JPH05125541A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH05125541A JPH05125541A JP3293266A JP29326691A JPH05125541A JP H05125541 A JPH05125541 A JP H05125541A JP 3293266 A JP3293266 A JP 3293266A JP 29326691 A JP29326691 A JP 29326691A JP H05125541 A JPH05125541 A JP H05125541A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空容器内の反応副生成物を除去するための
クリーニング作業が短時間ですみ、装置稼働率を高める
ことができるプラズマ処理装置を得る。 【構成】 接地される真空容器１の内部に、試料基板Ｗ
が載置される高周波電極４の側面部、真空容器１の側壁
面を所定の間隔距離をおいて取り囲むシールド板21を設
ける。クリーニング用ガスを導入して真空容器１内のク
リーニングを行うときには、切換えスイッチ23により、
シールド板21を高周波電位に接続し、高周波電極４を接
地電位に接続する。シールド板21と真空容器１側壁面お
よび高周波電極４側面部との間にクリーニング用ガスに
よるプラズマを形成することにより、試料基板Ｗのエッ
チング処理時にシールド板21に付着した反応副生成物を
容易に除去することができる。
クリーニング作業が短時間ですみ、装置稼働率を高める
ことができるプラズマ処理装置を得る。 【構成】 接地される真空容器１の内部に、試料基板Ｗ
が載置される高周波電極４の側面部、真空容器１の側壁
面を所定の間隔距離をおいて取り囲むシールド板21を設
ける。クリーニング用ガスを導入して真空容器１内のク
リーニングを行うときには、切換えスイッチ23により、
シールド板21を高周波電位に接続し、高周波電極４を接
地電位に接続する。シールド板21と真空容器１側壁面お
よび高周波電極４側面部との間にクリーニング用ガスに
よるプラズマを形成することにより、試料基板Ｗのエッ
チング処理時にシールド板21に付着した反応副生成物を
容易に除去することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体基板な
どの試料基板にエッチング、ＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition ）などのプラズマ処理を行うプラズマ処理装
置に関し、詳しくは、真空容器内の反応副生成物を除去
するためのクリーニング作業を短時間で容易に行うこと
ができ、装置稼働率を向上させるようにした、プラズマ
処理装置に関するものである。
どの試料基板にエッチング、ＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition ）などのプラズマ処理を行うプラズマ処理装
置に関し、詳しくは、真空容器内の反応副生成物を除去
するためのクリーニング作業を短時間で容易に行うこと
ができ、装置稼働率を向上させるようにした、プラズマ
処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】真空容器の内部に設けられた高周波電極
に高周波電源から高周波電圧を印加して、真空容器内に
導入された処理ガスをプラズマ化し、このプラズマによ
り高周波電極上に載置された試料基板を例えばエッチン
グするプラズマ処理装置としては、従来、その構成説明
図の図３に示すようなものが知られている。
に高周波電源から高周波電圧を印加して、真空容器内に
導入された処理ガスをプラズマ化し、このプラズマによ
り高周波電極上に載置された試料基板を例えばエッチン
グするプラズマ処理装置としては、従来、その構成説明
図の図３に示すようなものが知られている。
【０００３】図３において、１は、円筒状の本体1aとそ
の上部を閉じる上蓋1bとからなる真空容器であり、真空
容器１は、接地されており、本体1aに処理ガス導入口２
と処理ガス排気口３とが設けられている。４は、上面に
試料基板Ｗが載置され下部に大径部が形成された、上下
部に段差を有する円柱状をなす高周波電極である。この
高周波電極４が、絶縁体５を介して真空容器１の下端周
縁部に取り付けられて、真空容器１内にこれと電気的に
絶縁された状態で設けられている。また、高周波電極４
には、内部に冷却水を流すための冷却水導入管６と冷却
水排出管７とが接続されている。
の上部を閉じる上蓋1bとからなる真空容器であり、真空
容器１は、接地されており、本体1aに処理ガス導入口２
と処理ガス排気口３とが設けられている。４は、上面に
試料基板Ｗが載置され下部に大径部が形成された、上下
部に段差を有する円柱状をなす高周波電極である。この
高周波電極４が、絶縁体５を介して真空容器１の下端周
縁部に取り付けられて、真空容器１内にこれと電気的に
絶縁された状態で設けられている。また、高周波電極４
