JPH0512656B2 - - Google Patents
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- JPH0512656B2 JPH0512656B2 JP57222682A JP22268282A JPH0512656B2 JP H0512656 B2 JPH0512656 B2 JP H0512656B2 JP 57222682 A JP57222682 A JP 57222682A JP 22268282 A JP22268282 A JP 22268282A JP H0512656 B2 JPH0512656 B2 JP H0512656B2
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- pyroelectric element
- pattern
- heat insulating
- heat
- infrared detector
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本発明は、非接触型温度センサとして、調理、
防犯または防災等の分野に使用される赤外線検出
器に関する。
防犯または防災等の分野に使用される赤外線検出
器に関する。
赤外線検出器としてはは、光子形赤外線検出器
と熱形赤外線検出器が広く知られている。光子形
赤外線検出器は赤外線の光子エネルギーを直接電
気変換する方式に係り、PbSまたはHgCdTe等に
よつて構成される。一方、熱形赤外線検出器は赤
外線を熱源として利用し、その発熱作用による素
子の温度変化を検出する方式であり、ボロメータ
やGolayセル等がその代表例である。本発明は後
者の熱形赤外線検出器に属する焦電形赤外線検出
器の改良に関するものである。
と熱形赤外線検出器が広く知られている。光子形
赤外線検出器は赤外線の光子エネルギーを直接電
気変換する方式に係り、PbSまたはHgCdTe等に
よつて構成される。一方、熱形赤外線検出器は赤
外線を熱源として利用し、その発熱作用による素
子の温度変化を検出する方式であり、ボロメータ
やGolayセル等がその代表例である。本発明は後
者の熱形赤外線検出器に属する焦電形赤外線検出
器の改良に関するものである。
<従来の技術>
焦電形赤外線検出器は、入射赤外線により焦電
体素子を加熱或いは冷却し、その結果信号を出す
ものであるから、入射赤外線をいかに効率良く信
号発生のための熱エネルギーに変換するかが重要
な技術ポイトになる。焦電形赤外線検出器の感度
は一般に焦電体素子の板厚に反比例するから、感
度を上げるためには、焦電体素子の板厚をできる
だけ薄くする必要があり、従来より例えば2×2
×0.05(m/m)程度の極く薄い焦電体素子が使
用されている。このため、焦電体素子は、機械的
強度が非常に低く簡単に破損してしまうから、支
持台上に固定して機械的強度を補強し、動作の安
定性を確保する必要がある。この場合、入射赤外
線の熱作用で焦電体素子に発生した熱が支持台を
通して放散してしまうと、素子に対する熱作用が
有効に働かず、結果として検出感度が低下してし
まうこと、支持台の熱容量が焦電体素子に比べて
大き過ぎると、支持台の放熱作用及び蓄熱作用に
より、赤外線の急激な断続変動に対する焦電体素
子の応答が鈍くなり、検出器の応答時間特性が低
下すること等の問題点を生じる。これらの問題点
を解決する技術的手段として、従来は第1図乃至
第3図に示すような支持構造を取つていた。
体素子を加熱或いは冷却し、その結果信号を出す
ものであるから、入射赤外線をいかに効率良く信
号発生のための熱エネルギーに変換するかが重要
な技術ポイトになる。焦電形赤外線検出器の感度
は一般に焦電体素子の板厚に反比例するから、感
度を上げるためには、焦電体素子の板厚をできる
だけ薄くする必要があり、従来より例えば2×2
×0.05(m/m)程度の極く薄い焦電体素子が使
