JPH05134149A - 光半導体モジユール - Google Patents
光半導体モジユールInfo
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- JPH05134149A JPH05134149A JP3293301A JP29330191A JPH05134149A JP H05134149 A JPH05134149 A JP H05134149A JP 3293301 A JP3293301 A JP 3293301A JP 29330191 A JP29330191 A JP 29330191A JP H05134149 A JPH05134149 A JP H05134149A
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大型化を招くことなく光結合損失軽減を図る
ことができるとともに、光ファイバの光軸が受光面の中
心と位置ずれを生じても光結合損失を増加させない光半
導体モジュールを提供することにある。 【構成】 ケーシング１，８内に受光素子チップ２が収
納されている。キャップケーシング８には、光ファイバ
１６からの光をケーシング１，８内に導入するための窓
部９が形成され、ケーシング１，８内において窓部９か
ら受光素子チップ２の近接位置まで光ファイバ１２が延
設されている。光ファイバ１６のコア径をｄ1 、光ファ
イバ１２のコア１２ａの光入射側端面径をｄ2 、光ファ
イバ１６の光出射側端面と光ファイバ１２のコア１２ａ
の光入射側端面との距離をＬ、光ファイバ１６の開口数
をＮＡとしたとき、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉ
ｎ-1（ＮＡ）〕が満足されている。
ことができるとともに、光ファイバの光軸が受光面の中
心と位置ずれを生じても光結合損失を増加させない光半
導体モジュールを提供することにある。 【構成】 ケーシング１，８内に受光素子チップ２が収
納されている。キャップケーシング８には、光ファイバ
１６からの光をケーシング１，８内に導入するための窓
部９が形成され、ケーシング１，８内において窓部９か
ら受光素子チップ２の近接位置まで光ファイバ１２が延
設されている。光ファイバ１６のコア径をｄ1 、光ファ
イバ１２のコア１２ａの光入射側端面径をｄ2 、光ファ
イバ１６の光出射側端面と光ファイバ１２のコア１２ａ
の光入射側端面との距離をＬ、光ファイバ１６の開口数
をＮＡとしたとき、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉ
ｎ-1（ＮＡ）〕が満足されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ケーシング内に受光
素子チップを収納した光半導体モジュールに関するもの
である。
素子チップを収納した光半導体モジュールに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、光通信用の受光モジュールにおい
ては、図６に示すように、ケーシング３１内に受光素子
チップ３２が配置され、ケーシング３１の一部に窓部３
１ａが設けられ、その窓部３１ａは透明プレート３３に
て塞がれている。そして、光ファイバ３４との接続は光
ファイバ３４の端面を透明プレート３３に近接した状態
で固定することにより行われている。さらに、光ファイ
バ３４と受光素子チップ３２との光結合損失軽減を図る
ために、図７に示したように透明プレート３３の外側に
ロッドレンズ３５を設け、このロッドレンズ３５を介し
て光結合することが考えられている。
ては、図６に示すように、ケーシング３１内に受光素子
チップ３２が配置され、ケーシング３１の一部に窓部３
１ａが設けられ、その窓部３１ａは透明プレート３３に
て塞がれている。そして、光ファイバ３４との接続は光
ファイバ３４の端面を透明プレート３３に近接した状態
で固定することにより行われている。さらに、光ファイ
バ３４と受光素子チップ３２との光結合損失軽減を図る
ために、図７に示したように透明プレート３３の外側に
ロッドレンズ３５を設け、このロッドレンズ３５を介し
て光結合することが考えられている。
【０００３】尚、図６，７において、３２ａは受光素子
チップ３２の受光面を、３４ａは光ファイバ３４のコア
を、３６は連結部材を、３７は固定部材を、３８は凹部
を、３９は貫通孔を、４０は端子を、４２はアノード端
子を、４３はカソード端子を、４４はグランド端子を、
４５はワイヤを、４６は溶融溶接部を示す。
チップ３２の受光面を、３４ａは光ファイバ３４のコア
を、３６は連結部材を、３７は固定部材を、３８は凹部
を、３９は貫通孔を、４０は端子を、４２はアノード端
