JPH05132665A - ダイヤモンドグリツト及び研削材媒体の製造方法及び装置 - Google Patents
ダイヤモンドグリツト及び研削材媒体の製造方法及び装置Info
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- JPH05132665A JPH05132665A JP3326765A JP32676591A JPH05132665A JP H05132665 A JPH05132665 A JP H05132665A JP 3326765 A JP3326765 A JP 3326765A JP 32676591 A JP32676591 A JP 32676591A JP H05132665 A JPH05132665 A JP H05132665A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 合成ダイヤモンドグリットの製造方法及び装
置を提供する。 【構成】 本ダイヤモンドグリットは、化学蒸着法を用
いて作製した合成ダイヤモンドフィルムを破砕すること
によって得られ、そして有用な研削特性を有する。本装
置は、ｃＢＮ、Ｃ3 Ｎ4 、またはＢ22Ｏのような他の超
研削材グリットを製造するために利用することもでき
る。
置を提供する。 【構成】 本ダイヤモンドグリットは、化学蒸着法を用
いて作製した合成ダイヤモンドフィルムを破砕すること
によって得られ、そして有用な研削特性を有する。本装
置は、ｃＢＮ、Ｃ3 Ｎ4 、またはＢ22Ｏのような他の超
研削材グリットを製造するために利用することもでき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は研削材分野に関し、より
詳細には合成ダイヤモンドグリット、合成ダイヤモンド
グリットを用いて製造した研削材媒体、並びに合成ダイ
ヤモンドグリット及び他の超研削材グリットの製造方法
及び装置に関する。
詳細には合成ダイヤモンドグリット、合成ダイヤモンド
グリットを用いて製造した研削材媒体、並びに合成ダイ
ヤモンドグリット及び他の超研削材グリットの製造方法
及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリシングのような用途並びに切削及び
研削砥石に対して天然ダイヤモンドグリットを使用する
ことは非常に古くからある。天然ダイヤモンドグリット
は、その高いコストという制限のほかに、特定の研削用
途に「仕立てられた」特性を容易に備えることができな
い。さらにある研削材用途では、天然ダイヤモンドの制
限が、特定の用途には有利である伸長したまたは高アス
ペクト比の形状のグリットを得ることを困難にする。
研削砥石に対して天然ダイヤモンドグリットを使用する
ことは非常に古くからある。天然ダイヤモンドグリット
は、その高いコストという制限のほかに、特定の研削用
途に「仕立てられた」特性を容易に備えることができな
い。さらにある研削材用途では、天然ダイヤモンドの制
限が、特定の用途には有利である伸長したまたは高アス
ペクト比の形状のグリットを得ることを困難にする。
【０００３】合成または人工ダイヤモンドを炭質材料か
ら作製する試みの実験が１９世紀の昔に既に行われてい
た。しかしながら、ダイヤモンドの合成に成功したのは
１９５０年代になってからであった。その合成方法は、
触媒存在下、高温でグラファイト状の炭素を高度に圧縮
することによってダイヤモンドを製造する、いわゆる高
圧高温（ＨＰ−ＨＴ）法であった。ＨＰ−ＨＴ技法は現
在、各種用途向けのダイヤモンドを合成するために用い
られており、そしてＨＰ−ＨＴダイヤモンドは現在、研
削材媒体用ダイヤモンドグリットの主要源である。
ら作製する試みの実験が１９世紀の昔に既に行われてい
た。しかしながら、ダイヤモンドの合成に成功したのは
１９５０年代になってからであった。その合成方法は、
触媒存在下、高温でグラファイト状の炭素を高度に圧縮
することによってダイヤモンドを製造する、いわゆる高
圧高温（ＨＰ−ＨＴ）法であった。ＨＰ−ＨＴ技法は現
在、各種用途向けのダイヤモンドを合成するために用い
られており、そしてＨＰ−ＨＴダイヤモンドは現在、研
削材媒体用ダイヤモンドグリットの主要源である。
【０００４】特定の研削材グリット用途にある程度は仕
立てられた特性を有するＨＰ−ＨＴダイヤモンドを製造
することが可能である。例えば、合成条件を選択するこ
とによって、特定の研削用途に対して望ましい破砕性を
生ぜしめる形態、形状、及び／または欠陥分布が得られ
る。しかしながら、ＨＰ−ＨＴ法は一般にニッケル、
鉄、またはコバルトのような金属触媒を使用し、そして
得られたＨＰ−ＨＴダイヤモンドは相当な金属混在物を
含有しうる。この混在物がＨＰ−ＨＴダイヤモンドで作
られた研削材媒体に望ましくない作業特性を導入しう
る。例えば、コバルトの混在は高温におけるダイヤモン
ド材のグラファイトへの転化につながり、このことがダ
イヤモンドフィルム切削工具の切削縁付近において起こ
りうる。
立てられた特性を有するＨＰ−ＨＴダイヤモンドを製造
することが可能である。例えば、合成条件を選択するこ
とによって、特定の研削用途に対して望ましい破砕性を
生ぜしめる形態、形状、及び／または欠陥分布が得られ
る。しかしながら、ＨＰ−ＨＴ法は一般にニッケル、
鉄、またはコバルトのような金属触媒を使用し、そして
得られたＨＰ−ＨＴダイヤモンドは相当な金属混在物を
含有しうる。この混在物がＨＰ−ＨＴダイヤモンドで作
られた研削材媒体に望ましくない作業特性を導入しう
る。例えば、コバルトの混在は高温におけるダイヤモン
ド材のグラファイトへの転化につながり、このことがダ
イヤモンドフィルム切削工具の切削縁付近において起こ
りうる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】実質的に金属混在物を
含まず、そして特定の研削材媒体用途に向けて仕立てら
れうる特性を有するダイヤモンドグリットの製造方法を
提供することが本発明の目的の一つである。ダイヤモン
ドグリット及び他の超研削材グリットの製造装置を提供
することもまた、本発明の目的の一つである。
含まず、そして特定の研削材媒体用途に向けて仕立てら
れうる特性を有するダイヤモンドグリットの製造方法を
提供することが本発明の目的の一つである。ダイヤモン
ドグリット及び他の超研削材グリットの製造装置を提供
