JPH0513533B2 - - Google Patents

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JPH0513533B2
JPH0513533B2 JP61115931A JP11593186A JPH0513533B2 JP H0513533 B2 JPH0513533 B2 JP H0513533B2 JP 61115931 A JP61115931 A JP 61115931A JP 11593186 A JP11593186 A JP 11593186A JP H0513533 B2 JPH0513533 B2 JP H0513533B2
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JP
Japan
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temperature
developing
chamber
heat exchange
developer
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JP61115931A
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JPS62276827A (ja
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Toshitaka Takei
Tsunemasa Funatsu
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Daikin Industries Ltd
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Daikin Industries Ltd
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Priority to DE8686116543T priority patent/DE3686242T2/de
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はレジスト現像装置、詳しくは半導体ウ
エハ、半導体マスク、光デイスク等の被現像体に
装着されたレジスト層の現像を行なうレジスト現
像装置に関する。
(従来の技術) 従来、半導体ウエハにおけるレジスト層の現像
を行なう現像装置は、特開昭56−98826号公報に
示され、また、第6図に示した如く、半導体ウエ
ハWに現像液を噴射するノズルNと、現像液容器
Cと、前記ノズルNに現像液を供給するポンプP
とを備え、前記ノズルNから現像液を噴射するこ
とによりレジストの現像を行なうのであるが、最
近レジストの高感度化につれてそのレジストに対
する現状条件、特に温度に対する要求が重要なも
のとなつていることから、前記現像液容器Cとノ
ズルNとの間に現像液の温度を調整する調温部
TCと現像液の液量を調整するバルブ(FV)とを
設け、前記現像液の温度とその流量とを制御する
如く成すと共に、ノズルNから噴射する現像液の
液温を検出する検温部TEと、前記ノズルNとこ
のノズルNに対し対向状に保持する前記ウエハW
との間に進退自由に移動するシヤツタSとを設け
て、このシヤツタSを前記現像液の液温が設定温
度になつていないときには前記ノズルNとウエハ
Wとの間に進出させて、前記ノズルNからの現像
液を受止め、設定温度に達したときには、前記シ
ヤツタSを後退させて現像液をウエハWに噴射で
きるようにし、ウエハWに作用する現像液の液温
が設定温度に限定できるようにしている。
尚、第6図においてM1は前記シヤツタSの駆
動用モータであり、CTはそのコントローラであ
る。また、M2は前記ウエハWを回転させるモー
タである。
(発明が解決しようとする問題点) 所が以上の如く現像液の液温を制御する場合、
前記現像液の多くは揮発性のものが用いられてい
ることから、前記ノズルNから噴射するとき一部
蒸発し、現像室内を冷却すると同時に飽和圧力を
低下させることになり、たとえ現像液の液温を正
確に制御したとしても、前記現像室内の温度を正
確に一定温度に保持できないものである。
尚、レジスト現像装置は通常調温室に配設され
ているが、この調温室には各種の制御機器も配設
していることから、これら各機器からの放熱量を
考慮して温度コントロールを行なう必要があり、
このため高精度に室温コントロールすることは困
難であつて、例えば±1.0℃のバラつきが生ずる
ものであるし、また、前記現像室の壁外面は前記
調温室の空気と接触しているが、その熱伝達率は
現像液と接する壁内面における熱伝達率より格段
に小さいことと、1回の現像時間は短かいことか
ら調温室から熱が供給される前記現像室の温度が
前記調音室の温度にコントロールされることもな
いのである。従つて、以上のことから、前記現像
液の前記蒸発により現像室内の温度は低下傾向に
なり、一定温度に保持できないことになるのであ
る。
又、特開昭57−166032号公報や特開昭55−2213
号公報に、源像室を画する現像槽にヒータによる
加熱源を付設し、加熱により現像室内の温度制御
を行うようにしたものが提案されているが、ヒー
タによる加熱のみでは、そもそも最適な現像温度