には、内部に冷却水を流すための冷却水導入管６と冷却
水排出管７とが接続されている。
【０００４】真空容器１内には、高周波電極４の不必要
な部位での放電を防ぐために、電極シールド板８が、高
周波電極４の側面部を数mm程度の間隔をおいて取り囲む
ように設けられている。電極シールド板８は、円筒状部
材8aと鍔部材8bとからなり、円筒状部材8aの下端周縁部
に外方に突出させて鍔部材8bを固定してなるものであっ
て、その鍔部材8bの周縁部が真空容器１の下部側壁面に
取り付けられている。電極シールド板８は、導電性を有
し、小径の貫通孔が多数穿設された例えばステンレス製
の多孔板を用いて形成されており、いわゆるメッシュ状
のものとされている。なお、メッシュ状としているの
は、電極シールド板８の内側の部分にガス溜まりを生じ
させないようにするためである。
な部位での放電を防ぐために、電極シールド板８が、高
周波電極４の側面部を数mm程度の間隔をおいて取り囲む
ように設けられている。電極シールド板８は、円筒状部
材8aと鍔部材8bとからなり、円筒状部材8aの下端周縁部
に外方に突出させて鍔部材8bを固定してなるものであっ
て、その鍔部材8bの周縁部が真空容器１の下部側壁面に
取り付けられている。電極シールド板８は、導電性を有
し、小径の貫通孔が多数穿設された例えばステンレス製
の多孔板を用いて形成されており、いわゆるメッシュ状
のものとされている。なお、メッシュ状としているの
は、電極シールド板８の内側の部分にガス溜まりを生じ
させないようにするためである。
【０００５】高周波電極４には、一端側が接地された高
周波電源９がコンデンサ10を介して接続されている。ま
た、真空容器１の上蓋1bの上面側の凹部には、中心部永
久磁石11ａ、外周部永久磁石11ｂ及びヨーク11ｃからな
り、真空容器１内の高周波電極４の上方に半径方向の磁
界を形成するための磁石組立11が配されている。
周波電源９がコンデンサ10を介して接続されている。ま
た、真空容器１の上蓋1bの上面側の凹部には、中心部永
久磁石11ａ、外周部永久磁石11ｂ及びヨーク11ｃからな
り、真空容器１内の高周波電極４の上方に半径方向の磁
界を形成するための磁石組立11が配されている。
【０００６】上記構成になるプラズマ処理装置おいて、
高周波電極４上に試料基板Ｗを載置した後、真空容器１
内が所定圧力になるように排気しながらCl2 ガス等の処
理ガスを導入し、高周波電極４に高周波電圧を印加する
と、高周波放電が起こり、真空容器１内に導入された処
理ガスがプラズマ化される。このプラズマＰにより高周
波電極４上に載置された試料基板Ｗをエッチングするよ
うにしている。
高周波電極４上に試料基板Ｗを載置した後、真空容器１
内が所定圧力になるように排気しながらCl2 ガス等の処
理ガスを導入し、高周波電極４に高周波電圧を印加する
と、高周波放電が起こり、真空容器１内に導入された処
理ガスがプラズマ化される。このプラズマＰにより高周
波電極４上に載置された試料基板Ｗをエッチングするよ
うにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のプラズマ処
理装置では、エッチング処理に伴う反応副生成物が、図
４に示すように、真空容器の内側の側壁面、電極シール
ド板の表面、高周波電極の一部などに付着する。この反
応副生成物は、パーティクルや汚染の原因となり、試料
基板の品質を低下させるものである。このため、一定の
時間間隔をおいて、真空容器のクリーニング作業（清浄
化作業）を行って反応副生成物を除去する必要がある。
ところが、高周波電極と真空容器間の空間が細長く反応
副生成物を除去し難いことから、真空容器内のクリーニ
ング作業に時間がかかり、装置稼働率が低下するという
問題点があった。また、高周波電極は、液体窒素による
低温冷却法の適用も検討されるなど、その形状が複雑に
なる傾向がある。したがって、真空容器内の反応副生成
物の除去を容易に行うことができるようにして、装置稼
働率を高めることが要請されている。
理装置では、エッチング処理に伴う反応副生成物が、図
４に示すように、真空容器の内側の側壁面、電極シール
ド板の表面、高周波電極の一部などに付着する。この反
応副生成物は、パーティクルや汚染の原因となり、試料
基板の品質を低下させるものである。このため、一定の
時間間隔をおいて、真空容器のクリーニング作業（清浄
化作業）を行って反応副生成物を除去する必要がある。
ところが、高周波電極と真空容器間の空間が細長く反応
副生成物を除去し難いことから、真空容器内のクリーニ
ング作業に時間がかかり、装置稼働率が低下するという
問題点があった。また、高周波電極は、液体窒素による
低温冷却法の適用も検討されるなど、その形状が複雑に
なる傾向がある。したがって、真空容器内の反応副生成
物の除去を容易に行うことができるようにして、装置稼
働率を高めることが要請されている。
【０００８】この発明は、上記従来の問題点を解消する
ためになされたものであって、真空容器内に高周波電極
の側面部および真空容器の内側の側壁面を所定の間隔距
離をおいて取り囲むシールド板を設け、プラズマ処理す
