JPH0513472A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0513472A JPH0513472A JP15824091A JP15824091A JPH0513472A JP H0513472 A JPH0513472 A JP H0513472A JP 15824091 A JP15824091 A JP 15824091A JP 15824091 A JP15824091 A JP 15824091A JP H0513472 A JPH0513472 A JP H0513472A
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- JP
- Japan
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- gas
- opening
- closing lid
- vapor phase
- phase growth
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相成長装置に関し、エピタキシャル成長後
の基板を反応管より出す際に人体の方向に反応管内に残
留している有毒ガスが流れないようにした装置の提供を
目的とする。 【構成】 気相成長装置の反応管３の一端部に設けら
れ、成長用基板１を出し入れするための開閉蓋５を囲む
容器11と、該開閉蓋５の開放時に該開閉蓋５の近傍にガ
スが流出するようなガス流出手段12と、該ガスを前記開
閉蓋５を囲む容器11の外部へ排出する排気手段15,32
と、前記開閉蓋５に前記ガス流出手段12よりガスが流出
していない時は、前記開閉蓋５が開放不可能となるよう
な安全機構21を具備して構成する。
の基板を反応管より出す際に人体の方向に反応管内に残
留している有毒ガスが流れないようにした装置の提供を
目的とする。 【構成】 気相成長装置の反応管３の一端部に設けら
れ、成長用基板１を出し入れするための開閉蓋５を囲む
容器11と、該開閉蓋５の開放時に該開閉蓋５の近傍にガ
スが流出するようなガス流出手段12と、該ガスを前記開
閉蓋５を囲む容器11の外部へ排出する排気手段15,32
と、前記開閉蓋５に前記ガス流出手段12よりガスが流出
していない時は、前記開閉蓋５が開放不可能となるよう
な安全機構21を具備して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置に係り、特
に気相成長後の基板の取り出し時に、有害ガスを人体に
吸い込まないようにした気相成長装置に関する。
に気相成長後の基板の取り出し時に、有害ガスを人体に
吸い込まないようにした気相成長装置に関する。
【０００２】赤外線検知装置の形成材料として水銀・カ
ドミウム・テルル（HgCdTe）のような化合物半導体結晶
が用いられており、この結晶を得るためにＭＯＣＶＤ(M
etalOrganic Chemical Vapor Deposition;有機金属気相
成長方法) が用いられている。
ドミウム・テルル（HgCdTe）のような化合物半導体結晶
が用いられており、この結晶を得るためにＭＯＣＶＤ(M
etalOrganic Chemical Vapor Deposition;有機金属気相
成長方法) が用いられている。
【０００３】
【従来の技術】従来の気相成長装置の構造について述べ
ると図３に示すように、カドミウムテル（CdTe）のよう
な、例えばエピタキシャル成長用の基板１を載置したカ
ーボンより成る基板加熱台２を収容する石英製の反応管
３と、該反応管３を気密に封止し、排気管４を備えたス
テンレス製の開閉蓋５とより成っている。
ると図３に示すように、カドミウムテル（CdTe）のよう
な、例えばエピタキシャル成長用の基板１を載置したカ
ーボンより成る基板加熱台２を収容する石英製の反応管
３と、該反応管３を気密に封止し、排気管４を備えたス
テンレス製の開閉蓋５とより成っている。
【０００４】そして前記開閉蓋５を開放にしてエピタキ
シャル成長用の基板１を、反応管３内に挿入した後、排
気管４に連なる排気ポンプ（図示せず）で反応管３内を
排気した後、ガス導入管６より、水銀ガス、ジメチルカ
ドミウムガス、ジエチルテルルガスの混合ガスより成る
エピタキシャル成長用ガスを導入し、反応管３の周囲に
設けた高周波誘導コイル７に通電して、基板加熱台２を
加熱することで、エピタキシャル成長用の基板１を加熱
し、該反応管３に導入されたエピタキシャル成長用ガス
を加熱分解して基板上にHgCdTeのエピタキシャル結晶を
成長している。
シャル成長用の基板１を、反応管３内に挿入した後、排
