JPH05140330A - 架橋芳香族高分子成形体 - Google Patents
架橋芳香族高分子成形体Info
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- JPH05140330A JPH05140330A JP32664891A JP32664891A JPH05140330A JP H05140330 A JPH05140330 A JP H05140330A JP 32664891 A JP32664891 A JP 32664891A JP 32664891 A JP32664891 A JP 32664891A JP H05140330 A JPH05140330 A JP H05140330A
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Landscapes
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 芳香族高分子成形体の架橋、特に機械的強度
や耐熱性が要求されるエンジニアリングプラスチックや
耐熱電線被覆材等に利用。 【構成】 荷電粒子を照射することにより得られる架橋
芳香族高分子成形体において、芳香族高分子１００重量
部に対して、ハロゲン含有化合物が１〜２０重量部配合
される。 【効果】 芳香族高分子成形体の架橋に際し、ハロゲン
化合物を配合したので、イオン照射による架橋効率を高
め得る。
や耐熱性が要求されるエンジニアリングプラスチックや
耐熱電線被覆材等に利用。 【構成】 荷電粒子を照射することにより得られる架橋
芳香族高分子成形体において、芳香族高分子１００重量
部に対して、ハロゲン含有化合物が１〜２０重量部配合
される。 【効果】 芳香族高分子成形体の架橋に際し、ハロゲン
化合物を配合したので、イオン照射による架橋効率を高
め得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、芳香族高分子成形体の
架橋に関し、特に、機械的強度や耐熱性が要求されるエ
ンジニアプラスチックや耐熱架橋電線に適用しうる電線
被覆材等に利用される。
架橋に関し、特に、機械的強度や耐熱性が要求されるエ
ンジニアプラスチックや耐熱架橋電線に適用しうる電線
被覆材等に利用される。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電線などの被覆材等に用いられ
る、ポリエチレン、ポリ塩化ビニルのような高分子は、
そのままでは融点は１００℃程度と低いために熱に暴露
されると絶縁層が溶けたり、収縮したりする欠点があ
る。このような欠点をなくするために、化学架橋や電子
線により架橋を行って、熱変形性を向上させて、電線被
覆材料などに用いられている。例えば、電子線照射にお
いて、高分子を架橋させるのに、高分子単体、または架
橋効率を高めるために、多官能性モノマーが配合されて
いる。
る、ポリエチレン、ポリ塩化ビニルのような高分子は、
そのままでは融点は１００℃程度と低いために熱に暴露
されると絶縁層が溶けたり、収縮したりする欠点があ
る。このような欠点をなくするために、化学架橋や電子
線により架橋を行って、熱変形性を向上させて、電線被
覆材料などに用いられている。例えば、電子線照射にお
いて、高分子を架橋させるのに、高分子単体、または架
橋効率を高めるために、多官能性モノマーが配合されて
いる。
【０００３】この場合に、利用される多官能性モノマー
としては、例えばトリメチロールプロパントリメタクリ
レート、ペンタエリスリトールジアクリレート、トリア
リルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、トリ
アクリルホルマール、１，６−ヘキサンジオールジアク
リレート、メチレンビスアクリルアミド、トリメリット
酸トリアリル、エチレングリコールジアリルエーテル等
が挙げられる。
としては、例えばトリメチロールプロパントリメタクリ
レート、ペンタエリスリトールジアクリレート、トリア
リルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、トリ
アクリルホルマール、１，６−ヘキサンジオールジアク
リレート、メチレンビスアクリルアミド、トリメリット
酸トリアリル、エチレングリコールジアリルエーテル等
が挙げられる。
【０００４】近年、耐熱性等の要求が高まり、耐熱性の
高いエンジニアプラスチック、例えば芳香族系高分子が
利用されるようになってきたが、電子線では架橋が困難
であり、非架橋タイプが主である。芳香族高分子の架橋
に関しては、既にポリエチレンテレフタレート、芳香族
環含有のポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイ
ミド等の芳香族高分子について知られている。
高いエンジニアプラスチック、例えば芳香族系高分子が
利用されるようになってきたが、電子線では架橋が困難
であり、非架橋タイプが主である。芳香族高分子の架橋
に関しては、既にポリエチレンテレフタレート、芳香族