することもまた、本発明の目的の一つである。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用、及び効果】ここで
用いられるように、水素のような第二促進ガスの存在下
で気体状炭化水素からダイヤモンドを成長させることを
意味するダイヤモンドの化学蒸着は、急速に発展してき
たダイヤモンド合成技術である。例えば、米国特許第
４，４３４，１８８号明細書；「蒸気相からのダイヤモ
ンド成長」（Ｎ．Ｓavvides, Ｍaterials Ｓcience
Ｆorum, pp. ４８７−４９５，Ｔrans Ｔech Ｐublica
tions, Ｌtd.,１９８８）；「低圧におけるダイヤモン
ド合成」（Ｂ．Ｖ．Ｄerjaguin et al.,Ｓcientific
Ａmerican, Ｖol. ２３３ Ｎｏ．１１ pp. １０２−
１０９，１９７５）；「低圧におけるダイヤモンド成
長」（Ｊ．Ｃ．Ａnguset al., ＭＲＳ Ｂulletin, p
p.３８−４７，Ｏctober. １９８９）；及び「工業用ダ
イヤモンドの新規合成技術、特性、及び用途」（Ｐ．
Ｄ．Ｇigl,ＩＤＡＵltrahard Ｍaterials Ｓeminar,
Ｔoronto, Ｏntario, Ｓeptember, １９８９）を参照の
こと。上述した文献に記載されているように、熱フィラ
メントＣＶＤ法、火炎ＣＶＤ法、ＶＵ−アシストＣＶＤ
法、並びに（マイクロ波プラズマ及びプラズマジェット
法を含む）プラズマＣＶＤ法を含む各種の化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）技術が提案及び／または使用されている。
用いられるように、水素のような第二促進ガスの存在下
で気体状炭化水素からダイヤモンドを成長させることを
意味するダイヤモンドの化学蒸着は、急速に発展してき
たダイヤモンド合成技術である。例えば、米国特許第
４，４３４，１８８号明細書；「蒸気相からのダイヤモ
ンド成長」（Ｎ．Ｓavvides, Ｍaterials Ｓcience
Ｆorum, pp. ４８７−４９５，Ｔrans Ｔech Ｐublica
tions, Ｌtd.,１９８８）；「低圧におけるダイヤモン
ド合成」（Ｂ．Ｖ．Ｄerjaguin et al.,Ｓcientific
Ａmerican, Ｖol. ２３３ Ｎｏ．１１ pp. １０２−
１０９，１９７５）；「低圧におけるダイヤモンド成
長」（Ｊ．Ｃ．Ａnguset al., ＭＲＳ Ｂulletin, p
p.３８−４７，Ｏctober. １９８９）；及び「工業用ダ
イヤモンドの新規合成技術、特性、及び用途」（Ｐ．
Ｄ．Ｇigl,ＩＤＡＵltrahard Ｍaterials Ｓeminar,
Ｔoronto, Ｏntario, Ｓeptember, １９８９）を参照の
こと。上述した文献に記載されているように、熱フィラ
メントＣＶＤ法、火炎ＣＶＤ法、ＶＵ−アシストＣＶＤ
法、並びに（マイクロ波プラズマ及びプラズマジェット
法を含む）プラズマＣＶＤ法を含む各種の化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）技術が提案及び／または使用されている。
【０００７】出願人は、化学蒸着により製造したダイヤ
モンドフィルムを破砕して、ＨＰ−ＨＴダイヤモンドグ
リットに一般に認められる触媒溶剤金属混在物を実質的
に含まずに、且つ有用な研削特性を有するダイヤモンド
グリットが得られることを発見した。ダイヤモンドフィ
ルム特性を決定することにおけるＣＶＤ付着法の適応性
は、ＣＶＤダイヤモンドグリット特性が特定の研削用途
に仕立てられうることを意味する。さらに、ＣＶＤダイ
ヤモンド付着技術が進展すると、ＣＶＤダイヤモンドの
コストが下がることが予想される。本発明の実施態様に
おいて、ダイヤモンドフィルムは、支持体を提供する工
程、遊離炭素及び原子状水素を含んで成るプラズマを発
生させる工程、並びに前記支持体を前記プラズマに暴露
する工程によって製造される。本実施態様において、ダ
イヤモンドフィルムの製造段階は１０〜１０００ミクロ
ン範囲の厚さを有するフィルムを形成する工程を含んで
成り、そしてフィルムの破砕段階は破砕してグリット粒
（その実質的部分は少なくとも２：１のアスペクト比を
有する）を得る工程を含んで成る。本発明の態様はさら
に、母材を提供する工程及び先に得られたグリットを前
記母材に結合する工程の別の段階を含んで成る、研削材
媒体の製造方法に向けられる。本発明のこの実施態様に
おいて、前記グリットを磁性材料でコーティングする。
次いでそのコーティングしたグリット粒は磁場を用いて
並べることができ、そしてコーティングしたグリット粒
を並べた状態のまま母材に結合する。
モンドフィルムを破砕して、ＨＰ−ＨＴダイヤモンドグ
リットに一般に認められる触媒溶剤金属混在物を実質的
に含まずに、且つ有用な研削特性を有するダイヤモンド
グリットが得られることを発見した。ダイヤモンドフィ
ルム特性を決定することにおけるＣＶＤ付着法の適応性
は、ＣＶＤダイヤモンドグリット特性が特定の研削用途
に仕立てられうることを意味する。さらに、ＣＶＤダイ
ヤモンド付着技術が進展すると、ＣＶＤダイヤモンドの
コストが下がることが予想される。本発明の実施態様に
おいて、ダイヤモンドフィルムは、支持体を提供する工
程、遊離炭素及び原子状水素を含んで成るプラズマを発
生させる工程、並びに前記支持体を前記プラズマに暴露
する工程によって製造される。本実施態様において、ダ
イヤモンドフィルムの製造段階は１０〜１０００ミクロ
ン範囲の厚さを有するフィルムを形成する工程を含んで
成り、そしてフィルムの破砕段階は破砕してグリット粒
（その実質的部分は少なくとも２：１のアスペクト比を
有する）を得る工程を含んで成る。本発明の態様はさら
に、母材を提供する工程及び先に得られたグリットを前
記母材に結合する工程の別の段階を含んで成る、研削材
媒体の製造方法に向けられる。本発明のこの実施態様に
おいて、前記グリットを磁性材料でコーティングする。
次いでそのコーティングしたグリット粒は磁場を用いて
並べることができ、そしてコーティングしたグリット粒
を並べた状態のまま母材に結合する。
【０００８】本発明のさらなる実施態様に従い、ダイヤ
モンドグリットを製造するための方法及び装置を記載す
る。アークジェットプラズマ蒸着装置のような化学蒸着
装置を提供する。キャリヤーストリップ及び蒸着装置を
