JPH05128424A - 積層型磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
積層型磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH05128424A JPH05128424A JP3291616A JP29161691A JPH05128424A JP H05128424 A JPH05128424 A JP H05128424A JP 3291616 A JP3291616 A JP 3291616A JP 29161691 A JP29161691 A JP 29161691A JP H05128424 A JPH05128424 A JP H05128424A
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- Japan
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- magnetic
- magnetic head
- film
- laminated
- head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 積層型磁気ヘッドの金属磁性膜とボンディン
グガラスの反応を防止し、記録再生特性の良好な積層型
磁気ヘッドを得る。 【構成】 コイル巻線溝７の面上に磁気空隙を構成する
膜厚より厚い保護膜８を絶縁酸化物等により構成する。
この結果、金属磁性膜３とボンディングガラス10の界面
との反応をなくすることができる。
グガラスの反応を防止し、記録再生特性の良好な積層型
磁気ヘッドを得る。 【構成】 コイル巻線溝７の面上に磁気空隙を構成する
膜厚より厚い保護膜８を絶縁酸化物等により構成する。
この結果、金属磁性膜３とボンディングガラス10の界面
との反応をなくすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種磁気記録再生装置
に利用できる積層型磁気ヘッドの製造方法に関するもの
である。
に利用できる積層型磁気ヘッドの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来磁気ヘッドは、フェライトや金属磁
性体などの磁性材料を研削加工やラッピング等の機械加
工により磁気コアの製作を行い、この磁気コアを磁気空
隙を形成しつつ接着し、巻線を施して磁気ヘッドとして
いた。しかし、近年のコンピューター用外部記憶装置や
ＶＴＲに見られる小型化，大容量化に伴い線記録密度お
よび面記録密度の向上が要求されている。それを実現す
るために記録媒体では高保磁力化が図られ短波長での記
録，再生信号の出力向上を可能にしている。一方、磁気
ヘッドには高保磁力媒体を十分に飽和記録するためには
高い飽和磁束密度を有する金属磁性体で磁気コアを形成
する技術が提案されている。例えば飽和磁束密度が十分
に高い金属磁性体とＳiＯ2等の絶縁体をスパッタリン
グ，蒸着等の方法で薄膜化し交互に積層して、その両面
を非磁性基板で挟み磁気コアブロックを形成し、この磁
気コアブロックより磁気コアを製作する積層型磁気ヘッ
ドがその一例である。以下に積層型磁気ヘッドの従来例
を図４に基づき説明する。
性体などの磁性材料を研削加工やラッピング等の機械加
工により磁気コアの製作を行い、この磁気コアを磁気空
隙を形成しつつ接着し、巻線を施して磁気ヘッドとして
いた。しかし、近年のコンピューター用外部記憶装置や
ＶＴＲに見られる小型化，大容量化に伴い線記録密度お
よび面記録密度の向上が要求されている。それを実現す
るために記録媒体では高保磁力化が図られ短波長での記
録，再生信号の出力向上を可能にしている。一方、磁気
ヘッドには高保磁力媒体を十分に飽和記録するためには
高い飽和磁束密度を有する金属磁性体で磁気コアを形成
する技術が提案されている。例えば飽和磁束密度が十分
に高い金属磁性体とＳiＯ2等の絶縁体をスパッタリン
グ，蒸着等の方法で薄膜化し交互に積層して、その両面
を非磁性基板で挟み磁気コアブロックを形成し、この磁
気コアブロックより磁気コアを製作する積層型磁気ヘッ
ドがその一例である。以下に積層型磁気ヘッドの従来例
を図４に基づき説明する。
