JPH0514052A - High frequency circuit module with filter - Google Patents
High frequency circuit module with filterInfo
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- JPH0514052A JPH0514052A JP3189172A JP18917291A JPH0514052A JP H0514052 A JPH0514052 A JP H0514052A JP 3189172 A JP3189172 A JP 3189172A JP 18917291 A JP18917291 A JP 18917291A JP H0514052 A JPH0514052 A JP H0514052A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、フィルタ付高周波回路
モジュールに関し、更に詳しく言えば、フィルタ付VC
O(電圧制御発振器)など、高周波回路部とフィルタ部
とを具備したフィルタ付高周波回路モジュールに関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency circuit module with a filter, more specifically, a VC with a filter.
The present invention relates to a high frequency circuit module with a filter including a high frequency circuit unit such as O (voltage controlled oscillator) and a filter unit.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3〜図5は本発明者が先に提案した例
を示した図であり、図3はフィルタ付発振器モジュール
の分解斜視図、図4はフィルタ付VCOの回路例、図5
は図4の回路構成によるフィルタ付発振器モジュールの
断面図である。2. Description of the Related Art FIGS. 3 to 5 are views showing an example previously proposed by the present inventor, FIG. 3 is an exploded perspective view of an oscillator module with a filter, FIG. 4 is a circuit example of a VCO with a filter, and FIG. 5
FIG. 5 is a sectional view of an oscillator module with a filter having the circuit configuration of FIG. 4.
【0003】図中、1はシールドキャップ、2は多層基
板、3はシールド層(GND層)、4は部品搭載面、5
は実装部品(ディスクリ−ト部品)、6は発振部を実装
した層、7はフィルタ部を実装した層を示す。In the figure, 1 is a shield cap, 2 is a multilayer substrate, 3 is a shield layer (GND layer), 4 is a component mounting surface, 5
Is a mounting component (discrete component), 6 is a layer on which the oscillator is mounted, and 7 is a layer on which the filter is mounted.
【0004】また、C1 〜C13はコンデンサ、L1 〜L
5 はコイル、R1 〜R6 は抵抗、Tr1 、Tr2 はトラ
ンジスタ、Tcはコントロール端子、VD は可変容量ダ
イオード、OUTは出力端子、Vccは電源を示す。Further, C 1 to C 13 are capacitors, and L 1 to L
Reference numeral 5 is a coil, R 1 to R 6 are resistors, Tr 1 and Tr 2 are transistors, Tc is a control terminal, V D is a variable capacitance diode, OUT is an output terminal, and Vcc is a power supply.
【0005】本発明者は、先に多層基板を用いたフィル
タ付回路ブロック(特願平2−149345号)を提案
しており、図3〜図5はその例を示した図である。図3
では、多層基板に発振部とフィルタ部とを実装したフィ
ルタ付発振器モジュールが示してある。The present inventor has previously proposed a circuit block with a filter (Japanese Patent Application No. 2-149345) using a multi-layer substrate, and FIGS. 3 to 5 are views showing examples thereof. Figure 3
Shows an oscillator module with a filter in which an oscillating unit and a filter unit are mounted on a multilayer substrate.
【0006】このようなフィルタ付発振器モジュールで
は、発振部とフィルタ部とを電磁気的に遮蔽(シール
ド)する必要がある。このため、図3に示した構成にす
る。図示のように、基板として多層基板2を用い、前記
多層基板2の内部層に、シールド層(GND層)3を形
成する。このシールド層3は、例えば1つの内部層上の
全面に、厚膜導体を印刷した厚膜導体パターンで形成
し、GND層として用いる。In such an oscillator module with a filter, it is necessary to electromagnetically shield the oscillating portion and the filter portion. Therefore, the configuration shown in FIG. 3 is used. As shown in the figure, a multilayer substrate 2 is used as a substrate, and a shield layer (GND layer) 3 is formed on the inner layer of the multilayer substrate 2. The shield layer 3 is formed as a thick film conductor pattern by printing a thick film conductor on the entire surface of one inner layer, and is used as a GND layer.