互いに関して移動させ、そしてキャリヤーストリップ上
にダイヤモンドフィルムを蒸着させる。ダイヤモンドフ
ィルムを、キャリヤーストリップを曲げることによるな
どしてストリップから取り出し、そしてフィルムを破砕
してダイヤモンドグリットを得る。本発明の実施態様に
おいては、ストリップはフィルムが上に蒸着する剥離材
を有し、そしてフィルムの除去段階は剥離材の剥離工程
を含んで成る。ストリップは、銅またはグラファイト材
料織物のような柔軟性材料であることができ、そしてダ
イヤモンド蒸着前後においてそれぞれ供給及び巻取スプ
ールに巻くことができる。本方法及び装置はまた、ｃＢ
Ｎ、Ｃ3 Ｂ4 、またはＢ22Ｏのような他の超研削材グリ
ットの製造にも使用することができる。
モンドグリットを製造するための方法及び装置を記載す
る。アークジェットプラズマ蒸着装置のような化学蒸着
装置を提供する。キャリヤーストリップ及び蒸着装置を
互いに関して移動させ、そしてキャリヤーストリップ上
にダイヤモンドフィルムを蒸着させる。ダイヤモンドフ
ィルムを、キャリヤーストリップを曲げることによるな
どしてストリップから取り出し、そしてフィルムを破砕
してダイヤモンドグリットを得る。本発明の実施態様に
おいては、ストリップはフィルムが上に蒸着する剥離材
を有し、そしてフィルムの除去段階は剥離材の剥離工程
を含んで成る。ストリップは、銅またはグラファイト材
料織物のような柔軟性材料であることができ、そしてダ
イヤモンド蒸着前後においてそれぞれ供給及び巻取スプ
ールに巻くことができる。本方法及び装置はまた、ｃＢ
Ｎ、Ｃ3 Ｂ4 、またはＢ22Ｏのような他の超研削材グリ
ットの製造にも使用することができる。
【０００９】本発明のさらなる特徴及び利点は、添付の
図面を伴う以下の詳細な説明からより容易に明らかにな
る。
図面を伴う以下の詳細な説明からより容易に明らかにな
る。
【００１０】好ましい実施態様の記述 図１を参照すると、本発明に従う装置の実施態様が示さ
れている。この装置は本発明の方法の態様を実施するの
に用いられる。室１０５は真空ポンプ１１０によって排
気される。張り詰めた供給スプール１２０は、室内に取
り付けられ、そして好ましくは蒸着温度に耐える十分に
高い溶融温度を有する柔軟で且つ丈夫な材料であるべき
のキャリヤーストリップ１００が巻かれている。ストリ
ップは、例えば、巻きつぶれ（buckling) または応力を
防ぐのに十分に薄く且つ丈夫さを提供するのに十分に厚
い銅ストリップのような柔軟性金属またはグラファイト
織物であることができる。例えば０．００１〜０．０１
インチの厚さを有する銅ストリップが利用できる。スト
リップの幅は、記述される蒸着装置（または設備）の蒸
着領域の大きさに依存することができる。
れている。この装置は本発明の方法の態様を実施するの
に用いられる。室１０５は真空ポンプ１１０によって排
気される。張り詰めた供給スプール１２０は、室内に取
り付けられ、そして好ましくは蒸着温度に耐える十分に
高い溶融温度を有する柔軟で且つ丈夫な材料であるべき
のキャリヤーストリップ１００が巻かれている。ストリ
ップは、例えば、巻きつぶれ（buckling) または応力を
防ぐのに十分に薄く且つ丈夫さを提供するのに十分に厚
い銅ストリップのような柔軟性金属またはグラファイト
織物であることができる。例えば０．００１〜０．０１
インチの厚さを有する銅ストリップが利用できる。スト
リップの幅は、記述される蒸着装置（または設備）の蒸
着領域の大きさに依存することができる。
【００１１】ストリップ１００はマンドレル１３０上を
通過し、そしてモーター１４５によって駆動される巻取
スプール１４０に巻取る。マンドレル１３０の高さは、
例えば液圧的または機械的駆動を採用できる位置制御器
１３５によって制御する。モーター１４５及び位置制御
器１３５は、ケーブル（図示なし）によって室外から電
気的に制御することができる。マンドレル温度は、以下
に記述するように、利用する蒸着方式に依存して冷却ま
たは加熱することが可能な温度制御器１３８によって制
御する。例えば、図２に関して記述したアークプラズマ
ジェット蒸着装置を組み合わせた場合には、冷却したマ
ンドレルを使用することができ、一方図４に示されるよ
うなマイクロ波プラズマ蒸着装置を使用した場合には、
加熱したマンドレルを使用することができる。ＣＶＤダ
イヤモンド蒸着装置２００は室１０５の上部に取り付け
られる。室１０５は例えばステンレススチールで作製す
ることができ、そして蒸着装置は、室にボルト固定する
かまたは隔離して支持することができる。室内で可動の
類似の蒸着装置が、本出願と同じ譲渡人に譲渡された米
国特許出願第０７／６１４，３１３号に開示されてい
る。
通過し、そしてモーター１４５によって駆動される巻取
スプール１４０に巻取る。マンドレル１３０の高さは、
例えば液圧的または機械的駆動を採用できる位置制御器
１３５によって制御する。モーター１４５及び位置制御
器１３５は、ケーブル（図示なし）によって室外から電
気的に制御することができる。マンドレル温度は、以下
に記述するように、利用する蒸着方式に依存して冷却ま
たは加熱することが可能な温度制御器１３８によって制
御する。例えば、図２に関して記述したアークプラズマ
ジェット蒸着装置を組み合わせた場合には、冷却したマ
ンドレルを使用することができ、一方図４に示されるよ
うなマイクロ波プラズマ蒸着装置を使用した場合には、
加熱したマンドレルを使用することができる。ＣＶＤダ
イヤモンド蒸着装置２００は室１０５の上部に取り付け
られる。室１０５は例えばステンレススチールで作製す
ることができ、そして蒸着装置は、室にボルト固定する
かまたは隔離して支持することができる。室内で可動の
類似の蒸着装置が、本出願と同じ譲渡人に譲渡された米
国特許出願第０７／６１４，３１３号に開示されてい
る。
【００１２】図２を参照すると、図１の実施態様におい
て利用できる型のプラズマジェット蒸着装置２００の簡
略図が示されている。米国特許第４，４７１，００３号
及び同第４，４８７，１６２号を参照することもでき
る。装置２００は、真空ハウジング２１１内部に収容さ
れ、そして円筒状アノード２９１、ロッド様カソード２
９２、及びインジェクター２９５を含んで成るアーク発
生区画２１５を含む。インジェクター２９５は、射出さ
れた流体がカソード２９２上を通過するように、カソー
ドに隣接して取り付けられている。例示した実施態様で
は、投入流体は水素及びメタンの混合物であることがで