るときには反応副生成物の大部分を上記シールド板に付
着させ、真空容器内のクリーニングを行うときには、プ
ラズマ処理時にシールド板に付着した反応副生成物をク
リーニング用ガスによるプラズマによって容易に除去し
得る構成とすることにより、真空容器内のクリーニング
作業を短時間で容易に行うことができ、装置稼働率を高
めることができる、プラズマ処理装置の提供を目的とす
る。
ためになされたものであって、真空容器内に高周波電極
の側面部および真空容器の内側の側壁面を所定の間隔距
離をおいて取り囲むシールド板を設け、プラズマ処理す
るときには反応副生成物の大部分を上記シールド板に付
着させ、真空容器内のクリーニングを行うときには、プ
ラズマ処理時にシールド板に付着した反応副生成物をク
リーニング用ガスによるプラズマによって容易に除去し
得る構成とすることにより、真空容器内のクリーニング
作業を短時間で容易に行うことができ、装置稼働率を高
めることができる、プラズマ処理装置の提供を目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明によるプラズマ処理装置は、接地される
真空容器の内部に、上面に試料基板が載置される高周波
電極と、導電性を有し前記高周波電極の側面部を所定の
間隔距離をおいて取り囲むシールド板とを備え、高周波
電源から前記高周波電極に高周波電圧を印加することに
より、前記真空容器内に導入された処理ガスをプラズマ
化し、このプラズマにより前記高周波電極上に載置され
た試料基板にエッチング、ＣＶＤなどのプラズマ処理を
行うプラズマ処理装置において、前記シールド板を、前
記高周波電極の側面部および前記真空容器の内側の側壁
面を所定の間隔距離をおいて取り囲むべく形成してなる
ものとし、このシールド板を、前記試料基板をプラズマ
処理するときには接地電位に接続し、クリーニング用ガ
スを導入して前記真空容器内のクリーニングを行うとき
には、前記高周波電源の高周波電位に接続し、かつ前記
高周波電極を接地電位に接続する接続切換え手段を備え
ていることを特徴とするものである。
めに、この発明によるプラズマ処理装置は、接地される
真空容器の内部に、上面に試料基板が載置される高周波
電極と、導電性を有し前記高周波電極の側面部を所定の
間隔距離をおいて取り囲むシールド板とを備え、高周波
電源から前記高周波電極に高周波電圧を印加することに
より、前記真空容器内に導入された処理ガスをプラズマ
化し、このプラズマにより前記高周波電極上に載置され
た試料基板にエッチング、ＣＶＤなどのプラズマ処理を
行うプラズマ処理装置において、前記シールド板を、前
記高周波電極の側面部および前記真空容器の内側の側壁
面を所定の間隔距離をおいて取り囲むべく形成してなる
ものとし、このシールド板を、前記試料基板をプラズマ
処理するときには接地電位に接続し、クリーニング用ガ
スを導入して前記真空容器内のクリーニングを行うとき
には、前記高周波電源の高周波電位に接続し、かつ前記
高周波電極を接地電位に接続する接続切換え手段を備え
ていることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】この発明によるプラズマ処理装置おいては、シ
ールド板は、高周波電極の側面部および真空容器の内側
の側壁面を所定の間隔距離d1をおいて取り囲むべく形成
されている。この間隔距離d1としては、高周波放電にも
適用し得るパッシェンの法則（Paschen's law ）に基づ
いて、クリーニング時のクリーニング用ガスによるガス
圧力P1と上記間隔距離d1との積P1・d1の値が、シールド
板と真空容器側壁面間、およびシールド板と高周波電極
側面部間にて高周波放電を最も起こし易い値（パッシェ
ンの特性曲線における放電開始最小電圧）に対応するよ
うに設定しておけばよい。
ールド板は、高周波電極の側面部および真空容器の内側
の側壁面を所定の間隔距離d1をおいて取り囲むべく形成
されている。この間隔距離d1としては、高周波放電にも
適用し得るパッシェンの法則（Paschen's law ）に基づ
いて、クリーニング時のクリーニング用ガスによるガス
圧力P1と上記間隔距離d1との積P1・d1の値が、シールド
板と真空容器側壁面間、およびシールド板と高周波電極
側面部間にて高周波放電を最も起こし易い値（パッシェ
ンの特性曲線における放電開始最小電圧）に対応するよ
うに設定しておけばよい。
【００１１】例えばエッチングを行う場合について説明
すると、高周波電極上に載置された試料基板をエッチン
グするときには、接続切換え手段により、シールド板が
真空容器と同様に接地電位に接続され、高周波電極が高
周波電源の高周波電位に接続される。また、真空容器内
の処理ガスによるガス圧力P2は、クリーニング時のクリ
ーニング用ガスによるガス圧力P1よりも低い値に設定さ
れる。そして、高周波電圧が印加されると、高周波放電
は、シールド板と高周波電極側面部との間では、エッチ
ング時のガス圧力P2と上記間隔距離d1との積P2・d1の値
が不適当なため起こらず、高周波電極上面と真空容器上