子を、４３はカソード端子を、４４はグランド端子を、
４５はワイヤを、４６は溶融溶接部を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図７に示す
ように、ロッドレンズ３５を用いるとモジュールの大型
化を招くとともに光ファイバ３４の光軸と受光面の中心
との位置ずれにより結合損失が増加する虞がある。
ように、ロッドレンズ３５を用いるとモジュールの大型
化を招くとともに光ファイバ３４の光軸と受光面の中心
との位置ずれにより結合損失が増加する虞がある。
【０００５】そこで、この発明の目的は、大型化を招く
ことなく光結合損失軽減を図ることができるとともに、
光ファイバの光軸が受光面の中心と位置ずれを生じても
光結合損失を増加させない光半導体モジュールを提供す
ることにある。
ことなく光結合損失軽減を図ることができるとともに、
光ファイバの光軸が受光面の中心と位置ずれを生じても
光結合損失を増加させない光半導体モジュールを提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、光を電気信
号に変換する受光素子チップを収納したケーシングと、
前記ケーシングに形成され、光ファイバからの光をケー
シング内に導入するための窓部と、前記ケーシング内に
おいて前記窓部から前記受光素子チップの近接位置まで
延設され、前記光ファイバからの光を前記受光素子チッ
プに導くための導光部材とを備え、前記光ファイバのコ
ア径をｄ1 、前記導光部材の光入射側端面径をｄ2 、前
記光ファイバの光出射側端面と前記導光部材の光入射側
端面との距離をＬ、前記光ファイバの開口数をＮＡとし
たとき、 ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕 を満足するようにした光半導体モジュールをその要旨と
するものである。
号に変換する受光素子チップを収納したケーシングと、
前記ケーシングに形成され、光ファイバからの光をケー
シング内に導入するための窓部と、前記ケーシング内に
おいて前記窓部から前記受光素子チップの近接位置まで
延設され、前記光ファイバからの光を前記受光素子チッ
プに導くための導光部材とを備え、前記光ファイバのコ
ア径をｄ1 、前記導光部材の光入射側端面径をｄ2 、前
記光ファイバの光出射側端面と前記導光部材の光入射側
端面との距離をＬ、前記光ファイバの開口数をＮＡとし
たとき、 ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕 を満足するようにした光半導体モジュールをその要旨と
するものである。
【０００７】
【作用】光ファイバのコアを通過してきた光は、光ファ
イバの出射面からｓｉｎ-1（ＮＡ）の角度で広がり出射
される。この光は、導光部材の光入射側端面に入射して
ケーシング内を導光部材を通して受光素子チップの近接
位置まで導かれ、同チップに入射する。
イバの出射面からｓｉｎ-1（ＮＡ）の角度で広がり出射
される。この光は、導光部材の光入射側端面に入射して
ケーシング内を導光部材を通して受光素子チップの近接
位置まで導かれ、同チップに入射する。
【０００８】この際、光ファイバと導光部材との間で位
置ずれが発生した場合でも、光結合損失を増加させな
い。つまり、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ
-1（ＮＡ）〕を満たしているので、位置ずれ量が、ｄ2
−ｄ1 −２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕以内であ
れば光結合損失は増加しない。
置ずれが発生した場合でも、光結合損失を増加させな
い。つまり、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ
-1（ＮＡ）〕を満たしているので、位置ずれ量が、ｄ2
−ｄ1 −２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕以内であ
れば光結合損失は増加しない。
【０００９】
【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面
に従って説明する。図１に光半導体モジュールの断面図
を示す。チップ固定用ケーシング１は平板状をなし、中
央部分が厚肉部となり周辺部分が薄肉部となっている。
チップ固定用ケーシング１の厚肉部の上面には受光素子
チップ２が配置されるとともに端子３が立設されてい
る。受光素子チップ２の受光素子はシリコンフォトダイ
オードが使用され、受光素子チップ２の上面中央部が受
光面２ａとなっている。受光素子チップ２と端子３とは
ワイヤ４にて電気的に接続されている。さらに、チップ
固定用ケーシング１の厚肉部の下面には、アノード端子
