JPH05136087A - 膜成長方法と膜成長装置 - Google Patents
膜成長方法と膜成長装置Info
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- JPH05136087A JPH05136087A JP3299246A JP29924691A JPH05136087A JP H05136087 A JPH05136087 A JP H05136087A JP 3299246 A JP3299246 A JP 3299246A JP 29924691 A JP29924691 A JP 29924691A JP H05136087 A JPH05136087 A JP H05136087A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造プロセスに適した半導体も
しくは金属の膜成長方法に関し、均一で平坦な膜を成長
することが可能な膜成長方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 下地表面上に金属または半導体の化合物の吸
着層を形成する工程と、前記吸着層を分解反応させ、金
属または半導体の析出層を形成する工程と、前記析出層
上に金属または半導体の成長膜を形成する工程とを含
む。
しくは金属の膜成長方法に関し、均一で平坦な膜を成長
することが可能な膜成長方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 下地表面上に金属または半導体の化合物の吸
着層を形成する工程と、前記吸着層を分解反応させ、金
属または半導体の析出層を形成する工程と、前記析出層
上に金属または半導体の成長膜を形成する工程とを含
む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体もしくは金属の膜
成長に関し、特に半導体装置の製造プロセスに適した半
導体もしくは金属の膜成長方法および膜成長装置に関す
る。
成長に関し、特に半導体装置の製造プロセスに適した半
導体もしくは金属の膜成長方法および膜成長装置に関す
る。
【０００２】高集積度半導体装置等の微細デバイスにお
いては、高信頼性、高速動作特性が要求されており、所
望の特性を有する均一かつ平坦な膜、接触抵抗の小さい
膜、良好な特性の埋め込み膜等が望まれる。
いては、高信頼性、高速動作特性が要求されており、所
望の特性を有する均一かつ平坦な膜、接触抵抗の小さい
膜、良好な特性の埋め込み膜等が望まれる。
【０００３】
【従来の技術】膜の成長方法としては、蒸着、スパッタ
リング、化学気相堆積（ＣＶＤ）、液相成長、分子線成
長等が知られている。
リング、化学気相堆積（ＣＶＤ）、液相成長、分子線成
長等が知られている。
【０００４】下地上に、均一かつ平坦な膜を形成するた
めには下地表面を清浄化することが必要である他、成膜
温度、ＣＶＤ等においては圧力等の条件を制御すること
が必要である。以下、ＣＶＤを例にとって説明する。
めには下地表面を清浄化することが必要である他、成膜
温度、ＣＶＤ等においては圧力等の条件を制御すること
が必要である。以下、ＣＶＤを例にとって説明する。
【０００５】ＣＶＤによって、選択成長やブランケット
成長等を行なうことができる。これらＣＶＤ成長におい
ては、ウエットまたはドライの前処理によって下地表面
を清浄化し、ＣＶＤ工程における成膜温度、圧力等の成
長因子を好適に設定することが必要である。
成長等を行なうことができる。これらＣＶＤ成長におい
ては、ウエットまたはドライの前処理によって下地表面
を清浄化し、ＣＶＤ工程における成膜温度、圧力等の成
長因子を好適に設定することが必要である。
【０００６】しかしながら、均一な膜厚のＣＶＤ膜を成
長しようとしても膜厚分布が発生したり、平坦な表面を
得ようとしても表面に凹凸が発生することが防止しにく
かった。また、不必要な前処理を行なうことによって、
酸化膜等で画定された開口サイズを大きくしてしまった
り、下地である半導体基板にダメージを与えてしまうこ
とが防止しにくかった。
長しようとしても膜厚分布が発生したり、平坦な表面を
得ようとしても表面に凹凸が発生することが防止しにく
かった。また、不必要な前処理を行なうことによって、
酸化膜等で画定された開口サイズを大きくしてしまった
り、下地である半導体基板にダメージを与えてしまうこ
とが防止しにくかった。
【０００７】たとえば、プラズマによって表面を清浄化
しようとすると、プラズマ中に発生する高エネルギ粒子
が下地表面に衝突し、ダメージを与えることが避けにく
かった。
しようとすると、プラズマ中に発生する高エネルギ粒子
が下地表面に衝突し、ダメージを与えることが避けにく
かった。
【０００８】半導体デバイスが微細化すると、形成する
膜の不均一性や性質の低下が作成しようとする微細デバ
イスに深刻な影響を与え、デバイス製造の歩留りの低
下、設計性能が実現できないこと等につながった。
膜の不均一性や性質の低下が作成しようとする微細デバ
イスに深刻な影響を与え、デバイス製造の歩留りの低
下、設計性能が実現できないこと等につながった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の膜成長技術によれば、均一で平坦な膜を成長する
ことが困難であった。
従来の膜成長技術によれば、均一で平坦な膜を成長する
ことが困難であった。
【００１０】本発明の目的は、均一で平坦な膜を成長す
ることが可能な膜成長方法を提供することである。本発
明の他の目的は、コンタクト抵抗が低く、均一で平坦な
膜を成長することのできる膜成長方法を提供することで
ある。
ることが可能な膜成長方法を提供することである。本発
明の他の目的は、コンタクト抵抗が低く、均一で平坦な
膜を成長することのできる膜成長方法を提供することで
ある。
【００１１】また、本発明の他の目的は、均一で平坦な
膜を成長することの容易な膜成長装置を提供することで
ある。
膜を成長することの容易な膜成長装置を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の膜成長方法は、
