する。プレ−ト２の上にワックスを用いて貼り付けた
４″φＧａＡｓウエハ−１を片面鏡面研磨装置にて次亜
塩素酸系研磨剤を用いて研磨加工後、プレート２を傾斜
させて保持しシャワーノズル６から清浄な水をウエハ−
１へ散布することによってその全面を水洗する。そして
ナイフエッジ状の剥離治具７をプレート２の中心から外
側へ、プレートの傾斜方向に沿って、プレート表面上で
滑らせながら加工物１とプレート２との間に差し入れ剥
離する様にした。
【００１１】更に、プレート２の下方に水槽８を備え、
その中にウェハ−収納用カセット９を設置し、剥離後の
ウェハ−１は水流により運搬され当該カセット９内に収
容される。なお加工物が確実にカセットの所定位置に収
容される様にウェハ−の剥離位置とカセット９との間に
は樋１０を設けた。
その中にウェハ−収納用カセット９を設置し、剥離後の
ウェハ−１は水流により運搬され当該カセット９内に収
容される。なお加工物が確実にカセットの所定位置に収
容される様にウェハ−の剥離位置とカセット９との間に
は樋１０を設けた。
【００１２】また当水槽８は、清浄な水を底から入れ、
上方からオーバーフローさせて排出する構造とした。
上方からオーバーフローさせて排出する構造とした。
【００１３】剥離したウエハ−はカセット９ごと水槽８
から取り出し、アルコ−ルに入れて付着した水と置換し
た後アセトンにて有機洗浄し、さらに超純水にてリンス
した後、蒸気乾燥により乾燥した。
から取り出し、アルコ−ルに入れて付着した水と置換し
た後アセトンにて有機洗浄し、さらに超純水にてリンス
した後、蒸気乾燥により乾燥した。
【００１４】本発明方法で処理したウエハー１００枚に
ついてレーザー光照射式パーティクルカウンターを用い
て表面の付着汚れを計測した。
ついてレーザー光照射式パーティクルカウンターを用い
て表面の付着汚れを計測した。
【００１５】その結果、１００枚中９０枚は粒径０．２
μｍ以上の付着塵埃が２００個／枚以下であった。
μｍ以上の付着塵埃が２００個／枚以下であった。
【００１６】これに対し、研磨加工後プレートを遠心乾
燥器により水切り後、ヒーター上に載せワックスを加熱
溶融して剥離し、洗浄するという従来法で４″φＧａＡ
ｓウエハー１００枚を処理した場合には、粒径０．２μ
ｍ以上の付着塵埃２００個／枚以下のウエハーは５０枚
にとどまった。
燥器により水切り後、ヒーター上に載せワックスを加熱
溶融して剥離し、洗浄するという従来法で４″φＧａＡ
ｓウエハー１００枚を処理した場合には、粒径０．２μ
ｍ以上の付着塵埃２００個／枚以下のウエハーは５０枚
にとどまった。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による方法
を用いれば、被加工物表面の汚れのない高品質の被加工
物を得ることができる。
を用いれば、被加工物表面の汚れのない高品質の被加工
物を得ることができる。
【図１】片面研磨機の概要を示す。
【図２】本発明による装置の説明図である。
１ 加工物 ２ プレート ３ 研磨布 ４ 定盤 ５ 研磨剤 ６ シャワーノズル ７ 剥離治具 ８ 水槽 ９ 加工物収納用カセット 10 樋
Claims (1)
- 【請求項１】 研磨終了後の被加工物を水中でプレート
から剥離後、有機洗浄、乾燥を行うことを特徴とする研
磨加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3203528A JPH05123968A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 研磨加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3203528A JPH05123968A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 研磨加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05123968A true JPH05123968A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=16475651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3203528A Pending JPH05123968A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 研磨加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05123968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101024126B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2011-03-22 | 이영우 | 왁스리스 방식 웨이퍼 핸들링 방법 및 웨이퍼 핸들링 장치 |
| CN113937051A (zh) * | 2020-07-13 | 2022-01-14 | 环球晶圆股份有限公司 | 晶片承载装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221625A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-14 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPH01171762A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-06 | Shibayama Kikai Kk | 半導体のウエハ研削盤の吸着チャック洗浄装置 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3203528A patent/JPH05123968A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221625A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-14 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPH01171762A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-06 | Shibayama Kikai Kk | 半導体のウエハ研削盤の吸着チャック洗浄装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101024126B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2011-03-22 | 이영우 | 왁스리스 방식 웨이퍼 핸들링 방법 및 웨이퍼 핸들링 장치 |
| CN113937051A (zh) * | 2020-07-13 | 2022-01-14 | 环球晶圆股份有限公司 | 晶片承载装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW514999B (en) | Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method | |
| JP3972065B2 (ja) | シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置 | |
| US6635500B2 (en) | Treatment of substrates | |
| JPH10507683A (ja) | 表面を入念に洗浄するための方法と装置 | |
| JP4996888B2 (ja) | 半導体ウェーハを作製する方法 | |
| US6595220B2 (en) | Apparatus for conveying a workpiece | |
| WO2001030538A1 (fr) | Procede et dispositif de polissage | |
| JPH11354480A5 (ja) | ||
| JPH07201786A (ja) | 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置 | |
| JPH05123968A (ja) | 研磨加工方法 | |
| WO2016143273A1 (ja) | ウェーハの面取り加工装置及びウェーハの面取り加工方法 | |
| JP5385519B2 (ja) | 面取り機能つき洗浄装置 | |
| TWI614089B (zh) | 半導體基板的保護膜形成方法 | |
| JP2002141311A (ja) | ウェーハの研磨方法及びウェーハの洗浄方法 | |
| JP2001267276A (ja) | ワーク保持盤の洗浄方法並びに研磨装置と研磨方法 | |
| JP2000317411A (ja) | 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法 | |
| KR100425471B1 (ko) | 그라인딩과 폴리싱 기능을 겸비한 웨이퍼 후면 처리장비 | |
| JPH09199462A (ja) | ウエハ洗浄方法及びそのための装置 | |
| JPH0814891B2 (ja) | ディスク基板用洗浄装置 | |
| JPS61121335A (ja) | ウエハの研削面の処理方法 | |
| JP3179571B2 (ja) | ウェハ貼付プレートの洗浄および移送装置 | |
| KR20030031790A (ko) | 화학적 기계적 평탄화 설비의 크리너 장치 | |
| JPH11307495A (ja) | ブラシ洗浄装置及びワーク洗浄システム | |
| JP2003109927A (ja) | 半導体ウエハの加工方法 | |
| JPH06120186A (ja) | ウエハキャリア洗浄方法 |