５とカソード端子６とグランド端子７とが下方に延びる
ように支持されている。このグランド端子７にてボディ
アースがとられ、カソード端子６（あるいはアノード端
子５）が受光素子チップ２の裏面を通じて電気的に接続
されている。さらに、アノード端子５（あるいはカソー
ド端子６）は端子３と電気的に接続されている。そし
て、受光素子（フォトダイオード）の出力がカソード端
子６、及びワイヤ４，端子３，アノード端子５を介して
外部に取り出されるようになっている。
に従って説明する。図１に光半導体モジュールの断面図
を示す。チップ固定用ケーシング１は平板状をなし、中
央部分が厚肉部となり周辺部分が薄肉部となっている。
チップ固定用ケーシング１の厚肉部の上面には受光素子
チップ２が配置されるとともに端子３が立設されてい
る。受光素子チップ２の受光素子はシリコンフォトダイ
オードが使用され、受光素子チップ２の上面中央部が受
光面２ａとなっている。受光素子チップ２と端子３とは
ワイヤ４にて電気的に接続されている。さらに、チップ
固定用ケーシング１の厚肉部の下面には、アノード端子
５とカソード端子６とグランド端子７とが下方に延びる
ように支持されている。このグランド端子７にてボディ
アースがとられ、カソード端子６（あるいはアノード端
子５）が受光素子チップ２の裏面を通じて電気的に接続
されている。さらに、アノード端子５（あるいはカソー
ド端子６）は端子３と電気的に接続されている。そし
て、受光素子（フォトダイオード）の出力がカソード端
子６、及びワイヤ４，端子３，アノード端子５を介して
外部に取り出されるようになっている。
【００１０】チップ固定用ケーシング１の上面における
段差部には受光素子チップ２と端子３とを覆うようにチ
ップ保護用のキャップケーシング８が配置され、キャッ
プケーシング８は溶融溶接にてチップ固定用ケーシング
１に固定されている。キャップケーシング８の上面中央
部には窓部（貫通口）９が形成され、キャップケーシン
グ８の下面には窓部（貫通口）９を塞ぐように支持プレ
ート１０が接着剤１１にて接着されている。支持プレー
ト１０は透光性樹脂又はガラスよりなり、支持プレート
１０の中央部には導光部材としての光ファイバ１２が貫
通支持されている。つまり、支持プレート１０に穴をあ
けてキャップケーシング８の内部に配置し、所定長さの
光ファイバ１２を接着剤１１で接着後、光ファイバ１２
の上端である光入射側端面がキャップハウジング８の上
面と面一となるように研磨されている。又、光ファイバ
１２は受光素子チップ２の受光面２ａと直交するように
垂下され、かつ、光ファイバ１２の下端面は受光素子チ
ップ２の受光面２ａと僅かに離間した状態で対向配置さ
れている。
段差部には受光素子チップ２と端子３とを覆うようにチ
ップ保護用のキャップケーシング８が配置され、キャッ
プケーシング８は溶融溶接にてチップ固定用ケーシング
１に固定されている。キャップケーシング８の上面中央
部には窓部（貫通口）９が形成され、キャップケーシン
グ８の下面には窓部（貫通口）９を塞ぐように支持プレ
ート１０が接着剤１１にて接着されている。支持プレー
ト１０は透光性樹脂又はガラスよりなり、支持プレート
１０の中央部には導光部材としての光ファイバ１２が貫
通支持されている。つまり、支持プレート１０に穴をあ
けてキャップケーシング８の内部に配置し、所定長さの
光ファイバ１２を接着剤１１で接着後、光ファイバ１２
の上端である光入射側端面がキャップハウジング８の上
面と面一となるように研磨されている。又、光ファイバ
１２は受光素子チップ２の受光面２ａと直交するように
垂下され、かつ、光ファイバ１２の下端面は受光素子チ
ップ２の受光面２ａと僅かに離間した状態で対向配置さ
れている。
【００１１】キャップケーシング８の上面には固定部材
１３が溶融溶接にて固定され、固定部材１３には上面に
開口する凹部１４が形成され、さらに、その凹部１４の
底面には光ファイバ１２よりも径の大きな貫通孔１５が
形成されている。
１３が溶融溶接にて固定され、固定部材１３には上面に
開口する凹部１４が形成され、さらに、その凹部１４の
底面には光ファイバ１２よりも径の大きな貫通孔１５が
形成されている。
【００１２】この光半導体モジュールに接続される光フ
ァイバ１６においては、その端部に連結部材１７が固定
され、この連結部材１７が固定部材１３の凹部１４内に
密接状態で挿入できるようになっている。この連結状態
において、光ファイバ１６の先端面（下端面）と光ファ
イバ１２の上端面とは、固定部材１３の凹部１４の底部
厚み分、即ち、距離Ｌだけ離間している。
ァイバ１６においては、その端部に連結部材１７が固定
され、この連結部材１７が固定部材１３の凹部１４内に
密接状態で挿入できるようになっている。この連結状態
において、光ファイバ１６の先端面（下端面）と光ファ