下地表面上に金属または半導体の化合物の吸着層を形成
する工程と、前記吸着層を分解反応させ、金属または半
導体の析出層を形成する工程と、前記析出層上に金属ま
たは半導体の成長膜を形成する工程とを含む。
下地表面上に金属または半導体の化合物の吸着層を形成
する工程と、前記吸着層を分解反応させ、金属または半
導体の析出層を形成する工程と、前記析出層上に金属ま
たは半導体の成長膜を形成する工程とを含む。
【００１３】図１は、本発明の原理説明図である。図１
（Ａ）は吸着工程を示す。下地１表面上に金属または半
導体の化合物の吸着層２を形成する。吸着層２は吸着し
た分子から構成されており、物理吸着あるいは化学吸着
の状態にある。
（Ａ）は吸着工程を示す。下地１表面上に金属または半
導体の化合物の吸着層２を形成する。吸着層２は吸着し
た分子から構成されており、物理吸着あるいは化学吸着
の状態にある。
【００１４】化学吸着の場合は、化学反応速度論に従う
反応で析出する場合もあるが、ここでは時間幅１Ｈ〜２
Ｈ以内に、高々１吸着分子が反応した場合も、化学吸着
あるいは遷移状態と考える。吸着層２は好ましくは単分
子層から数十分子層の厚さを有する。
反応で析出する場合もあるが、ここでは時間幅１Ｈ〜２
Ｈ以内に、高々１吸着分子が反応した場合も、化学吸着
あるいは遷移状態と考える。吸着層２は好ましくは単分
子層から数十分子層の厚さを有する。
【００１５】図１（Ｂ）は、分解反応の工程を示す。下
地１表面上に形成された吸着層２を励起することによっ
て分解反応を生じさせ、吸着層２に含まれる成分の析出
層３を形成する。この分解反応は、たとえば加熱工程や
光照射工程によって実施することができる。
地１表面上に形成された吸着層２を励起することによっ
て分解反応を生じさせ、吸着層２に含まれる成分の析出
層３を形成する。この分解反応は、たとえば加熱工程や
光照射工程によって実施することができる。
【００１６】このように下地１表面上に析出層３が形成
された後、その上に図１（Ｃ）に示すように目的とする
材料の成長膜５を成長する。成長膜５の形成は、たとえ
ばＣＶＤによって行なうことができる。
された後、その上に図１（Ｃ）に示すように目的とする
材料の成長膜５を成長する。成長膜５の形成は、たとえ
ばＣＶＤによって行なうことができる。
【００１７】
【作用】下地表面上に一旦吸着層を形成し、この吸着層
を分解反応させ、析出層を形成し、その上に金属または
半導体の成長膜を形成すると、均一でかつ表面の平坦な
成長膜を得ることができる。
を分解反応させ、析出層を形成し、その上に金属または
半導体の成長膜を形成すると、均一でかつ表面の平坦な
成長膜を得ることができる。
【００１８】膜成長においては、膜形成分子が下地表面
上に付着し、これらの分子が成長核を形成すると、この
成長核から膜成長が生じる。ところで、成長核を均一に
表面上に形成することは容易でなく、成長核に分布が生
じると、その分布に応じて成長の偏りが生じ、形成され
る膜の厚さに分布が発生し、表面に凹凸が発生してしま
うと考えられる。
上に付着し、これらの分子が成長核を形成すると、この
成長核から膜成長が生じる。ところで、成長核を均一に
表面上に形成することは容易でなく、成長核に分布が生
じると、その分布に応じて成長の偏りが生じ、形成され
る膜の厚さに分布が発生し、表面に凹凸が発生してしま
うと考えられる。
【００１９】吸着は膜成長よりもゆるやかな条件で行な
うことができる。たとえば、ＣＶＤ成長の生じない低温
で下地表面上にガスを供給すると、下地表面上にガス分
子が吸着し、吸着層を形成する。下地表面上を吸着層で
覆うことは比較的容易に行なうことができる。
うことができる。たとえば、ＣＶＤ成長の生じない低温
で下地表面上にガスを供給すると、下地表面上にガス分
子が吸着し、吸着層を形成する。下地表面上を吸着層で
覆うことは比較的容易に行なうことができる。
【００２０】このように下地表面を吸着層で覆い、この
吸着層を分解反応させることにより、化合物の成分中の
所定成分のみを下地表面上に残して析出層３を形成する
ことができる。
吸着層を分解反応させることにより、化合物の成分中の
所定成分のみを下地表面上に残して析出層３を形成する
ことができる。
【００２１】このようにして形成した析出層は、下地表
面上に均一に分布させることが容易である。析出層に厚
さの分布があっても、析出層の厚さが小さなものであれ
ば、結果に与える影響は少ない。この析出層をそのまま
膜成長の下地表面として用いると、均一に分布した良好
な成長核として機能させることができると考えられる。
このため、析出層上に形成する成長膜は、均一な膜厚を
有し、平坦な表面を有するようにすることができる。
面上に均一に分布させることが容易である。析出層に厚
さの分布があっても、析出層の厚さが小さなものであれ
ば、結果に与える影響は少ない。この析出層をそのまま
膜成長の下地表面として用いると、均一に分布した良好
な成長核として機能させることができると考えられる。
このため、析出層上に形成する成長膜は、均一な膜厚を
有し、平坦な表面を有するようにすることができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図２、図３、図４は、それぞれ本発明の実施例に
よる膜成長方法を説明するための断面図であり、図７は
これらの成長方法を実施するのに適した膜成長装置を示
す概略断面図である。
する。図２、図３、図４は、それぞれ本発明の実施例に
よる膜成長方法を説明するための断面図であり、図７は
これらの成長方法を実施するのに適した膜成長装置を示
す概略断面図である。
【００２３】図２は、Ｓｉ層上に選択的にＷ層を成長す
る実施例を示す。図２（Ａ）に示すように、Ｓｉ層１１
の上に酸化Ｓｉ膜１２を形成し、酸化Ｓｉ膜１２に開口
１６を形成してＳｉ層１１表面を露出する。
る実施例を示す。図２（Ａ）に示すように、Ｓｉ層１１
の上に酸化Ｓｉ膜１２を形成し、酸化Ｓｉ膜１２に開口
１６を形成してＳｉ層１１表面を露出する。
【００２４】このようにして形成した下地構造を、０．
１〜２％のＨＦ溶液に３０〜６０秒間浸漬し、純水洗浄