【0007】そして、前記シールド層3の片側を、発振
部を実装した層6とし、前記シールド層3の反対側を、
フィルタ部を実装した層7とする。また、発振部を実装
した層6の表面層は部品搭載面4となっているので、こ
の部品搭載面4には実装部品(トランジスタ等)5を搭
載する。Then, one side of the shield layer 3 is a layer 6 on which an oscillating portion is mounted, and the other side of the shield layer 3 is
It is the layer 7 on which the filter part is mounted. Since the surface layer of the layer 6 on which the oscillator is mounted is the component mounting surface 4, the mounting component (transistor or the like) 5 is mounted on the component mounting surface 4.
【0008】このような構成で、発振部とフィルタ部と
を多層基板2に実装するが、発振部の周囲は完全にシー
ルドする必要があるため、多層基板2の上部(部品搭載
面4側)にシールドキャップ1を被せ、シールド層3と
電気的に接続する。With such a structure, the oscillating portion and the filter portion are mounted on the multilayer substrate 2, but the periphery of the oscillating portion needs to be completely shielded, so that the upper portion of the multilayer substrate 2 (on the component mounting surface 4 side). Then, the shield cap 1 is covered and electrically connected to the shield layer 3.
【0009】前記シールドキャップ1を多層基板2上に
被せた状態では、発振部は、シールドキャップ1とシー
ルド層3によって、その周囲を覆われるため、発振部の
シールドが完全にできる。When the shield cap 1 is placed on the multilayer substrate 2, the oscillating portion is covered with the shield cap 1 and the shield layer 3, so that the oscillating portion can be completely shielded.
【0010】以下、上記のようなフィルタ付発振器モジ
ュールの具体例を、図4、図5に基づいて説明する。こ
の例では、発振器としてVCO(電圧制御発振器)を用
い、このVCOにフィルタを付加して、フィルタ付VC
Oとした例である。またフィルタとしては、バンドパス
フィルタ(BPF)を用いた。A specific example of the oscillator module with a filter as described above will be described below with reference to FIGS. In this example, a VCO (voltage controlled oscillator) is used as an oscillator, a filter is added to this VCO, and a VC with a filter is added.
This is an example of O. A band pass filter (BPF) was used as the filter.
【0011】図4に示したように、フィルタ付VCO
は、発振部とバッファ部とバンドパスフィルタ部とで構
成されている。前記発振部の入力側にはコントロール端
子Tcが設けられ、バンドパスフィルタ部の出力側には
出力端子OUTが設けてある。As shown in FIG. 4, a VCO with a filter is provided.
Is composed of an oscillation unit, a buffer unit, and a bandpass filter unit. A control terminal Tc is provided on the input side of the oscillation section, and an output terminal OUT is provided on the output side of the bandpass filter section.
【0012】発振部は、トランジスタTr1 、コンデン
サC1 〜C6 、抵抗R1 〜R3 、コイルL1 、可変容量
ダイオードVD で構成され、バッファ部は、トランジス
タTr2 、コンデンサC7 〜C9 、C13、抵抗R4 〜R
6 、コイルL2 で構成される。The oscillating unit is composed of a transistor Tr 1 , capacitors C 1 to C 6 , resistors R 1 to R 3 , a coil L 1 and a variable capacitance diode V D , and a buffer unit is a transistor Tr 2 and a capacitor C 7 to. C 9 , C 13 , resistances R 4 to R
6 and coil L 2 .
【0013】また、バンドパスフィルタ部は、コンデン
サC10〜C12、コイルL3 〜L5 で構成されると共に、
L3 C10、 L4 C12、L5 C11でそれぞれLC共振回
路を構成している。The bandpass filter section is composed of capacitors C 10 to C 12 and coils L 3 to L 5 , and
Respectively L 3 C 10, L 4 C 12, L 5 C 11 constitute an LC resonant circuit.
【0014】図4のフィルタ付VCOの回路を、多層基
板に実装したフィルタ付発振器(フィルタ付VCO)モ
ジュールの断面は、例えば図5のように構成されてい
る。なお、図5では、多層基板の一断面を図示してあ
り、シールドキャップは図示省略してある。またトラン
ジスタや抵抗は、ディスクリート部品として実装してあ
る。The cross section of an oscillator with filter (VCO with filter) module in which the circuit of the VCO with filter of FIG. 4 is mounted on a multilayer substrate is configured as shown in FIG. 5, for example. In addition, in FIG. 5, one cross section of the multilayer substrate is illustrated, and the shield cap is omitted. The transistors and resistors are mounted as discrete parts.