部内壁面との間で起こる。これにより、処理ガスがプラ
ズマ化されて通常のエッチングが行われ、このとき生成
する反応副生成物の大部分がシールド板に付着する。
すると、高周波電極上に載置された試料基板をエッチン
グするときには、接続切換え手段により、シールド板が
真空容器と同様に接地電位に接続され、高周波電極が高
周波電源の高周波電位に接続される。また、真空容器内
の処理ガスによるガス圧力P2は、クリーニング時のクリ
ーニング用ガスによるガス圧力P1よりも低い値に設定さ
れる。そして、高周波電圧が印加されると、高周波放電
は、シールド板と高周波電極側面部との間では、エッチ
ング時のガス圧力P2と上記間隔距離d1との積P2・d1の値
が不適当なため起こらず、高周波電極上面と真空容器上
部内壁面との間で起こる。これにより、処理ガスがプラ
ズマ化されて通常のエッチングが行われ、このとき生成
する反応副生成物の大部分がシールド板に付着する。
【００１２】これに対して真空容器内のクリーニングを
行うときには、接続切換え手段により、シールド板が高
周波電源の高周波電位に接続され、高周波電極が接地電
位に接続される。真空容器は試料基板をエッチングする
ときと同様に接地されている。シールド板に高周波電圧
が印加されると、シールド板と真空容器側壁面間、およ
びシールド板と高周波電極側面部間とに高周波放電が起
こり、クリーニング用ガスがプラズマ化され、このプラ
ズマ化されたクリーニング用ガス中のラジカル，イオン
などが反応副生成物と反応し、シールド板に付着してい
た反応副生成物が除去される。また、プラズマによって
シールド板が加熱されることから、反応副生成物がより
除去され易くなる。
行うときには、接続切換え手段により、シールド板が高
周波電源の高周波電位に接続され、高周波電極が接地電
位に接続される。真空容器は試料基板をエッチングする
ときと同様に接地されている。シールド板に高周波電圧
が印加されると、シールド板と真空容器側壁面間、およ
びシールド板と高周波電極側面部間とに高周波放電が起
こり、クリーニング用ガスがプラズマ化され、このプラ
ズマ化されたクリーニング用ガス中のラジカル，イオン
などが反応副生成物と反応し、シールド板に付着してい
た反応副生成物が除去される。また、プラズマによって
シールド板が加熱されることから、反応副生成物がより
除去され易くなる。
【００１３】
【実施例】以下、実施例に基づいてこの発明を説明す
る。図１はこの発明の一実施例によるエッチングを行う
プラズマ処理装置の構成説明図、図２はこの発明に係る
シールド板に付着した反応副生成物を除去する様子を説
明するための図である。なお、先に述べた図３に示すも
のと実質的に共通する部分には同一の符号を付してその
説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。
る。図１はこの発明の一実施例によるエッチングを行う
プラズマ処理装置の構成説明図、図２はこの発明に係る
シールド板に付着した反応副生成物を除去する様子を説
明するための図である。なお、先に述べた図３に示すも
のと実質的に共通する部分には同一の符号を付してその
説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００１４】図１及び図２において、真空容器１内に
は、シールド板21が、高周波電極４の側面部および真空
容器１の側壁面を数mm程度の所定の間隔距離d1をおいて
取り囲むように設けられている。
は、シールド板21が、高周波電極４の側面部および真空
容器１の側壁面を数mm程度の所定の間隔距離d1をおいて
取り囲むように設けられている。
【００１５】シールド板21は、図に示すように、高周波
電極４の側面部を取り囲むための、内側円筒状部材21
ａ、円環板部材21ｃ、及び真空容器１の側壁面を取り囲
むための外側円筒状部材21ｂとからなり、円環板部材21
ｃの内周端部に内側円筒状部材21ａをその下端部を沿わ
せて起立姿勢で固定し、円環板部材21ｃの外周端部に外
側円筒状部材21ｂをその下端部を沿わせて起立姿勢で固
定することにより、円環板部材21ｃを底面とする二重筒
状に形成したものである。
電極４の側面部を取り囲むための、内側円筒状部材21
ａ、円環板部材21ｃ、及び真空容器１の側壁面を取り囲
むための外側円筒状部材21ｂとからなり、円環板部材21
ｃの内周端部に内側円筒状部材21ａをその下端部を沿わ
せて起立姿勢で固定し、円環板部材21ｃの外周端部に外
側円筒状部材21ｂをその下端部を沿わせて起立姿勢で固
定することにより、円環板部材21ｃを底面とする二重筒
状に形成したものである。
【００１６】上記シールド板21は、導電性を有し、この
実施例では、小径の貫通孔が多数穿設された例えばステ
ンレス製の多孔板を用いて形成されたメッシュ状のもの
とされている。シールド板21の内側の部分にガス溜まり
を生じさせないようにするため、メッシュ状としてい
る。このように構成されるシールド板21が、高周波電極
４の下部大径部上の絶縁体５に固定されたスペーサの役
目もを兼ねる取り付け用絶縁体22に、図示しないボルト