【０００３】図４(a)は非磁性基板１a上に磁気コア２を
高飽和磁束密度及び高透磁率を有するＦe−Ａl−Ｓi合
金，アモルファス磁性合金，Ｆe−Ｎi合金等の金属磁性
体第１層３aとＳiＯ2，Ａl2Ｏ3等の絶縁体第１層４aと
をスパッタリング法にて順次膜付けし、以降金属磁性体
第２層３b，絶縁体第２層４b，金属磁性体第３層３c，
絶縁体第３層４cと繰り返し膜付けして磁気コア２を形
成する。次に補強材となる非磁性基板１bを絶縁体第３
層４cに接着ガラス５により接着して、磁気コアブロッ
ク６を製作する図４(b)。次に磁気コアブロック６を積
層膜に直交するように切断分離し、一方の非磁性基板の
少なくとも一方に研削加工によりコイル線巻溝７を形成
する図４(c)。その後対向面をＬａｐ法等により鏡面加
工を施し、その上にＳiＯ2等のＧａｐ材９をスパッタリ
ング法により形成する図４(d)。この場合、対向面と同
じかそれ以下の膜厚の層がコイル巻線溝７にも形成され
る。その後ボンディングガラス10を溶着しつつ接着し図
４(e)、用途に応じた形状やギャップデプスに規制して
磁気ヘッドとする製造方法であった。一例としてハード
ディスクに使用される浮動型のヘッドを示す図４(f)。
積層型磁気ヘッドの磁気コア２は飽和磁束密度および透
磁率が高い金属磁性膜３で構成されるため、従来の磁気
ヘッドに比べ高周波帯域での透磁率の劣化が少なくイン
ダクタンスを小さくすることができる。また、金属磁性
膜３の飽和磁束密度を上げることにより、高保磁力媒体
の記録に対応出来るなど金属磁性膜の優れた特性を利用
することにより従来の磁気ヘッドに比べて多くの利点が
期待できる。
高飽和磁束密度及び高透磁率を有するＦe−Ａl−Ｓi合
金，アモルファス磁性合金，Ｆe−Ｎi合金等の金属磁性
体第１層３aとＳiＯ2，Ａl2Ｏ3等の絶縁体第１層４aと
をスパッタリング法にて順次膜付けし、以降金属磁性体
第２層３b，絶縁体第２層４b，金属磁性体第３層３c，
絶縁体第３層４cと繰り返し膜付けして磁気コア２を形
成する。次に補強材となる非磁性基板１bを絶縁体第３
層４cに接着ガラス５により接着して、磁気コアブロッ
ク６を製作する図４(b)。次に磁気コアブロック６を積
層膜に直交するように切断分離し、一方の非磁性基板の
少なくとも一方に研削加工によりコイル線巻溝７を形成
する図４(c)。その後対向面をＬａｐ法等により鏡面加
工を施し、その上にＳiＯ2等のＧａｐ材９をスパッタリ
ング法により形成する図４(d)。この場合、対向面と同
じかそれ以下の膜厚の層がコイル巻線溝７にも形成され
る。その後ボンディングガラス10を溶着しつつ接着し図
４(e)、用途に応じた形状やギャップデプスに規制して
磁気ヘッドとする製造方法であった。一例としてハード
ディスクに使用される浮動型のヘッドを示す図４(f)。
積層型磁気ヘッドの磁気コア２は飽和磁束密度および透
磁率が高い金属磁性膜３で構成されるため、従来の磁気
ヘッドに比べ高周波帯域での透磁率の劣化が少なくイン
ダクタンスを小さくすることができる。また、金属磁性
膜３の飽和磁束密度を上げることにより、高保磁力媒体
の記録に対応出来るなど金属磁性膜の優れた特性を利用
することにより従来の磁気ヘッドに比べて多くの利点が
期待できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の積層型磁気ヘッドは、近年の小型化，大容量化が進
み磁気記録媒体の保磁力や磁気ヘッドと磁気記録媒体と
のスペーシング等の関係からＧａｐデプスは小さくなる
傾向がある。特にハードディスクドライブでは磁気ヘッ
ドのＧａｐデプスは５μm前後になってきている。従来
のＶＴＲ用へッドのようにＧａｐデプスが20μmから30
μmあるような積層型磁気ヘッドと異なり、近年のＧａ
ｐデプスの小さい積層型磁気ヘッドにおいては図５に示
すようにＧａｐデプスの小さい領域では従来のフェライ
ト系ヘッドと比べると記録再生特性に著しい劣化が生
じ、積層型磁気ヘッドの出力はフェライト系へッドの出
力より小さくなってしまう現象がおき、さらに孤立波形
のベースラインのノイズが増加し著しいＳ／Ｎ比の低下
が生じるという問題がある。Ｇａｐデプスを小さくする
必要のある積層型磁気ヘッドでは小さなギャップデプス
の領域での特性のコントロールが重要であるので前記の