用されている。このため、焦電体素子は、機械的
強度が非常に低く簡単に破損してしまうから、支
持台上に固定して機械的強度を補強し、動作の安
定性を確保する必要がある。この場合、入射赤外
線の熱作用で焦電体素子に発生した熱が支持台を
通して放散してしまうと、素子に対する熱作用が
有効に働かず、結果として検出感度が低下してし
まうこと、支持台の熱容量が焦電体素子に比べて
大き過ぎると、支持台の放熱作用及び蓄熱作用に
より、赤外線の急激な断続変動に対する焦電体素
子の応答が鈍くなり、検出器の応答時間特性が低
下すること等の問題点を生じる。これらの問題点
を解決する技術的手段として、従来は第1図乃至
第3図に示すような支持構造を取つていた。
まず、第1図に示す従来例では、焦電体素子1
の一面にワイヤ2を接続固定し、このワイヤ2の
一端を底板3に植設したリード端子4に絡げて半
田付け固定することにより、焦電体素子1を放熱
及び蓄熱作用の大きな底板3から浮かした構造と
なつている。焦電体素子1の両面に設けた電極1
a,1bの内、表側の電極1aはリード線5によ
つてリード端子6に導通接続させ、電極1bは前
記ワイヤ2をリード線としてリード端子4に導通
接続させてある。また、底板3を金属板材等で構
成した場合は、電極1aを導通接続するリード端
子6は絶縁ガラス等の絶縁物7を会して底板3を
植設する。なお、8は底板3と共に外装ケースを
構成する蓋体であり、その中央部に赤外線入射窓
9を設けてある。
の一面にワイヤ2を接続固定し、このワイヤ2の
一端を底板3に植設したリード端子4に絡げて半
田付け固定することにより、焦電体素子1を放熱
及び蓄熱作用の大きな底板3から浮かした構造と
なつている。焦電体素子1の両面に設けた電極1
a,1bの内、表側の電極1aはリード線5によ
つてリード端子6に導通接続させ、電極1bは前
記ワイヤ2をリード線としてリード端子4に導通
接続させてある。また、底板3を金属板材等で構
成した場合は、電極1aを導通接続するリード端
子6は絶縁ガラス等の絶縁物7を会して底板3を
植設する。なお、8は底板3と共に外装ケースを
構成する蓋体であり、その中央部に赤外線入射窓
9を設けてある。
次に第2図に示す従来例では、底板3上に石英
等で成る絶縁ベース10を接着等の手段によつて
固着し、この絶縁ベース10上に焦電体素子1の
一面側を接着固定した構造となつている。
等で成る絶縁ベース10を接着等の手段によつて
固着し、この絶縁ベース10上に焦電体素子1の
一面側を接着固定した構造となつている。
次に第3図に示す従来例は、最近、最もよく用
いられている一般的な構造であつて、アルミナ磁
器等で成る比較的薄い絶縁基板11の中央部に穴
12を形成すると共に、該絶縁基板11を、底板
3から浮かした状態で、リード端子4,6上に支
持し、この絶縁基板11上に焦電体素子1の一面
側を接着固定した構造となつている。
いられている一般的な構造であつて、アルミナ磁
器等で成る比較的薄い絶縁基板11の中央部に穴
12を形成すると共に、該絶縁基板11を、底板
3から浮かした状態で、リード端子4,6上に支
持し、この絶縁基板11上に焦電体素子1の一面
側を接着固定した構造となつている。
<発明が解決しようとする課題>
しかしながら、上述した従来技術には、次のよ
うな問題点がある。
うな問題点がある。
(イ) 第1図に示した従来技術の問題点
50μm程度の極薄に加工した焦電体素子1を
ワイヤ2上に一枚づつ固定するという煩雑かつ
面倒な工程を必要とするため、組立作業が困難
で、量産性に欠け、コスト高になる欠点があ
る。また、焦電体素子1の支持面が小さく、支
持強度不足や焦電体素子1の傾斜等を招き、支
持が不安定になり易いこと、機械的強度が低
く、振動、衝撃等によつて焦電体素子1がワイ
ヤ2から脱落する等の事故を生じ易いこと等の
欠点もあつた。
ワイヤ2上に一枚づつ固定するという煩雑かつ
面倒な工程を必要とするため、組立作業が困難