にて表面の清浄化（Ｓｉの露出およびＨ終端表面の形
成）を行なった後、乾燥させる。
１〜２％のＨＦ溶液に３０〜６０秒間浸漬し、純水洗浄
にて表面の清浄化（Ｓｉの露出およびＨ終端表面の形
成）を行なった後、乾燥させる。
【００２５】なお、この前処理は、ウエット処理に代え
てドライ処理を採用することもできる。たとえば、Ｈ2
またはＮ2 Ｈx 等の水素化物による還元反応を用いて下
地表面を清浄化することができる。
てドライ処理を採用することもできる。たとえば、Ｈ2
またはＮ2 Ｈx 等の水素化物による還元反応を用いて下
地表面を清浄化することができる。
【００２６】このようにして準備した下地構造を１０-7
〜１０-8Ｔｏｒｒの雰囲気に保持し、８０〜２４０℃に
加熱する。加熱時間はその雰囲気にて、１０2 Ｌ以下と
なるようにするのが望ましい。
〜１０-8Ｔｏｒｒの雰囲気に保持し、８０〜２４０℃に
加熱する。加熱時間はその雰囲気にて、１０2 Ｌ以下と
なるようにするのが望ましい。
【００２７】加熱した下地表面上に、ＷＦ6 ガスを１０
4 〜１０5 Ｌ（Ｌはラングミューアであり、１Ｌ＝１０
-6Ｔｏｒｒ・ｓｅｃである）程度供給する。たとえば、
ＷＦ 6 ガスが１０-3Ｔｏｒｒで１０〜１００秒間、また
は１０-2Ｔｏｒｒで約１〜１０秒間供給される。１０4
Ｌのガス量は、下地表面上に単分子層を形成するのに相
当する量である。
4 〜１０5 Ｌ（Ｌはラングミューアであり、１Ｌ＝１０
-6Ｔｏｒｒ・ｓｅｃである）程度供給する。たとえば、
ＷＦ 6 ガスが１０-3Ｔｏｒｒで１０〜１００秒間、また
は１０-2Ｔｏｒｒで約１〜１０秒間供給される。１０4
Ｌのガス量は、下地表面上に単分子層を形成するのに相
当する量である。
【００２８】このような吸着により、図２（Ａ）に示す
ように露出されたＳｉ層１１表面上に選択的にＷＦ6 吸
着層１３が形成される。なお、周囲の酸化Ｓｉ膜１２上
には吸着層は形成されない。
ように露出されたＳｉ層１１表面上に選択的にＷＦ6 吸
着層１３が形成される。なお、周囲の酸化Ｓｉ膜１２上
には吸着層は形成されない。
【００２９】次に、図２（Ｂ）に示すように、吸着ガス
の供給を断った状態で下地温度を約２４０〜５００℃に
昇温し、ＷＦ6 吸着層１３の熱分解反応を生じさせる。
ＷＦ 6 は熱分解し、タングステン（Ｗ）が下地Ｓｉ層１
１表面上に析出し、Ｗ層１４を形成する。
の供給を断った状態で下地温度を約２４０〜５００℃に
昇温し、ＷＦ6 吸着層１３の熱分解反応を生じさせる。
ＷＦ 6 は熱分解し、タングステン（Ｗ）が下地Ｓｉ層１
１表面上に析出し、Ｗ層１４を形成する。
【００３０】なお、連続したＷ層１４が形成された状態
を図示したが、このＷ層は微視的に連続している必要は
必ずしもない。Ｓｉ層１１表面上にほぼ均等に分布して
いればよい。
を図示したが、このＷ層は微視的に連続している必要は
必ずしもない。Ｓｉ層１１表面上にほぼ均等に分布して
いればよい。
【００３１】このようにＷ層１４を形成した下地構造
を、大気にさらすことなくＣＶＤ装置内に搬入する。図
２（Ｃ）に示すように、ＣＶＤ装置内において、下地構
造を約２８０℃に加熱し、ＷＦ6 ガスとＳｉＨ4 ガスを
約６：３の比で供給し、Ｗ層１４上にＣＶＤによるＷ層
であるＣＶＤＷ層１５を堆積する。このＣＶＤにおいて
は、先に形成したＷ層１４が成長核として機能し、均一
な膜成長が生じる。
を、大気にさらすことなくＣＶＤ装置内に搬入する。図
２（Ｃ）に示すように、ＣＶＤ装置内において、下地構
造を約２８０℃に加熱し、ＷＦ6 ガスとＳｉＨ4 ガスを
約６：３の比で供給し、Ｗ層１４上にＣＶＤによるＷ層
であるＣＶＤＷ層１５を堆積する。このＣＶＤにおいて
は、先に形成したＷ層１４が成長核として機能し、均一
な膜成長が生じる。
【００３２】上述のように、吸着層を形成し、その後大
気にさらすことなくＣＶＤ成長を行なう膜成長は、たと
えば図７に示すような膜成長装置を用いて行なうことが
できる。
気にさらすことなくＣＶＤ成長を行なう膜成長は、たと
えば図７に示すような膜成長装置を用いて行なうことが
できる。
【００３３】図７において、吸着室３１は吸着ガス導入
口３２と排気口３３を有し、１０-7Ｔｏｒｒ以下の高真
空に保つことができる。また、吸着室３１はヒータ３４
を備え、吸着室内にロードした複数の基板３０を約１０
０〜２００℃に加熱することができる。
口３２と排気口３３を有し、１０-7Ｔｏｒｒ以下の高真
空に保つことができる。また、吸着室３１はヒータ３４
を備え、吸着室内にロードした複数の基板３０を約１０
０〜２００℃に加熱することができる。
【００３４】この吸着室３１で下地表面上にガス吸着を
行なわせ、１枚ずつ中間室３５を介してＣＶＤ反応室３
６に搬入し、ヒータ３７で加熱することによって吸着ガ
スの分解反応を生じさせることができる。吸着ガスを分
解反応させた後、ヒータ３７で所定温度に加熱しつつ、
ガス供給系３８から原料ガスを供給し、ＣＶＤ成長を行
なうことによって膜成長を行なうことができる。
行なわせ、１枚ずつ中間室３５を介してＣＶＤ反応室３
６に搬入し、ヒータ３７で加熱することによって吸着ガ
スの分解反応を生じさせることができる。吸着ガスを分
解反応させた後、ヒータ３７で所定温度に加熱しつつ、
ガス供給系３８から原料ガスを供給し、ＣＶＤ成長を行
なうことによって膜成長を行なうことができる。
【００３５】なお、図７の装置においては、吸着室３１
はバッチ式であり、ＣＶＤ反応室３６は枚葉式である構
造を示したが、必ずしもこの形式にこだわらない。たと
えば、吸着室も枚葉式にしてもよく、ＣＶＤ反応室もバ
ッチ式にすることもできる。なお、中間室３５に加熱機
構を設け、中間室３５において吸着ガスの分解反応を行
なわせることもできる。吸着室３１内で分解反応を行な
うことも可能である。
はバッチ式であり、ＣＶＤ反応室３６は枚葉式である構
造を示したが、必ずしもこの形式にこだわらない。たと
えば、吸着室も枚葉式にしてもよく、ＣＶＤ反応室もバ
ッチ式にすることもできる。なお、中間室３５に加熱機
構を設け、中間室３５において吸着ガスの分解反応を行
なわせることもできる。吸着室３１内で分解反応を行な