問題点を解決することが必要である。本発明は上記従来
の問題を解決するもので、小さいＧａｐデプスにおいて
もばらつきの無い良好な特性を示す積層型磁気ヘッドの
製造方法を提供することを目的とするものである。
来の積層型磁気ヘッドは、近年の小型化，大容量化が進
み磁気記録媒体の保磁力や磁気ヘッドと磁気記録媒体と
のスペーシング等の関係からＧａｐデプスは小さくなる
傾向がある。特にハードディスクドライブでは磁気ヘッ
ドのＧａｐデプスは５μm前後になってきている。従来
のＶＴＲ用へッドのようにＧａｐデプスが20μmから30
μmあるような積層型磁気ヘッドと異なり、近年のＧａ
ｐデプスの小さい積層型磁気ヘッドにおいては図５に示
すようにＧａｐデプスの小さい領域では従来のフェライ
ト系ヘッドと比べると記録再生特性に著しい劣化が生
じ、積層型磁気ヘッドの出力はフェライト系へッドの出
力より小さくなってしまう現象がおき、さらに孤立波形
のベースラインのノイズが増加し著しいＳ／Ｎ比の低下
が生じるという問題がある。Ｇａｐデプスを小さくする
必要のある積層型磁気ヘッドでは小さなギャップデプス
の領域での特性のコントロールが重要であるので前記の
問題点を解決することが必要である。本発明は上記従来
の問題を解決するもので、小さいＧａｐデプスにおいて
もばらつきの無い良好な特性を示す積層型磁気ヘッドの
製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、コイル巻線溝の面に保護膜としてＳiＯ2，
ＺrＯ2，Ａl2Ｏ3等の絶縁酸化物やＳiＮ等の窒化物によ
りボンディングガラスと反応しないように充分な性能・
膜厚を持つ保護膜を具備する積層型磁気ヘッドの構成と
したものである。
するために、コイル巻線溝の面に保護膜としてＳiＯ2，
ＺrＯ2，Ａl2Ｏ3等の絶縁酸化物やＳiＮ等の窒化物によ
りボンディングガラスと反応しないように充分な性能・
膜厚を持つ保護膜を具備する積層型磁気ヘッドの構成と
したものである。
【０００６】
【作用】したがって本発明によれば、従来の積層型磁気
ヘッドの製造方法では、Ｇａｐ形成の時、図３の磁気コ
アの断面図に示すようにコイル巻線溝７はボンディング
ガラス10が磁気コア２を形成する金属磁性膜３と反応
し、本来の軟磁気特性を示さない反応層11が形成され、
従来のフェライトヘッドとは違い磁気コアが金属磁性膜
のみで構成されている積層型磁気ヘッドにおいては著し
い磁気コアの再生効率の低下や、ノイズの発生等の悪影
響をおよぼしていることがわかった。更に、磁気ヘッド
を加工する場合には磁気コアブロックの側面からＧａｐ
デプスの値を読み加工を行っているが、側面から読むと
きの非磁性基板上のＧａｐデプス12は見かけ上の値であ
り磁気回路を構成する金属磁性膜のＧａｐデプスは、図
３に示すように磁気コアの断面図で見ると反応層11があ
るために側面から所定のギャップデプス値を規制した場
合と、金属磁性膜の実質的なギャップデプスとは違う値
となって寸法上のばらつきも生じていた。上記構成によ
りコイル巻線溝の面上に保護層が形成されることにより
ボンディングガラスと金属磁性膜との反応が防止され、
ばらつきの無い優れた電磁変換特性を示し、正確なＧａ
ｐデプスのコントロールができる積層型磁気ヘッドの製
造が可能となる。
ヘッドの製造方法では、Ｇａｐ形成の時、図３の磁気コ
アの断面図に示すようにコイル巻線溝７はボンディング
ガラス10が磁気コア２を形成する金属磁性膜３と反応
し、本来の軟磁気特性を示さない反応層11が形成され、
従来のフェライトヘッドとは違い磁気コアが金属磁性膜
のみで構成されている積層型磁気ヘッドにおいては著し
い磁気コアの再生効率の低下や、ノイズの発生等の悪影
響をおよぼしていることがわかった。更に、磁気ヘッド
を加工する場合には磁気コアブロックの側面からＧａｐ
デプスの値を読み加工を行っているが、側面から読むと
きの非磁性基板上のＧａｐデプス12は見かけ上の値であ
り磁気回路を構成する金属磁性膜のＧａｐデプスは、図
３に示すように磁気コアの断面図で見ると反応層11があ
るために側面から所定のギャップデプス値を規制した場
合と、金属磁性膜の実質的なギャップデプスとは違う値
となって寸法上のばらつきも生じていた。上記構成によ
りコイル巻線溝の面上に保護層が形成されることにより
ボンディングガラスと金属磁性膜との反応が防止され、
ばらつきの無い優れた電磁変換特性を示し、正確なＧａ
ｐデプスのコントロールができる積層型磁気ヘッドの製
造が可能となる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の実施例における積層型磁気ヘ
ッドの製造方法を示したものである。図１(a)は非磁性
基板１aに磁気コア２を高飽和磁束密度および高透磁率
を有するＦe−Ａl−Ｓi合金，アモルファス磁性合金，
Ｆe−Ｎi合金等の金属磁性体第１層３aとＳiＯ2，Ａl2
Ｏ3等の絶縁体第１層４aとをスパッタリング法にてそれ
ぞれ３μm、0.2〜0.5μm程度膜付し、以降金属磁性体第
２層３b，絶縁体第２層４b，金属磁性体第３層３c，絶
縁体第３層４cと繰り返し膜付けして磁気コア２を形成
する。次に補強材となる非磁性基板１bを絶縁体第３層
４cに接着ガラス５により接着して磁気コアブロック６
を作成する図１(b)。次に磁気コアブロック６を積層膜
に直交するように切断分離し、一対の非磁性基板の少な
くとも一方に研削加工によりコイル線巻溝７を形成する
図１(c)。これらは従来の構成と同じである。その後、
本発明に於いてはコイル巻線溝７に保護層となる保護膜
８をスパッタリング法により１μm程度膜付けする図１
(d)。その材料としてＳiＯ2，ＺrＯ2，Ａl2Ｏ3等の絶縁
酸化物やＳiＮ等の窒化物を使用する。使用する材料や
膜厚はＧａｐ形成時に溶着するボンディングガラスの種
類により最適な物，膜厚を選択する。近年の低融点によ
るＧａｐ形成に使用されるボンディンガラスはＰb等の
金属元素が多く含まれ、金属磁性膜と反応しやすく、保
護膜の膜厚は充分厚い膜厚にする必要がある。また、使
用する金属磁性膜の種類によっては保護層を形成する材
料とのマッチングを考えて使う材料を選ぶ必要がある。
この後、対向面をＬａｐ法等により鏡面加工を施す図１
(e)。この時前工程で膜付けした保護膜８を対向面から
完全に除去し、コイル巻線溝中のみに保護膜８が残って
いるようにする。その後Ｇａｐ材９としてＳiＯ2，Ａl2
Ｏ3等を対向面にスパッタリング法によりギャップ長に
なる0.3μm〜1.0μm程度形成する図１(f)。この時コイ
ル巻線溝はＧａｐ材９の膜厚より厚い膜厚の保護層が形
成されたコイル巻線溝が形成されている。この後ボンデ
ィングガラス10を溶着した際に、金属磁性膜３とボンデ
ィングガラス10の反応が防止される。その後積層膜でＧ
ａｐ材を挟むように磁気空隙を形成しつつ接着し図１
(g)、用途に応じた形状やギャップデプスに規制して積
層型磁気ヘッドを形成する図１(h)。従来の技術におい
ては保護膜がなくＧａｐ材９のみが保護材として機能し
ていたがＧａｐ材が薄いため金属磁性膜３とボンディン
グガラス10との反応層11が形成されて、電磁変換特性の
劣化や実際のギャップデプスの値が把握できないという
問題点があったが、本実施例では反応層が形成されなく
なったことにより正確なギャップデプスのコントロール
が可能となる。また、反応層による効率の低下を防止で
きる。一例としてコイル巻線窓中に１μmのＡl2Ｏ3保護
膜を形成し、対向面ラップ後ＳiＯ2のＧａｐ材を0.3μm
スパッタリング法にて膜付けした後550℃のＧａｐ形成
温度で積層型磁気ヘッドを作った場合、ボンディングガ
ラスと金属磁性膜の反応のない積層型磁気ヘッドを作る
ことができた。図２に本実施例で作った積層型磁気ヘッ
ドとフェライト系ヘッドのＧａｐデプス値と規格化出力
の値の相関を示す。実施例により作られた積層型磁気ヘ
ッドは反応層のない金属磁性膜による磁気コアで構成さ
れているため効率の低下の少ない、記録再生特性の良好
な積層型磁気ヘッドとなっている。従ってＧａｐデプス
の小さい領域でも従来のフェライト系ヘッドの出力以下
になることはない。
ッドの製造方法を示したものである。図１(a)は非磁性
基板１aに磁気コア２を高飽和磁束密度および高透磁率
を有するＦe−Ａl−Ｓi合金，アモルファス磁性合金，
Ｆe−Ｎi合金等の金属磁性体第１層３aとＳiＯ2，Ａl2
Ｏ3等の絶縁体第１層４aとをスパッタリング法にてそれ
ぞれ３μm、0.2〜0.5μm程度膜付し、以降金属磁性体第
２層３b，絶縁体第２層４b，金属磁性体第３層３c，絶