環含有のポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイ
ミド等の芳香族高分子について知られている。
【０００５】例えば、特願平２−１９９７２２号公報等
に記載されている技術が挙げられる。しかし、単にイオ
ン照射により架橋させるものであり、このイオン照射に
かなりの時間を要する。
に記載されている技術が挙げられる。しかし、単にイオ
ン照射により架橋させるものであり、このイオン照射に
かなりの時間を要する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、芳香族
高分子の架橋の効率を向上させるべく、種々検討を重ね
た結果、芳香族高分子に少なくともハロゲン含有化合物
を配合することにより、芳香族高分子がイオンなどの荷
電粒子の照射により容易に架橋できることを見出し、本
発明を完成するに至った。
高分子の架橋の効率を向上させるべく、種々検討を重ね
た結果、芳香族高分子に少なくともハロゲン含有化合物
を配合することにより、芳香族高分子がイオンなどの荷
電粒子の照射により容易に架橋できることを見出し、本
発明を完成するに至った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、荷
電粒子を照射することにより得られる架橋芳香族高分子
成形体において、芳香族高分子１００重量部に対して、
少なくともハロゲン含有化合物が１〜２０重量部配合さ
れていることを特徴とする、架橋芳香族高分子成形体で
ある。
電粒子を照射することにより得られる架橋芳香族高分子
成形体において、芳香族高分子１００重量部に対して、
少なくともハロゲン含有化合物が１〜２０重量部配合さ
れていることを特徴とする、架橋芳香族高分子成形体で
ある。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、芳香族高分子１００重量部に対して、少なくともハ
ロゲン含有化合物が１〜２０重量部配合されている芳香
族高分子成形体に対して、荷電粒子を照射することが必
要である。
は、芳香族高分子１００重量部に対して、少なくともハ
ロゲン含有化合物が１〜２０重量部配合されている芳香
族高分子成形体に対して、荷電粒子を照射することが必
要である。
【０００９】芳香族高分子、特に芳香族高分子成形物に
イオンなどの荷電粒子を照射した場合に、芳香族高分子
分子が損傷を受けて、ラジカルが生成する結果として分
解や架橋が進行する。この時に、芳香族高分子中にハロ
ゲン含有化合物が存在すると、イオン照射により活性な
ハロゲンラジカルが生成し、該芳香族高分子を攻撃する
ために、該高分子の分解や架橋が進行しやすくなり、低
照射量で効率的な架橋成形物が得られるのである。
イオンなどの荷電粒子を照射した場合に、芳香族高分子
分子が損傷を受けて、ラジカルが生成する結果として分
解や架橋が進行する。この時に、芳香族高分子中にハロ
ゲン含有化合物が存在すると、イオン照射により活性な
ハロゲンラジカルが生成し、該芳香族高分子を攻撃する
ために、該高分子の分解や架橋が進行しやすくなり、低
照射量で効率的な架橋成形物が得られるのである。
【００１０】芳香族高分子の架橋を促進するためには、
ハロゲン含有化合物が少なくとも配合されていることを
要し、従来公知の架橋助剤、例えば従来の技術の項で説
明したような多官能性モノマーをも添加しても良い。
ハロゲン含有化合物が少なくとも配合されていることを
要し、従来公知の架橋助剤、例えば従来の技術の項で説
明したような多官能性モノマーをも添加しても良い。
【００１１】本発明に使用できるハロゲン含有化合物と
しては、フッ素、塩素、臭素、沃素の少なくとも１種以
上が含まれていれば特に制限されない。例えば、ポリテ
トラフルオロエチレン、エチレン−テトラフルオロエチ
レン系共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン系共重合体、フッ化ビニリデン系重合体
などのフルオロポリマー；塩化ビニリデン系重合体、塩
化ビニル系重合体、塩素化ポリエチレンなどの塩素系ポ
リマー或いはデカブロモジフェニルエーテルなどの難燃
性を示すような含ハロゲン低分子化合物など、種々のハ
ロゲン含有化合物が使用できる。
しては、フッ素、塩素、臭素、沃素の少なくとも１種以
上が含まれていれば特に制限されない。例えば、ポリテ
トラフルオロエチレン、エチレン−テトラフルオロエチ
レン系共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン系共重合体、フッ化ビニリデン系重合体
などのフルオロポリマー；塩化ビニリデン系重合体、塩
化ビニル系重合体、塩素化ポリエチレンなどの塩素系ポ
リマー或いはデカブロモジフェニルエーテルなどの難燃
性を示すような含ハロゲン低分子化合物など、種々のハ
ロゲン含有化合物が使用できる。
【００１２】該ハロゲン含有化合物の配合量は、芳香族
高分子１００重量部に対して１〜２０重量部が好まし
い。ハロゲン含有化合物の配合量が１重量部未満ではイ
オン照射による架橋促進の作用が不充分であるし、また