うことも可能である。
【００３６】図７に示すような膜成長装置を用い、図２
に示すような膜成長方法を実施することによって高濃度
不純物添加領域等のＳｉ層１１上に、コンタクト抵抗の
低いＣＶＤＷ層１５を成長することができる。
に示すような膜成長方法を実施することによって高濃度
不純物添加領域等のＳｉ層１１上に、コンタクト抵抗の
低いＣＶＤＷ層１５を成長することができる。
【００３７】なお、このようにして成長したＣＶＤＷ層
１５は、その厚さが均一であり、表面が平坦にできるこ
とが実験的に確認された。なお、Ｓｉ層１１上にＷ層１
４、１５を成長する場合を説明したが、下地および成長
膜の材料はこれらに限らない。
１５は、その厚さが均一であり、表面が平坦にできるこ
とが実験的に確認された。なお、Ｓｉ層１１上にＷ層１
４、１５を成長する場合を説明したが、下地および成長
膜の材料はこれらに限らない。
【００３８】図３は、Ｓｉ上にＳｉと反応する金属であ
るＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属層を成長する実施例を示
す。図３（Ａ）に示すように、Ｓｉ層１１上に酸化Ｓｉ
膜１２を形成し、この酸化Ｓｉ膜１２に開口１６を形成
してＳｉ層１１表面を露出する。このように準備した下
地構造を、図２の実施例同様の前処理によって清浄化す
る。続いて、露出したＳｉ層１１表面に吸着層１７を形
成する。
るＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属層を成長する実施例を示
す。図３（Ａ）に示すように、Ｓｉ層１１上に酸化Ｓｉ
膜１２を形成し、この酸化Ｓｉ膜１２に開口１６を形成
してＳｉ層１１表面を露出する。このように準備した下
地構造を、図２の実施例同様の前処理によって清浄化す
る。続いて、露出したＳｉ層１１表面に吸着層１７を形
成する。
【００３９】たとえば、吸着層１７としてＴｉ（Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）2）4 ＝ＤＭＡＴおよびＴｉＣｌ4 ガスの吸着層
を形成する時は、下地温度を前者は室温〜２００℃程度
に、後者は３００〜６００℃に加熱し、ＤＭＡＴおよび
ＴｉＣｌ4 ガスを１０3 〜１０5 Ｌ供給し、吸着層１７
を形成する。吸着層１７としてＷＦ6ガスの吸着層を形
成する場合は、図２の実施例同様の工程によって吸着層
１７を形成する。
Ｈ3 ）2）4 ＝ＤＭＡＴおよびＴｉＣｌ4 ガスの吸着層
を形成する時は、下地温度を前者は室温〜２００℃程度
に、後者は３００〜６００℃に加熱し、ＤＭＡＴおよび
ＴｉＣｌ4 ガスを１０3 〜１０5 Ｌ供給し、吸着層１７
を形成する。吸着層１７としてＷＦ6ガスの吸着層を形
成する場合は、図２の実施例同様の工程によって吸着層
１７を形成する。
【００４０】なお、ＤＭＡＴ、ＴｉＣｌ4 は常温常圧で
は液体であり、その蒸気圧は低い。これに対し、ＷＦ6
は約１７℃の沸点を有する物質であり、常温で気体であ
るため取扱が容易な特徴を有する。
は液体であり、その蒸気圧は低い。これに対し、ＷＦ6
は約１７℃の沸点を有する物質であり、常温で気体であ
るため取扱が容易な特徴を有する。
【００４１】次に、図３（Ｂ）に示すように、吸着層１
７を形成した下地構造を反応室に搬入し、昇温すること
によってＴｉあるいはＴｉＮまたはＷを析出させ、コン
タクト層およびバリヤ層１８を形成する。
７を形成した下地構造を反応室に搬入し、昇温すること
によってＴｉあるいはＴｉＮまたはＷを析出させ、コン
タクト層およびバリヤ層１８を形成する。
【００４２】吸着層１７がＷＦ6 の場合は、図２の実施
例同様、ＷＦ6 を熱分解することによってＷの析出層を
形成する。吸着層１７がＴｉＣｌ4 分子の吸着層である
場合、熱分解によってＴｉが析出すると、ＴｉはＳｉ層
１１と反応し、ＴｉＳｉ2 を形成する。このシリサイド
反応により、Ｓｉ層１１は浸食され、図中破線１８ａで
示すように、コンタクト層がＳｉ層１１に食い込んだ形
状となる。
例同様、ＷＦ6 を熱分解することによってＷの析出層を
形成する。吸着層１７がＴｉＣｌ4 分子の吸着層である
場合、熱分解によってＴｉが析出すると、ＴｉはＳｉ層
１１と反応し、ＴｉＳｉ2 を形成する。このシリサイド
反応により、Ｓｉ層１１は浸食され、図中破線１８ａで
示すように、コンタクト層がＳｉ層１１に食い込んだ形
状となる。
【００４３】熱分解の促進に、水素または水素化物を加
えるのが望ましい。ＮＨ3 やＮ2 Ｈ 4 等の水素化物を加
えると、バリヤ層としてＴｉＮ、コンタクト層としてＴ
ｉＳｉ2 の膜が形成できる。ＳｉＨ4 を加えると、Ｔｉ
Ｓｉ2 膜の形成ができ、Ｓｉ層１１の浸食量は低下す
る。ＤＭＡＴガスは熱分解により、ＴｉＮ膜が成膜す
る。
えるのが望ましい。ＮＨ3 やＮ2 Ｈ 4 等の水素化物を加
えると、バリヤ層としてＴｉＮ、コンタクト層としてＴ
ｉＳｉ2 の膜が形成できる。ＳｉＨ4 を加えると、Ｔｉ
Ｓｉ2 膜の形成ができ、Ｓｉ層１１の浸食量は低下す
る。ＤＭＡＴガスは熱分解により、ＴｉＮ膜が成膜す
る。
【００４４】なお、このようにして形成したコンタクト
層１８は、Ｓｉ層１１とコンタクト層１８の上に形成す
る金属層との反応を防止する役割を果たす。次に、図３
（Ｃ）に示すように、コンタクト層１８上にＣＶＤによ
って金属層１９を選択的に成長する。金属層１９は、た
とえばＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属である。
層１８は、Ｓｉ層１１とコンタクト層１８の上に形成す
る金属層との反応を防止する役割を果たす。次に、図３
（Ｃ）に示すように、コンタクト層１８上にＣＶＤによ
って金属層１９を選択的に成長する。金属層１９は、た
とえばＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属である。
【００４５】金属層１９がＡｌ層の場合は、ＣＶＤのソ
ースガスとしてはＴＩＢＡ（トリイソブチルアルミニウ
ム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＤＭＡＨ
（ジメチルアルミニウムハイドライト）を用い、水素ガ
スまたは水素化物ガスを添加して成膜温度約１５０〜４
００℃、ガス圧１０-4〜１ＴｏｒｒでＣＶＤ成長を行な
う。
ースガスとしてはＴＩＢＡ（トリイソブチルアルミニウ
ム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＤＭＡＨ
（ジメチルアルミニウムハイドライト）を用い、水素ガ
スまたは水素化物ガスを添加して成膜温度約１５０〜４
００℃、ガス圧１０-4〜１ＴｏｒｒでＣＶＤ成長を行な
う。
【００４６】金属層１９がＣｕ層の場合は、ソースガス
としてＣｕ（ＨＦＡ）2 （銅ヘキサフロロアセチルアセ
トネート）を用いることができる。このようにして、Ｓ
ｉ層１１上にコンタクト層１８を挟んで金属層１９を成
長する。このようにして成長した金属層１９は、均一な
厚さを有し、平坦な表面を有する。
としてＣｕ（ＨＦＡ）2 （銅ヘキサフロロアセチルアセ
トネート）を用いることができる。このようにして、Ｓ
ｉ層１１上にコンタクト層１８を挟んで金属層１９を成
長する。このようにして成長した金属層１９は、均一な
厚さを有し、平坦な表面を有する。
【００４７】なお、図３（Ｂ）に示す吸着層の分解反応
工程において、水素化物を用いて分解反応を促進させる
こともできる。たとえば、ＳｉＨ4 を１０3 〜１０5 Ｌ
供給し、下地温度を約２００℃とする。水素化物の存在
によって、分解反応が促進される。
工程において、水素化物を用いて分解反応を促進させる
こともできる。たとえば、ＳｉＨ4 を１０3 〜１０5 Ｌ
供給し、下地温度を約２００℃とする。水素化物の存在
によって、分解反応が促進される。
【００４８】また、シリコン水素化物を加え、さらに温
度を調整することによってシリサイド膜を積極的に形成
することもできる。たとえば、下地温度を４００℃程度
に昇温し、ＳｉＨ4 を１０3 〜１０5 Ｌ供給する。供給
するＳｉＨ4 の量は、吸着層１７がシリサイド膜となる
が、純粋なＳｉ膜は成長しないような量に選ぶ。
度を調整することによってシリサイド膜を積極的に形成
することもできる。たとえば、下地温度を４００℃程度
に昇温し、ＳｉＨ4 を１０3 〜１０5 Ｌ供給する。供給
するＳｉＨ4 の量は、吸着層１７がシリサイド膜となる
が、純粋なＳｉ膜は成長しないような量に選ぶ。
【００４９】以上、酸化Ｓｉ膜に形成した開口内に選択
的に膜を成長させる場合を説明したが、酸化Ｓｉ膜上に
も延在するブランケット膜を成長させることもできる。
図４は、本発明の他の実施例による膜成長方法を示す。
的に膜を成長させる場合を説明したが、酸化Ｓｉ膜上に
も延在するブランケット膜を成長させることもできる。
図４は、本発明の他の実施例による膜成長方法を示す。
【００５０】図４（Ａ）に示すように、前述の実施例同
様の工程により、下地Ｓｉ層１１の露出表面上にコンタ
クト層１８を形成する。コンタクト層１８の材料として
は、ＷやＴｉ等を用いると、Ｓｉ層１１との低コンタク
ト抵抗が実現しやすい。コンタクト層１８をＴｉで形成
した場合、Ｔｉはシリサイド化してＴｉＳｉ2 となる。
様の工程により、下地Ｓｉ層１１の露出表面上にコンタ
クト層１８を形成する。コンタクト層１８の材料として
は、ＷやＴｉ等を用いると、Ｓｉ層１１との低コンタク
ト抵抗が実現しやすい。コンタクト層１８をＴｉで形成
した場合、Ｔｉはシリサイド化してＴｉＳｉ2 となる。
【００５１】次に、図４（Ｂ）に示すように、下地温度
を約７００℃に昇温し、ＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ3 ガスを
供給し、ＣＶＤを行なわせることによってＴｉＮマット
層２０を形成する。このＴｉＮマット層２０は、コンタ
クト層１８上のみでなく、酸化Ｓｉ層１２表面上にも形
成される。また、Ｂ2 Ｈ6 ガスを供給すれば、ＴｉＢ膜
が形成できる。
を約７００℃に昇温し、ＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ3 ガスを
供給し、ＣＶＤを行なわせることによってＴｉＮマット
層２０を形成する。このＴｉＮマット層２０は、コンタ
クト層１８上のみでなく、酸化Ｓｉ層１２表面上にも形
成される。また、Ｂ2 Ｈ6 ガスを供給すれば、ＴｉＢ膜
が形成できる。
【００５２】次に、図４（Ｃ）に示すように、ＴｉＮマ
ット層２０上にＣＶＤにより、電極層２１を形成する。
電極層２１は、たとえばＷ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ等の伝導
性の高い金属で形成する。
ット層２０上にＣＶＤにより、電極層２１を形成する。
電極層２１は、たとえばＷ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ等の伝導
性の高い金属で形成する。
【００５３】なお、Ｓｉ層１１上に金属の電極層２１を
成長させる場合を説明したが、下地材料、成長膜材料は
これらに限らない。たとえば、下地Ｓｉ上にＳｉの膜成
長を行なう場合は、まずＳｉ2 Ｈ6 を約１０4 Ｌ供給し
て吸着層を形成し、その後約８００℃に昇温することに
よって吸着層を熱分解反応させてＳｉの成長核を形成
し、引き続いてＳｉのＣＶＤ成長を行なうことによって
Ｓｉの膜成長を行なうことができる。なお、ＳｉのＣＶ
Ｄ成長においては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＣｌ2
Ｈ2 ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｆ 2 等を用いることができ
る。
成長させる場合を説明したが、下地材料、成長膜材料は
これらに限らない。たとえば、下地Ｓｉ上にＳｉの膜成
長を行なう場合は、まずＳｉ2 Ｈ6 を約１０4 Ｌ供給し
て吸着層を形成し、その後約８００℃に昇温することに
よって吸着層を熱分解反応させてＳｉの成長核を形成
し、引き続いてＳｉのＣＶＤ成長を行なうことによって
Ｓｉの膜成長を行なうことができる。なお、ＳｉのＣＶ