で、量産性に欠け、コスト高になる欠点があ
る。また、焦電体素子1の支持面が小さく、支
持強度不足や焦電体素子1の傾斜等を招き、支
持が不安定になり易いこと、機械的強度が低
く、振動、衝撃等によつて焦電体素子1がワイ
ヤ2から脱落する等の事故を生じ易いこと等の
欠点もあつた。
(ロ) 第2図に示した従来技術の問題点
焦電体素子1の支持安定性が高く、機械的強
度が大である等の利点はあるが、焦電体素子1
の一方の電極1bが絶縁ベース10上に対接し
て固着されるため、電極1bの導出が困難にな
ること、絶縁ベース10の断熱作用が充分でな
い上に、熱容量が大きいため、感度及び応答性
が良くないこと、絶縁ベース10が硬い石英等
で構成されているため、リード端子4,6及び
底板3を通して与えられる振動が直接焦電体素
子1に伝わり、これが原因となつてノイズを発
生すること等の欠点がある。
度が大である等の利点はあるが、焦電体素子1
の一方の電極1bが絶縁ベース10上に対接し
て固着されるため、電極1bの導出が困難にな
ること、絶縁ベース10の断熱作用が充分でな
い上に、熱容量が大きいため、感度及び応答性
が良くないこと、絶縁ベース10が硬い石英等
で構成されているため、リード端子4,6及び
底板3を通して与えられる振動が直接焦電体素
子1に伝わり、これが原因となつてノイズを発
生すること等の欠点がある。
(ハ) 第3図に示した従来技術の問題点
穴12による断熱作用により、感度を上げ、
応答性を向上させ得るという利点はあるが、前
記穴12の分だけ絶縁基板11の平面積が小さ
くなるため、インピーダンス変換用高抵抗及び
電界効果トランジスタ(以下FETと称する)
等の実装スペースが確保できなくなり、部品配
置に無理を生じるという難点がある。即ち焦電
体素子1は高抵抗素子であり、ノイズが乗り易
いという一面を有する。そこで、このノイズ防
止のため、焦電体素子1に接近した絶縁基板1
1の裏側に、インピーダンス変換用高抵抗及び
FET等で構成された増幅器を配置する必要が
ある。ところが、前記穴12による断熱効果を
得るためには、その穴径を例えば7φの絶縁基
板11に対して2φ程度にする必要があるため、
その平面積が前記高抵抗及びFETを配置する
のに充分なスペースが確保できなくなり、部品
配置に無理を生じてしまうのである。
応答性を向上させ得るという利点はあるが、前
記穴12の分だけ絶縁基板11の平面積が小さ
くなるため、インピーダンス変換用高抵抗及び
電界効果トランジスタ(以下FETと称する)
等の実装スペースが確保できなくなり、部品配
置に無理を生じるという難点がある。即ち焦電
体素子1は高抵抗素子であり、ノイズが乗り易
いという一面を有する。そこで、このノイズ防
止のため、焦電体素子1に接近した絶縁基板1
1の裏側に、インピーダンス変換用高抵抗及び
FET等で構成された増幅器を配置する必要が
ある。ところが、前記穴12による断熱効果を
得るためには、その穴径を例えば7φの絶縁基
板11に対して2φ程度にする必要があるため、
その平面積が前記高抵抗及びFETを配置する
のに充分なスペースが確保できなくなり、部品
配置に無理を生じてしまうのである。
そこで本発明の課題は、上述する従来の欠点を
除去し、焦電体素子に対する断熱作用が高く、感
度及び応答特性が良好で、しかもインピーダンス
変換用高抵抗器や増幅器等を実装するのに充分な
スペースを確保することができる赤外線検出器を
提供することである。
除去し、焦電体素子に対する断熱作用が高く、感
度及び応答特性が良好で、しかもインピーダンス
変換用高抵抗器や増幅器等を実装するのに充分な
スペースを確保することができる赤外線検出器を
提供することである。
<課題を解決するための手段>
上述する課題を解決するため、本発明は、基板
の上に部分的に突出する断熱パターンを形成し、
該断熱パターンの上に焦電体素子を取付けた赤外
線検出器であつて、前記断熱パターンはチクソト
ロピツク性の高い樹脂によつて50μm以上の一定
の高さとなるように形成された硬化物でなり、こ
の断熱パターンの上に前記焦電体素子を接着剤に
よつて接着したことを特徴とする。
の上に部分的に突出する断熱パターンを形成し、
該断熱パターンの上に焦電体素子を取付けた赤外
線検出器であつて、前記断熱パターンはチクソト
ロピツク性の高い樹脂によつて50μm以上の一定
の高さとなるように形成された硬化物でなり、こ
の断熱パターンの上に前記焦電体素子を接着剤に
よつて接着したことを特徴とする。
<作用>
基板の上に部分的に突出する断熱パターンを形
成し、この断熱パターンの上に焦電体素子を取付
けると、焦電体素子に対する断熱作用が高くな
る。
成し、この断熱パターンの上に焦電体素子を取付
けると、焦電体素子に対する断熱作用が高くな
る。
また、断熱パターンはチクソトロピツク性の高
い樹脂によつて形成された硬化物でなるので、断
熱パターンの上に焦電体素子を接着剤によつて接
着する場合、断熱パターンの変形が少なくて済
む。しかも、断熱パターンは50μm以上の一定の
高さとなるように形成されているので、焦電体素
子に対する充分な断熱作用を確保することができ
る。
い樹脂によつて形成された硬化物でなるので、断
熱パターンの上に焦電体素子を接着剤によつて接
着する場合、断熱パターンの変形が少なくて済
む。しかも、断熱パターンは50μm以上の一定の
高さとなるように形成されているので、焦電体素
子に対する充分な断熱作用を確保することができ
る。
更に、断熱パターンをチクソトロピツク性の高
い樹脂によつて形成し、この断熱パターンの上に
焦電体素子を接着剤によつて接着したので、断熱
パターンに対する焦電体素子の接着強度が大にな
る。
い樹脂によつて形成し、この断熱パターンの上に
焦電体素子を接着剤によつて接着したので、断熱
パターンに対する焦電体素子の接着強度が大にな
る。
<実施例>
第4図は本発明に係る赤外線検出器の正面断面
図である。図において、第1図乃至第3図と同一
の参照富豪は同一性ある構成部分を示している。
この実施例では、アルミナ磁器等を用いて平板状
に形成した絶縁基板11の一面上に、部分的に突
出する断熱パターン13,13を形成し、該断熱
パターン13,13の上に焦電体素子1を接着剤
によつて接着してある。従つて、焦電体素子1
は、絶縁基板11から前記断熱パターン13,1
3の高さHだけ浮いた状態で支持されることとな
る。前記高さHは通常の赤外線検出器では50μm
以上の値が適当である。
図である。図において、第1図乃至第3図と同一
の参照富豪は同一性ある構成部分を示している。
この実施例では、アルミナ磁器等を用いて平板状
に形成した絶縁基板11の一面上に、部分的に突
出する断熱パターン13,13を形成し、該断熱
パターン13,13の上に焦電体素子1を接着剤
によつて接着してある。従つて、焦電体素子1
は、絶縁基板11から前記断熱パターン13,1
3の高さHだけ浮いた状態で支持されることとな
る。前記高さHは通常の赤外線検出器では50μm
以上の値が適当である。
上述のように、断熱パターン13,13によつ
てその高さHだけ絶縁基板11から浮かした状態
で焦電体素子1を支持する構造であると、焦電体
素子1の下面と絶縁基板11の上面との間に前記
断熱パターン13の高さHに応じた空隙14が形
成され、該空隙14が断熱層として作用するの
で、焦電体素子1の感度及び応答時間特性が向上
する。しかも、第3図に示した従来例と異なつ
て、絶縁基板11の下面の全面をインピーダンス
変換用高抵抗及びFET等の部品の実装スペース
として活用することができるから、これらの部品
実装に無理を生じることがない。
てその高さHだけ絶縁基板11から浮かした状態
で焦電体素子1を支持する構造であると、焦電体
素子1の下面と絶縁基板11の上面との間に前記
断熱パターン13の高さHに応じた空隙14が形
成され、該空隙14が断熱層として作用するの
で、焦電体素子1の感度及び応答時間特性が向上
する。しかも、第3図に示した従来例と異なつ
て、絶縁基板11の下面の全面をインピーダンス
変換用高抵抗及びFET等の部品の実装スペース
として活用することができるから、これらの部品
実装に無理を生じることがない。
前記断熱パターン13は、チクソトロピツク性
の高い樹脂の硬化物によつて構成する。チクソト
ロピツク性の高い樹脂の例としてはエポキシ樹脂
がある。導電性樹脂、非導電性樹脂の何れでもよ
く、用途に応じて使い分ける。チクソトロピツク
性の高い樹脂の硬化物によつて断熱パターン13
を形成すると、焦電体素子1を接着した場合の沈
み込み等による断熱パターン13の変形が少なく
て済み、焦電体素子1の高さHを、実質的に、断
熱パターン13の初期精度によつて定まる高精度
の寸法に設定でき、感度バラツキの少ない赤外線
検出器を量産できる。また、断熱パターン13は
例えばエポキシ樹脂等のチクソトロピツク性の高
い樹脂によつて形成されるので、これに対し、エ
ポキシ樹脂系接着剤を用いて焦電体素子1を接着
固定することにより、接着強度が大で、落下、衝
撃及び振動等に強く、信頼性に優れた赤外線検出
器を得ることができる。また、断熱パターン13
は例えば第5図に示すような円環状のパターン、
第6図に示すように適当な間隔をおいて部分的に
点在させたパターン或いは第7図に示すような矩
形状のパターン等、任意のパターンをとることが
できる。なお、絶縁基板11の形状も円形または
矩形等の任意の形状でよい。
の高い樹脂の硬化物によつて構成する。チクソト
ロピツク性の高い樹脂の例としてはエポキシ樹脂
がある。導電性樹脂、非導電性樹脂の何れでもよ
く、用途に応じて使い分ける。チクソトロピツク
性の高い樹脂の硬化物によつて断熱パターン13
を形成すると、焦電体素子1を接着した場合の沈
み込み等による断熱パターン13の変形が少なく
て済み、焦電体素子1の高さHを、実質的に、断
熱パターン13の初期精度によつて定まる高精度
の寸法に設定でき、感度バラツキの少ない赤外線
検出器を量産できる。また、断熱パターン13は
例えばエポキシ樹脂等のチクソトロピツク性の高
い樹脂によつて形成されるので、これに対し、エ
ポキシ樹脂系接着剤を用いて焦電体素子1を接着
固定することにより、接着強度が大で、落下、衝
撃及び振動等に強く、信頼性に優れた赤外線検出
器を得ることができる。また、断熱パターン13
は例えば第5図に示すような円環状のパターン、
第6図に示すように適当な間隔をおいて部分的に
点在させたパターン或いは第7図に示すような矩
形状のパターン等、任意のパターンをとることが
できる。なお、絶縁基板11の形状も円形または
矩形等の任意の形状でよい。
次に実測データを上げて本発明の効果を更に具
体的に説明する。まず、第4図の構造において、
絶縁基板11の下面側にインピーダンス変換用高
抵抗Rg及びFETを実装し、これらを所定の回路
構成となるように焦電体素子1の電極に導通させ
る。焦電体素子1は3×3mmの大きさとし、受光
径2mmφとした。第8図はその電気的等価回路図
である。
体的に説明する。まず、第4図の構造において、
絶縁基板11の下面側にインピーダンス変換用高
抵抗Rg及びFETを実装し、これらを所定の回路
構成となるように焦電体素子1の電極に導通させ
る。焦電体素子1は3×3mmの大きさとし、受光
径2mmφとした。第8図はその電気的等価回路図
である。
次に第9図に示すように、当該赤外線検出器A
に対して黒体炉Bを対向して配置し、両者の間に
チヨツパCの挿入して黒体炉Bからの赤外線を該
チヨツパCによつて断続し、その断続出力を赤外
線検出器Aによつて検出した。ここで、黒体炉B
は500〓とし、またチヨツパCのチヨツピング周
波数は1Hzとした。
に対して黒体炉Bを対向して配置し、両者の間に
チヨツパCの挿入して黒体炉Bからの赤外線を該
チヨツパCによつて断続し、その断続出力を赤外