により取り付けられている。
実施例では、小径の貫通孔が多数穿設された例えばステ
ンレス製の多孔板を用いて形成されたメッシュ状のもの
とされている。シールド板21の内側の部分にガス溜まり
を生じさせないようにするため、メッシュ状としてい
る。このように構成されるシールド板21が、高周波電極
４の下部大径部上の絶縁体５に固定されたスペーサの役
目もを兼ねる取り付け用絶縁体22に、図示しないボルト
により取り付けられている。
【００１７】23は接続切換え手段としての切換えスイッ
チである。この切換えスイッチ23は、同じように動作す
る２極の可動片S1，S2を有し、試料基板Ｗをエッチング
するときには、高周波電極４を高周波電源９の高周波電
位に接続するとともに、シールド板21を真空容器１と同
様に接地電位に接続し、真空容器１内のクリーニングを
行うときには、逆に、高周波電極４を真空容器１と同様
に接地電位に接続し、シールド板21を高周波電位に接続
するためのものである。
チである。この切換えスイッチ23は、同じように動作す
る２極の可動片S1，S2を有し、試料基板Ｗをエッチング
するときには、高周波電極４を高周波電源９の高周波電
位に接続するとともに、シールド板21を真空容器１と同
様に接地電位に接続し、真空容器１内のクリーニングを
行うときには、逆に、高周波電極４を真空容器１と同様
に接地電位に接続し、シールド板21を高周波電位に接続
するためのものである。
【００１８】切換えスイッチ23の一方の可動片S1の共通
端子ｃに、コンデンサ10と高周波電源９とが順に直列接
続されており、高周波電源９の一方の側は接地されてい
る。もう一方の可動片S2の共通端子ｃは接地されてい
る。また、可動片S1の第１端子ａは高周波電極４に接続
されるとともに、可動片S2の第２端子ｂに接続されてい
る。さらに、可動片S1の第２端子ｂは上記シールド板21
に接続されるともに、可動片S2の第１端子ａに接続され
ている。
端子ｃに、コンデンサ10と高周波電源９とが順に直列接
続されており、高周波電源９の一方の側は接地されてい
る。もう一方の可動片S2の共通端子ｃは接地されてい
る。また、可動片S1の第１端子ａは高周波電極４に接続
されるとともに、可動片S2の第２端子ｂに接続されてい
る。さらに、可動片S1の第２端子ｂは上記シールド板21
に接続されるともに、可動片S2の第１端子ａに接続され
ている。
【００１９】上記構成になるプラズマ処理装置の動作
を、図１及び図２を参照しながら、以下に説明する。ま
ず、切換えスイッチ23を操作して、高周波電極４に高周
波電源９から高周波電圧が印加され、シールド板21が接
地されるように接続する。
を、図１及び図２を参照しながら、以下に説明する。ま
ず、切換えスイッチ23を操作して、高周波電極４に高周
波電源９から高周波電圧が印加され、シールド板21が接
地されるように接続する。
【００２０】高周波電極４上に試料基板Ｗを載置した
後、処理ガスとして例えばCl2 ガスを導入し、真空容器
１内の圧力、つまりCl2 ガスによるガス圧力P2が例えば
0.005Torr程度になるように保持する。高周波電源９を
起動して高周波電極４に高周波電圧が印加されると、高
周波放電が起こり、真空容器１内に導入されたCl2 ガス
がプラズマ化されて、真空容器１内の上部にプラズマPe
が形成される。高周波出力は、例えば150 ワット程度に
設定される。
後、処理ガスとして例えばCl2 ガスを導入し、真空容器
１内の圧力、つまりCl2 ガスによるガス圧力P2が例えば
0.005Torr程度になるように保持する。高周波電源９を
起動して高周波電極４に高周波電圧が印加されると、高
周波放電が起こり、真空容器１内に導入されたCl2 ガス
がプラズマ化されて、真空容器１内の上部にプラズマPe
が形成される。高周波出力は、例えば150 ワット程度に
設定される。
【００２１】高周波放電は、シールド板21と高周波電極
４側面部との間では、ガス圧力P2と間隔距離d1との積P2
・d1の値が不適当なため起こらず、高周波電極４上面と
真空容器１上部内壁面との間で起こる。これにより、試
料基板Ｗのエッチングが行われ、このとき生成する反応
副生成物の大部分がシールド板21に付着する。
４側面部との間では、ガス圧力P2と間隔距離d1との積P2
・d1の値が不適当なため起こらず、高周波電極４上面と
真空容器１上部内壁面との間で起こる。これにより、試
料基板Ｗのエッチングが行われ、このとき生成する反応
副生成物の大部分がシールド板21に付着する。
【００２２】次に、シールド板21に付着している反応副
生成物を除去して真空容器１のクリーニングを行うとき
には、切換えスイッチ23を操作して、シールド板21に高
周波電源９から高周波電圧が印加され、高周波電極４が
接地されるように接続する。そして、クリーニング用の
ハロゲンガスとして例えばNF3 ガスを導入し、真空容器
１内の圧力、つまりNF3 ガスによるガス圧力P1が、エッ
チング処理のときのガス圧力P2よりも高い値、例えば0.
1 Torr程度になるように保持する。
生成物を除去して真空容器１のクリーニングを行うとき