ハロゲン含有化合物の配合量が２０重量部を越えると芳
香族高分子成形物の物性が悪くなる。
高分子１００重量部に対して１〜２０重量部が好まし
い。ハロゲン含有化合物の配合量が１重量部未満ではイ
オン照射による架橋促進の作用が不充分であるし、また
ハロゲン含有化合物の配合量が２０重量部を越えると芳
香族高分子成形物の物性が悪くなる。
【００１３】本発明において、芳香族高分子としては、
芳香族環含有ポリマーであれば特に制限されないが、代
表的には芳香族ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル
イミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリフェ
ニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリブチレンテレフ
タレートなどを挙げることができる。
芳香族環含有ポリマーであれば特に制限されないが、代
表的には芳香族ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル
イミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリフェ
ニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリブチレンテレフ
タレートなどを挙げることができる。
【００１４】芳香族高分子成形物に照射する荷電粒子と
しては芳香族高分子に損傷を与えるものであれば特に制
限されないが、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴンなど
の陽イオンが使用可能であるが、好ましくは、照射によ
り成形物中に注入されたイオンが、その芳香族高分子の
物性に悪影響を与えないように選択すれば良い。
しては芳香族高分子に損傷を与えるものであれば特に制
限されないが、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴンなど
の陽イオンが使用可能であるが、好ましくは、照射によ
り成形物中に注入されたイオンが、その芳香族高分子の
物性に悪影響を与えないように選択すれば良い。
【００１５】また、イオンの質量の小さいものほど、例
えば水素イオンやヘリウムイオンがイオンビームの透過
距離が長くなるので、肉厚の厚い絶縁層を持つ電線の照
射に適当である。 イオンビームのエネルギー量は、架
橋させたい成形物の厚みによりエネルギー量を変えれば
良くて特に規制されないが、一般に１ＭｅＶ以上が好ま
しい。イオンビームのエネルギー量が１ＭｅＶ未満では
被覆層の内部まで架橋することが難しく、架橋成形物の
特長が得がたい。例えば、電線被覆の場合、その被覆厚
みが架橋する程度のエネルギーの範囲が好ましい。
えば水素イオンやヘリウムイオンがイオンビームの透過
距離が長くなるので、肉厚の厚い絶縁層を持つ電線の照
射に適当である。 イオンビームのエネルギー量は、架
橋させたい成形物の厚みによりエネルギー量を変えれば
良くて特に規制されないが、一般に１ＭｅＶ以上が好ま
しい。イオンビームのエネルギー量が１ＭｅＶ未満では
被覆層の内部まで架橋することが難しく、架橋成形物の
特長が得がたい。例えば、電線被覆の場合、その被覆厚
みが架橋する程度のエネルギーの範囲が好ましい。
【００１６】イオンビームの照射量としては、１×１０
11〜１×１０15ｐ／ｃｍ2 、好ましくは１×１０12〜５
×１０14ｐ／ｃｍ2 である。イオンビームの照射量が１
×１０11ｐ／ｃｍ2 未満の場合には架橋が起り難く、耐
熱性向上の効果が得られないし、また１×１０15ｐ／ｃ
ｍ2 を越えると被覆層の劣化が一層に進行し、物性が低
下する。
11〜１×１０15ｐ／ｃｍ2 、好ましくは１×１０12〜５
×１０14ｐ／ｃｍ2 である。イオンビームの照射量が１
×１０11ｐ／ｃｍ2 未満の場合には架橋が起り難く、耐
熱性向上の効果が得られないし、また１×１０15ｐ／ｃ
ｍ2 を越えると被覆層の劣化が一層に進行し、物性が低
下する。
【００１７】
【実施例】本発明を下記の実施例及び比較例により説明
するが、これらは本発明の範囲を制限しない。
するが、これらは本発明の範囲を制限しない。
【実施例１】ポリアリレート樹脂（商品名Ｕポリマー）
１００ｇに対してエチレン−テトラフルオロエチレン共
重合体（商品名アフロン）１０ｇを配合し、フィルムを
製造した後、Ｈ+ イオンを１×１０15ｐ／ｃｍ2 照射し
た。ポリアリレートが溶解するＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに、イオン照射したフィルムを８０℃、２時間浸漬
後取出し、浸漬前後の重量比を測定し、ゲル分率（測定
法：ＪＩＳ に準拠する）を求めた。ゲル分率は６
５％であった。
１００ｇに対してエチレン−テトラフルオロエチレン共
重合体（商品名アフロン）１０ｇを配合し、フィルムを
製造した後、Ｈ+ イオンを１×１０15ｐ／ｃｍ2 照射し