気管４に連なる排気ポンプ（図示せず）で反応管３内を
排気した後、ガス導入管６より、水銀ガス、ジメチルカ
ドミウムガス、ジエチルテルルガスの混合ガスより成る
エピタキシャル成長用ガスを導入し、反応管３の周囲に
設けた高周波誘導コイル７に通電して、基板加熱台２を
加熱することで、エピタキシャル成長用の基板１を加熱
し、該反応管３に導入されたエピタキシャル成長用ガス
を加熱分解して基板上にHgCdTeのエピタキシャル結晶を
成長している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようにHgCdTe結晶
を成長したエピタキシャル成長用の基板１を、反応管３
より取り出す場合、該反応管３内に窒素ガスを導入し
て、前記反応管内に滞留しているエピタキシャル成長後
の残留ガスを排気管４より除去した後、開閉蓋５を開放
してエピタキシャル成長用の基板を取り出している。
を成長したエピタキシャル成長用の基板１を、反応管３
より取り出す場合、該反応管３内に窒素ガスを導入し
て、前記反応管内に滞留しているエピタキシャル成長後
の残留ガスを排気管４より除去した後、開閉蓋５を開放
してエピタキシャル成長用の基板を取り出している。
【０００６】然し、このように窒素ガス等で反応容器内
の残留ガスを追い出して除去したつもりでも、前記開閉
蓋を開放にした場合、人体の方向へ前記水銀ガスのよう
な有毒ガスを含む残留ガスが流れ込む場合があり危険で
ある。
の残留ガスを追い出して除去したつもりでも、前記開閉
蓋を開放にした場合、人体の方向へ前記水銀ガスのよう
な有毒ガスを含む残留ガスが流れ込む場合があり危険で
ある。
【０００７】そのため、従来は防毒マスク等を着用して
エピタキシャル成長後の基板を取り出していたが、この
ようにすると作業性が悪く、作業能率が低下する問題が
ある。
エピタキシャル成長後の基板を取り出していたが、この
ようにすると作業性が悪く、作業能率が低下する問題が
ある。
【０００８】このような問題点を解決するため、特開昭
61-288415 号に於いて、反応管の開放端部に環状の空洞
部を設け、前記開放端部を開放にした際に、その空洞部
に窒素ガス等の不活性ガスが流れるようにして、該反応
管内に大気が流れ込まないようにして気相成長後の基板
の酸化を防止する減圧ＣＶＤ装置が開示されているが、
本願が提案しようとしている構成と、その構成を異にし
ている。
61-288415 号に於いて、反応管の開放端部に環状の空洞
部を設け、前記開放端部を開放にした際に、その空洞部
に窒素ガス等の不活性ガスが流れるようにして、該反応
管内に大気が流れ込まないようにして気相成長後の基板
の酸化を防止する減圧ＣＶＤ装置が開示されているが、
本願が提案しようとしている構成と、その構成を異にし
ている。
【０００９】本発明は上記した問題点を解決し、エピタ
キシャル成長後の基板を取り出す場合、人体の方向へ有
毒な残留ガスが流れ込まないようにした気相成長装置の
提供を目的とする。
キシャル成長後の基板を取り出す場合、人体の方向へ有
毒な残留ガスが流れ込まないようにした気相成長装置の
提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置
は、気相成長装置の反応管の一端部に設けられ、成長用
基板を出し入れするための開閉蓋を囲む容器と、該開閉
蓋の開放時に該開閉蓋の近傍にガスが流出するようなガ
ス流出手段と、該ガスを前記開閉蓋を囲む容器の外部へ
排出する排気手段と、前記開閉蓋に前記ガス流出手段よ
りガスが流出していない時は、前記開閉蓋が開放不可能
となるような安全機構を具備したことを特徴とするもの
である。
は、気相成長装置の反応管の一端部に設けられ、成長用
基板を出し入れするための開閉蓋を囲む容器と、該開閉
蓋の開放時に該開閉蓋の近傍にガスが流出するようなガ
ス流出手段と、該ガスを前記開閉蓋を囲む容器の外部へ
排出する排気手段と、前記開閉蓋に前記ガス流出手段よ
りガスが流出していない時は、前記開閉蓋が開放不可能
となるような安全機構を具備したことを特徴とするもの
である。
【００１１】また前記安全機構が、ピストンを内部に設
けたエアシリンダを途中に配置し、ガス流出手段からの
ガスを分岐して流す分岐配管と、前記ピストンに接続
し、一端部に気相成長装置の開閉蓋を抑える鍵状部を備
え、支点により上下駆動が可能な上下駆動棒とより成
り、前記ガス流出手段からのガスが前記開閉蓋近傍に流
れる時には、前記配管内にガス流出手段からのガスが流
入して前記ピストンを押し下げ、該ピストンに連なる上
下駆動棒の一端部の鍵状部を開閉蓋より外して該開閉蓋
の開放が可能と成るようにし、前記ガス流出手段からの
ガスが前記開閉蓋近傍に流れない時には、前記支点によ
り上下駆動棒が下部に移動して該駆動棒の一端の鍵状部
で前記開閉蓋を抑え、該開閉蓋の開放が不可能となるよ
うにしたことを特徴とするものである。
けたエアシリンダを途中に配置し、ガス流出手段からの
ガスを分岐して流す分岐配管と、前記ピストンに接続
し、一端部に気相成長装置の開閉蓋を抑える鍵状部を備
え、支点により上下駆動が可能な上下駆動棒とより成
り、前記ガス流出手段からのガスが前記開閉蓋近傍に流
れる時には、前記配管内にガス流出手段からのガスが流
入して前記ピストンを押し下げ、該ピストンに連なる上
下駆動棒の一端部の鍵状部を開閉蓋より外して該開閉蓋
の開放が可能と成るようにし、前記ガス流出手段からの
ガスが前記開閉蓋近傍に流れない時には、前記支点によ
り上下駆動棒が下部に移動して該駆動棒の一端の鍵状部
で前記開閉蓋を抑え、該開閉蓋の開放が不可能となるよ
うにしたことを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】本発明の気相成長装置は、エアカーテンとなる
ガスを放出するガス流出手段に流れるガスが、分岐して
流れるような分岐配管を別途に設け、この分岐配管の途
中にピストンを内蔵したエアシリンダを配置し、前記ピ
ストンに接続し、一端部に気相成長装置の開閉蓋を抑え
る鍵状部を備え、支点によって上下駆動が可能な上下駆
動棒を設ける。
ガスを放出するガス流出手段に流れるガスが、分岐して
流れるような分岐配管を別途に設け、この分岐配管の途
中にピストンを内蔵したエアシリンダを配置し、前記ピ
ストンに接続し、一端部に気相成長装置の開閉蓋を抑え
る鍵状部を備え、支点によって上下駆動が可能な上下駆
動棒を設ける。
【００１３】そして前記ガス流出手段からのガスが前記
開閉蓋近傍に流れる時には、前記分岐配管内にガス流出
手段からのガスが流入して前記ピストンを押し下げ、前
記鍵状部を開閉蓋より外し、該開閉蓋の開放が可能と成
るようにする。そして前記ガス流出手段からのガスが前
記開閉蓋近傍に流れていない時には、前記分岐配管内に
ガス流出手段からのガスが流入せず、前記ピストンを押
し上げ、支点によって上下駆動棒が下部方向に移動し、
該駆動棒の一端に設けられた鍵状部で開閉蓋を抑え、該
開閉蓋の開放が不可能と成る。
開閉蓋近傍に流れる時には、前記分岐配管内にガス流出
手段からのガスが流入して前記ピストンを押し下げ、前
記鍵状部を開閉蓋より外し、該開閉蓋の開放が可能と成
るようにする。そして前記ガス流出手段からのガスが前
記開閉蓋近傍に流れていない時には、前記分岐配管内に
ガス流出手段からのガスが流入せず、前記ピストンを押
し上げ、支点によって上下駆動棒が下部方向に移動し、
該駆動棒の一端に設けられた鍵状部で開閉蓋を抑え、該
開閉蓋の開放が不可能と成る。
【００１４】このようにして、前記ガス流出手段より開
閉蓋近傍にガスが流れている時にのみ、開閉蓋の開放が
可能となるようにし、エピタキシャル成長用基板を反応
管より取り出す際に、人体の方向に危険な有毒ガスが流
れないようにする。
閉蓋近傍にガスが流れている時にのみ、開閉蓋の開放が
可能となるようにし、エピタキシャル成長用基板を反応
管より取り出す際に、人体の方向に危険な有毒ガスが流
れないようにする。
【００１５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図１に示すように本発明の気相成長装置
は、気相成長装置の反応管３の端部に設けられ、エピタ
キシャル成長用の基板１を出し入れするための開閉蓋５
を囲む容器11と、この容器11内に前記開閉蓋５の開放時
に該開閉蓋５の近傍にガスが流出するようなガス流出手
段12を設ける。
細に説明する。図１に示すように本発明の気相成長装置
は、気相成長装置の反応管３の端部に設けられ、エピタ
キシャル成長用の基板１を出し入れするための開閉蓋５
を囲む容器11と、この容器11内に前記開閉蓋５の開放時
に該開閉蓋５の近傍にガスが流出するようなガス流出手
段12を設ける。
【００１６】このガス流出手段12は大気、または窒素ガ
スのような不活性ガスを流す配管31内に設けられたファ
ン13と、該ガス中の塵埃を除去するためのフィルタ14よ
りなる。また前記ガスを前記開閉蓋５を囲む容器11の外
部へ排出する排気ポンプ32に連なるガス排気管15と、前
記開閉蓋５に前記ガス流出手段12よりガスが流出してい
ない時は、前記開閉蓋５が開放不可能となるような安全
機構21を具備する。
スのような不活性ガスを流す配管31内に設けられたファ
ン13と、該ガス中の塵埃を除去するためのフィルタ14よ
りなる。また前記ガスを前記開閉蓋５を囲む容器11の外
部へ排出する排気ポンプ32に連なるガス排気管15と、前