【0015】図示断面において、多層基板2の内部の一
層に、シールド層(GND層)3が設けてあり、このシ
ールド層3の上側(図の上側)に発振部とバッファ部を
実装し、下側にバンドパスフィルタ部を実装している。In the cross section shown in the drawing, a shield layer (GND layer) 3 is provided on one layer inside the multi-layer substrate 2, and an oscillating section and a buffer section are mounted on the upper side (upper side in the figure) of this shield layer 3 and The bandpass filter part is mounted on the side.
【0016】シールド層3の上側では、発振部のコイル
L1 、バッファ部のコイルL2 等を厚膜導体パターンを
用いて形成し、多層基板に内蔵させてある。また、発振
部のコンデンサC1 〜C6 、バッファ部のコンデンサC
7 、〜C9 、C13も、厚膜導体パターンを用いて形成
し、多層基板2に内蔵させてある。[0016] In the upper shield layer 3, the coil L 1 of the oscillator, the coil L 2 and the like of the buffer unit is formed using a thick film conductor pattern, are then incorporated in the multilayer substrate. Also, the capacitors C 1 to C 6 of the oscillator and the capacitor C of the buffer
7 , C 9 and C 13 are also formed using a thick film conductor pattern and are built in the multilayer substrate 2.
【0017】前記以外のトランジスタTr1 、Tr2 、
抵抗R1 〜R6 、可変容量ダイオードVD 等の部品は、
ディスクリート部品として部品搭載面4上に搭載し、所
定の配線パターンに接続してある。Transistors other than the above, Tr 1 , Tr 2 ,
Components such as resistors R 1 to R 6 and variable capacitance diode V D are
It is mounted on the component mounting surface 4 as a discrete component and connected to a predetermined wiring pattern.
【0018】また、シールド層(GND層)3の下側に
は、バンドパスフィルタ部(BPF部)のコイルL3 〜
L5 とコンデンサC10〜C12を厚膜導体パターンを用い
て形成し、多層基板2に内蔵してある。Below the shield layer (GND layer) 3, the coils L 3 to of the bandpass filter portion (BPF portion) are provided.
L 5 and capacitors C 10 to C 12 are formed using a thick film conductor pattern and are built in the multilayer substrate 2.
【0019】図5の断面では、コイルL3 とコンデンサ
C10だけが図示してあるが、他のコイルとコンデンサも
同様にして内蔵してある。また、バンドパスフィルタ部
は、発振部の影響を受けないようにするため、できるだ
け、バッファ部の下側に作られる。In the cross section of FIG. 5, only the coil L 3 and the capacitor C 10 are shown, but other coils and capacitors are similarly incorporated. In addition, the bandpass filter section is formed below the buffer section as much as possible so as not to be affected by the oscillation section.
【0020】[0020]
【発明が解決しようとする課題】上記のようなものにお
いては、次のような課題があった。
(1)フィルタ付発振器モジュールでは、発振部とフィル
タ部とをシールドする必要があるため、シールド層を境
にして、一方側に発振部を配置し、他方側にフィルタ部
を配置する。このような層設定を行うと、多層基板の層
数が増加する(多層基板を有効利用できない)。The above-mentioned problems have the following problems. (1) In the oscillator module with a filter, since it is necessary to shield the oscillating unit and the filter unit, the oscillating unit is arranged on one side and the filter unit is arranged on the other side with the shield layer as a boundary. When such layer setting is performed, the number of layers of the multilayer substrate increases (the multilayer substrate cannot be effectively used).
【0021】(2)図5に示したフィルタ付発振器モジュ
ールでは、バンドパスフィルタ部が発振部の影響を受け
ないようにするため、バッファ部の下側に作られる。こ
のため、図5のA、Bで示した部分がデッドスペースに
なる。(2) In the oscillator module with a filter shown in FIG. 5, the bandpass filter section is formed below the buffer section so as not to be influenced by the oscillation section. Therefore, the portions indicated by A and B in FIG. 5 become dead spaces.