た。ポリアリレートが溶解するＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに、イオン照射したフィルムを８０℃、２時間浸漬
後取出し、浸漬前後の重量比を測定し、ゲル分率（測定
法：ＪＩＳ に準拠する）を求めた。ゲル分率は６
５％であった。
【００１８】
【実施例２】ポリエーテルイミド樹脂（商品名ウルテ
ム）１００ｇに対してエチレン−テトラフルオロエチレ
ン共重合体（商品名アフロン）１０ｇを配合し、フィル
ムを製造した後、Ｈ+ イオンを１×１０15ｐ／ｃｍ2 照
射した。架橋が進行すると、フィルムの機械的強度であ
る抗張力が向上することから、抗張力を測定したとこ
ろ、ポリエーテルイミド未照射フィルムに比し、１．３
倍となった。
ム）１００ｇに対してエチレン−テトラフルオロエチレ
ン共重合体（商品名アフロン）１０ｇを配合し、フィル
ムを製造した後、Ｈ+ イオンを１×１０15ｐ／ｃｍ2 照
射した。架橋が進行すると、フィルムの機械的強度であ
る抗張力が向上することから、抗張力を測定したとこ
ろ、ポリエーテルイミド未照射フィルムに比し、１．３
倍となった。
【００１９】
【比較例１】ハロゲン含有化合物を配合しない点を除い
て、実施例１と同様の操作でポリアリレートフィルムを
製造後、Ｈ+ イオンを１×１０15ｐ／ｃｍ2 照射した。
このフィルムをＮ−メチル−２−ピロリドンに８０℃、
２時間浸漬後取出し、浸漬前後の重量比を測定し、ゲル
分率を求めた。ゲル分率は４０％であった。
て、実施例１と同様の操作でポリアリレートフィルムを
製造後、Ｈ+ イオンを１×１０15ｐ／ｃｍ2 照射した。
このフィルムをＮ−メチル−２−ピロリドンに８０℃、
２時間浸漬後取出し、浸漬前後の重量比を測定し、ゲル
分率を求めた。ゲル分率は４０％であった。
【００２０】
【比較例２】ハロゲン含有化合物を配合しない点を除い
て、実施例２と同様の操作でポリイミドフィルムを製造
後、Ｈ+ イオンを１×１０15ｐ／ｃｍ2 照射した。この
フィルムの抗張力を測定したところ、ポリエーテルイミ
ド未照射フィルムに比し、１．２倍となった。
て、実施例２と同様の操作でポリイミドフィルムを製造
後、Ｈ+ イオンを１×１０15ｐ／ｃｍ2 照射した。この
フィルムの抗張力を測定したところ、ポリエーテルイミ
ド未照射フィルムに比し、１．２倍となった。
【００２１】
【発明の効果】本発明では、芳香族高分子成形物の架橋
に際し、ハロゲン化合物を配合することにより、イオン
照射による架橋効率を高めることが出来る。このため
に、電線被覆材等の工業的利用に役立つものである。
に際し、ハロゲン化合物を配合することにより、イオン
照射による架橋効率を高めることが出来る。このため
に、電線被覆材等の工業的利用に役立つものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 101/00 ＬＳＹ 7167−4Ｊ Ｈ０１Ｂ 13/06 7244−5Ｇ // Ｃ０８Ｌ 27:12
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電粒子を照射することにより得られる
架橋芳香族高分子成形体において、芳香族高分子１００
重量部に対して、少なくともハロゲン含有化合物が１〜
２０重量部配合されていることを特徴とする、架橋芳香
族高分子成形体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32664891A JPH05140330A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 架橋芳香族高分子成形体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32664891A JPH05140330A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 架橋芳香族高分子成形体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05140330A true JPH05140330A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=18190129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32664891A Pending JPH05140330A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 架橋芳香族高分子成形体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05140330A (ja) |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP32664891A patent/JPH05140330A/ja active Pending
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