きる。アノード２９１及びカソード２９２は、電位源
（図示なし）、例えばＤＣ電位によって電圧を印加す
る。参照番号２１７によって示された円筒状磁石を利用
して、アーク発生区画で発生したプラズマを加速及び集
中させる。磁石は、プラズマが蒸着領域６０（図１もま
た参照のこと）に到達するまで、狭いカラム内部にプラ
ズマを維持する。液体窒素を循環させることの可能な冷
却コイル２３４が磁石内部に配置されており、そして集
中させたプラズマを取り囲んでいる。
て利用できる型のプラズマジェット蒸着装置２００の簡
略図が示されている。米国特許第４，４７１，００３号
及び同第４，４８７，１６２号を参照することもでき
る。装置２００は、真空ハウジング２１１内部に収容さ
れ、そして円筒状アノード２９１、ロッド様カソード２
９２、及びインジェクター２９５を含んで成るアーク発
生区画２１５を含む。インジェクター２９５は、射出さ
れた流体がカソード２９２上を通過するように、カソー
ドに隣接して取り付けられている。例示した実施態様で
は、投入流体は水素及びメタンの混合物であることがで
きる。アノード２９１及びカソード２９２は、電位源
（図示なし）、例えばＤＣ電位によって電圧を印加す
る。参照番号２１７によって示された円筒状磁石を利用
して、アーク発生区画で発生したプラズマを加速及び集
中させる。磁石は、プラズマが蒸着領域６０（図１もま
た参照のこと）に到達するまで、狭いカラム内部にプラ
ズマを維持する。液体窒素を循環させることの可能な冷
却コイル２３４が磁石内部に配置されており、そして集
中させたプラズマを取り囲んでいる。
【００１３】運転時には、水素及びメタン混合物をイン
ジェクター２９５に供給し、そしてアーク発生区画の前
でプラズマを発生させて、蒸着領域に向けて加速及び集
中させる。プラズマ形成領域における温度及び圧力は、
好ましくはおよそそれぞれ１５００〜２７００℃及び１
００〜７００torrの範囲にあり、そして蒸着領域におけ
る温度及び圧力は、およそそれぞれ８００〜１１００℃
及び１０〜２００torrの範囲にある。該技術分野におい
て周知であるように、メタンの炭素がダイヤモンドとし
て選択的に蒸着し、そして生成するグラファイトが水素
促進ガスとの組合せによって消散するので、上述のプラ
ズマから合成多結晶ダイヤモンドが生成することができ
る。（連続的にまたは不連続段階的に可動である）スト
リップ１００の移動速度は、蒸着速度及び得られる多結
晶ダイヤモンドフィルムの所望の厚さに依存することが
できる。本発明の実施態様に従いグリットを得るために
フィルムを用いるべき場合には、１０〜１０００ミクロ
ンが好ましいフィルム厚の範囲である。
ジェクター２９５に供給し、そしてアーク発生区画の前
でプラズマを発生させて、蒸着領域に向けて加速及び集
中させる。プラズマ形成領域における温度及び圧力は、
好ましくはおよそそれぞれ１５００〜２７００℃及び１
００〜７００torrの範囲にあり、そして蒸着領域におけ
る温度及び圧力は、およそそれぞれ８００〜１１００℃
及び１０〜２００torrの範囲にある。該技術分野におい
て周知であるように、メタンの炭素がダイヤモンドとし
て選択的に蒸着し、そして生成するグラファイトが水素
促進ガスとの組合せによって消散するので、上述のプラ
ズマから合成多結晶ダイヤモンドが生成することができ
る。（連続的にまたは不連続段階的に可動である）スト
リップ１００の移動速度は、蒸着速度及び得られる多結
晶ダイヤモンドフィルムの所望の厚さに依存することが
できる。本発明の実施態様に従いグリットを得るために
フィルムを用いるべき場合には、１０〜１０００ミクロ
ンが好ましいフィルム厚の範囲である。
【００１４】蒸着したダイヤモンドフィルムをストリッ
プから取り除くことができる方法がいくつかある。スト
リップを曲げてフィルムを取り除くことができる。本発
明に従うグリットを得るために回収したフィルムを破砕
すべき場合には、フィルムが多少破損しても問題ではな
い。所望であれば酸化マグネシウム、酸化アルミニウ
ム、または他の適当なセラミック若しくは他材料のよう
な、曲げによる除去を容易にする剥離材を使用してスト
リップを下塗りすることがてきる。代わりに、溶剤に可
溶性の剥離材を使用して、ストリップを溶剤中を通過さ
せて剥離材を溶解させ、そしてダイヤモンドフィルムを
剥離することができる。使い捨てのストリップまたはそ
の層をダイヤモンドフィルムと共に破砕し、次いで化学
的または他の手段によって分離することも可能であろ
う。さらにまた、室の内部または外部において刃物を使
用して、蒸着したダイヤモンドコーティングをストリッ
プから「剥ぐ」または「削る」ことも可能である。記述
した剥離技法が例示的であり、そして他の方法を採用す
ることができ、また温度のような他の剥離変数に基づき
うることが理解される。さらにまた、図１の装置及び方
法は、ｃＢＮ、Ｃ3 Ｎ4 、またはＢ22Ｏの蒸着によるよ
うな、他の超研削材グリットの製造にも利用できる。超
研削材料は、約３０００kg／mm2 以上のヌープ硬度を有
する研削材を意味する。
プから取り除くことができる方法がいくつかある。スト
リップを曲げてフィルムを取り除くことができる。本発
明に従うグリットを得るために回収したフィルムを破砕
すべき場合には、フィルムが多少破損しても問題ではな
い。所望であれば酸化マグネシウム、酸化アルミニウ
ム、または他の適当なセラミック若しくは他材料のよう
な、曲げによる除去を容易にする剥離材を使用してスト
リップを下塗りすることがてきる。代わりに、溶剤に可
溶性の剥離材を使用して、ストリップを溶剤中を通過さ
せて剥離材を溶解させ、そしてダイヤモンドフィルムを
剥離することができる。使い捨てのストリップまたはそ
の層をダイヤモンドフィルムと共に破砕し、次いで化学
的または他の手段によって分離することも可能であろ
う。さらにまた、室の内部または外部において刃物を使
用して、蒸着したダイヤモンドコーティングをストリッ
プから「剥ぐ」または「削る」ことも可能である。記述
した剥離技法が例示的であり、そして他の方法を採用す
ることができ、また温度のような他の剥離変数に基づき
うることが理解される。さらにまた、図１の装置及び方
法は、ｃＢＮ、Ｃ3 Ｎ4 、またはＢ22Ｏの蒸着によるよ
うな、他の超研削材グリットの製造にも利用できる。超
研削材料は、約３０００kg／mm2 以上のヌープ硬度を有
する研削材を意味する。
【００１５】ＣＶＤダイヤモンドは、例えばジェットミ