イバ１２の上端面とは、固定部材１３の凹部１４の底部
厚み分、即ち、距離Ｌだけ離間している。
【００１３】このとき、光ファイバ１２のコア１２ａの
上面（光入射側端面）の口径をｄ2 とし、光ファイバ１
６のコア１６ａの径をｄ1 とし、光ファイバ１６の開口
数をＮＡとすると、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉ
ｎ-1（ＮＡ）〕なる関係を満たしている。
上面（光入射側端面）の口径をｄ2 とし、光ファイバ１
６のコア１６ａの径をｄ1 とし、光ファイバ１６の開口
数をＮＡとすると、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉ
ｎ-1（ＮＡ）〕なる関係を満たしている。
【００１４】又、チップ固定用ケーシング１とキャップ
ケーシング８に囲われた空間Ｓは、不活性ガスが充填さ
れている。尚、図中、２２は溶融溶接部を示す。
ケーシング８に囲われた空間Ｓは、不活性ガスが充填さ
れている。尚、図中、２２は溶融溶接部を示す。
【００１５】次に、このように構成した光半導体モジュ
ールの作用を説明する。光半導体モジュールに光ファイ
バ１６を接続した状態において、光ファイバ１６のコア
１６ａを通過してきた光は、光ファイバ１６の光出射端
面（下端面）から開口数ＮＡの角度で広がり出射され
る。この光は、光ファイバ１２の上端面（光入射側端
面）に入射する。
ールの作用を説明する。光半導体モジュールに光ファイ
バ１６を接続した状態において、光ファイバ１６のコア
１６ａを通過してきた光は、光ファイバ１６の光出射端
面（下端面）から開口数ＮＡの角度で広がり出射され
る。この光は、光ファイバ１２の上端面（光入射側端
面）に入射する。
【００１６】この光ファイバ１６から光ファイバ１２へ
の光伝達の際、広がりをもつ光ファイバ１６の出射光よ
り大きい径の光ファイバ１２がケーシング１，８内に組
み込まれていることにより、光ファイバ１６と光ファイ
バ１２との間で位置ずれが発生した場合でも、光結合損
失が増加しない。つまり、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ
〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕が満たされていることにより、光
ファイバ１６の下端面（光出射端面）と光ファイバ１２
の上端面（光入射側端面）の間で、受光面の光軸と垂直
方向に位置ずれが生じても、位置ずれ量が、ｄ2 −ｄ1
−２ｌｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕の範囲内であれば光
結合損失は増加しない。
の光伝達の際、広がりをもつ光ファイバ１６の出射光よ
り大きい径の光ファイバ１２がケーシング１，８内に組
み込まれていることにより、光ファイバ１６と光ファイ
バ１２との間で位置ずれが発生した場合でも、光結合損
失が増加しない。つまり、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ
〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕が満たされていることにより、光
ファイバ１６の下端面（光出射端面）と光ファイバ１２
の上端面（光入射側端面）の間で、受光面の光軸と垂直
方向に位置ずれが生じても、位置ずれ量が、ｄ2 −ｄ1
−２ｌｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕の範囲内であれば光
結合損失は増加しない。
【００１７】そして、光は、光ファイバ１２のコア１２
ａ内を通過して光ファイバ１２の下端面から受光素子チ
ップ２の受光面２ａに向けて入射される。さらに、受光
素子チップ２により光が電気信号に変換され、アノード
端子５，カソード端子６から出力される。
ａ内を通過して光ファイバ１２の下端面から受光素子チ
ップ２の受光面２ａに向けて入射される。さらに、受光
素子チップ２により光が電気信号に変換され、アノード
端子５，カソード端子６から出力される。
【００１８】このように本実施例では、受光素子チップ
２をケーシング１，８内に収納し、このケーシング８
に、光ファイバ１６からの光をケーシング１，８内に導
入するための窓部９を形成し、ケーシング１，８内にお
いて窓部９から受光素子チップ２の近接位置まで光ファ
イバ１２（導光部材）を延設し、光ファイバ１６のコア
径をｄ1 、光ファイバ１２のコア１２ａの光入射側端面
径をｄ2 、光ファイバ１６の光出射側端面と光ファイバ
１２のコア１２ａの光入射側端面との距離をＬ、光ファ
イバ１６の開口数をＮＡとしたとき、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・
Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕を満足するようにし
た。よって、ケーシング１，８内において窓部９から受
光素子チップ２の近接位置まで光ファイバ１２を延設す
ることにより、図７に示した光半導体モジュールのよう
に大型化することなく、光ファイバ１６と受光素子チッ
プ２との間の光結合損失を低下させない。又、光ファイ
バ１６と光ファイバ１２との間で位置ずれが発生した場
合でも、位置ずれ量が、ｄ2 −ｄ1 −２・Ｌ・ｔａｎ
〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕以内であれば光結合損失は増加し
ない。このようにして、大型化を招くことなく光結合損
失軽減を図ることができるとともに、光ファイバ１６の
光軸が受光面の中心と位置ずれを生じても光結合損失を
増加させなくすることができることとなる。
２をケーシング１，８内に収納し、このケーシング８
に、光ファイバ１６からの光をケーシング１，８内に導
入するための窓部９を形成し、ケーシング１，８内にお
いて窓部９から受光素子チップ２の近接位置まで光ファ
イバ１２（導光部材）を延設し、光ファイバ１６のコア
径をｄ1 、光ファイバ１２のコア１２ａの光入射側端面
径をｄ2 、光ファイバ１６の光出射側端面と光ファイバ
１２のコア１２ａの光入射側端面との距離をＬ、光ファ
イバ１６の開口数をＮＡとしたとき、ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・
Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕を満足するようにし
た。よって、ケーシング１，８内において窓部９から受
光素子チップ２の近接位置まで光ファイバ１２を延設す
ることにより、図７に示した光半導体モジュールのよう
に大型化することなく、光ファイバ１６と受光素子チッ
プ２との間の光結合損失を低下させない。又、光ファイ
バ１６と光ファイバ１２との間で位置ずれが発生した場
合でも、位置ずれ量が、ｄ2 −ｄ1 −２・Ｌ・ｔａｎ
〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕以内であれば光結合損失は増加し
ない。このようにして、大型化を招くことなく光結合損
失軽減を図ることができるとともに、光ファイバ１６の
光軸が受光面の中心と位置ずれを生じても光結合損失を
増加させなくすることができることとなる。
【００１９】又、導光部材として光ファイバ１２を用い
ることにより、光は光ファイバ１２のコア１２ａ内を通
過するため光ファイバ１２での光損失は無視できる。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば、図２に示すように、導光部材としてテーパ付光
ファイバ１８を用いてもよい。この図では、テーパ付光
ファイバ１８における光ファイバ１６の光出射端面に対
向する面（上端面）の方が、下端面よりも径が大きくな
っている。尚、図２中、１８ａは光ファイバ１８のコア
を示す。
ることにより、光は光ファイバ１２のコア１２ａ内を通
過するため光ファイバ１２での光損失は無視できる。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば、図２に示すように、導光部材としてテーパ付光
ファイバ１８を用いてもよい。この図では、テーパ付光
ファイバ１８における光ファイバ１６の光出射端面に対
向する面（上端面）の方が、下端面よりも径が大きくな
っている。尚、図２中、１８ａは光ファイバ１８のコア
を示す。
【００２０】さらに、図３に示すように、導光部材とし
てロッドレンズ１９を用いてもよい。さらには、図４に
示すように、導光部材２３と受光素子チップ２の受光面
２ａとの間に光学接着剤２０を充填してもよい。この場
合、光学接着剤２０を用いることにより、導光部材２３
を補強できる。導光部材２３は光ファイバ１２であって
もテーパ付光ファイバ１８であってもロッドレンズ１９
であってもかまわない。
てロッドレンズ１９を用いてもよい。さらには、図４に
示すように、導光部材２３と受光素子チップ２の受光面
２ａとの間に光学接着剤２０を充填してもよい。この場
合、光学接着剤２０を用いることにより、導光部材２３
を補強できる。導光部材２３は光ファイバ１２であって
もテーパ付光ファイバ１８であってもロッドレンズ１９
であってもかまわない。
【００２１】又、図１においては光ファイバ１６の先端
面と光ファイバ１２の上端面とは固定部材１３の凹部１
４の底部厚み分だけ離間している構造としたが、図５に
示すように、固定部材１３に貫通孔２１を形成して光フ
ァイバ１６の先端面と光ファイバ１２の上端面とをさら
に接近させてもよい。
面と光ファイバ１２の上端面とは固定部材１３の凹部１
４の底部厚み分だけ離間している構造としたが、図５に
示すように、固定部材１３に貫通孔２１を形成して光フ
ァイバ１６の先端面と光ファイバ１２の上端面とをさら
に接近させてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
大型化を招くことなく光結合損失軽減を図ることができ
るとともに、光ファイバの光軸が受光面の中心と位置ず
れを生じても光結合損失を増加させない優れた効果を発
揮する。
大型化を招くことなく光結合損失軽減を図ることができ
るとともに、光ファイバの光軸が受光面の中心と位置ず
れを生じても光結合損失を増加させない優れた効果を発
揮する。
【図１】実施例の光半導体モジュールの断面図である。
【図２】別例の光半導体モジュールの断面図である。
【図３】他の別例の光半導体モジュールの断面図であ
る。
る。
【図４】他の別例の光半導体モジュールの断面図であ
る。
る。
【図５】他の別例の光半導体モジュールの断面図であ
る。
る。
【図６】従来技術を説明するための光半導体モジュール
の断面図である。
の断面図である。
【図７】従来技術を説明するための光半導体モジュール
の断面図である。
の断面図である。
１ チップ固定用ケーシング ２ 受光素子チップ ８ キャップケーシング ９ 窓部 １２ 導光部材としての光ファイバ １２ａ 光ファイバのコア １６ 光ファイバ
Claims (1)
- 【請求項１】 光を電気信号に変換する受光素子チップ
を収納したケーシングと、 前記ケーシングに形成され、光ファイバからの光をケー
シング内に導入するための窓部と、 前記ケーシング内において前記窓部から前記受光素子チ
ップの近接位置まで延設され、前記光ファイバからの光
を前記受光素子チップに導くための導光部材とを備え、 前記光ファイバのコア径をｄ1 、前記導光部材の光入射
側端面径をｄ2 、前記光ファイバの光出射側端面と前記
導光部材の光入射側端面との距離をＬ、前記光ファイバ
の開口数をＮＡとしたとき、 ｄ2 ＞ｄ1 ＋２・Ｌ・ｔａｎ〔ｓｉｎ-1（ＮＡ）〕 を満足するようにしたことを特徴とする光半導体モジュ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293301A JPH05134149A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 光半導体モジユール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293301A JPH05134149A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 光半導体モジユール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134149A true JPH05134149A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17793061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293301A Pending JPH05134149A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 光半導体モジユール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05134149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764532B1 (ko) * | 1998-08-28 | 2007-10-09 | 아벤티스 파마슈티칼스 인크. | Ｒ(+)-α-(2,3-디메톡시페닐)-1-[2-(4-플루오로페닐)에틸]-4-피페리딘메탄올의 수면 장애 치료용 약제학적 조성물 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3293301A patent/JPH05134149A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764532B1 (ko) * | 1998-08-28 | 2007-10-09 | 아벤티스 파마슈티칼스 인크. | Ｒ(+)-α-(2,3-디메톡시페닐)-1-[2-(4-플루오로페닐)에틸]-4-피페리딘메탄올의 수면 장애 치료용 약제학적 조성물 |
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