記開閉蓋５に前記ガス流出手段12よりガスが流出してい
ない時は、前記開閉蓋５が開放不可能となるような安全
機構21を具備する。
【００１７】そして開閉蓋5 の左右への移動が可能なレ
ール28を設ける。上記安全機構21は、上記したガス流出
手段12の配管31に分岐して流れるような分岐配管22を別
途に設け、この分岐配管22の途中にピストン23を内蔵し
たエアシリンダ24を配置し、このピストン23に接続し、
一端部に気相成長装置の開閉蓋5を抑える鍵状部25を備
え、支点26によって上下駆動が可能な上下駆動棒27を設
ける。
ール28を設ける。上記安全機構21は、上記したガス流出
手段12の配管31に分岐して流れるような分岐配管22を別
途に設け、この分岐配管22の途中にピストン23を内蔵し
たエアシリンダ24を配置し、このピストン23に接続し、
一端部に気相成長装置の開閉蓋5を抑える鍵状部25を備
え、支点26によって上下駆動が可能な上下駆動棒27を設
ける。
【００１８】このような気相成長装置の動作について述
べると、図2(b)に示すように、エピタキシャル成長後の
基板１を反応管より取り出す時は、ガス流出手段の配管
に付随しているバルブ( 図示せず) を開放にして前記ガ
ス流出手段からのガスを前記開閉蓋５の近傍に流す。
べると、図2(b)に示すように、エピタキシャル成長後の
基板１を反応管より取り出す時は、ガス流出手段の配管
に付随しているバルブ( 図示せず) を開放にして前記ガ
ス流出手段からのガスを前記開閉蓋５の近傍に流す。
【００１９】このようにガス流出手段からのガスが前記
開閉蓋5 の近傍に流れている時には、分岐配管22内にガ
ス流出手段からのガスが流入して前記エアシリンダ24の
ピストン23を矢印Ａのように押し下げ、支点26によって
上部に矢印Ｂのように移動した上下駆動棒27の一端部の
鍵状部25が開閉蓋5 より外れ、該開閉蓋5 がレール28の
上を滑って矢印Ｃのように移動し、開閉蓋5 の開放が可
能と成る。
開閉蓋5 の近傍に流れている時には、分岐配管22内にガ
ス流出手段からのガスが流入して前記エアシリンダ24の
ピストン23を矢印Ａのように押し下げ、支点26によって
上部に矢印Ｂのように移動した上下駆動棒27の一端部の
鍵状部25が開閉蓋5 より外れ、該開閉蓋5 がレール28の
上を滑って矢印Ｃのように移動し、開閉蓋5 の開放が可
能と成る。
【００２０】また図2(a)に示すように前記ガス流出手段
からのガスが前記開閉蓋5 の近傍に流れていない時に
は、前記分岐配管22内にガス流出手段からのガスが流入
せず、支点26によって矢印Ｄのように、下部方向に移動
した上下駆動棒27が下部に移動して、該上下駆動棒27の
一端の鍵状部25が開閉蓋5 を抑え、この場合は開閉蓋5
の開放が不可能と成る。
からのガスが前記開閉蓋5 の近傍に流れていない時に
は、前記分岐配管22内にガス流出手段からのガスが流入
せず、支点26によって矢印Ｄのように、下部方向に移動
した上下駆動棒27が下部に移動して、該上下駆動棒27の
一端の鍵状部25が開閉蓋5 を抑え、この場合は開閉蓋5
の開放が不可能と成る。
【００２１】このようにして、前記ガス流出手段より開
閉蓋５近傍にガスが流れている時にのみ、開閉蓋５の開
放が可能となるようにし、エピタキシャル成長後の基板
１を反応管３より取り出す際に、人体の方向に危険な有
毒ガスが流れないようにする。
閉蓋５近傍にガスが流れている時にのみ、開閉蓋５の開
放が可能となるようにし、エピタキシャル成長後の基板
１を反応管３より取り出す際に、人体の方向に危険な有
毒ガスが流れないようにする。
【００２２】上記したガス流出手段より流すガスは、空
気、または窒素等の不活性ガスの何れでも良く、窒素を
流す場合は、反応管内のエピタキシャル成長後の基板１
の酸化が防止される効果が併せて生じる。
気、または窒素等の不活性ガスの何れでも良く、窒素を
流す場合は、反応管内のエピタキシャル成長後の基板１
の酸化が防止される効果が併せて生じる。
【００２３】またガス流出手段には、フィルタを設けて
いるので、ゴミ等がエピタキシャル成長後の基板に付着
するのが防止できる。またガスマスク等の保護具を着用
せずに反応管から、基板の取り出し作業が実施できるの
で作業性が良くなり、作業能率の向上にもつながる。
いるので、ゴミ等がエピタキシャル成長後の基板に付着
するのが防止できる。またガスマスク等の保護具を着用
せずに反応管から、基板の取り出し作業が実施できるの
で作業性が良くなり、作業能率の向上にもつながる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明の気相成長装置
によれば、エピタキシャル成長後の基板を、有毒ガスを
吸い込むことなく反応管より取り出すことができる。ま
たガス流出手段に不活性ガスを用いると、反応管よりエ
ピタキシャル成長後の基板を取り出す際に該基板の酸化
も防止できる効果も併せて生じる。
によれば、エピタキシャル成長後の基板を、有毒ガスを
吸い込むことなく反応管より取り出すことができる。ま
たガス流出手段に不活性ガスを用いると、反応管よりエ
ピタキシャル成長後の基板を取り出す際に該基板の酸化
も防止できる効果も併せて生じる。
【図１】 本発明の装置の説明図である。
【図２】 本発明の装置の動作の説明図である。
【図３】 従来の装置の説明図である。
1 基板
3 反応管
5 開閉蓋
11 容器
12 ガス流出手段
13 ファン
14 フィルタ
15 ガス排気管
21 安全機構
22 分岐配管
23 ピストン
24 エアシリンダ
25 鍵状部
26 支点
27 上下駆動棒
31 配管
32 排気ポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 気相成長装置の反応管(3) の一端部に設
けられ、成長用基板(1) を出し入れするための開閉蓋
(5) を囲む容器(11)と、該開閉蓋(5) の開放時に該開閉
蓋(5) の近傍にガスが流出するようなガス流出手段(12)
と、該ガスを前記開閉蓋(5) を囲む容器(11)の外部へ排
出する排気手段(15,32) と、前記開閉蓋(5) に前記ガス
流出手段(12)よりガスが流出していない時は、前記開閉
蓋(5) が開放不可能となるような安全機構(21)を具備し
たことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の安全機構(21)が、ガス流
出手段(12)からのガスを分岐して流す分岐配管(22)と、
該分岐配管(22)の途中に設けられ、ピストン(23)を内蔵
したエアシリンダ(24)と、前記ピストン(23)に接続し、
一端部に気相成長装置の開閉蓋(5) を抑える鍵状部(25)
を備え、左右端で上下駆動が可能な支点(26)を備えた上
下駆動棒(27)とより成り、 前記ガス流出手段(12)からのガスが前記開閉蓋(5) 近傍
に流れる時には、前記分岐配管(22)内にガス流出手段(1
2)からのガスが流入して前記ピストン(23)を押し下げ、
該ピストン(23)に連なる上下駆動棒(27)の一端部の鍵状
部(25)を開閉蓋(5) より外して該開閉蓋(5) の開放が可
能と成るようにし、 前記ガス流出手段(12)からのガスが前記開閉蓋(5) 近傍
に流れない時には、前記支点(26)により上下駆動棒(27)
が下部に移動して該上下駆動棒(27)の一端の鍵状部(25)
で前記開閉蓋(5) を抑え、該開閉蓋(5) の開放が不可能
となるようにしたことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15824091A JPH0513472A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15824091A JPH0513472A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513472A true JPH0513472A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15667331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15824091A Withdrawn JPH0513472A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513472A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100707309B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 도어 어셈블리 |
| JP2017026243A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15824091A patent/JPH0513472A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100707309B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 도어 어셈블리 |
| JP2017026243A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |