JPH05134388A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH05134388A JPH05134388A JP32385291A JP32385291A JPH05134388A JP H05134388 A JPH05134388 A JP H05134388A JP 32385291 A JP32385291 A JP 32385291A JP 32385291 A JP32385291 A JP 32385291A JP H05134388 A JPH05134388 A JP H05134388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- film
- shielding pattern
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、ハレーション効果を低減ないし
は解消して、高精度なパターン形成が行えるようにした
露光方法を提供することを目的とする。 【構成】 表面に段差がある被処理膜４上に一様な厚さ
を有するレジスト膜５を形成し、該レジスト膜５に所定
の正規遮光パターン７を有するフォトマスクを被せて露
光する露光方法において、正規遮光パターン７の近傍の
上記段差に対応する位置に正規遮光パターン７に連続す
る補助遮光パターン８をつけ加えたフォトマスク６を用
いる構成とする。
は解消して、高精度なパターン形成が行えるようにした
露光方法を提供することを目的とする。 【構成】 表面に段差がある被処理膜４上に一様な厚さ
を有するレジスト膜５を形成し、該レジスト膜５に所定
の正規遮光パターン７を有するフォトマスクを被せて露
光する露光方法において、正規遮光パターン７の近傍の
上記段差に対応する位置に正規遮光パターン７に連続す
る補助遮光パターン８をつけ加えたフォトマスク６を用
いる構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の製造工程中のフォトリソグラフィー工程に適用される
露光方法に係り、特にレジスト膜のパターンを正確に形
成できるようにした露光方法に関する。
の製造工程中のフォトリソグラフィー工程に適用される
露光方法に係り、特にレジスト膜のパターンを正確に形
成できるようにした露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体集積回路の製造工程におい
ては、図３（ａ）に示すように、半導体基板１０１の表
面に順に第一層配線１０２、絶縁膜１０３、アルミニウ
ム（Ａ１）膜１０４を層状に重ねて形成し、このアルミ
ニウム膜１０４をフォトリソグラフィー工程において所
定のパターンを有する第２層配線に形成する。
ては、図３（ａ）に示すように、半導体基板１０１の表
面に順に第一層配線１０２、絶縁膜１０３、アルミニウ
ム（Ａ１）膜１０４を層状に重ねて形成し、このアルミ
ニウム膜１０４をフォトリソグラフィー工程において所
定のパターンを有する第２層配線に形成する。
【０００３】フォトリソグラフィー工程では、アルミニ
ウム膜１０４の上にほぼ一様な厚さにレジスト膜５を塗
布し、所定の正規遮光パターン１０７を有するフォトマ
スク１０６を被せて露光し、フォトマスク１０６の透光
部を透過した光線でレジスト膜１０５の一部分を光分解
させ、この光分解したレジスト膜１０５の一部分を現像
液で溶解して除去する。
ウム膜１０４の上にほぼ一様な厚さにレジスト膜５を塗
布し、所定の正規遮光パターン１０７を有するフォトマ
スク１０６を被せて露光し、フォトマスク１０６の透光
部を透過した光線でレジスト膜１０５の一部分を光分解
させ、この光分解したレジスト膜１０５の一部分を現像
液で溶解して除去する。
【０００４】この後、エッチング工程でアルミニウム膜
１０４の露出した部分をエッチングして除去することに
より、所定のパターン、すなわち、正規パターンを有す
る第２層配線が形成される。第２層配線の上に残ってい
るレジスト膜１０５はこの後除去される。
１０４の露出した部分をエッチングして除去することに
より、所定のパターン、すなわち、正規パターンを有す
る第２層配線が形成される。第２層配線の上に残ってい
るレジスト膜１０５はこの後除去される。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】アルミニウム膜１０４
の表面には例えばその下側に形成される第一層配線１０
２の有る部分と無い部分とで段差が生じ、その段差の間
でアルミニウム膜１０４の表面に傾斜面１０４ａが形成
される。
の表面には例えばその下側に形成される第一層配線１０
２の有る部分と無い部分とで段差が生じ、その段差の間
でアルミニウム膜１０４の表面に傾斜面１０４ａが形成
される。
【０００６】このような傾斜面に１０４ａに露光光ｉが
入射すると、その反射光ｒがフォトマスク１０６によっ
て遮光されるべきレジスト膜１０５の正規パターン部分
１０５ａに反射し、正規パターン部分１０５ａの一部分
が光分解されて、正規パターン部分１０５ａの線幅の細
りもしくは消失が発生する（図３（ｂ）参照）。
入射すると、その反射光ｒがフォトマスク１０６によっ
て遮光されるべきレジスト膜１０５の正規パターン部分
１０５ａに反射し、正規パターン部分１０５ａの一部分
が光分解されて、正規パターン部分１０５ａの線幅の細
りもしくは消失が発生する（図３（ｂ）参照）。
【０００７】このような現象はハレーション効果と呼ば
れ、このハレーション効果により正規パターン部分１０
５ａに細りや消失が発生した場合、後のエッチング工程
で正規パターンの一部分がエッチングされて、第２層配
線の細りや断線が発生して不良となる。特に、ドライエ
ッチングによってアルミニウム膜１０４をエッチングす
る場合には、エレクトロマイグレーションやストレスマ
イグレーションによりＡ１配線が断線しやすくなる。
れ、このハレーション効果により正規パターン部分１０
５ａに細りや消失が発生した場合、後のエッチング工程
で正規パターンの一部分がエッチングされて、第２層配
線の細りや断線が発生して不良となる。特に、ドライエ
ッチングによってアルミニウム膜１０４をエッチングす
る場合には、エレクトロマイグレーションやストレスマ
イグレーションによりＡ１配線が断線しやすくなる。
【０００８】また高集積化、高密度化の進展とともにフ
ォトリソグラフィー工程においてはサブミクロンレベル
のレジストパターン形成技術が要求されている。この要
求のためには露光光ｉの短波長化が最も有効で、水銀灯
のｇ線（波長４３６ｎｍ）からｉ線（波長３６５ｎｍ）
に、あるいはフッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレー
ザー光（波長２４８ｎｍ）に変更されつつある。
ォトリソグラフィー工程においてはサブミクロンレベル
のレジストパターン形成技術が要求されている。この要
求のためには露光光ｉの短波長化が最も有効で、水銀灯
のｇ線（波長４３６ｎｍ）からｉ線（波長３６５ｎｍ）
に、あるいはフッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレー
ザー光（波長２４８ｎｍ）に変更されつつある。
【０００９】また、短波長化された露光光に対する解像
度を十分に確保するためレジスト材料の露光光に対する
光学的透明度を高めることが必要となり、レジスト材料
による光の吸収がほとんどなくなる。
度を十分に確保するためレジスト材料の露光光に対する
光学的透明度を高めることが必要となり、レジスト材料
による光の吸収がほとんどなくなる。
【００１０】したがって、この短波長化にはレジスト材
料の高透明度化を伴うため、アルミニウム（Ａｌ）、タ
ングステンシリサイド（ＷＳｉ2）、ポリシリコン（ｐ
ｏｌｉ−Ｓｉ）等の被処理膜の表面の段差によるハーレ
ション効果をさらに助長することになる。今後このよう
にハレーション効果を防止する対策が重要になってく
る。
料の高透明度化を伴うため、アルミニウム（Ａｌ）、タ
ングステンシリサイド（ＷＳｉ2）、ポリシリコン（ｐ
ｏｌｉ−Ｓｉ）等の被処理膜の表面の段差によるハーレ
ション効果をさらに助長することになる。今後このよう
にハレーション効果を防止する対策が重要になってく
る。
【００１１】本発明は、ハレーション効果を低減ないし
は解消して、高精度なパターン形成を安定良く行えるよ
うにした露光方法を提供することを目的とする。
は解消して、高精度なパターン形成を安定良く行えるよ
うにした露光方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の露光方法は、表
面に段差がある被処理膜上に一様な厚さを有するレジス
ト膜を形成し、該感光膜に所定の正規遮光パターンを有
するフォトマスクを被せて露光する露光方法において、
正規遮光パターンの近傍の上記段差に対応する位置に正
規遮光パターンに連続する補助遮光パターンをつけ加え
たフォトマスクを用いることを特徴とする。
面に段差がある被処理膜上に一様な厚さを有するレジス
ト膜を形成し、該感光膜に所定の正規遮光パターンを有
するフォトマスクを被せて露光する露光方法において、
正規遮光パターンの近傍の上記段差に対応する位置に正
規遮光パターンに連続する補助遮光パターンをつけ加え
たフォトマスクを用いることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明によれば、正規遮光パターンに連続する
補助遮光パターンによって被処理膜の表面の段差がある
部分に入射しようとする露光光が遮断され、その段差が
有る部分でのハレーション効果が減少ないし解消され
る。
補助遮光パターンによって被処理膜の表面の段差がある
部分に入射しようとする露光光が遮断され、その段差が
有る部分でのハレーション効果が減少ないし解消され
る。
【００１４】
【実施例】本発明の一実施例に係る露光方法を図１に基
づき説明すれば、以下の通りである。
づき説明すれば、以下の通りである。
【００１５】図１（ａ）において、１は半導体基板、２
は第１層配線、３は絶縁層、４は被処理膜としてのアル
ミニウム層、５はレジスト層をそれぞれ示し、これらを
形成する方法は従来と同様である。
は第１層配線、３は絶縁層、４は被処理膜としてのアル
ミニウム層、５はレジスト層をそれぞれ示し、これらを
形成する方法は従来と同様である。
【００１６】フォトリソグラフィー工程の露光において
使用されるフォトマスク６には所定の線幅に対応する正
規パターン７が形成され、正規パターン７で遮光される
レジスト層５の正規パターン部分５ａがアルミニウム層
４の傾斜面４ａに接近する部分では、図１（ａ）及び図
１（ｂ）に示すように、フォトマスク６にその正規パタ
ーン７に連続して傾斜面４ａを覆う補助パターン８が設
けられる。
使用されるフォトマスク６には所定の線幅に対応する正
規パターン７が形成され、正規パターン７で遮光される
レジスト層５の正規パターン部分５ａがアルミニウム層
４の傾斜面４ａに接近する部分では、図１（ａ）及び図
１（ｂ）に示すように、フォトマスク６にその正規パタ
ーン７に連続して傾斜面４ａを覆う補助パターン８が設
けられる。
【００１７】このフォトマスク６をレジスト層５の上に
被せて露光光を照射すると、傾斜面４ａに入射しようと
する露光光は補助パターン８に遮断される。これによ
り、露光光が傾斜面４ａに入射し、レジスト層５の正規
パターン部分５ａに反射するハレーションが起こること
が防止され、ハレーション効果によってレジスト層５の
正規パターン部分５ａが光分解されるおそれがなくな
る。
被せて露光光を照射すると、傾斜面４ａに入射しようと
する露光光は補助パターン８に遮断される。これによ
り、露光光が傾斜面４ａに入射し、レジスト層５の正規
パターン部分５ａに反射するハレーションが起こること
が防止され、ハレーション効果によってレジスト層５の
正規パターン部分５ａが光分解されるおそれがなくな
る。
【００１８】その結果、ハレーション効果による正規パ
ターン部分５ａの線幅細りや消失を確実に防止でき、こ
の後のエッチング工程で第２層配線の線幅細りや消失が
発生することを確実に防止できる。
ターン部分５ａの線幅細りや消失を確実に防止でき、こ
の後のエッチング工程で第２層配線の線幅細りや消失が
発生することを確実に防止できる。
【００１９】なお、補助パターン８の幅は、傾斜面４ａ
から正規パターン部分５ａまで距離、アルミニウム層４
の表面反射率、入射光量等を考慮して決定され、パター
ン設計の段階で例えばコンピュータを用いて演算するこ
とができる。
から正規パターン部分５ａまで距離、アルミニウム層４
の表面反射率、入射光量等を考慮して決定され、パター
ン設計の段階で例えばコンピュータを用いて演算するこ
とができる。
【００２０】図２は、この発明の他の実施例を示す断面
模式図であり、上記のように表面反射率、入射光量等の
諸条件を考慮して適宜補助パターン８の幅を選択すれば
良い。
模式図であり、上記のように表面反射率、入射光量等の
諸条件を考慮して適宜補助パターン８の幅を選択すれば
良い。
【００２１】また、露光光の反射によってレジスト層５
の正規パターン部分５ａの線幅が片側だけ細る場合に
は、正規パターン７の片側にだけ補助パターン８を設け
ればよい。
の正規パターン部分５ａの線幅が片側だけ細る場合に
は、正規パターン７の片側にだけ補助パターン８を設け
ればよい。
【００２２】
【発明の効果】以上のよう、本発明によれば、被処理膜
の段差がある部分への露光光の入射が補助パターンによ
って遮断されるので、ハレーション効果によるレジスト
パターンの線幅細り、断線及びレジストパターンの細
り、断線に基づく被処理膜の過剰エッチングによる線幅
細りや断線等の不良が発生することを防止できる。
の段差がある部分への露光光の入射が補助パターンによ
って遮断されるので、ハレーション効果によるレジスト
パターンの線幅細り、断線及びレジストパターンの細
り、断線に基づく被処理膜の過剰エッチングによる線幅
細りや断線等の不良が発生することを防止できる。
【００２３】しかも、本発明によれば、フォトマスクの
遮光パターンの形状を変えるだけで良いので、容易に、
かつ、安価に実施できる。
遮光パターンの形状を変えるだけで良いので、容易に、
かつ、安価に実施できる。
【図１】本発明の露光方法の説明図である。
【図２】本発明の他の実施例の説明図である。
【図３】従来の露光方法及びその問題点の説明図であ
る。
る。
４ アルミニウム膜 ５ レジスト層 ６ フォトマスク ７ 正規遮光パターン ８ 補助遮光パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に段差がある被処理膜上に一様な厚
さを有するレジスト膜を形成し、該感光膜に所定の正規
遮光パターンを有するフォトマスクを被せて露光する露
光方法において、正規遮光パターンの近傍の上記段差に
対応する位置に正規遮光パターンに連続する補助遮光パ
ターンをつけ加えたフォトマスクを用いることを特徴と
する露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32385291A JPH05134388A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32385291A JPH05134388A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134388A true JPH05134388A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=18159304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32385291A Pending JPH05134388A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05134388A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19508746A1 (de) * | 1994-03-11 | 1995-11-02 | Hyundai Electronics Ind | Belichtungsmaske |
| CN112711173A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-27 | 苏州科阳半导体有限公司 | 一种光罩 |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP32385291A patent/JPH05134388A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19508746A1 (de) * | 1994-03-11 | 1995-11-02 | Hyundai Electronics Ind | Belichtungsmaske |
| DE19508746B4 (de) * | 1994-03-11 | 2004-04-22 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon | Belichtungsmaske |
| CN112711173A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-27 | 苏州科阳半导体有限公司 | 一种光罩 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5780187A (en) | Repair of reflective photomask used in semiconductor process | |
| US6265121B1 (en) | Method of optical proximity correction | |
| KR100675782B1 (ko) | 비 흡수 레티클 및 이를 제조하는 방법 | |
| JP3177948B2 (ja) | 露光用フォトマスク | |
| JPH05134388A (ja) | 露光方法 | |
| JPH1041302A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US4581316A (en) | Method of forming resist patterns in negative photoresist layer using false pattern | |
| CN1354494A (zh) | 可降低邻近效应的光刻制作方法 | |
| JPH05217834A (ja) | マスク上のｌｓｉチップレイアウト方法 | |
| JP2697746B2 (ja) | 投影露光装置用光学マスク | |
| JPH04239116A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0594945A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3108172B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR100190086B1 (ko) | 반도체 장치의 패턴 형성방법 | |
| JPS61181129A (ja) | 露光方法 | |
| KR100853461B1 (ko) | 아르곤플로라이드 광원을 이용한 반도체 소자의 패턴형성방법 | |
| JPH08181059A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04144230A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4522040B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2626234B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0123241B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 | |
| JPH08148403A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10294259A (ja) | レジスト露光方法、基体加工方法及びレジスト現像シミュレーション方法 | |
| JP2000330258A (ja) | 光学的近接修正方法 | |
| KR100329605B1 (ko) | 반도체소자의금속배선제조방법 |