Ｄ成長においては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＣｌ2
Ｈ2 ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｆ 2 等を用いることができ
る。
【００５４】なお、これらの膜成長方法も、図７に示す
ような膜成長装置を用いて実施することができる。図５
は、このような方法により、下地表面上に吸着層を形成
し、吸着層を反応させることによって析出層を形成し、
その上に膜成長を行なった場合の膜の性質を説明する図
である。
ような膜成長装置を用いて実施することができる。図５
は、このような方法により、下地表面上に吸着層を形成
し、吸着層を反応させることによって析出層を形成し、
その上に膜成長を行なった場合の膜の性質を説明する図
である。
【００５５】図５（Ａ）は上述の実施例同様の手順にし
たがって膜成長を行なった構造を示す。絶縁層２６で覆
われた半導体層２５上に、多結晶Ｓｉ層２７のパターン
を形成し、このパターン上に膜成長を行なう。
たがって膜成長を行なった構造を示す。絶縁層２６で覆
われた半導体層２５上に、多結晶Ｓｉ層２７のパターン
を形成し、このパターン上に膜成長を行なう。
【００５６】多結晶Ｓｉ層２７表面上に吸着層を形成
し、反応させることによって析出層２８に変化させる。
この析出層２８上に成長膜２９を形成すると、成長膜２
９は均一な厚さで成長することができる。このようにし
て成長した成長膜２９の表面を観察すると、平坦である
ことが確認された。
し、反応させることによって析出層２８に変化させる。
この析出層２８上に成長膜２９を形成すると、成長膜２
９は均一な厚さで成長することができる。このようにし
て成長した成長膜２９の表面を観察すると、平坦である
ことが確認された。
【００５７】一方、従来の技術により、絶縁層２６で覆
われた半導体層２５上に多結晶Ｓｉ層２７のパターンを
形成し、その表面上に直接成長膜を形成すると、図５
（Ｂ）の成長膜２９ａに示すように、その表面には凹凸
が発生した。
われた半導体層２５上に多結晶Ｓｉ層２７のパターンを
形成し、その表面上に直接成長膜を形成すると、図５
（Ｂ）の成長膜２９ａに示すように、その表面には凹凸
が発生した。
【００５８】このように凹凸が発生する原因は、多結晶
Ｓｉ層２７表面は、大気にさらされること等によって様
々に変化しており、その表面上にＣＶＤ成長を行なった
場合、成長核の発生速度が場所によって異なると考えら
れる。
Ｓｉ層２７表面は、大気にさらされること等によって様
々に変化しており、その表面上にＣＶＤ成長を行なった
場合、成長核の発生速度が場所によって異なると考えら
れる。
【００５９】成長核が早期に発生した領域においては、
直ちに結晶成長が進み、成長膜２９ａが厚くなる。成長
核がなかなか発生しなかった領域においては膜成長が遅
れ、成長膜２９ａの厚さが薄くなる。このように成長に
ばらつきが生じるため、成長膜２９ａの膜厚が一定とな
らず、かつ表面に凹凸が発生してしまうものと考えられ
る。
直ちに結晶成長が進み、成長膜２９ａが厚くなる。成長
核がなかなか発生しなかった領域においては膜成長が遅
れ、成長膜２９ａの厚さが薄くなる。このように成長に
ばらつきが生じるため、成長膜２９ａの膜厚が一定とな
らず、かつ表面に凹凸が発生してしまうものと考えられ
る。
【００６０】図６は、吸着層の性質を検討するために行
なった実験結果を示す。比抵抗１０〜２０μΩ・ｃｍ
（シート抵抗Ｒｓ＝２４０〜２８０Ω／□）の（１０
０）面を有するＳｉ基板を１８２℃に保ち、その上にＷ
Ｆ6 ガスを１０ｓｃｃｍの流量で所定時間供給した。こ
の状態でシート抵抗を測定した。その後約４０７℃で３
０分間の熱処理を行なって再びシート抵抗を測定した。
なった実験結果を示す。比抵抗１０〜２０μΩ・ｃｍ
（シート抵抗Ｒｓ＝２４０〜２８０Ω／□）の（１０
０）面を有するＳｉ基板を１８２℃に保ち、その上にＷ
Ｆ6 ガスを１０ｓｃｃｍの流量で所定時間供給した。こ
の状態でシート抵抗を測定した。その後約４０７℃で３
０分間の熱処理を行なって再びシート抵抗を測定した。
【００６１】図６において、横軸は供給したＷＦ6 ガス
の供給量をラングミュア（Ｌ）で示し、縦軸はシート抵
抗をΩ／□で示す。図中○は、ＷＦ6 ガスを吸着させた
状態で熱処理前のシート抵抗を測定した結果を示し、□
は、さらに熱処理を行なった後に測定したシート抵抗を
示す。
の供給量をラングミュア（Ｌ）で示し、縦軸はシート抵
抗をΩ／□で示す。図中○は、ＷＦ6 ガスを吸着させた
状態で熱処理前のシート抵抗を測定した結果を示し、□
は、さらに熱処理を行なった後に測定したシート抵抗を
示す。
【００６２】図から明らかなように、ＷＦ6 ガス供給後
のシート抵抗よりも、熱処理後のシート抵抗が明らかに
低減していることがわかる。したがって、ＷＦ6 ガス供
給によって吸着層が形成され、熱処理によって吸着層が
分解し、Ｗ層に変化したことがわかる。また、このよう
な膜成長方法によって低コンタクト抵抗が実現できるこ
ともわかる。
のシート抵抗よりも、熱処理後のシート抵抗が明らかに
低減していることがわかる。したがって、ＷＦ6 ガス供
給によって吸着層が形成され、熱処理によって吸着層が
分解し、Ｗ層に変化したことがわかる。また、このよう
な膜成長方法によって低コンタクト抵抗が実現できるこ
ともわかる。
【００６３】なお、吸着層を分解反応させる方法とし
て、加熱を用いる場合を説明したが、吸着分子を分解さ
せる励起手段であれば、他の手段を用いることもでき
る。たとえば、十分なフォトンエネルギを有する光を照
射することによって吸着分子を分解させることもでき
る。
て、加熱を用いる場合を説明したが、吸着分子を分解さ
せる励起手段であれば、他の手段を用いることもでき
る。たとえば、十分なフォトンエネルギを有する光を照
射することによって吸着分子を分解させることもでき
る。
【００６４】また、膜成長装置として吸着室、中間室、
ＣＶＤ反応室が接続された構成を示したが、下地上に吸
着層を形成し、大気に晒すことなく、分解反応を行なわ
せ、続いて膜成長を行なえる構成であれば、他の構成を
用いることもできる。
ＣＶＤ反応室が接続された構成を示したが、下地上に吸
着層を形成し、大気に晒すことなく、分解反応を行なわ
せ、続いて膜成長を行なえる構成であれば、他の構成を
用いることもできる。
【００６５】下地材料、成長膜材料は半導体または金属
であればよい。吸着層を形成するための吸着ガスは、加
熱等によって容易に分解できるものが好ましい。たとえ
ば、ＩＩＩ族、ＩＶ族、Ｖ族の水素化物あるいはハロゲ
ン原子を少なくとも１個有する化合物、Ｗ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｔａのハロゲン化
物、有機化物、錯体等を用いることができる。
であればよい。吸着層を形成するための吸着ガスは、加
熱等によって容易に分解できるものが好ましい。たとえ
ば、ＩＩＩ族、ＩＶ族、Ｖ族の水素化物あるいはハロゲ
ン原子を少なくとも１個有する化合物、Ｗ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｔａのハロゲン化
物、有機化物、錯体等を用いることができる。
【００６６】また、成長膜はたとえばＩＩＩ族、ＩＶ
族、Ｖ族元素およびこれらの混合物、およびこれらの化
合物、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ｔａの金属およびこれらの金属のＳｉ、Ｂ、Ｐの化
合物等を用いることができる。また、成長膜の成長方法
もＣＶＤに限らない。
族、Ｖ族元素およびこれらの混合物、およびこれらの化
合物、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ｔａの金属およびこれらの金属のＳｉ、Ｂ、Ｐの化
合物等を用いることができる。また、成長膜の成長方法
もＣＶＤに限らない。
【００６７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
厚さが均一でかつ表面が平坦な成長膜を得ることができ
る。
厚さが均一でかつ表面が平坦な成長膜を得ることができ
る。
【００６９】成膜特性、電気的特性に優れ、大量生産が
可能な成長膜が得られるため、微細化した半導体装置の
製造が容易になる。
可能な成長膜が得られるため、微細化した半導体装置の
製造が容易になる。
【図１】 本発明の原理説明図である。
【図２】 本発明の実施例による膜成長方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図３】 本発明の実施例による膜成長方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図４】 本発明の実施例による膜成長方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図５】 本発明の実施例により成長した成長した成長
膜のモホロジを、参考例により成長した成長膜のモホロ
ジと比較して示す概略断面図である。
膜のモホロジを、参考例により成長した成長膜のモホロ
ジと比較して示す概略断面図である。
【図６】 吸着膜を形成したＳｉ基板のシート抵抗と、
その後熱処理を行なった後のシート抵抗を比較して示す
グラフである。
その後熱処理を行なった後のシート抵抗を比較して示す
グラフである。
【図７】 本発明の実施例による膜成長装置を示す概略
断面図である。
断面図である。
１ 下地 ２ 吸着層 ３ 析出層 ５ 成長膜 １１ Ｓｉ層 １２ 酸化Ｓｉ膜 １３ ＷＦ6 吸着層 １４ Ｗ層 １５ ＣＶＤＷ層 １６ 開口 １７ 吸着層 １８ コンタクト層 １９ 金属層 ２０ ＴｉＮマット層 ２１ 電極層 ３１ 吸着室 ３２ 吸着ガス導入口 ３３ 排気口 ３４ ヒータ ３５ 中間室 ３６ ＣＶＤ反応室 ３７ ヒータ ３８ ガス供給系
Claims (7)
- 【請求項１】 下地（１）表面上に金属または半導体の
化合物の吸着層（２）を形成する工程と、 前記吸着層を分解反応させ、金属または半導体の析出層
（３）を形成する工程と、 前記析出層（３）上に金属または半導体の成長膜（５）
を形成する工程とを含む膜成長方法。 - 【請求項２】 前記吸着層（２）は前記化合物のガスを
１０2 〜１０6 Ｌ量供給することによって形成する請求
項１記載の膜成長方法。 - 【請求項３】 前記成長膜（５）を形成する工程はＣＶ
Ｄを含み、前記吸着層（２）を形成する工程は、前記成
長膜（５）を形成する工程よりも低い温度で行なわれる
請求項１ないし２記載の膜成長方法。 - 【請求項４】 前記成長膜（５）はＩＩＩ族元素、ＩＶ
族元素、Ｖ族元素、これらの混合物、これらの化合物、
Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｔａ
の金属およびこれら金属のＳｉ、Ｂ、Ｐの化合物のいず
れかを含んで形成される請求項１〜３のいずれかに記載
の膜成長方法。 - 【請求項５】 前記化合物の吸着層（２）を形成する工
程は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素、Ｖ族元素のいずれか
の水素化合物、あるいはハロゲン原子を少なくとも１個
含む化合物、またはＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒ
ｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｔａの金属のいずれかのハロゲン化
物、有機化合物、錯体のいずれかのガス分子を下地
（１）表面上に吸着させることを含む請求項１〜４のい
ずれかに記載の膜成長方法。 - 【請求項６】 前記析出層（３）を形成する工程は、加
熱、光照射のいずれかを含む請求項１〜５のいずれかに
記載の膜成長方法。 - 【請求項７】 吸着ガス源より吸着ガスの供給を受ける
ガス導入口と、排気装置に接続される排気口と、加熱機
構を有する吸着室と、 前記吸着室に接続され、ＣＶＤを行なうことのできる成