【0022】(3)特に、Qの高いコイルを必要とする場
合には、例えば巻数の多いヘリカルコイルを使う必要が
ある。このようなヘリカルコイルを多層基板2に内蔵さ
せるには、多層基板2の層数を多くしなければならな
い。特に上記コイルは、発振部のL1 のコイル及びフィ
ルタ部のL3 〜L5 において必要である。従って、多層
基板の層数が増加しても、モジュールが厚くなると共
に、図5のA、Bで示したデッドスペースが更に多くな
る。(3) In particular, when a coil having a high Q is required, it is necessary to use a helical coil having a large number of turns, for example. In order to incorporate such a helical coil in the multilayer substrate 2, the number of layers of the multilayer substrate 2 must be increased. In particular, the above coil is required in the coil of L 1 of the oscillation section and L 3 to L 5 of the filter section. Therefore, even if the number of layers of the multi-layer substrate increases, the module becomes thicker and the dead space shown by A and B in FIG. 5 further increases.
【0023】(4)モジュールを構成する多層基板の層数
が多くなると、構造工程において、印刷や積層の回数が
増加し、手間がかかる。その結果、モジュールのコスト
アップとなる。またモジュールの小型化が困難となる。
更に基板が厚くなると、その基板がセラミックスの場
合、製造上脱脂焼成を行うが、脱脂に非常に時間がかか
るため、コストアップとなる。(4) When the number of layers of the multi-layer substrate constituting the module increases, the number of times of printing or lamination increases in the structural process, which is troublesome. As a result, the cost of the module increases. Further, it becomes difficult to miniaturize the module.
When the substrate becomes thicker, if the substrate is made of ceramics, degreasing firing is performed for manufacturing, but degreasing takes a very long time, resulting in an increase in cost.
【0024】(5)多層基板の層数が増加すると、例えば
基板が厚いため、SIOP構造のモジュールでは、リー
ドフレームの挿入が困難となる。また、面実装部品とす
る場合は、実装高さが高くなる。本発明はこのような課
題を対決し、多層基板の積層数を増加させることなく、
発振部とフィルタ部との間のシールドができるようにす
ることを目的とする。(5) When the number of layers of the multilayer substrate increases, for example, since the substrate is thick, it becomes difficult to insert the lead frame in the SIOP structure module. Further, when the surface mount component is used, the mounting height becomes high. The present invention confronts such a problem, without increasing the number of stacked multilayer substrates,
It is an object of the present invention to provide a shield between the oscillator and the filter.
【0025】[0025]
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理図で
あり、図中、図3と同符号は同一のものを示す。また、
8はブラインドスルーホール(内部が導体で満たされた
スルーホール)を示す。本発明は上記の課題を解決する
ため、次のように構成した。FIG. 1 is a principle diagram of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 3 indicate the same elements. Also,
Reference numeral 8 denotes a blind through hole (a through hole whose inside is filled with a conductor). The present invention has the following configuration to solve the above problems.
【0026】(1)多層基板2の内部層にシールド層3を
設定し、該シールド層を境にして、多層基板2の一方側
には、高周波回路部を実装し、他方側にはフィルタ部を
内蔵して実装すると共に、高周波回路部を実装した多層
基板面を覆うように、シールドキャップ1を被せ、該シ
ールドキャップ1とシールド層3とを電気的に接続する
ことにより、発振部の周囲をシールドしたフィルタ付高
周波回路モジュールであって、前記シールド層3を、多
層基板2の内部の複数層にわたって設定した。
(2)前記構成(1)において、高周波回路部が発振部を
含むようにした。(1) The shield layer 3 is set on the inner layer of the multilayer substrate 2, and the high frequency circuit section is mounted on one side of the multilayer substrate 2 with the shield layer as a boundary, and the filter section is on the other side. And the surroundings of the oscillating portion by covering the multilayer substrate surface on which the high frequency circuit portion is mounted with the shield cap 1 and electrically connecting the shield cap 1 and the shield layer 3 to each other. In the high frequency circuit module with a filter, the shield layer 3 is set over a plurality of layers inside the multilayer substrate 2. (2) In the above configuration (1), the high frequency circuit section includes an oscillation section.
【0027】[0027]
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図1を参照
しながら説明する。多層基板2の内部層にシールド層3
を設定する際、従来のように一層上に設定するのではな
く、複数層(例えば2層)に分割して設定し、その間を
ブラインドスルーホール(内部が導体で満たされたスル
ーホール)8によって接続する。The operation of the present invention based on the above construction will be described with reference to FIG. The shield layer 3 is provided on the inner layer of the multilayer substrate 2.