ル機械またはジョー破砕機を使用する、いずれかの適当
な手段によって破砕することができる。フィルムの厚さ
方向に対して平行な方向で力を適用することが、伸長し
た粒を分離するためには一般に好ましいが、本質的な問
題ではない。このように製造したグリットは分粒され、
そして金属、ガラス、樹脂、またはセラミックのような
母材中に周知の方法で結合することができる。
ル機械またはジョー破砕機を使用する、いずれかの適当
な手段によって破砕することができる。フィルムの厚さ
方向に対して平行な方向で力を適用することが、伸長し
た粒を分離するためには一般に好ましいが、本質的な問
題ではない。このように製造したグリットは分粒され、
そして金属、ガラス、樹脂、またはセラミックのような
母材中に周知の方法で結合することができる。
【００１６】比較的高い長さ−幅アスペクト比のダイヤ
モンドグリット粒子（例、ＨＰ−ＨＴ法によって以前に
製造されたような粒子）が、結合母材における良好な保
持性、良好な研削性能、及び長い摩耗寿命という利点を
有することが、該技術分野において認められている。例
えば、Ｄe Ｂeersの文献「ＣＤＡ−Ｌ」を参照された
い。さらに、高アスペクト比粒子（すなわち、約２：１
以上のアスペクト比を有する粒子）が、ニッケルまたは
ニッケル合金のような磁気感受性材料で粒子をコーティ
ングすること、磁場を作用させること、並びにグリット
粒子が所望の方向に配向して母材に落ち且つ付着するよ
うにグリット粒子を自由落下させること、によって結合
母材表面に対して垂直に都合よく配向しうることが認め
られている。このような手順を行うための装置は該技術
分野においては周知であり（例えば上記Ｄe Ｂeersの文
献を参照のこと）、そして例えば金型集成体を取り囲む
電磁場を発生するコイルを含む。本発明に従い、そして
先述のように、柱状に成長する傾向のあるＣＶＤダイヤ
モンドからグリットが得られ、そしてそれはグリットへ
粉砕した場合には高アスペクト比の針状粒子を形成する
傾向がある。粒子をコーティングし、次いで粒子を結合
母材中で配向させると、有用な研削材料媒体が得られ
る。
モンドグリット粒子（例、ＨＰ−ＨＴ法によって以前に
製造されたような粒子）が、結合母材における良好な保
持性、良好な研削性能、及び長い摩耗寿命という利点を
有することが、該技術分野において認められている。例
えば、Ｄe Ｂeersの文献「ＣＤＡ−Ｌ」を参照された
い。さらに、高アスペクト比粒子（すなわち、約２：１
以上のアスペクト比を有する粒子）が、ニッケルまたは
ニッケル合金のような磁気感受性材料で粒子をコーティ
ングすること、磁場を作用させること、並びにグリット
粒子が所望の方向に配向して母材に落ち且つ付着するよ
うにグリット粒子を自由落下させること、によって結合
母材表面に対して垂直に都合よく配向しうることが認め
られている。このような手順を行うための装置は該技術
分野においては周知であり（例えば上記Ｄe Ｂeersの文
献を参照のこと）、そして例えば金型集成体を取り囲む
電磁場を発生するコイルを含む。本発明に従い、そして
先述のように、柱状に成長する傾向のあるＣＶＤダイヤ
モンドからグリットが得られ、そしてそれはグリットへ
粉砕した場合には高アスペクト比の針状粒子を形成する
傾向がある。粒子をコーティングし、次いで粒子を結合
母材中で配向させると、有用な研削材料媒体が得られ
る。
【００１７】上述のように図１のプラズマジェット蒸着
装置を使用するが、しかし図３に例示したような固定支
持体を使用して、グリットとして使用するダイヤモンド
フィルムを製造することができる。図３は、室１０５の
底部１０５Ａ、並びにモリブデン製であることができ且
つダイヤモンドフィルムが上に蒸着しうる支持体または
ベース６２を示す。腕６４のような機械的手段を用いて
ダイヤモンドフィルムをベースからこすり落とすことが
できる。
装置を使用するが、しかし図３に例示したような固定支
持体を使用して、グリットとして使用するダイヤモンド
フィルムを製造することができる。図３は、室１０５の
底部１０５Ａ、並びにモリブデン製であることができ且
つダイヤモンドフィルムが上に蒸着しうる支持体または
ベース６２を示す。腕６４のような機械的手段を用いて
ダイヤモンドフィルムをベースからこすり落とすことが
できる。
【００１８】図４に関しては、図１の実施態様の代わり
に利用できる別の型のＣＶＤ蒸着装置２００Ｂが例示さ
れている。この蒸着装置はマイクロ波プラズマの原理で
動作し、そして米国特許第４，５０７，５８８号、同第
４，５８５，６６８号、同第４，６３０，５６６号、及
び同第４，６９１，６６２号を参照することもできる。
可動ストリップが参照番号１００で表されており、そし
て図１にあるように真空室（１０５Ｂ）内のマンドレル
１３８上で移動することができる。ストリップの移動手
段、マンドレル高の調節手段などは、図１の実施態様と
同様であることができ、そして同じ参照番号が類似要素
を表している。金属容器４１０はマイクロ波キャビティ
ー４１５の壁を規定する。キャビティー４１５の上部
は、調節可能なスライディングショート（sliding shor
t)として役立つ、ブラシ４２５付プレート４２０である
ことができる。励起プローブ４１４を備え、そしてその
キャビティー内部での位置は調節可能である。プラズマ
４４０を包含するために用いる石英室またはガラス鐘４
３５がリング状ベース４５０に取り付けられている。リ
ング状ベース４５０には真空室１０５Ｂ及びマイクロ波
キャビティー４１０が取り付けられている。ガスインジ
ェクター４５７を用いて炭化水素及び水素混合物を、４
５８で示される開口部を通してプラズマ形成領域に供給
する。冷却ライン４５９を用いて冷媒を循環させてベー
スを冷却することができる。あるいは冷却コイル（図示
なし）を具備することができる。４６５で示されるよう
な磁石を利用してプラズマの閉込めを助けることができ
る。示されるように、ストリップ及びマンドレルと一緒
にディスク状金属グリッド４８０を用いて、マイクロ波
キャビティーの底部を規定することができる。本発明の
実施態様に従う運転において、水素及び炭化水素混合物
を供給すると、キャビティー４１５内部のマイクロ波エ
ネルギーがプラズマ４４０を発生させ、そして周知のよ
うに多結晶ダイヤモンドが蒸着する。蒸着はストリップ
１００（または上述のようにストリップ上に担持された
剥離材）上に起こる。マイクロ波プラズマ装置では、支
持体を加熱することが一般に有益であり、そして本発明
では、マンドレルの加熱は、例えば炭素蓄熱器プレート
を用いるなど、いずれかの適当な手段によって実行する
ことができる。
に利用できる別の型のＣＶＤ蒸着装置２００Ｂが例示さ
れている。この蒸着装置はマイクロ波プラズマの原理で
動作し、そして米国特許第４，５０７，５８８号、同第
４，５８５，６６８号、同第４，６３０，５６６号、及
び同第４，６９１，６６２号を参照することもできる。
可動ストリップが参照番号１００で表されており、そし
て図１にあるように真空室（１０５Ｂ）内のマンドレル
１３８上で移動することができる。ストリップの移動手
段、マンドレル高の調節手段などは、図１の実施態様と
同様であることができ、そして同じ参照番号が類似要素
を表している。金属容器４１０はマイクロ波キャビティ
ー４１５の壁を規定する。キャビティー４１５の上部
は、調節可能なスライディングショート（sliding shor
t)として役立つ、ブラシ４２５付プレート４２０である
ことができる。励起プローブ４１４を備え、そしてその
キャビティー内部での位置は調節可能である。プラズマ
４４０を包含するために用いる石英室またはガラス鐘４
３５がリング状ベース４５０に取り付けられている。リ
ング状ベース４５０には真空室１０５Ｂ及びマイクロ波
キャビティー４１０が取り付けられている。ガスインジ
ェクター４５７を用いて炭化水素及び水素混合物を、４
５８で示される開口部を通してプラズマ形成領域に供給
する。冷却ライン４５９を用いて冷媒を循環させてベー
スを冷却することができる。あるいは冷却コイル（図示
なし）を具備することができる。４６５で示されるよう
な磁石を利用してプラズマの閉込めを助けることができ
る。示されるように、ストリップ及びマンドレルと一緒
にディスク状金属グリッド４８０を用いて、マイクロ波
キャビティーの底部を規定することができる。本発明の
実施態様に従う運転において、水素及び炭化水素混合物
を供給すると、キャビティー４１５内部のマイクロ波エ
ネルギーがプラズマ４４０を発生させ、そして周知のよ
うに多結晶ダイヤモンドが蒸着する。蒸着はストリップ
１００（または上述のようにストリップ上に担持された
剥離材）上に起こる。マイクロ波プラズマ装置では、支
持体を加熱することが一般に有益であり、そして本発明
では、マンドレルの加熱は、例えば炭素蓄熱器プレート
を用いるなど、いずれかの適当な手段によって実行する
ことができる。
【００１９】
【実施例】図１に例示したプラズマジェット蒸着型であ
るが、図３に例示したように利用されたモリブデンまた
は他の適当な材料の固定支持体を有する装置を用いて、
ＣＶＤダイヤモンドフィルムを成長させた。射出したガ
ス混合物の組成は，メタン０．５％及び水素９９．５％
とした。ガス本体温度は約２５００°Ｋであり、そして
支持体温度は約１０００℃で維持した。蒸着室圧は約２
００torrとした。蒸着速度は約３０ミクロン／時とし、
そして約３００ミクロンのフィルム厚が得られた。フィ
ルムを支持体から取り出して、乳鉢及び乳棒で破砕して
ダイヤモンドグリットを得た。本例では、ほとんどのグ
リットが３０〜６０メッシュの寸法範囲にあった。その
グリットを三種類の寸法画分（３０／４０、４０／５
０、及び５０／６０）に選別した。図５，６，７、及び
８は、グリットのそれぞれ倍率２０Ｘ、４０Ｘ、１００
Ｘ、及び５００Ｘにおける走査型電子顕微鏡写真を示
す。これらのＳＥＭ写真から、グリットがフィルムから
破砕されていることが理解できる。ほとんどのグリット
粒子についてフィルム上面及び底面がはっきりと見え、
そしてフィルム厚が粒子の長手になる傾向がある。粒子
は、フィルムの底部から上部に伸長した柱状ないしはほ
とんど繊維状の構造をしており、そしてグリット寸法が
フィルム厚の選択によって制御されやすいことが明らか
である。グリットが実質的な比率の高アスペクト比粒子
から成っていることがわかる。
るが、図３に例示したように利用されたモリブデンまた
は他の適当な材料の固定支持体を有する装置を用いて、
ＣＶＤダイヤモンドフィルムを成長させた。射出したガ
ス混合物の組成は，メタン０．５％及び水素９９．５％
とした。ガス本体温度は約２５００°Ｋであり、そして
支持体温度は約１０００℃で維持した。蒸着室圧は約２
００torrとした。蒸着速度は約３０ミクロン／時とし、
そして約３００ミクロンのフィルム厚が得られた。フィ
ルムを支持体から取り出して、乳鉢及び乳棒で破砕して
ダイヤモンドグリットを得た。本例では、ほとんどのグ
リットが３０〜６０メッシュの寸法範囲にあった。その
グリットを三種類の寸法画分（３０／４０、４０／５
０、及び５０／６０）に選別した。図５，６，７、及び
８は、グリットのそれぞれ倍率２０Ｘ、４０Ｘ、１００
Ｘ、及び５００Ｘにおける走査型電子顕微鏡写真を示
す。これらのＳＥＭ写真から、グリットがフィルムから
破砕されていることが理解できる。ほとんどのグリット
粒子についてフィルム上面及び底面がはっきりと見え、
そしてフィルム厚が粒子の長手になる傾向がある。粒子
は、フィルムの底部から上部に伸長した柱状ないしはほ
とんど繊維状の構造をしており、そしてグリット寸法が
フィルム厚の選択によって制御されやすいことが明らか
である。グリットが実質的な比率の高アスペクト比粒子
から成っていることがわかる。
【図１】本発明の実施態様に従う装置の略断面図であ
る。
る。
【図２】図１の装置において利用することができるアー
クジェットプラズマ蒸着装置の断面図である。
クジェットプラズマ蒸着装置の断面図である。
【図３】図２の装置の改変を説明する断面図である。
【図４】図１の装置において利用することができるマイ
クロ波プラズマ蒸着装置の断面図である。
クロ波プラズマ蒸着装置の断面図である。
【図５】本発明の実施態様において得られた合成ダイヤ
モンドグリットを示す走査型電子顕微鏡写真である。
モンドグリットを示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図６】本発明の実施態様において得られた合成ダイヤ
モンドグリットを示す走査型電子顕微鏡写真である。
モンドグリットを示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図７】本発明の実施態様において得られた合成ダイヤ
モンドグリットを示す走査型電子顕微鏡写真である。