縁体第３層４cと繰り返し膜付けして磁気コア２を形成
する。次に補強材となる非磁性基板１bを絶縁体第３層
４cに接着ガラス５により接着して磁気コアブロック６
を作成する図１(b)。次に磁気コアブロック６を積層膜
に直交するように切断分離し、一対の非磁性基板の少な
くとも一方に研削加工によりコイル線巻溝７を形成する
図１(c)。これらは従来の構成と同じである。その後、
本発明に於いてはコイル巻線溝７に保護層となる保護膜
８をスパッタリング法により１μm程度膜付けする図１
(d)。その材料としてＳiＯ2，ＺrＯ2，Ａl2Ｏ3等の絶縁
酸化物やＳiＮ等の窒化物を使用する。使用する材料や
膜厚はＧａｐ形成時に溶着するボンディングガラスの種
類により最適な物，膜厚を選択する。近年の低融点によ
るＧａｐ形成に使用されるボンディンガラスはＰb等の
金属元素が多く含まれ、金属磁性膜と反応しやすく、保
護膜の膜厚は充分厚い膜厚にする必要がある。また、使
用する金属磁性膜の種類によっては保護層を形成する材
料とのマッチングを考えて使う材料を選ぶ必要がある。
この後、対向面をＬａｐ法等により鏡面加工を施す図１
(e)。この時前工程で膜付けした保護膜８を対向面から
完全に除去し、コイル巻線溝中のみに保護膜８が残って
いるようにする。その後Ｇａｐ材９としてＳiＯ2，Ａl2
Ｏ3等を対向面にスパッタリング法によりギャップ長に
なる0.3μm〜1.0μm程度形成する図１(f)。この時コイ
ル巻線溝はＧａｐ材９の膜厚より厚い膜厚の保護層が形
成されたコイル巻線溝が形成されている。この後ボンデ
ィングガラス10を溶着した際に、金属磁性膜３とボンデ
ィングガラス10の反応が防止される。その後積層膜でＧ
ａｐ材を挟むように磁気空隙を形成しつつ接着し図１
(g)、用途に応じた形状やギャップデプスに規制して積
層型磁気ヘッドを形成する図１(h)。従来の技術におい
ては保護膜がなくＧａｐ材９のみが保護材として機能し
ていたがＧａｐ材が薄いため金属磁性膜３とボンディン
グガラス10との反応層11が形成されて、電磁変換特性の
劣化や実際のギャップデプスの値が把握できないという
問題点があったが、本実施例では反応層が形成されなく
なったことにより正確なギャップデプスのコントロール
が可能となる。また、反応層による効率の低下を防止で
きる。一例としてコイル巻線窓中に１μmのＡl2Ｏ3保護
膜を形成し、対向面ラップ後ＳiＯ2のＧａｐ材を0.3μm
スパッタリング法にて膜付けした後550℃のＧａｐ形成
温度で積層型磁気ヘッドを作った場合、ボンディングガ
ラスと金属磁性膜の反応のない積層型磁気ヘッドを作る
ことができた。図２に本実施例で作った積層型磁気ヘッ
ドとフェライト系ヘッドのＧａｐデプス値と規格化出力
の値の相関を示す。実施例により作られた積層型磁気ヘ
ッドは反応層のない金属磁性膜による磁気コアで構成さ
れているため効率の低下の少ない、記録再生特性の良好
な積層型磁気ヘッドとなっている。従ってＧａｐデプス
の小さい領域でも従来のフェライト系ヘッドの出力以下
になることはない。
【０００８】
【発明の効果】本発明は上記実施例から明らかなよう
に、積層型磁気ヘッドのコイル巻線溝の面に保護膜とし
てＳiＯ2，ＺrＯ2，Ａl2Ｏ3等の絶縁酸化物やＳiＮ等の
窒化物によりボンディングガラスと反応しないように充
分な性能を持つ保護層を形成することにより、ボンディ
ングガラスと金属磁性膜との反応が防止され、反応層の
ない本来の金属磁性膜の磁気回路で構成される積層型磁
気ヘッドの製造が可能となるので、正確なＧａｐデプス
コントロールができ、反応層による磁気コアの効率の低
下のない優れた特性の磁気ヘッドの提供ができるという
効果を有する。
に、積層型磁気ヘッドのコイル巻線溝の面に保護膜とし
てＳiＯ2，ＺrＯ2，Ａl2Ｏ3等の絶縁酸化物やＳiＮ等の
窒化物によりボンディングガラスと反応しないように充
分な性能を持つ保護層を形成することにより、ボンディ
ングガラスと金属磁性膜との反応が防止され、反応層の
ない本来の金属磁性膜の磁気回路で構成される積層型磁
気ヘッドの製造が可能となるので、正確なＧａｐデプス
コントロールができ、反応層による磁気コアの効率の低
下のない優れた特性の磁気ヘッドの提供ができるという
効果を有する。
【図１】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
製造方法を説明する図である。
製造方法を説明する図である。
【図２】本発明の一実施例の積層型磁気ヘッドとフェラ
イト系ヘッドとのＧａｐデプスと規格化出力の関係図で
ある。
イト系ヘッドとのＧａｐデプスと規格化出力の関係図で
ある。
【図３】従来例の積層型磁気ヘッドの構成の断面図であ
る。
る。
【図４】従来例の積層型磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図である。
る図である。
【図５】従来例の積層型磁気ヘッドとフェライト系ヘッ
ドとのＧａｐデプスと規格化出力の関係図である。
ドとのＧａｐデプスと規格化出力の関係図である。
【符号の説明】 １a，１b…非磁性基板、 ２…磁気コア、 ３a，３b，
３c…金属性膜、 ４a，４b，４c…絶縁膜、 ５…接着
ガラス、 ６…磁気コアブロック、 ７…コイル巻線
溝、 ８…保護膜、 ９…Ｇａｐ材、 10…ボンディン
グガラス、 11…反応層、 12…Ｇａｐデプス。
３c…金属性膜、 ４a，４b，４c…絶縁膜、 ５…接着
ガラス、 ６…磁気コアブロック、 ７…コイル巻線
溝、 ８…保護膜、 ９…Ｇａｐ材、 10…ボンディン
グガラス、 11…反応層、 12…Ｇａｐデプス。
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の非磁性基板に金属磁性膜と絶縁膜
を交互に積層して積層膜を形成し、前記一対の非磁性基
板の少なくとも一方にコイル巻線溝を形成して前記積層
膜で挟むように磁気空隙を形成しつつ接着する積層形磁
気ヘッドにおいて、前記コイル巻線溝の面に保護膜を形
成することを特徴とする積層型磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記コイル巻線溝の面上に形成する保護
膜の材料としてＳiＯ2，ＺrＯ2，Ａl2Ｏ3などの絶縁酸
化物やＳiＮなどの窒化物を使用することを特徴とする
請求項１記載の積層型磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3291616A JPH05128424A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 積層型磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3291616A JPH05128424A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 積層型磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128424A true JPH05128424A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17771262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3291616A Pending JPH05128424A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 積層型磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4817843A (en) * | 1987-11-23 | 1989-04-04 | Toray Industries, Inc. | Suction device for yarn-threading |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP3291616A patent/JPH05128424A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4817843A (en) * | 1987-11-23 | 1989-04-04 | Toray Industries, Inc. | Suction device for yarn-threading |
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