には、切換えスイッチ23を操作して、シールド板21に高
周波電源９から高周波電圧が印加され、高周波電極４が
接地されるように接続する。そして、クリーニング用の
ハロゲンガスとして例えばNF3 ガスを導入し、真空容器
１内の圧力、つまりNF3 ガスによるガス圧力P1が、エッ
チング処理のときのガス圧力P2よりも高い値、例えば0.
1 Torr程度になるように保持する。
【００２３】高周波電源９を起動してシールド板21に高
周波電圧が印加されると、エッチング処理のときに比べ
てガス圧力P1が高く、分子の平均自由行程が短く、ガス
圧力P1と上記間隔距離d1との積P1・d1の値が、シールド
板21と真空容器１側壁面間、およびシールド21板と高周
波電極４側面部間にて高周波放電を最も起こし易い値
（パッシェンの特性曲線における放電開始最小電圧）に
対応するように設定されることから、図２に示すよう
に、シールド板21と真空容器１側壁面との間、シールド
板21と高周波電極４側面部との間に、高周波放電が起こ
りNF3 ガスによるプラズマPcが形成される。なお、高周
波出力は、例えば500 ワット程度に設定される。
周波電圧が印加されると、エッチング処理のときに比べ
てガス圧力P1が高く、分子の平均自由行程が短く、ガス
圧力P1と上記間隔距離d1との積P1・d1の値が、シールド
板21と真空容器１側壁面間、およびシールド21板と高周
波電極４側面部間にて高周波放電を最も起こし易い値
（パッシェンの特性曲線における放電開始最小電圧）に
対応するように設定されることから、図２に示すよう
に、シールド板21と真空容器１側壁面との間、シールド
板21と高周波電極４側面部との間に、高周波放電が起こ
りNF3 ガスによるプラズマPcが形成される。なお、高周
波出力は、例えば500 ワット程度に設定される。
【００２４】このプラズマ化されたNF3 ガス中のラジカ
ル，イオンなどが反応副生成物と反応して、シールド板
21に付着していた反応副生成物が除去される。このと
き、プラズマによってシールド板21が加熱されることか
ら、反応副生成物がより除去され易くなる。
ル，イオンなどが反応副生成物と反応して、シールド板
21に付着していた反応副生成物が除去される。このと
き、プラズマによってシールド板21が加熱されることか
ら、反応副生成物がより除去され易くなる。
【００２５】このようにして、エッチング処理するとき
には、反応副生成物の大部分をシールド板21に付着させ
ることにより、真空容器１や高周波電極４への反応副生
成物の付着を減少させることができ。そして、真空容器
１のクリーニングを行うときには、シールド板21と真空
容器１側壁面との間、およびシールド板21と高周波電極
４側面部との間にクリーニング用ガスによるプラズマを
形成させることにより、エッチング処理時にシールド板
21に付着した反応副生成物を容易に除去することができ
る。
には、反応副生成物の大部分をシールド板21に付着させ
ることにより、真空容器１や高周波電極４への反応副生
成物の付着を減少させることができ。そして、真空容器
１のクリーニングを行うときには、シールド板21と真空
容器１側壁面との間、およびシールド板21と高周波電極
４側面部との間にクリーニング用ガスによるプラズマを
形成させることにより、エッチング処理時にシールド板
21に付着した反応副生成物を容易に除去することができ
る。
【００２６】これにより、真空容器内のクリーニング作
業にかかる時間が従来装置に比べて大幅減となり、装置
稼働率を高めることができる。なお、上記実施例では試
料基板をエッチングする場合の例について説明したが、
この発明によるプラズマ処理装置では、試料基板をＣＶ
Ｄ処理する場合についても、上記同様にして、真空容器
内のクリーニング作業にかかる時間を従来装置に比べて
大幅に短縮することができる。
業にかかる時間が従来装置に比べて大幅減となり、装置
稼働率を高めることができる。なお、上記実施例では試
料基板をエッチングする場合の例について説明したが、
この発明によるプラズマ処理装置では、試料基板をＣＶ
Ｄ処理する場合についても、上記同様にして、真空容器
内のクリーニング作業にかかる時間を従来装置に比べて
大幅に短縮することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によるプラ
ズマ処理装置は、接地される真空容器の内部に、試料基
板が載置される高周波電極の側面部および真空容器の側
壁面を所定の間隔距離をおいて取り囲むようにしたシー
ルド板が設けられる一方、このシールド板を、高周波電
源から高周波電圧を高周波電極に印加して試料基板をエ
ッチング、ＣＶＤなどのプラズマ処理するときには接地
電位に接続し、クリーニング用ガスを導入して真空容器
内のクリーニングを行うときには、高周波電源の高周波
電位に接続し、かつ高周波電極を接地電位に接続する接
続切換え手段が備えられた構成とされている。
ズマ処理装置は、接地される真空容器の内部に、試料基
板が載置される高周波電極の側面部および真空容器の側
壁面を所定の間隔距離をおいて取り囲むようにしたシー
