JPH05125545A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH05125545A JPH05125545A JP3286329A JP28632991A JPH05125545A JP H05125545 A JPH05125545 A JP H05125545A JP 3286329 A JP3286329 A JP 3286329A JP 28632991 A JP28632991 A JP 28632991A JP H05125545 A JPH05125545 A JP H05125545A
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- gas supply
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Links
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハ、ＬＣＤ基板等の被処理体をプラ
ズマ処理するに際に、被処理体表面に均一に処理ガスを
供給し、もって被処理体の均一な処理を行なう。 【構成】上部電極と対向配置した下部電極の上に被処理
体を載置して、電極間に高周波高圧電力を印加し放電を
発生させるとともに、上部電極に取り付けた複数のガス
供給口を有するガス供給板からガスを処理室内に導入す
る。ガス供給板のガス供給口は被処理体の大きさ、形状
に合せた位置に所定数設けられているので、電極間の被
処理体が載置されている部分に均一にガスが供給され
る。 【効果】方形の被処理体や大型の被処理体に対応でき
る。
ズマ処理するに際に、被処理体表面に均一に処理ガスを
供給し、もって被処理体の均一な処理を行なう。 【構成】上部電極と対向配置した下部電極の上に被処理
体を載置して、電極間に高周波高圧電力を印加し放電を
発生させるとともに、上部電極に取り付けた複数のガス
供給口を有するガス供給板からガスを処理室内に導入す
る。ガス供給板のガス供給口は被処理体の大きさ、形状
に合せた位置に所定数設けられているので、電極間の被
処理体が載置されている部分に均一にガスが供給され
る。 【効果】方形の被処理体や大型の被処理体に対応でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマ装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ、ＬＣＤ基板等の表面にパ
ターンを形成する方法として、プラズマエッチング、反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のプラズマ処理が行
なわれ、またエッチング後のレジスト除去方法としてア
ッシング等のプラズマ処理が行なわれている。このよう
なプラズマ処理のための装置として、従来図４に示すよ
うなプラズマ装置がある。
ターンを形成する方法として、プラズマエッチング、反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のプラズマ処理が行
なわれ、またエッチング後のレジスト除去方法としてア
ッシング等のプラズマ処理が行なわれている。このよう
なプラズマ処理のための装置として、従来図４に示すよ
うなプラズマ装置がある。
【０００３】このプラズマ装置２０は、処理室２１内に
対向して上部電極２２と下部電極２３とが配置され、上
部電極２２または下部電極２３には高周波電源２４が接
続されており電極間に高周波電圧ＲＦが印加されるよう
になっている。また下部電極２３は上部電極２２に対し
て近接、離反の方向に移動でき、開口２５より搬送され
た被処理体２６が載置され、上部電極２２と所定の間隔
を設定する。また上部電極２２の上方には処理室２１に
Ｏ2ガス、ＣＦ4ガス等の反応ガスを導入するためのガス
供給系に接続されたガス供給管２７が設けられ、処理目
的に応じた反応ガスを処理室内に導入する。上部電極２
２には多数の小孔が形成されており、ガス供給管２７か
ら導入されたガスは電極間に供給される。さらにガス供
給管２７と上部電極２２との間には、ガスを均一に分散
させるために多数の小孔が形成された２枚のバッフル２
８が互いの小孔が重ならないような位置関係で設置され
ている。
対向して上部電極２２と下部電極２３とが配置され、上
部電極２２または下部電極２３には高周波電源２４が接
続されており電極間に高周波電圧ＲＦが印加されるよう
になっている。また下部電極２３は上部電極２２に対し
て近接、離反の方向に移動でき、開口２５より搬送され
た被処理体２６が載置され、上部電極２２と所定の間隔
を設定する。また上部電極２２の上方には処理室２１に