モンドグリットを示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図８】本発明の実施態様において得られた合成ダイヤ
モンドグリットを示す走査型電子顕微鏡写真である。
モンドグリットを示す走査型電子顕微鏡写真である。
６０…蒸着領域 ６２…ベース ６４…腕 １００…キャリヤーストリップ １０５…室 １１０…真空ポンプ １２０…供給スプール １３０…マンドレル １３５…位置制御器 １３８…温度制御器 １４０…巻取りスプール １４５…モーター ２１１…真空ハウジング ２１５…アーク発生区画 ２１７…円筒状磁石 ２３４…冷却コイル ２９１…円筒状アノード ２９２…ロッド様カソード ２９５…インジェクター ４１０…金属容器 ４１４…励起プローブ ４１５…マイクロ波キャビティー ４２０…プレート ４２５…ブラシ ４３５…ガラス鐘 ４４０…プラズマ ４５０…リング状ベース ４５７…ガスインジェクター ４５８…開口部 ４５９…冷却ライン ４６５…磁石 ４８０…ディスク状金属グリッド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施態様に従う装置の略断面図であ
る。
る。
【図２】図１の装置において利用することができるアー
クジェットプラズマ蒸着装置の断面図である。
クジェットプラズマ蒸着装置の断面図である。
【図３】図２の装置の改変を説明する断面図である。
【図４】図１の装置において利用することができるマイ
クロ波プラズマ蒸着装置の断面図である。
クロ波プラズマ蒸着装置の断面図である。
【図５】本発明の実施態様において得られた合成ダイヤ
モンドグリットの粒子構造を示す図面に代る走査型電子
顕微鏡写真である。
モンドグリットの粒子構造を示す図面に代る走査型電子
顕微鏡写真である。
【図６】本発明の実施態様において得られた合成ダイヤ
モンドグリットの粒子構造を示す図面に代る走査型電子
顕微鏡写真である。
モンドグリットの粒子構造を示す図面に代る走査型電子
顕微鏡写真である。
【図７】本発明の実施態様において得られた合成ダイヤ
モンドグリットの粒子構造を示す図面に代る走査型電子
顕微鏡写真である。
モンドグリットの粒子構造を示す図面に代る走査型電子
顕微鏡写真である。
【図８】本発明の実施態様において得られた合成ダイヤ
モンドグリットの粒子構造を示す図面に代る走査型電子
顕微鏡写真である。
モンドグリットの粒子構造を示す図面に代る走査型電子
顕微鏡写真である。
【符号の説明】 ６０…蒸着領域 ６２…ベース ６４…腕 １００…キャリヤーストリップ １０５…室 １１０…真空ポンプ １２０…供給スプール １３０…マンドレル １３５…位置制御器 １３８…温度制御器 １４０…巻取りスプール １４５…モーター ２１１…真空ハウジング ２１５…アーク発生区画 ２１７…円筒状磁石 ２３４…冷却コイル ２９１…円筒状アノード ２９２…ロッド様カソード ２９５…インジェクター ４１０…金属容器 ４１４…励起プローブ ４１５…マイクロ波キャビティー ４２０…プレート ４２５…ブラシ ４３５…ガラス鐘 ４４０…プラズマ ４５０…リング状ベース ４５７…ガスインジェクター ４５８…開口部 ４５９…冷却ライン ４６５…磁石 ４８０…ディスク状金属グリッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランク ジエイ．クシラグ アメリカ合衆国，ユタ 84119，ソルト レイク シテイ，サウス 2532 ウエスト 3270 (72)発明者 ジエイムズ テイー．ホギンズ アメリカ合衆国，テキサス 75025，プラ ノ，シムズベリー ドライブ 1728
Claims (33)
- 【請求項１】 化学蒸着によりダイヤモンドフィルムを
作製する段階、及び前記フィルムを破砕してダイヤモン
ドグリットを得る段階、を含んで成るダイヤモンドグリ
ットの製造方法。 - 【請求項２】 前記ダイヤモンドフィルムを作製する段
階が、支持体を提供する工程、遊離炭素及び原子状水素
を含んで成るプラズマを発生させる工程、並びに前記支
持体を前記プラズマに暴露する工程を含んで成ることを
特徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記ダイヤモンドフィルムを作製する段
階が、１０〜１０００ミクロン範囲の厚さを有するフィ
ルムを形成する工程を含んで成ることを特徴とする、請
求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記ダイヤモンドフィルムを作製する段
階が、１０〜１０００ミクロン範囲の厚さを有するフィ
ルムを形成する工程を含んで成ることを特徴とする、請
求項２記載の方法。 - 【請求項５】 前記フィルムを破砕する段階が、前記フ
ィルムを破砕して、実質部分が少なくとも２：１のアス
ペクト比を有するグリット粒子を得る工程を含んで成る
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記フィルムを破砕する段階が、前記フ
ィルムを破砕して、実質部分が少なくとも２：１のアス
ペクト比を有するグリット粒子を得る工程を含んで成る
ことを特徴とする、請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 前記フィルムを破砕する段階が、前記フ
ィルムの厚さ方向に実質的に平行な方向の力を前記フィ
ルムに適用する工程を含んで成ることを特徴とする、請
求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記フィルムを破砕する段階が、前記フ
ィルムの厚さ方向に実質的に平行な方向の力を前記フィ
ルムに適用する工程を含んで成ることを特徴とする、請
求項２記載の方法。 - 【請求項９】 化学蒸着によりダイヤモンドフィルムを
作製する段階、前記フィルムを破砕してダイヤモンドグ
リットを得る段階、母材を提供する段階、及び前記グリ
ットを前記母材に結合する段階を含んで成る、研削材媒
体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ダイヤモンドフィルムを作製する
段階が、支持体を提供する工程、遊離炭素及び原子状水
素を含んで成るプラズマを発生させる工程、並びに前記
支持体を前記プラズマに暴露する工程を含んで成ること
を特徴とする、請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 前記ダイヤモンドフィルムを作製する
段階が、１０〜１０００ミクロン範囲の厚さを有するフ
ィルムを形成する工程を含んで成ることを特徴とする、
請求項９記載の方法。 - 【請求項１２】 前記フィルムを破砕する段階が、前記
フィルムを破砕して、実質部分が少なくとも２：１のア
スペクト比を有するグリット粒子を得る工程を含んで成
ることを特徴とする、請求項８記載の方法。 - 【請求項１３】 前記フィルムを破砕する段階が、一般
に前記フィルムの厚さ方向に平行な方向の力を前記フィ
ルムに適用する工程を含んで成ることを特徴とする、請
求項９記載の方法。 - 【請求項１４】 前記グリット粒子を磁性材料でコーテ
ィングする段階、前記コーティングしたグリット粒子を
磁場によって並べる段階、及び前記コーティングしたグ
リット粒子を前記磁場内において並べられた状態のまま
前記母材に結合する段階、をさらに含んで成ることを特
徴とする、請求項９記載の方法。 - 【請求項１５】 前記グリット粒子を磁性材料でコーテ
ィングする段階、前記コーティングしたグリット粒子を
磁場によって並べる段階、及び前記コーティングしたグ
リット粒子を前記磁場内において並べられた状態のまま
前記母材に結合する段階、をさらに含んで成ることを特
徴とする、請求項１２記載の方法。 - 【請求項１６】 化学蒸着装置を提供する段階；キャリ
ヤーストリップ及び前記蒸着装置を互いに関して移動さ
せて、前記キャリヤーストリップ上に超研削材料のフィ
ルムを蒸着させる段階；前記フィルムを前記ストリップ
から除去する段階；並びに前記フィルムを破砕して超研
削材グリットを得る段階を含んで成る、超研削材グリッ
トの製造方法。 - 【請求項１７】 前記超研削材料がダイヤモンドである
ことを特徴とする、請求項１６記載の方法。 - 【請求項１８】 前記移動段階が、固定した蒸着装置に
対して柔軟性材料の伸張したストリップを移動させる工
程を含んで成ることを特徴とする、請求項１７記載の方
法。 - 【請求項１９】 前記キャリヤーストリップが柔軟性材
料でできており、そして前記ダイヤモンドフィルムの除
去段階が前記ストリップを曲げる工程を含んで成ること
を特徴とする、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２０】 前記ストリップが剥離材を有し、前記
剥離材の上に前記フィルムが蒸着し、そして前記フィル
ムの除去段階が前記剥離材を剥離させる工程を含んで成
ることを特徴とする、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２１】 伸張したキャリヤーストリップ；前記
キャリヤーストリップ上にダイヤモンドフィルムを蒸着
するための化学蒸着装置；前記装置に対して前記キャリ
ヤーストリップを移動するための手段；前記キャリヤー
ストリップ及び前記装置の少なくとも一部分を収容する
気密閉鎖容器；並びに前記閉鎖容器を排気して部分真空
を発生させる手段、を含んで成るダイヤモンドフィルム
の製造装置。 - 【請求項２２】 前記化学蒸着装置が、炭化水素及び水
素のプラズマを発生させるための手段、及び前記プラズ
マを前記キャリヤーストリップに適用するための手段を
含んで成ることを特徴とする、請求項２１記載の装置。 - 【請求項２３】 前記プラズマを適用する前記手段が、
前記プラズマを噴流として前記キャリヤーストリップに
向けるための手段を含んでいることを特徴とする、請求
項２２記載の装置。 - 【請求項２４】 前記キャリヤーストリップが柔軟性材
料のストリップを含んで成ることを特徴とする、請求項
２１記載の装置。 - 【請求項２５】 前記ストリップが銅を含んで成ること
を特徴とする、請求項２４記載の装置。 - 【請求項２６】 前記ストリップがグラファイト織物を
含んで成ることを特徴とする、請求項２４記載の装置。 - 【請求項２７】 前記閉鎖容器内部に、ダイヤモンドフ
ィルム蒸着前の供給用前記キャリヤーストリップを巻取
るための手段をさらに含んで成ることを特徴とする、請
求項２４記載の装置。 - 【請求項２８】 前記閉鎖容器内部に、ダイヤモンドフ
ィルム蒸着後の前記キャリヤーストリップを巻取るため
の手段をさらに含んで成ることを特徴とする、請求項２
７記載の装置。 - 【請求項２９】 前記ストリップ上に剥離材をさらに含
んで成り、そして前記ダイヤモンドフィルムが前記剥離
材上に蒸着することを特徴とする、請求項２１記載の装
置。 - 【請求項３０】 前記ストリップ上に剥離材をさらに含
んで成り、そして前記ダイヤモンドフィルムが前記剥離
材上に蒸着することを特徴とする、請求項２４記載の装
置。 - 【請求項３１】 前記閉鎖容器内部にマンドレルをさら
に含んで成り、そして前記マンドレル上を前記ストリッ
プが引かれることを特徴とする、請求項２４記載の装
置。 - 【請求項３２】 化学蒸着により合成ダイヤモンドフィ
ルムを蒸着する段階；所望の所定寸法の関数として前記
フィルム厚を制御する段階；及び前記フィルムを破砕し
ておよそ前記所定寸法のダイヤモンドグリットを得る段
階を含んで成る、所定寸法のダイヤモンドグリットの製
造方法。 - 【請求項３３】 前記ダイヤモンドフィルムの蒸着段階
が、１０〜１０００ミクロン範囲の厚さを有するフィル
ムを蒸着する工程を含んで成ることを特徴とする、請求
項３２記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US61490090A | 1990-11-16 | 1990-11-16 | |
| US614900 | 1990-11-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132665A true JPH05132665A (ja) | 1993-05-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP3326765A Pending JPH05132665A (ja) | 1990-11-16 | 1991-11-15 | ダイヤモンドグリツト及び研削材媒体の製造方法及び装置 |
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| JP (1) | JPH05132665A (ja) |
| CA (1) | CA2054050C (ja) |
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