長室とを有する膜成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29924691A JP3194256B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 膜成長方法と膜成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29924691A JP3194256B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 膜成長方法と膜成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136087A true JPH05136087A (ja) | 1993-06-01 |
| JP3194256B2 JP3194256B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=17870047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29924691A Expired - Lifetime JP3194256B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 膜成長方法と膜成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194256B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502301A (ja) * | 2000-06-27 | 2004-01-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学吸着技術を用いるホウ化物バリア層の形成 |
| WO2006123673A1 (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Phyzchemix Corporation | シリコン化合物の形成方法 |
| WO2008053625A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Tokyo Electron Limited | Method of film deposition and apparatus for treating substrate |
| JP2014003308A (ja) * | 2010-04-27 | 2014-01-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
| US9006021B2 (en) | 2010-04-27 | 2015-04-14 | Tokyo Electron Limited | Amorphous silicon film formation method and amorphous silicon film formation apparatus |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP29924691A patent/JP3194256B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502301A (ja) * | 2000-06-27 | 2004-01-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学吸着技術を用いるホウ化物バリア層の形成 |
| WO2006123673A1 (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Phyzchemix Corporation | シリコン化合物の形成方法 |
| US7776751B2 (en) | 2005-05-17 | 2010-08-17 | Canon Anelva Corporation | Process for producing silicon compound |
| WO2008053625A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Tokyo Electron Limited | Method of film deposition and apparatus for treating substrate |
| JP2008112803A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および基板処理装置 |
| US7981794B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-07-19 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and substrate processing apparatus |
| JP2014003308A (ja) * | 2010-04-27 | 2014-01-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
| US9006021B2 (en) | 2010-04-27 | 2015-04-14 | Tokyo Electron Limited | Amorphous silicon film formation method and amorphous silicon film formation apparatus |
| US9123782B2 (en) | 2010-04-27 | 2015-09-01 | Tokyo Electron Limited | Amorphous silicon film formation method and amorphous silicon film formation apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3194256B2 (ja) | 2001-07-30 |
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