ルド板が設けられる一方、このシールド板を、高周波電
源から高周波電圧を高周波電極に印加して試料基板をエ
ッチング、ＣＶＤなどのプラズマ処理するときには接地
電位に接続し、クリーニング用ガスを導入して真空容器
内のクリーニングを行うときには、高周波電源の高周波
電位に接続し、かつ高周波電極を接地電位に接続する接
続切換え手段が備えられた構成とされている。
【００２８】したがって、この発明によるプラズマ処理
装置によると、プラズマ処理するときには、反応副生成
物の大部分をシールド板に付着させることにより、真空
容器や高周波電極への反応副生成物の付着を減少させる
ことができ、真空容器内のクリーニングを行うときに
は、シールド板と真空容器側壁面との間、およびシール
ド板と高周波電極側面部との間にクリーニング用ガスに
よるプラズマを形成させることにより、上記プラズマ処
理時にシールド板に付着した反応副生成物を容易に除去
することができる。これにより、真空容器内のクリーニ
ング作業にかかる時間が従来装置に比べて大幅減とな
り、装置稼働率を高めることができる。
装置によると、プラズマ処理するときには、反応副生成
物の大部分をシールド板に付着させることにより、真空
容器や高周波電極への反応副生成物の付着を減少させる
ことができ、真空容器内のクリーニングを行うときに
は、シールド板と真空容器側壁面との間、およびシール
ド板と高周波電極側面部との間にクリーニング用ガスに
よるプラズマを形成させることにより、上記プラズマ処
理時にシールド板に付着した反応副生成物を容易に除去
することができる。これにより、真空容器内のクリーニ
ング作業にかかる時間が従来装置に比べて大幅減とな
り、装置稼働率を高めることができる。
【図１】この発明の一実施例によるエッチングを行うプ
ラズマ処理装置の構成説明図である。
ラズマ処理装置の構成説明図である。
【図２】この発明に係るシールド板に付着した反応副生
成物を除去する様子を説明するための図である。
成物を除去する様子を説明するための図である。
【図３】従来のプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図４】図３に示すプラズマ処理装置における反応副生
成物の付着の様子を説明するための図である。
成物の付着の様子を説明するための図である。
１…真空容器 1a…真空容器本体 1b…真空容器の上蓋
２…処理ガス導入口 ３…処理ガス排気口 ４…高周波電極 ５…絶縁体 ６
…冷却水導入管 ７…冷却水排出管 ８…電極シールド
板 ９…高周波電源 10…コンデンサ 11…磁石組立
21…シールド板 21ａ…内側円筒状部材 21ｂ…外側円
筒状部材 21ｃ…円環板部材 22…取り付け用絶縁体
23…切換えスイッチ Ｗ…試料基板 Ｐ，Pe，Pc…プラ
ズマ
２…処理ガス導入口 ３…処理ガス排気口 ４…高周波電極 ５…絶縁体 ６
…冷却水導入管 ７…冷却水排出管 ８…電極シールド
板 ９…高周波電源 10…コンデンサ 11…磁石組立
21…シールド板 21ａ…内側円筒状部材 21ｂ…外側円
筒状部材 21ｃ…円環板部材 22…取り付け用絶縁体
23…切換えスイッチ Ｗ…試料基板 Ｐ，Pe，Pc…プラ
ズマ
Claims (1)
- 【請求項１】 接地される真空容器の内部に、上面に試
料基板が載置される高周波電極と、導電性を有し前記高
周波電極の側面部を所定の間隔距離をおいて取り囲むシ
ールド板とを備え、高周波電源から前記高周波電極に高
周波電圧を印加することにより、前記真空容器内に導入
された処理ガスをプラズマ化し、このプラズマにより前
記高周波電極上に載置された試料基板にエッチング、Ｃ
ＶＤなどのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置におい
て、前記シールド板を、前記高周波電極の側面部および
前記真空容器の内側の側壁面を所定の間隔距離をおいて
取り囲むべく形成してなるものとし、このシールド板
を、前記試料基板をプラズマ処理するときには接地電位
に接続し、クリーニング用ガスを導入して前記真空容器
内のクリーニングを行うときには、前記高周波電源の高
周波電位に接続し、かつ前記高周波電極を接地電位に接
続する接続切換え手段を備えていることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293266A JPH05125541A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293266A JPH05125541A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05125541A true JPH05125541A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=17792601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293266A Withdrawn JPH05125541A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05125541A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049925A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Mitsubishi Shoji Plastics Corporation | Appareil de fabrication de recipients de plastique revetus de dlc leur procede de fabrication associe et procede de nettoyage de l'electrode interieure |
| US6513452B2 (en) * | 1994-12-15 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| JP2007081221A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
| JP2008140875A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 |
| US7406925B2 (en) | 2000-10-03 | 2008-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| US20110024040A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Tokyo Electron Limited | Deposit protection cover and plasma processing apparatus |
| WO2012071903A1 (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 等离子加工装置 |
| US11107706B2 (en) * | 2016-10-08 | 2021-08-31 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Gas phase etching device and gas phase etching apparatus |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3293266A patent/JPH05125541A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6513452B2 (en) * | 1994-12-15 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
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| JP2007081221A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
| JP2008140875A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 |
| US20110024040A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Tokyo Electron Limited | Deposit protection cover and plasma processing apparatus |
| US8974600B2 (en) * | 2009-07-28 | 2015-03-10 | Tokyo Electron Limited | Deposit protection cover and plasma processing apparatus |
| WO2012071903A1 (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 等离子加工装置 |
| US9271384B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-02-23 | Ideal Energy (Shanghai) Sunflower Thin Film Equipment, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US11107706B2 (en) * | 2016-10-08 | 2021-08-31 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Gas phase etching device and gas phase etching apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |