JPH05135587A - Memory backup circuit - Google Patents

Memory backup circuit

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JPH05135587A
JPH05135587A JP3297074A JP29707491A JPH05135587A JP H05135587 A JPH05135587 A JP H05135587A JP 3297074 A JP3297074 A JP 3297074A JP 29707491 A JP29707491 A JP 29707491A JP H05135587 A JPH05135587 A JP H05135587A
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JP
Japan
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voltage
battery
memory
circuit
backup
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Pending
Application number
JP3297074A
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Japanese (ja)
Inventor
Mikio Yonekura
幹夫 米倉
Hideki Otsuki
秀樹 大槻
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Fanuc Corp
Original Assignee
Fanuc Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain time margin from the generation of an alarm to the exchange of a battery at the memory backup circuit for holding data in a memory. CONSTITUTION:When the output voltage of a main battery 31 is lowered and an output voltage Vx of an output line L1 is lowered, the value of a differential voltage signal CS outputted from an operational amplifier 371 is lowered, and a flip-flop 372 outputs an alarm signal AS. This alarm signal AS is transmitted to the side of a numerical controller 10, and alarm display is executed by a display 18. The alarm signal AS is supplied to a gate G of an MOS transistor 34 and operates the MOS transistor 34. Thus, the voltage of a sub battery 32 is supplied through the output line L1 to a CMOS memory 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はメモリ内のデータを保持
するためのメモリバックアップ回路に関し、特に数値制
御装置等のように一つのデータを長期間保存する必要の
ある装置に使用されるメモリバックアップ回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory backup circuit for holding data in a memory, and more particularly to a memory backup circuit used in a device such as a numerical control device which needs to store one data for a long period of time. Regarding the circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】数値制御装置等のようにマイクロ・プロ
セッサを使用した制御装置では、電源切断後も保存して
おきたいデータを不揮発性メモリに格納するようにして
いる。不揮発性メモリとしては、CMOS等のSRAM
にバックアップ用のバッテリを接続したものが用いられ
ており、制御装置の電源切断後はそのバッテリからの電
圧供給によりデータを保持できるようにしている。
2. Description of the Related Art In a control device using a microprocessor such as a numerical control device, data which is desired to be retained even after power-off is stored in a non-volatile memory. SRAM such as CMOS is used as the non-volatile memory.
A battery for backup is connected to the device, and after the power supply of the control device is cut off, the data can be held by the voltage supply from the battery.

【0003】また、バッテリが古くなった場合には、バ
ックアップ回路側でアラーム信号を出力することによ
り、バッテリの取り換え時期を知らせるようにしてい
る。
Further, when the battery is old, an alarm signal is output on the backup circuit side to notify the battery replacement time.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、バッテリは、
寿命が来ると極端に電圧が降下する特性がある。図4は
バックアップ用のバッテリとして一般に多く用いられて
いるリチウム電池の特性を示す図である。データ保持が
なされる正常時のバッテリ電圧を3.3Vとすると、
3.0Vに降下したP1点でアラームが発生する。これ
をそのまま放置すると、2.0Vに降下したP2点でS
RAM内のデータが消失してしまう。したがって、ユー
ザはアラームが発生したP1点で、バッテリを新しいも
のと交換する必要がある。
However, the battery is
It has the characteristic that the voltage drops drastically when it reaches the end of its life. FIG. 4 is a diagram showing the characteristics of a lithium battery that is commonly used as a backup battery. Assuming that the battery voltage during normal data retention is 3.3V,
An alarm occurs at point P1 when the voltage drops to 3.0V. If this is left as it is, it will be S at P2 point which dropped to 2.0V.
The data in RAM will be lost. Therefore, the user needs to replace the battery with a new one at the point P1 when the alarm occurs.

【0005】しかし、図からも分かるように、リチウム
電池やニッケル・カドミューム電池等の電圧は寿命が来
ると急激に降下する特性があるので、P1点からP2点
までの時間txも非常に短いものとなる。このため、従
来はバッテリ交換を短時間に行わないとSRAM内のデ
ータが消滅してしまう虞れがあった。
However, as can be seen from the figure, the voltage of a lithium battery, a nickel-cadmium battery, etc. has a characteristic that it drops sharply at the end of its life, so the time tx from the point P1 to the point P2 is very short. Becomes Therefore, conventionally, there is a possibility that the data in the SRAM may be lost unless the battery is replaced in a short time.

【0006】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、アラーム発生からバッテリ交換を行うまでの
時間的余裕のあるメモリバックアップ回路を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a memory backup circuit which has a sufficient time from the alarm occurrence to the battery replacement.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、メモリ内のデータを保持するためのメモ
リバックアップ回路において、前記メモリにバックアッ
プ用電圧を供給するメインバッテリと、前記メインバッ
テリの予備として設けられるサブバッテリと、前記メイ
ンバッテリの前記バックアップ用電圧を監視し、前記バ
ックアップ用電圧が所定値以下となった場合にアラーム
信号を出力する電圧監視手段と、前記電圧監視手段から
前記アラーム信号が出力された場合、前記サブバッテリ
の電圧を前記メモリに供給するバッテリ切り換え手段
と、を有することを特徴とするメモリバックアップ回路
が提供される。
According to the present invention, in order to solve the above problems, in a memory backup circuit for holding data in a memory, a main battery for supplying a backup voltage to the memory, and the main battery A sub-battery provided as a backup of the main battery and a voltage monitoring means for monitoring the backup voltage of the main battery, and outputting an alarm signal when the backup voltage becomes a predetermined value or less; And a battery switching means for supplying the voltage of the sub-battery to the memory when an alarm signal is output.

【0008】[0008]

【作用】メインバッテリのバックアップ用電圧が所定値
以下となった場合には電圧監視手段によりアラーム信号
が出力され、メモリにはバッテリ切り換え手段によりサ
ブバッテリの電圧が供給される。
When the backup voltage of the main battery falls below a predetermined value, the voltage monitoring means outputs an alarm signal, and the battery switching means supplies the memory with the voltage of the sub-battery.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図2は本発明を実施するための数値制御装置の
ハードウェアの概略構成図である。プロセッサ11はR
OM12に格納されたシステム・プログラムに従って数
値制御装置10全体を制御する。ROM12には、EP
ROMあるいはEEPROMが使用される。RAM13
にはSRAM等が使用され、各種のデータあるいは入力
信号が格納される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of hardware of a numerical control device for carrying out the present invention. Processor 11 is R
The entire numerical controller 10 is controlled according to the system program stored in the OM 12. In ROM12, EP
ROM or EEPROM is used. RAM13
An SRAM or the like is used for the memory and stores various data or input signals.

【0010】CMOSメモリ14は不揮発性メモリであ
り、バックアップ回路15によりバックアップされてい
る。このCMOSメモリ14には、数値制御装置10の
電源切断後も保持すべきパラメータ、加工プログラム、
およびオフセット量等が格納されている。バックアップ
回路15は、CMOSメモリ14にバッテリ電圧を供給
するとともに、バッテリ交換時期を知らせるアラーム信
号をバス24に出力する。
The CMOS memory 14 is a non-volatile memory and is backed up by the backup circuit 15. In the CMOS memory 14, parameters, machining programs, which should be retained even after the power of the numerical control device 10 is cut off,
The offset amount and the like are stored. The backup circuit 15 supplies a battery voltage to the CMOS memory 14 and outputs an alarm signal to the bus 24 to notify the battery replacement time.

【0011】シリアルポート16は、紙テープ装置、デ
ィスク装置等の図示されていない外部記憶装置と接続さ
れており、これらからのデータの授受を行う。表示制御
回路17はディジタル信号を表示用の信号に変換し、表
示器18に与える。表示器18にはCRTあるいは液晶
表示装置が使用され、各軸の位置表示、入出力信号の状
態、パラメータ、およびアラームメッセージ等が表示さ
れる。
The serial port 16 is connected to an external storage device (not shown) such as a paper tape device or a disk device, and exchanges data with these devices. The display control circuit 17 converts the digital signal into a signal for display and gives it to the display unit 18. A CRT or a liquid crystal display device is used for the display unit 18, and the position display of each axis, the state of input / output signals, parameters, alarm messages and the like are displayed.