が外部雰囲気温度よりも低い場合には対応不可能
であるし、又、ヒータの発停制御のみでは、たと
え最適な現像温度が外部雰囲気温度よりも高い場
合でも、加熱のし過ぎにより現像室内の温度が最
適値を越えて上昇したとき強制的に温度低下させ
ることはできず、±コンマ数℃という高精度な温
度管理も極めて困難である問題がある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は以上の如き従来の問題点を解決し、現
像室内の温度を任意に設定できると共に、設定温
度に正確に保持できるようにするものであつて、
第1図に示した通り、現像槽1に例えば半導体ウ
エハなどの被現像体Wの保持手段を内装すると共
に、この保持手段で保持される被現像体Wに現像
液を放出するノズル2を設けたレジスト現像装置
であつて、前記現像槽1を、該現像槽1の壁面に
開口する被現像体Wの出入口20を扉21で閉鎖
した状態で、内部の現像室10を外部と遮断する
密閉構造に形成し、この現像槽1の壁面に、前記
現像室10に臨む熱交換チヤンバー14を形成す
ると共に、加熱源にヒータ71を、冷却源に冷凍
装置の蒸発器72を用い、任意の設定温度の恒温
熱媒を発生させる恒温熱媒発生装置7を形成し
て、この恒温熱媒発生装置7を前記熱交換チヤン
バー14に配管76,77を介して連結する一
方、前記熱交換チヤンバー14と恒温熱媒発生装
置7との間に、前記熱交換チヤンバー14に恒温
熱媒を循環させる熱媒ポンプ75を設けたことを
特徴とするものである。
(作用) こうして、上記手段により、ノズル2による放
出式のもので現像槽1を密閉構造にしているか
ら、現像液の放出後短時間のうちに現像室10の
内部を現像液の飽和圧力にでき、現像液の蒸発に
よる温度低下を抑制することができるのである。
しかも、加熱源たるヒータ71の他に冷却源たる
蒸発器72を備えた恒温熱媒発生装置7を別途形
成し、任意の設定温度の恒温熱媒を現像槽1の壁
面に設ける熱交換チヤンバー14に導くから、現
像室10内を外部雰囲気温度に対し高めることも
低下させることもでき、最適な現像温度が外部雰
囲気温度よりも低い場合にも対応可能だし、ヒー
タ71による加熱と蒸発器72による冷却とを併
用するから、加熱のし過ぎを冷却により是正する
ことができ、最適な現像温度付近で高精度な温度
管理を行うことができるのである。更に、恒温熱
媒を熱媒ポンプ75で循環させて、常時熱交換チ
ヤンバー14に新しい熱媒を供給するから、該チ
ヤンバー14自体の温度を均一に保持でき、現像
室10内の温度変動も抑制することができるので
ある。こうして、これらが相互に相俟つて、全体
として、現像室10内の温度を、外部雰囲気温度
に拘らず狙いとする任意の設定温度であつて、±
コンマ数℃という高精度に管理された一定温度に
保持することができ、被現象体Wの現象を、第1
回目から複数回にわたつてバラツキなく行うこと
ができるのである。
(実施例) 第1図において1は現像槽であつて、この現像
槽1は二重壁構造とした胴体11と、底壁12及
び蓋体13とから成り、内部に現像室10を形成
すると共に、前記胴体11の二重壁構造により、
前記現像室10を取囲む熱交換チヤンバー14を
形成するのである。
また、前記底壁12には支持筒15を立設し
て、その内部に、上端に被現像体として例えば半
導体ウエハWを固定状に保持するチヤツク16を
もつた回転軸17を回転自由に支持するのであ
り、また、前記蓋体13には、前記チヤツク16
に保持される前記ウエハWに対向するノズル2を
配設するのである。
このノズル2は、現像液容器3に、送液ポンプ
4及び温調部5を介装した送液管6を介して接続
され、前記容器3から温度調整された現像液が前
記ノズル2に供給され、該ノズル2から前記ウエ
ハWに前記現像液を例えば噴射により放出するよ
うになつている。
前記温調部5は特に必要でないが、前記ノズル
2から前記ウエハWに噴射する現像液を温度を一
定に制御するものであつて、例えば恒温水により
温調可能である。
次に恒温熱媒発生装置7について説明する。
尚、この実施例では、恒温熱媒として恒温水を用
いている。
この発生装置7は、断熱構造とした恒温槽70
に、ヒータ71及び冷凍装置の蒸発器72を内装
して構成するのであつて、前記恒温槽70の底面
近くにストレーナー73をもつた取出管74を配
設し、熱媒ポンプ75及び送液配管76を介して
前記熱交換チヤンバー14の底部に設ける注液口
18に接続すると共に、前記熱交換チヤンバー1
4の上部に設ける排液口19を、戻液配管77を
介して前記恒温槽70に接続するのである。
前記恒温槽70に内装する前記ヒータ71及び
蒸発器72の運転は前記現像室10の室内温度又
は熱交換チヤンバー14内の水温(熱媒温度)な
どを検出し、予じめ任意に設定した設定温度との
比較を行なうコントローラ8により制御されるの
であつて、前記ヒータ71及び蒸発器72の運転
制御により5℃乃至40℃で誤差±0.1℃の一定の
恒温水(恒温熱媒)を形成できるのである。
また、前記蒸発器72に対応する冷凍装置にお
ける凝縮器78は、圧縮機と共にコンデンシング
ユニツト9に設けるのであつて、前記蒸発器72
の運転制御は前記圧縮機の発停又は容量制御によ
り行なうのである。
尚、第1図において20は、前記現像槽1の胴
体11に設けるウエハ出入口であつて、この出入
口20には扉21を開閉自由に取付けている。
また、22は前記蓋体13に取付けるフアンで