線検出器Aによつて検出した。ここで、黒体炉B
は500〓とし、またチヨツパCのチヨツピング周
波数は1Hzとした。
一方、本発明の比較例として、本発明に係る検
出器Aに代えて、第3図に示した従来構造の赤外
検出器を使用し、同様の測定条件で断続赤外線を
検出した。
出器Aに代えて、第3図に示した従来構造の赤外
検出器を使用し、同様の測定条件で断続赤外線を
検出した。
第10図にその測定データを示す。曲線L1は
断熱パターン13の高さH=0、即ち断熱パター
ン13を持たない場合の特性、曲線L2は断熱パ
ターン13の高さHを50μmとした場合の特性、
曲線L3は断熱パターン13の高さHを100μm
とした場合の特性、曲線L4は断熱パターン13
の高さHを200μmとした場合の特性、曲線L5
は断熱パターン13の高さHを400μmとした場
合の特性、曲線L6は比較例の特性である。
断熱パターン13の高さH=0、即ち断熱パター
ン13を持たない場合の特性、曲線L2は断熱パ
ターン13の高さHを50μmとした場合の特性、
曲線L3は断熱パターン13の高さHを100μm
とした場合の特性、曲線L4は断熱パターン13
の高さHを200μmとした場合の特性、曲線L5
は断熱パターン13の高さHを400μmとした場
合の特性、曲線L6は比較例の特性である。
第10図の測定データから明らかなように、本
発明に係る赤外線検出器は、断熱パターン13の
高さHを50μm以上とした場合には、第3図に示
した従来例より勝るとも劣らない高い検出感度を
有していることが分る。
発明に係る赤外線検出器は、断熱パターン13の
高さHを50μm以上とした場合には、第3図に示
した従来例より勝るとも劣らない高い検出感度を
有していることが分る。
<発明の効果>
以上述べたように、本発明によれば、次のよう
な効果が得られる。
な効果が得られる。
(a) 基板の上に部分的に突出する断熱パターンを
形成し、該断熱パターンの上に焦電体素子を取
付けたから、焦電体素子に対する断熱作用が高
く、感度及び応答性が良好で、しかもインピー
ダンス変換用高抵抗器や増幅器等を実装するの
に充分なスペースを確保し得る赤外線検出器を
提供できる。
形成し、該断熱パターンの上に焦電体素子を取
付けたから、焦電体素子に対する断熱作用が高
く、感度及び応答性が良好で、しかもインピー
ダンス変換用高抵抗器や増幅器等を実装するの
に充分なスペースを確保し得る赤外線検出器を
提供できる。
(b) 断熱パターンをチクソトロピツク性の高い樹
脂の硬化物によつて形成し、この断熱パターン
の上に焦電体素子を接着剤によつて接着したか
ら、焦電体素子接着時の断熱パターンの変形が
少なくて済み、焦電体素子の高さを、断熱パタ
ーンの初期精度によつて定まる高精度の寸法に
設定でき、感度バラツキの少ない赤外線検出器
を量産できる。しかも、断熱パターンは50μm
以上の一定の高さとなるように形成されている
ので、焦電体素子に対する充分な断熱作用を確
保することができる。
脂の硬化物によつて形成し、この断熱パターン
の上に焦電体素子を接着剤によつて接着したか
ら、焦電体素子接着時の断熱パターンの変形が
少なくて済み、焦電体素子の高さを、断熱パタ
ーンの初期精度によつて定まる高精度の寸法に
設定でき、感度バラツキの少ない赤外線検出器
を量産できる。しかも、断熱パターンは50μm
以上の一定の高さとなるように形成されている
ので、焦電体素子に対する充分な断熱作用を確
保することができる。
(c) 断熱パターンをチクソトロピツク性の高い樹
脂の硬化物によつて形成し、この断熱パターン
の上に焦電体素子を接着剤によつて接着したか
ら、断熱パターンに対する焦電体素子の接着強
度が大で、落下、衝撃及び振動等に強く、信頼
性に優れた赤外線検出器を提供できる。
脂の硬化物によつて形成し、この断熱パターン
の上に焦電体素子を接着剤によつて接着したか
ら、断熱パターンに対する焦電体素子の接着強
度が大で、落下、衝撃及び振動等に強く、信頼
性に優れた赤外線検出器を提供できる。
第1図は従来の赤外線検出器の正面部分断面
図、第2図は同じく別の従来例の正面部分断面
図、第3図は同じく更に別の従来例の正面部分断
面図、第4図は本発明に係る赤外線検出器の正面
部分断面図、第5図は本発明に係る赤外線検出器
の絶縁基板の拡大平面図、第6図は同じく別の実
施例における拡大平面図、第7図は同じく更に別
の実施例における拡大平面図、第8図は本発明に
係る赤外線検出器の電気的等価回路図、第9図は
特性測定のための測定条件を示す図、第10図は
測定データを示す図である。 1……焦電体素子、11……基板、13……断
熱パターン。
図、第2図は同じく別の従来例の正面部分断面
図、第3図は同じく更に別の従来例の正面部分断
面図、第4図は本発明に係る赤外線検出器の正面
部分断面図、第5図は本発明に係る赤外線検出器
の絶縁基板の拡大平面図、第6図は同じく別の実
施例における拡大平面図、第7図は同じく更に別
の実施例における拡大平面図、第8図は本発明に
係る赤外線検出器の電気的等価回路図、第9図は
特性測定のための測定条件を示す図、第10図は
測定データを示す図である。 1……焦電体素子、11……基板、13……断
熱パターン。
Claims (1)
- 1 基板の上に部分的に突出する断熱パターンを
形成し、該断熱パターンの上に焦電体素子を取付
けた赤外線検出器であつて、前記断熱パターンは
チクソトロピツク性の高い樹脂によつて50μm以
上の一定の高さとなるように形成された硬化物で
なり、この断熱パターンの上に前記焦電体素子を
接着剤によつて接着したことを特徴とする赤外線
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222682A JPS59112236A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222682A JPS59112236A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 赤外線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112236A JPS59112236A (ja) | 1984-06-28 |
| JPH0512656B2 true JPH0512656B2 (ja) | 1993-02-18 |
Family
ID=16786265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222682A Granted JPS59112236A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112236A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370037U (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-11 | ||
| KR100363262B1 (ko) * | 2001-01-18 | 2002-12-05 | 삼성전자 주식회사 | 초전체 전자 방출을 이용한 비냉각식 적외선 센서 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658432U (ja) * | 1979-10-05 | 1981-05-19 |
-
1982
- 1982-12-18 JP JP57222682A patent/JPS59112236A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59112236A (ja) | 1984-06-28 |
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