【0012】キーボードインタフェース19は、キーボ
ード20からのキー入力データをプロセッサ11に送
る。ディジタルI/O21は、機械側との入出力信号の
授受を行う。サーボ制御回路22は、モータ23を制御
するための速度指令信号を出力する。
The keyboard interface 19 sends key input data from the keyboard 20 to the processor 11. The digital I / O 21 exchanges input / output signals with the machine side. The servo control circuit 22 outputs a speed command signal for controlling the motor 23.

【0013】図1はバックアップ回路15の構成を示す
回路図である。バックアップ回路15には、CMOSメ
モリ14にバックアップ用の電圧を供給するメインバッ
テリ31と、サブバッテリ32とが設けられている。メ
インバッテリ31およびサブバッテリ32には、例えば
リチウム電池が使用されており、その出力電圧値は約
3.3Vである。メインバッテリ31の電圧は、ダイオ
ード33および出力線L1を介してCMOSメモリ14
に供給される。メインバッテリ31の出力電圧は、ダイ
オード33により約0.3V降下して3.0Vの出力電
圧VxとしてCMOSメモリ14に供給される。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of the backup circuit 15. The backup circuit 15 is provided with a main battery 31 that supplies a backup voltage to the CMOS memory 14 and a sub battery 32. Lithium batteries, for example, are used as the main battery 31 and the sub-battery 32, and the output voltage value thereof is about 3.3V. The voltage of the main battery 31 is supplied to the CMOS memory 14 via the diode 33 and the output line L1.
Is supplied to. The output voltage of the main battery 31 drops by about 0.3V by the diode 33 and is supplied to the CMOS memory 14 as the output voltage Vx of 3.0V.

【0014】また、ダイオード33の出力側端子は、M
OSトランジスタ34のソースSと接続されている。こ
のMOSトランジスタ34のドレインDには、ダイオー
ド35を介してサブバッテリ32が接続されている。
The output side terminal of the diode 33 is M
It is connected to the source S of the OS transistor 34. The sub battery 32 is connected to the drain D of the MOS transistor 34 via a diode 35.

【0015】出力線L1には電圧変換回路36およびア
ラーム回路37が接続されている。電圧変換回路36は
DC/DCコンバータ361および基準電圧生成回路3
62から構成される。DC/DCコンバータ361は、
CMOSメモリ14に供給される出力電圧Vxを約5.
0Vに昇圧する回路であり、その出力電圧を基準電圧生
成回路362およびアラーム回路37に送る。基準電圧
生成回路362はDC/DCコンバータ361の出力電
圧値を基準電圧VREF に変換する回路であり、この基準
電圧VREF をアラーム回路37に送る。
A voltage conversion circuit 36 and an alarm circuit 37 are connected to the output line L1. The voltage conversion circuit 36 includes a DC / DC converter 361 and a reference voltage generation circuit 3
It is composed of 62. The DC / DC converter 361 is
The output voltage Vx supplied to the CMOS memory 14 is about 5.
It is a circuit that boosts the voltage to 0 V, and sends its output voltage to the reference voltage generation circuit 362 and the alarm circuit 37. Reference voltage generating circuit 362 is a circuit for converting the output voltage of the DC / DC converter 361 to the reference voltage V REF, and sends the reference voltage V REF to the alarm circuit 37.

【0016】アラーム回路37は、オペアンプ371お
よびフリップフロップ372から構成される。オペアン
プ371およびフリップフロップ372には、DC/D
Cコンバータ361からの出力電圧が供給されており、
この出力電圧によりオペアンプ371およびフリップフ
ロップ372が動作する。また、オペアンプ371に
は、出力線L1からの出力電圧Vxと、基準電圧生成回
路362からの基準電圧VREF が入力される。オペアン
プ371は、出力電圧Vxと基準電圧VREF との差圧値
に応じた差圧信号CSをフリップフロップ372に出力
する。
The alarm circuit 37 comprises an operational amplifier 371 and a flip-flop 372. The operational amplifier 371 and the flip-flop 372 have a DC / D
The output voltage from the C converter 361 is supplied,
The operational amplifier 371 and the flip-flop 372 operate by this output voltage. The output voltage Vx from the output line L1 and the reference voltage V REF from the reference voltage generation circuit 362 are input to the operational amplifier 371. The operational amplifier 371 outputs to the flip-flop 372 a differential pressure signal CS corresponding to the differential pressure value between the output voltage Vx and the reference voltage V REF .

【0017】フリップフロップ372は、差圧信号CS
の値が所定値以下になるとアラーム信号ASを数値制御
装置10側に出力する。アラーム信号ASはMOSトラ
ンジスタ34のゲートGにも供給される。また、フリッ
プフロップ372には、バックアップ回路15外部から
のリセット信号RSが入力される。
The flip-flop 372 is provided for the differential pressure signal CS.
When the value of is less than or equal to the predetermined value, the alarm signal AS is output to the numerical controller 10. The alarm signal AS is also supplied to the gate G of the MOS transistor 34. Further, the reset signal RS from the outside of the backup circuit 15 is input to the flip-flop 372.

【0018】このような構成を有するバックアップ回路
15では、通常はメインバッテリ31によってCMOS
メモリ14のバックアップが行われる。メインバッテリ
31の出力電圧が低下し、出力線L1の出力電圧Vxが
低下すると、オペアンプ371から出力される差圧信号
CSの値が低下する。この差圧信号CSが値所定値以下
になると、フリップフロップ372はアラーム信号AS
を出力する。このアラーム信号ASは数値制御装置10
側に送られ、表示器18によりアラーム表示が行われ
る。また、アラーム信号ASはMOSトランジスタ34
のゲートGに供給される。アラーム信号ASが供給され
ると、MOSトランジスタ34が作動してサブバッテリ
32の電圧が出力線L1を介してCMOSメモリ14に
供給される。
In the backup circuit 15 having such a configuration, the main battery 31 is usually used for CMOS.
The memory 14 is backed up. When the output voltage of the main battery 31 decreases and the output voltage Vx of the output line L1 decreases, the value of the differential pressure signal CS output from the operational amplifier 371 decreases. When the differential pressure signal CS becomes equal to or less than the predetermined value, the flip-flop 372 causes the alarm signal AS.
Is output. This alarm signal AS is the numerical control device 10
It is sent to the side and an alarm is displayed on the display unit 18. Further, the alarm signal AS is the MOS transistor 34.
Is supplied to the gate G of. When the alarm signal AS is supplied, the MOS transistor 34 operates and the voltage of the sub-battery 32 is supplied to the CMOS memory 14 via the output line L1.

【0019】図3はこのような過程における出力線L1
の出力電圧Vxの変化を示す図である。出力電圧Vx
は、メインバッテリ31の出力電圧の低下とともに通常
の3.0Vから急速に低下する。そして、その値が2.
7VとなったPx点でアラーム信号ASが出力される。
アラーム信号ASが出力されると、サブバッテリ32の
電圧が出力線L1に供給されるので、出力電圧Vxは直
ちに3.0Vに戻る。この間に、作業員はメインバッテ
リ31を新しいものと交換する。
FIG. 3 shows the output line L1 in such a process.
5 is a diagram showing a change in the output voltage Vx of FIG. Output voltage Vx
Decreases rapidly from the normal 3.0 V with the decrease in the output voltage of the main battery 31. Then, the value is 2.
The alarm signal AS is output at the Px point where it becomes 7V.
When the alarm signal AS is output, the voltage of the sub-battery 32 is supplied to the output line L1, so that the output voltage Vx immediately returns to 3.0V. During this time, the worker replaces the main battery 31 with a new one.

【0020】メインバッテリ31を交換した後は、数値
制御装置10に設けられたリセットボタン等を押すこと
により、リセット信号RSがフリップフロップ372に
供給され、アラーム信号ASの出力が停止される。
After the main battery 31 is replaced, the reset signal RS is supplied to the flip-flop 372 and the output of the alarm signal AS is stopped by pressing the reset button or the like provided in the numerical controller 10.