あつて、このフアン22を設けることにより、前
記現像室10の室内を迅速に飽和状態にできると
共に、前記熱交換チヤンバー14を構成する胴体
内壁との熱伝達率を向上させることができる。
また、前記ノズル2から噴射する現像液は、例
えばイソブチルアルコールとエタノールとを約50
対50の割合で混合したものを用いるのであつて、
この現像液の現像温度(℃)とレジスト感度
(μc/cm2)とは、第5図に示した通り変化するこ
とになる。尚、第5図は縦軸を対数目盛によつて
表わしている。
以上の構成において、半導体ウエハWの現像を
行なう場合、先ず、前記恒温熱媒体発生装置7の
運転を先行させ、恒温槽70と熱交換チヤンバー
14とを循環する恒温熱媒を予じめセツトする設
定温度に制御するのである。
この設定温度は、前記コントローラ8の入力器
により任意に設定できるし、任意に選択した設定
温度に正確に制御できるのであつて、前記現像室
10は、前記恒温水により前記した設定温度に確
実に保持できるのである。
そして、斯くの如く前記発生装置7と熱交換チ
ヤンバー14とを循環する恒温熱媒の温度が設定
温度になつた後、前記チヤツク16に保持した半
導体ウエハWを前記回転軸17の駆動により回転
させると共に、前記ノズル2から現像液を噴射す
るのである。
しかして、前記現像室10は、恒温熱媒の循環
により予じめ一定温度に保持できるから、現像開
始当初、ダミーを用いなくとも1枚目の半導体ウ
エハWから確実な現像が可能となるのである。
また、前記ノズル2からの現像液の噴射により
前記現像室10の温度は変化しようとするが、前
記現像室10は密閉状となつているから、現像液
の噴射と同時に現像液の飽和圧力となるし、現像
槽1の壁が熱交換チヤンバー14により形成され
ていて、この熱交換チヤンバー14により、外部
からの侵入熱は無視できるから、現像室10の温
度変化はなく、高精度に制御できるのであつて、
1枚目からN枚目の各ウエハWの現像を一定温度
で精度よく、即ち感度のバラつきなく行なうこと
ができるのである。
尚、第1図の実施例では、前記胴体11のみを
二重壁構造とすることにより、前記現像槽1の側
周部のみに前記熱交換チヤンバー14を形成する
如くしたが、第2図の如く、前記蓋体13に代え
て、例えば二重壁構造の蓋体13aを用いること
により、上部熱交換チヤンバー14aを形成し、
さらにこの上部熱交換チヤンバー14aを、胴体
11の二重壁構造による側周部熱交換チヤンバー
14bに連通させることによつて、現像槽1の上
部と側周部とに熱交換チヤンバー14を形成する
如くしてもよい。
更に、第2図中仮想線で示す如く、底壁12
を、例えば二重壁構造とすることにより、下部熱
交換チヤンバー14cを形成し、該下部熱交換チ
ヤンバー14cを、前記側周部熱交換チヤンバー
14bに接続することにより、前記現像槽1の上
下部及び側周部に、すなわち前記現像槽1の外壁
全部に熱交換チヤンバー14を形成する如くして
もよい。
前記した上部及び下部熱交換チヤンバー14
a,14cは、以上の如く側周部熱交換チヤンバ
ー14bと組合せて構成してもよいが、前記側周
部交換チヤンバー14bを用いることなく、それ
ぞれ単独に、すなわち上部熱交換チヤンバー14
aのみで又は下部熱交換チヤンバー14cのみで
熱交換チヤンバー14を構成してもよいし、前記
側周部熱交換チヤンバー14bを用いることな
く、上部及び下部熱交換チヤンバー14a,14
cの両者を組合わせて熱交換チヤンバー14を構
成してもよい。また、前記側周部熱交換チヤンバ
ー14bに、前記上部及び下部熱交換チヤンバー
14a,14cの何れか一方を組合わせてもよ
い。尚、前記側周部チヤンバー14bを用いず
に、上、下部熱交換チヤンバー14a,14cを
組合わせる場合には、これらチヤンバー14a,
14cを連絡配管等で接続するのである。また、
前記した各チヤンバー14a,14b,14cの
うち、何れか一つのチヤンバーのみを単独で用い
る場合には、その一つのチヤンバーに、送液配管
76及び戻液配管77を接続するのは云うまでも
ない。
また、第1図及び第2図の実施例では、現像槽
1の胴体11等を二重壁構造とすることにより、
熱交換チヤンバー14を形成したが、第3図に示
すように、一重壁構造の現像槽1Aの外壁面また
は内壁面の何れか一方に、パイプ50をコイル状
に巻付けると共に、該パイプ50を前記壁面にペ
ーストハンダあるいは接着剤等を用いて熱伝導密
に固着することにより、熱交換チヤンバー14を
形成する如くしてもよい。
この場合、前記パイプ50の断面形状を例えば
扁平楕円形状にして、前記壁面との接触面積を大
きくするのが好ましい。また、該パイプ50の巻
付けピツチは密にするのが好ましい。
また、第3図の実施例では、前記パイプ50を
密に巻付けたが、第4図に示す如く、現像槽1の
外壁面または内壁面の何れか一方に、粗に巻付け
てもよい。
尚、第4図の実施例では、枠組したフレーム1
00の上部に現像槽1を支持し、下方に恒温熱媒
発生装置7を収納したものである。又、戻液配管
77は、現像液の送液管6と共に二重管40を構
成しており、この戻液配管77を利用して送液管
6をも温調する如くしているのである。更に、送
液ポンプ4から延びる送液管6の一部6aを恒温
熱媒発生装置7の内部に配設しており、前記した
二重管40と共に現像液の温調部5を構成してい
るのである。
尚第4図中、61は現像液の出停を制御する制
御弁、62はフイルター、200は前記フレーム
100の上面に設ける架台201に載置するウエ
ハカセツトであり、又、Mは前記現像槽1に内装
するチヤツク16の回転軸17を駆動させるモー
タであつて、前記回転軸17とはベルト伝動手段
101により連動している。
(発明の効果) 以上、本発明では、ノズル2による放出式のも
のにおいて現像槽1を密閉構造にし、その壁面に
熱交換チヤンバー14を形成し、加熱源たるヒー
タ71の他に冷却源たる冷凍機の蒸発器72を備
え、任意の設定温度の恒温熱媒を発生させる恒温
熱媒発生装置7を別途設け、熱媒ポンプ75で恒
温熱媒を循環させる旨の構成を具備するから、現
像室10内の温度を、外部雰囲気温度に拘らず狙
いとする任意の設定温度であつて、±コンマ数℃
という高精度に管理された一定温度に保持するこ
とができ、半導体ウエハ等の被現像体Wの現像
を、第1回目から複数回にわたつてバラツキなく
行うことができ、その製品歩留を向上できるので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明現像装置の第一実施例を示す概
略説明図、第2は第二実施例を示す現像槽のみの
説明図、第3図は第三実施例を示す概略説明図、
第4図は第四実施例を示す概略説明図、第5図は
現像液の現像温度とレジスト感度変化との特性
図、第6図は従来例を示す概略説明図である。 1……現像槽、2……ノズル、7……恒温熱媒
発生装置、10……現像室、14……熱交換チヤ
ンバー、76,77……配管、20……出入口、
21……扉、71……ヒータ、72……蒸発器、
75……熱媒ポンプ、W……被現像体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 現像槽1に被現像体Wの保持手段を内装する
    と共に、この保持手段で保持される被現像体Wに
    現像液を放出するノズル2を設けたレジスト現像
    装置であつて、前記現像槽1を、該現像槽1の壁
    面に開口する被現像体Wの出入口20を扉21で
    閉鎖した状態で、内部の現像室10を外部と遮断
    する密閉構造に形成し、この現像槽1の壁面に、
    前記現像室10に臨む熱交換チヤンバー14を形
    成すると共に、加熱源にヒータ71を、冷却源に
    冷凍装置の蒸発器72を用い、任意の設定温度の
    恒温熱媒を発生させる恒温熱媒発生装置7を形成
    して、この恒温熱媒発生装置7を前記熱交換チヤ
    ンバー14に配管76,77を介して連結する一
    方、前記熱交換チヤンバー14と恒温熱媒発生装
    置7との間に、前記熱交換チヤンバー14に恒温
    熱媒を循環させる熱媒ポンプ75を設けたことを
    特徴とするレジスト現像装置。
JP61115931A 1985-11-28 1986-05-20 レジスト現像装置 Granted JPS62276827A (ja)

Priority Applications (5)

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CA000524014A CA1277861C (en) 1985-11-28 1986-11-27 Resist developing apparatus
EP86116543A EP0224273B1 (en) 1985-11-28 1986-11-28 Resist developing apparatus
DE8686116543T DE3686242T2 (de) 1985-11-28 1986-11-28 Entwickelvorrichtung fuer photolacke.
KR1019860010106A KR930003875B1 (ko) 1985-11-28 1986-11-28 레지스트(resist)현상 장치

Applications Claiming Priority (3)

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JP26873785 1985-11-28
JP60-268737 1985-11-28
JP61-27625 1986-02-10

Publications (2)

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JPS62276827A JPS62276827A (ja) 1987-12-01
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS552213A (en) * 1978-06-19 1980-01-09 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Developing method
JPS57166032A (en) * 1981-04-03 1982-10-13 Toshiba Corp Spray type developing device for positive resist

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JPS62276827A (ja) 1987-12-01

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