Ｏ2ガス、ＣＦ4ガス等の反応ガスを導入するためのガス
供給系に接続されたガス供給管２７が設けられ、処理目
的に応じた反応ガスを処理室内に導入する。上部電極２
２には多数の小孔が形成されており、ガス供給管２７か
ら導入されたガスは電極間に供給される。さらにガス供
給管２７と上部電極２２との間には、ガスを均一に分散
させるために多数の小孔が形成された２枚のバッフル２
８が互いの小孔が重ならないような位置関係で設置され
ている。
【０００４】このようなプラズマ装置では、ガス供給管
２７から供給される反応ガスは２枚のバッフル２８と上
部電極２２を通過することによって、均一に分散され電
極間に供給され、均一な処理が可能となる。
２７から供給される反応ガスは２枚のバッフル２８と上
部電極２２を通過することによって、均一に分散され電
極間に供給され、均一な処理が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年被
処理体である半導体ウェハやＬＣＤ基板の大型化に伴
い、ガス供給管２７一箇所からガスを供給した場合には
被処理体の中央部と周辺部分とではガスの濃度が異なる
ために均一な処理ができないという問題があった。特に
大型四角形のＬＣＤ基板ではその傾向が大きくなる。ま
た、同じプラズマ装置でも処理によって使用する反応ガ
スが異なるが、反応ガスはそれぞれ種類によって粘性が
異なるため、一箇所からガスを供給した場合にはバッフ
ルを通しても均一に拡散されず必ずしも最適処理を行な
えないという問題があった。
処理体である半導体ウェハやＬＣＤ基板の大型化に伴
い、ガス供給管２７一箇所からガスを供給した場合には
被処理体の中央部と周辺部分とではガスの濃度が異なる
ために均一な処理ができないという問題があった。特に
大型四角形のＬＣＤ基板ではその傾向が大きくなる。ま
た、同じプラズマ装置でも処理によって使用する反応ガ
スが異なるが、反応ガスはそれぞれ種類によって粘性が
異なるため、一箇所からガスを供給した場合にはバッフ
ルを通しても均一に拡散されず必ずしも最適処理を行な
えないという問題があった。
【０００６】
【目的】本発明はこのような従来の問題点を解消するた
めになされたもので、被処理体の種類、形状や供給する
ガスの種類等の条件の変化に応じて、任意のガス供給経
路を提供することのできるプラズマ装置を提供すること
を目的とする。また、本発明は極めて均一なプラズマ処
理が可能なプラズマ装置を提供することを目的とする。
めになされたもので、被処理体の種類、形状や供給する
ガスの種類等の条件の変化に応じて、任意のガス供給経
路を提供することのできるプラズマ装置を提供すること
を目的とする。また、本発明は極めて均一なプラズマ処
理が可能なプラズマ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のプラズマ装置は、対向配置した一対の電極の一方に
被処理体を設置するとともにこれら電極間にガスを導入
して放電させて被処理体をプラズマ処理する装置におい
て、ガスを処理室内の複数箇所から噴き出させるための
ガス供給経路手段を着脱可能に設けたものである。
明のプラズマ装置は、対向配置した一対の電極の一方に
被処理体を設置するとともにこれら電極間にガスを導入
して放電させて被処理体をプラズマ処理する装置におい
て、ガスを処理室内の複数箇所から噴き出させるための
ガス供給経路手段を着脱可能に設けたものである。
【０００８】
【作用】被処理体の形状に合せて複数のガス供給口を有
するガス供給経路手段をガスの導入口に連結することに
より、電極間に均一にガスを供給することができ、被処
理体の均一なプラズマ処理を行なうことができる。ま
た、被処理体の種類、形状、サイズが変ったときや使用
するガスが異なる場合には、これら変更に対応して異な
る位置にガス供給口を有するガス供給経路手段に交換す
る。
するガス供給経路手段をガスの導入口に連結することに
より、電極間に均一にガスを供給することができ、被処
理体の均一なプラズマ処理を行なうことができる。ま
た、被処理体の種類、形状、サイズが変ったときや使用
するガスが異なる場合には、これら変更に対応して異な
る位置にガス供給口を有するガス供給経路手段に交換す
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明をＬＣＤ用ガラス基板（以下、
基板と略称する）のエッチング工程に適用した一実施例
を図面を参照して説明する。図１のプラズマ装置１は、
主として処理室２と、処理室２内に対向して配置された
上部電極３と下部電極４と、処理室２にガスを導入する
ためのガス供給口５とから成る。処理室２は、材質が例
えばアルミニウム製で、耐腐食対策として例えばその内
面にアルミナの被膜が形成されている。処理室２は、メ