【0021】このように、本実施例では、メインバッテ
リ31の出力電圧が低下してCMOSメモリ14内のデ
ータが消滅する前に、サブバッテリ32の電圧を供給す
るようにしたので、メインバッテリ31を新しいものと
交換するための時間的余裕が与えられる。したがって、
バッテリ交換が遅れてCMOSメモリ14内のデータを
消滅させてしまう虞れがない。
As described above, in this embodiment, the voltage of the sub-battery 32 is supplied before the output voltage of the main battery 31 drops and the data in the CMOS memory 14 disappears. Is given time to replace the with a new one. Therefore,
There is no risk that the data in the CMOS memory 14 will be lost due to the delay in battery replacement.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように本発明では、メイン
バッテリのバックアップ用電圧が所定値以下となった場
合には、アラーム信号を出力し、メモリにはサブバッテ
リの電圧を供給するようにしたので、アラーム信号が出
力されてからメインバッテリを交換するまでの時間的な
余裕ができる。したがって、バッテリ交換が遅れてメモ
リ内のデータを消滅させることがない。
As described above, according to the present invention, when the backup voltage of the main battery becomes less than a predetermined value, an alarm signal is output and the voltage of the sub battery is supplied to the memory. Therefore, there is a time margin from when the alarm signal is output to when the main battery is replaced. Therefore, the replacement of the battery will not be delayed and the data in the memory will not be erased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】バックアップ回路の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a backup circuit.

【図2】本発明を実施するための数値制御装置のハード
ウェアの概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of hardware of a numerical control device for carrying out the present invention.

【図3】出力線の出力電圧の変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a change in output voltage of an output line.

【図4】リチウム電池の特性を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing characteristics of a lithium battery.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 数値制御装置 14 CMOSメモリ 15 バックアップ回路 31 メインバッテリ 32 サブバッテリ 34 MOSトランジスタ 362 基準電圧生成回路 371 オペアンプ 372 フリップフロップ 10 Numerical Control Device 14 CMOS Memory 15 Backup Circuit 31 Main Battery 32 Sub Battery 34 MOS Transistor 362 Reference Voltage Generation Circuit 371 Operational Amplifier 372 Flip-Flop

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 メモリ内のデータを保持するためのメモ
リバックアップ回路において、 前記メモリにバックアップ用電圧を供給するメインバッ
テリと、 前記メインバッテリの予備として設けられるサブバッテ
リと、 前記メインバッテリの前記バックアップ用電圧を監視
し、前記バックアップ用電圧が所定値以下となった場合
にアラーム信号を出力する電圧監視手段と、 前記電圧監視手段から前記アラーム信号が出力された場
合、前記サブバッテリの電圧を前記メモリに供給するバ
ッテリ切り換え手段と、 を有することを特徴とするメモリバックアップ回路。
1. A memory backup circuit for holding data in a memory, a main battery supplying a backup voltage to the memory, a sub-battery provided as a spare of the main battery, and the backup of the main battery. Voltage for monitoring the backup voltage and outputting an alarm signal when the backup voltage falls below a predetermined value; and when the alarm signal is output from the voltage monitoring means, the sub-battery voltage A memory backup circuit comprising: a battery switching unit that supplies the memory.
【請求項2】 前記バッテリ切り換え手段はMOS型ト
ランジスタであることを特徴とする請求項1記載のメモ
リバックアップ回路。
2. The memory backup circuit according to claim 1, wherein the battery switching means is a MOS transistor.
【請求項3】 前記電圧監視手段は、基準電圧を生成す
る基準電圧生成回路と、前記基準電圧と前記バックアッ
プ用電圧との差圧値を演算する差圧値演算回路と、前記
差圧値演算回路により演算された前記差圧値に応じて前
記アラーム信号を出力するアラーム信号出力回路と、か
らなることを特徴とする請求項1記載のメモリバックア
ップ回路。
3. The voltage monitoring means includes a reference voltage generation circuit for generating a reference voltage, a differential pressure value calculation circuit for calculating a differential pressure value between the reference voltage and the backup voltage, and the differential pressure value calculation. 2. The memory backup circuit according to claim 1, further comprising: an alarm signal output circuit that outputs the alarm signal according to the differential pressure value calculated by the circuit.
【請求項4】 前記差圧値演算回路はオペアンプであ
り、前記アラーム信号出力回路はフリップフロップであ
ることを特徴とする請求項3記載のメモリバックアップ
回路。
4. The memory backup circuit according to claim 3, wherein the differential pressure value calculation circuit is an operational amplifier, and the alarm signal output circuit is a flip-flop.
JP3297074A 1991-11-13 1991-11-13 Memory backup circuit Pending JPH05135587A (en)

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