ンテナンスを容易にする等の理由から上部が開閉可能に
なっており、上部に反応ガスを処理室２内に導入するた
めのガス供給口５が連結されている。ガス供給口５は、
供給管５１、バルブ５２、フィルタ５３を介して反応ガ
ス源５４に連結されており、バルブ５２をコントロール
することにより所定のガスを所定の流量で処理室２に供
給する。反応ガスは処理の目的によって、アッシングで
あれば例えばＯ2ガス、エッチングであれば例えばＳ
Ｆ6、ＣＦ4、ＣＣｌ4等が使用される。
基板と略称する）のエッチング工程に適用した一実施例
を図面を参照して説明する。図１のプラズマ装置１は、
主として処理室２と、処理室２内に対向して配置された
上部電極３と下部電極４と、処理室２にガスを導入する
ためのガス供給口５とから成る。処理室２は、材質が例
えばアルミニウム製で、耐腐食対策として例えばその内
面にアルミナの被膜が形成されている。処理室２は、メ
ンテナンスを容易にする等の理由から上部が開閉可能に
なっており、上部に反応ガスを処理室２内に導入するた
めのガス供給口５が連結されている。ガス供給口５は、
供給管５１、バルブ５２、フィルタ５３を介して反応ガ
ス源５４に連結されており、バルブ５２をコントロール
することにより所定のガスを所定の流量で処理室２に供
給する。反応ガスは処理の目的によって、アッシングで
あれば例えばＯ2ガス、エッチングであれば例えばＳ
Ｆ6、ＣＦ4、ＣＣｌ4等が使用される。
【００１０】また処理室２の下方周辺部には、処理室内
のガスを排気するための排気管６が接続され、排気管６
は図示しない排気機構、例えばロータリーポンプやター
ボ分子ポンプ等に連結される。なお、排気管６には処理
室２内のガスが均一に排気されるように、所定の開口率
に設定可能な整流体７が着脱自在に取り付けられてい
る。これにより排気の流れを調整することができる。さ
らに処理室２は、被処理体である基板を搬入、搬出する
ための開口８が設けられて折り、この開口８を開閉可能
にする図示しない開閉機構が処理室２側壁の外面に設け
られている。この開閉機構が閉じることにより処理室２
内を気密に保持可能にしている。必要に応じてロードロ
ックを使用することができる。
のガスを排気するための排気管６が接続され、排気管６
は図示しない排気機構、例えばロータリーポンプやター
ボ分子ポンプ等に連結される。なお、排気管６には処理
室２内のガスが均一に排気されるように、所定の開口率
に設定可能な整流体７が着脱自在に取り付けられてい
る。これにより排気の流れを調整することができる。さ
らに処理室２は、被処理体である基板を搬入、搬出する
ための開口８が設けられて折り、この開口８を開閉可能
にする図示しない開閉機構が処理室２側壁の外面に設け
られている。この開閉機構が閉じることにより処理室２
内を気密に保持可能にしている。必要に応じてロードロ
ックを使用することができる。
【００１１】上部電極３は、処理室２の側面に絶縁ベー
ス９を介して固定される。絶縁ベース９は石英ガラス、
セラミックス等から成り、Ｏリングを介して本体に固定
され、さらにＯリングを介して上部電極３が固定されて
いる。さらに上部電極３にはガスを送るための穴３ａが
形成されており、この穴３ａにガス供給口５が連結され
る。
ス９を介して固定される。絶縁ベース９は石英ガラス、
セラミックス等から成り、Ｏリングを介して本体に固定
され、さらにＯリングを介して上部電極３が固定されて
いる。さらに上部電極３にはガスを送るための穴３ａが
形成されており、この穴３ａにガス供給口５が連結され
る。
【００１２】また、上部電極３にはガス供給経路を分岐
し処理室内の複数箇所にガスを噴き出させるためのガス
供給経路手段として複数のガス供給口１０ａを有するガ
ス供給板１０が取付られる。ガス供給板１０は一方の側
に上部電極３の穴３ａに連結されるガス通路を有し他方
の側に設けられた複数のガス供給口１０ａはそれぞれこ
のガス通路に連通している。このガス供給板１０は例え
ばアルミニウム製でそのガス通路及びガス供給口１０ａ
は耐腐食性を高めるため表面処理がされている。ガス供
給口１０ａの数及び位置は、被処理体の大きさや形状に
よって又使用するガスによって異なり、例えば４００mm
角の四角形のＬＣＤ用ガラス基板をエッチングする場
合、図２に示すように中心に１ヵ所、中心と四辺との間
に数１ヵ所ある。これらガス供給口１０ａにはそれぞれ
ガスの噴き出しを分散させるための小型のバッフル１１
が嵌めこまれている。上部電極３にはさらにガス供給板
１０とほぼ同形の複数個、例えば２枚のバッフル１２、
１３及び電極板３１が固定される。図３に示すようにこ
れらバッフル１１、１２、１３には数ｍｍ間隔で小孔１
２ａ、１３ａが四方に多数並設され、且つ隣接するバッ
フルどうしの小孔が互いに重ならないように構成されて
いる。また、電極板３１にもガスを通過させるための段
差のある穴（噴き出し側先端の穴径は特に小さい）が形
成されている。このような構成により、各ガス供給口１
０ａから噴き出したガスはバッフル１１、１２、１３及
び電極板３１を通過するにつれ、より均一に分散され電
極間に供給される。
し処理室内の複数箇所にガスを噴き出させるためのガス
供給経路手段として複数のガス供給口１０ａを有するガ
ス供給板１０が取付られる。ガス供給板１０は一方の側
に上部電極３の穴３ａに連結されるガス通路を有し他方
の側に設けられた複数のガス供給口１０ａはそれぞれこ
のガス通路に連通している。このガス供給板１０は例え
ばアルミニウム製でそのガス通路及びガス供給口１０ａ
は耐腐食性を高めるため表面処理がされている。ガス供
給口１０ａの数及び位置は、被処理体の大きさや形状に
よって又使用するガスによって異なり、例えば４００mm
角の四角形のＬＣＤ用ガラス基板をエッチングする場
合、図２に示すように中心に１ヵ所、中心と四辺との間
に数１ヵ所ある。これらガス供給口１０ａにはそれぞれ
ガスの噴き出しを分散させるための小型のバッフル１１
が嵌めこまれている。上部電極３にはさらにガス供給板
１０とほぼ同形の複数個、例えば２枚のバッフル１２、
１３及び電極板３１が固定される。図３に示すようにこ
れらバッフル１１、１２、１３には数ｍｍ間隔で小孔１
２ａ、１３ａが四方に多数並設され、且つ隣接するバッ
フルどうしの小孔が互いに重ならないように構成されて
いる。また、電極板３１にもガスを通過させるための段
差のある穴（噴き出し側先端の穴径は特に小さい）が形
成されている。このような構成により、各ガス供給口１
０ａから噴き出したガスはバッフル１１、１２、１３及
び電極板３１を通過するにつれ、より均一に分散され電
極間に供給される。
【００１３】なお電極板３１の外周に絶縁性のシールド
リング３２が固定される。シールドリング３２は石英ガ
ラス、セラミックス等から成り、電極間の放電が下部電
極４の所定部分に集中するように作用する。一方、下部
電極４は昇降機構１４に支持されており、昇降機構１４
によって上部電極３に対し接近、離反する方向に移動で
き、アッシング、エッチングの処理時には１mm単位で２
０mm〜数１０mmまで自由にギャップの設定が可能な構造
である。さらに昇降機構１４には、下部電極４の傾きを
調整する機構を備え、上部電極３（電極板３１）と平行
を保つように構成されている。なおこの昇降に対応して
例えばステンレススチール等から成るベローズ１５によ
り気密が保たれている。下部電極４は、例えばアルミニ
ウム製の平板から成り表面にアルマイト処理が施されて
いる。この下部電極４の上面には、被処理体である方形
状の基板１６が設置され、この基板１６の設置を容易に
するために下部電極４には表面に出没自在なリフターピ
ン（図示せず）が設けられている。また、基板１６をプ
ラズマ処理する際に発生させる放電を、基板１６表面に
集中させるために下部電極４の基板設置部分以外の部分
に、下部電極４を覆うフォーカス部材１７が着脱自在に
設けられている。このフォーカス部材１７は、厚さが例
えば５〜数１０mm程度の断面Ｌ字状部材で環状に構成さ
れ、ＲＦに対して基板１６より充分にインピーダンスの
高い材質例えばテフロン（商品名）や石英ガラス、セラ
ミックス等が使用されている。フォーカス部材１７は着
脱自在であるので容易に交換ができる。
リング３２が固定される。シールドリング３２は石英ガ
ラス、セラミックス等から成り、電極間の放電が下部電
極４の所定部分に集中するように作用する。一方、下部
電極４は昇降機構１４に支持されており、昇降機構１４
によって上部電極３に対し接近、離反する方向に移動で
き、アッシング、エッチングの処理時には１mm単位で２
０mm〜数１０mmまで自由にギャップの設定が可能な構造
である。さらに昇降機構１４には、下部電極４の傾きを
調整する機構を備え、上部電極３（電極板３１）と平行
を保つように構成されている。なおこの昇降に対応して
例えばステンレススチール等から成るベローズ１５によ
り気密が保たれている。下部電極４は、例えばアルミニ
ウム製の平板から成り表面にアルマイト処理が施されて
いる。この下部電極４の上面には、被処理体である方形
状の基板１６が設置され、この基板１６の設置を容易に
するために下部電極４には表面に出没自在なリフターピ
ン（図示せず）が設けられている。また、基板１６をプ
ラズマ処理する際に発生させる放電を、基板１６表面に
集中させるために下部電極４の基板設置部分以外の部分
に、下部電極４を覆うフォーカス部材１７が着脱自在に
設けられている。このフォーカス部材１７は、厚さが例
えば５〜数１０mm程度の断面Ｌ字状部材で環状に構成さ
れ、ＲＦに対して基板１６より充分にインピーダンスの
高い材質例えばテフロン（商品名）や石英ガラス、セラ
ミックス等が使用されている。フォーカス部材１７は着
脱自在であるので容易に交換ができる。
【００１４】このような上部電極３及び下部電極４は、
いずれか一方が高周波電源１８に接続され、他方が接地
される。例えばラジカルによりエッチングする場合に
は、図１に示すように上部電極３が高周波電源１８に接
続される。またイオンによりエッチングするＲＩＥモー
ドの場合は、下部電極４が高周波電源１８に接続され
る。また、図示しない温度制御機構によって、処理室２
内、上部電極３及び下部電極４は、所定の温度に保持さ
れる。
いずれか一方が高周波電源１８に接続され、他方が接地
される。例えばラジカルによりエッチングする場合に
は、図１に示すように上部電極３が高周波電源１８に接
続される。またイオンによりエッチングするＲＩＥモー
ドの場合は、下部電極４が高周波電源１８に接続され
る。また、図示しない温度制御機構によって、処理室２
内、上部電極３及び下部電極４は、所定の温度に保持さ
れる。
【００１５】次にこのような構成における動作について
説明する。まず、処理室２を所定の減圧状態に設定し、
処理室２側壁に形成されている開口８を開け、図示しな
い搬送機構例えばハンドリングアームにより基板１６を
搬入する。開口８の外部空間をロードロック室としてお
くことにより、開口８開閉の際に処理室内の減圧を保持
することができる。このとき下部電極４は昇降機構１４
により下方の位置にあって、基板１６は表面から突出し
ているリフターピンに支持される。次いでハンドリング
アームが退出し、開口８が閉じられ、処理室内を気密に
する。一方下部電極４が昇降機構１４により上昇して基
板１６が下部電極４上の所定位置に載置されるととも
に、上部電極３と所定間隔に設定される。
説明する。まず、処理室２を所定の減圧状態に設定し、
処理室２側壁に形成されている開口８を開け、図示しな
い搬送機構例えばハンドリングアームにより基板１６を
搬入する。開口８の外部空間をロードロック室としてお
くことにより、開口８開閉の際に処理室内の減圧を保持
することができる。このとき下部電極４は昇降機構１４
により下方の位置にあって、基板１６は表面から突出し
ているリフターピンに支持される。次いでハンドリング
アームが退出し、開口８が閉じられ、処理室内を気密に
する。一方下部電極４が昇降機構１４により上昇して基
板１６が下部電極４上の所定位置に載置されるととも
に、上部電極３と所定間隔に設定される。
【００１６】しかる後に上部電極３及び下部電極４間に
ＲＦ電力を印加し、上部電極３及び下部電極４間に放電
を発生させる。これと同時にガス供給源５４から所定の
ガス、即ちアッシングであれば例えばＯ2ガス、エッチ
ングであれば例えばＳＦ6、ＣＦ4、ＣＣｌ4等がフィル
タ５１、バルブ５２、供給管５３を介して、上部電極の
穴３ａからガス供給板１０に供給される。このガス供給
板１０のガス供給口１０ａによって供給経路は複数に分
れ、電極板３１に向って噴き出される。この際、ガスは
まずガス供給口１０ａに設けられた各バッフル１１によ
って拡散され、さらにバッフル１２、１３によって拡散
され、電極の面方向に極めて均一に拡散され電極板３１
の孔を介して下部電極４との間に送られる。このガスは
電極間の放電によりプラズマ化され、例えばラジカルを
発生し、基板１６表面に被着している例えば、α−Ｓｉ
膜、ＳｉＮｘ膜、Ａｌ膜等を選択的に除去する。ここ
で、上部電極３に設けられたシールドリング３２及び下
部電極４に設けられたフォーカス部材１７によって放電
が基板１６の部分に集中して起こるとともに、ガス供給
板１０及びバッフル１２、１３によって放電の生じる全
ての部分、即ち基板１６が載置される部分に均一なガス
が供給されるので、処理が均一に行なわれる。なおエッ
チングの剰余ガスや廃ガス等は、処理室２下方周辺部に
設けられた整流体７を介して排気管６から排気される。
ＲＦ電力を印加し、上部電極３及び下部電極４間に放電
を発生させる。これと同時にガス供給源５４から所定の
ガス、即ちアッシングであれば例えばＯ2ガス、エッチ
ングであれば例えばＳＦ6、ＣＦ4、ＣＣｌ4等がフィル
タ５１、バルブ５２、供給管５３を介して、上部電極の
穴３ａからガス供給板１０に供給される。このガス供給
板１０のガス供給口１０ａによって供給経路は複数に分
れ、電極板３１に向って噴き出される。この際、ガスは
まずガス供給口１０ａに設けられた各バッフル１１によ
って拡散され、さらにバッフル１２、１３によって拡散
され、電極の面方向に極めて均一に拡散され電極板３１
の孔を介して下部電極４との間に送られる。このガスは
電極間の放電によりプラズマ化され、例えばラジカルを
発生し、基板１６表面に被着している例えば、α−Ｓｉ
膜、ＳｉＮｘ膜、Ａｌ膜等を選択的に除去する。ここ
で、上部電極３に設けられたシールドリング３２及び下
部電極４に設けられたフォーカス部材１７によって放電
が基板１６の部分に集中して起こるとともに、ガス供給
板１０及びバッフル１２、１３によって放電の生じる全
ての部分、即ち基板１６が載置される部分に均一なガス
が供給されるので、処理が均一に行なわれる。なおエッ
チングの剰余ガスや廃ガス等は、処理室２下方周辺部に
設けられた整流体７を介して排気管６から排気される。
【００１７】以上の実施例では、被処理体として方形状
のＬＣＤ用ガラス基板を用いた例について説明したが、
本発明のプラズマ装置は半導体ウェハその他プラズマ処
理を行なう全ての被処理体に適用できるのはいうまでも
ない。
のＬＣＤ用ガラス基板を用いた例について説明したが、
本発明のプラズマ装置は半導体ウェハその他プラズマ処
理を行なう全ての被処理体に適用できるのはいうまでも
ない。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のプラズマ装置によれば複数のガス供給口を設けるこ
とにより大型の被処理体でもその全面にわたって均一に
ガスを供給し均一な処理をすることができる。また本発
明のプラズマ装置によればガス供給板を交換することに
よりガス供給経路を任意に選択できるようにしたので、
被処理体の種類、形状及びサイズ、使用するガスの種類
等に応じて最も均一な処理が可能なガス供給経路を選択
してプラズマ処理することができる。しかも着脱自在で
あるのでメンテナンスが容易である。
明のプラズマ装置によれば複数のガス供給口を設けるこ
とにより大型の被処理体でもその全面にわたって均一に
ガスを供給し均一な処理をすることができる。また本発
明のプラズマ装置によればガス供給板を交換することに
よりガス供給経路を任意に選択できるようにしたので、
被処理体の種類、形状及びサイズ、使用するガスの種類
等に応じて最も均一な処理が可能なガス供給経路を選択
してプラズマ処理することができる。しかも着脱自在で
あるのでメンテナンスが容易である。
【図１】本発明が適用されるプラズマ装置の一実施例を
示す図。
示す図。
【図２】図１のプラズマ装置の要部を示す図。
【図３】図１のプラズマ装置の要部を示す図。
【図４】従来のプラズマ装置を示す図。
１・・・・・・プラズマ装置 ２・・・・・・処理室 ３・・・・・・上部電極 ４・・・・・・下部電極 ５・・・・・・ガス供給口 １０・・・・・・ガス供給板 １０ａ・・・・・・ガス供給口 １６・・・・・・被処理体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 8518−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】対向配置した一対の電極の一方に被処理体
を設置するとともに前記電極間にガスを導入して放電さ
せて前記被処理体をプラズマ処理する装置において、前
記ガスを処理室内の複数箇所から噴き出させるためのガ
ス供給経路手段を着脱可能に設けたことを特徴とするプ
ラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3286329A JP3029494B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3286329A JP3029494B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05125545A true JPH05125545A (ja) | 1993-05-21 |
| JP3029494B2 JP3029494B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17702982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3286329A Expired - Lifetime JP3029494B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3029494B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307454A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Nec Kyushu Ltd | ガス整流機構 |
| JP2002075692A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-03-15 | Unaxis Balzer Ag | プラズマ反応器 |
| JP2002158179A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-05-31 | Applied Materials Inc | プラズマ励起ｃｖｄプロセスのプラズマエッジ効果の低減 |
| WO2002073676A1 (fr) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement par plasma |
| US6485604B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| KR100500427B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2005-07-12 | 우형철 | 상압플라즈마를 이용한 표면처리장치 |
| JP2007324331A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 |
| JP2010028098A (ja) * | 2008-06-16 | 2010-02-04 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2010037624A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Fuji Electric Advanced Technology Co Ltd | 非一体型カソード電極及びプラズマｃｖｄ装置 |
| JP2010263049A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング装置 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP3286329A patent/JP3029494B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307454A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Nec Kyushu Ltd | ガス整流機構 |
| US6485604B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2002075692A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-03-15 | Unaxis Balzer Ag | プラズマ反応器 |
| JP2010067615A (ja) * | 2000-04-26 | 2010-03-25 | Oc Oerlikon Balzers Ag | プラズマ反応器 |
| US9045828B2 (en) | 2000-04-26 | 2015-06-02 | Tel Solar Ag | RF plasma reactor having a distribution chamber with at least one grid |
| JP2002158179A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-05-31 | Applied Materials Inc | プラズマ励起ｃｖｄプロセスのプラズマエッジ効果の低減 |
| WO2002073676A1 (fr) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement par plasma |
| KR100500427B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2005-07-12 | 우형철 | 상압플라즈마를 이용한 표면처리장치 |
| JP2007324331A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 |
| JP2010028098A (ja) * | 2008-06-16 | 2010-02-04 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
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| JP2010263049A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3029494B2 (ja) | 2000-04-04 |
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