When setting, instead of setting it on one layer as in the conventional case, it is set by dividing into a plurality of layers (for example, two layers), and a blind through hole (through hole whose inside is filled with a conductor) 8 is provided between them. Connecting.
【0028】そして、シールド層を境にして、図の上側
には高周波回路部を実装し、下側にはフィルタ部を実装
する。この場合、フィルタ部はすべて多層基板に内蔵さ
せるが、高周波回路部はディスクリート部品と内蔵部品
とを用いて実装する。Then, with the shield layer as a boundary, the high frequency circuit section is mounted on the upper side of the figure, and the filter section is mounted on the lower side. In this case, the filter unit is entirely built in the multilayer substrate, but the high frequency circuit unit is mounted using discrete components and built-in components.
【0029】また、高周波回路部とフィルタ部とを実装
した多層基板2の上部には、高周波回路部を覆うように
してシールドキャップ1を被せ、該シールドキャップ1
とシールド層3とを電気的に接続する。このようにすれ
ば、従来例のようなデッドスペースを有効に利用するこ
とができ、少ない層数の多層基板で高周波回路部とフィ
ルタ部の実装ができる。A shield cap 1 is placed on the upper part of the multilayer substrate 2 on which the high frequency circuit section and the filter section are mounted so as to cover the high frequency circuit section.
And the shield layer 3 are electrically connected. With this configuration, the dead space as in the conventional example can be effectively utilized, and the high frequency circuit section and the filter section can be mounted on the multilayer substrate having a small number of layers.
【0030】また、高周波回路部は、シールドキャップ
1とシールド層3とにより全周囲をシールドされる。従
って、フィルタ部は、高周波回路部からのノイズの影響
を受けることもなくなる。The high-frequency circuit section is shielded by the shield cap 1 and the shield layer 3 around the entire circumference. Therefore, the filter section is not affected by the noise from the high frequency circuit section.
【0031】[0031]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
(実施例の説明)図2は、本発明の実施例におけるフィ
ルタ付発振器モジュールの断面図である。図中、図1、
図3〜図5と同符号は同一のものを示す。また、3Aは
第1のシールドパターン(GNDパターン)、3Bは第
2のシールドパターン(GNDパターン)2−1〜2−
6は多層基板の第1層〜第6層を示す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Description of Embodiments) FIG. 2 is a sectional view of an oscillator module with a filter according to an embodiment of the present invention. In the figure,
The same reference numerals as those in FIGS. 3 to 5 denote the same components. 3A is a first shield pattern (GND pattern), 3B is a second shield pattern (GND pattern) 2-1 to 2-
Reference numeral 6 denotes the first to sixth layers of the multilayer substrate.
【0032】この実施例のフィルタ付発振器モジュール
は、図4に示したフィルタ付VCOの回路を、多層基板
に実装した図である。なお、図2では、前記多層基板の
一断面を示してあり、シールドキャップは、図示省略し
てある。The oscillator module with a filter of this embodiment is a diagram in which the circuit of the VCO with a filter shown in FIG. 4 is mounted on a multilayer substrate. Note that FIG. 2 shows a cross section of the multilayer substrate, and the shield cap is not shown.
【0033】図示のように、多層基板2を、第1層2−
1〜第6層2−6から成る6層構成とした。この多層基
板2の内部には、シールド層(GND層)を設定する
が、この例では、第1層2−1上に形成した第1のシー
ルドパターン(GNDパターン)3Aと、第4層2−4
上に形成した第2のシールドパターン(GNDパター
ン)3Bとでシールド層を構成する。As shown, the multilayer substrate 2 is connected to the first layer 2-
A six-layer structure including the first to sixth layers 2-6 was adopted. A shield layer (GND layer) is set inside the multilayer substrate 2. In this example, the first shield pattern (GND pattern) 3A formed on the first layer 2-1 and the fourth layer 2 are formed. -4
The second shield pattern (GND pattern) 3B formed above constitutes a shield layer.
【0034】すなわち、第1層2−1上には、第1のシ
ールドパターン3Aを設定すると共に、第4層2−4上
には第2のシールドパターン3Bを設定する。この場
合、第1のシールドパターン3A及び第2のシールドパ
ターン3Bは、その一端部が、積層方向からみて多少重
なる位置まで延長して形成し、重なった部分の間を、ブ
ラインドスルーホール(内部が導体で満たされたスルー
ホール)8によって接続する。That is, the first shield pattern 3A is set on the first layer 2-1 and the second shield pattern 3B is set on the fourth layer 2-4. In this case, the first shield pattern 3A and the second shield pattern 3B are formed such that one ends thereof extend to a position where they are slightly overlapped when viewed from the stacking direction, and a blind through hole (the inside is Connection is made by through holes 8 filled with conductors.
【0035】上記第1のシールドパターン3Aと、第2
のシールドパターン3Bとから成るシールド層の上側に
は、発振部とバッファ部を実装し、下側にはフィルタ部
を実装する。The first shield pattern 3A and the second shield pattern 3A
The oscillation part and the buffer part are mounted on the upper side of the shield layer composed of the shield pattern 3B and the filter part is mounted on the lower side.
【0036】更に具体的に説明すると次のようになる。
図の断面において、第2のシールドパターン3Bの下側
に位置する第1層2−1〜第3層2−3には、バンドパ
スフィルタ部(BPF部)を実装(内蔵)する。A more specific description is as follows.
In the cross section of the drawing, a bandpass filter section (BPF section) is mounted (built-in) on the first layer 2-1 to the third layer 2-3 located below the second shield pattern 3B.
【0037】また、発振部とバッファ部は、第1のシー
ルドパターン3Aの上側に位置する第2層2−2〜第6
層2−6と、第2のシールドパターン3Bの上側に位置
する第5層2−5〜第6層2−6に実装する。The oscillating section and the buffer section are the second layer 2-2 to the sixth layer located above the first shield pattern 3A.
The layer 2-6 and the fifth layer 2-5 to the sixth layer 2-6 located above the second shield pattern 3B are mounted.
【0038】前記発振部及びバッファ部の実装配置とし
ては、第2のシールドパターン3Bの上側には、バッフ
ァ部を配置し、第1のシールドパターン3Aの上側には
発振部を配置する。As the mounting arrangement of the oscillating section and the buffer section, the buffer section is arranged above the second shield pattern 3B, and the oscillating section is arranged above the first shield pattern 3A.
【0039】第6の層2−6上は、部品搭載面4として
使用され、トランジスタ等の部品(ディスクリート部
品)を実装する。更に、多層基板2の上方(図の上方)
からシールドキャップ1(図1参照)を被せ、このシー
ルドキャップと、第1、第2のシールドパターン3A、
3Bとを電気的に接続することにより、発振部とバッフ
ァ部の周囲をシールドする。The sixth layer 2-6 is used as the component mounting surface 4 for mounting components such as transistors (discrete components). Furthermore, above the multilayer substrate 2 (upper side in the figure)
The shield cap 1 (see FIG. 1) from above, and the shield cap and the first and second shield patterns 3A,
By electrically connecting to 3B, the periphery of the oscillation unit and the buffer unit is shielded.
【0040】上記バンドパスフィルタ部は、バッファ部
と接続しなければならないが、その接続方法は、次のよ
うにする。例えば、第2のシールドパターン3Bの一部
に、ドーナツ状の余白(導体の無い部分)を設けてお
き、その内側に、第2のシールドパターン3Bと接触し
ないようにしてスルーホール電極を設ける。バンドパス
フィルタ部とバッファ部を接続する際は、前記のスルー
ホール電極を介して接続する。The band pass filter section must be connected to the buffer section, and the connection method is as follows. For example, a doughnut-shaped blank (a portion without a conductor) is provided in a part of the second shield pattern 3B, and a through-hole electrode is provided inside the blank so as not to contact the second shield pattern 3B. When connecting the bandpass filter section and the buffer section, they are connected via the through-hole electrodes.
【0041】(他の実施例)以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。
(1) フィルタ高周波回路としては、図4に示したVCO
回路、高周波発振器のみに限らず、高周波増幅器、送信
器等の各種の回路に適用可能である。また高周波回路部
に、水晶発振子等の各種発振素子を実装する用途にも適
用可能である。(Other Embodiments) The embodiments have been described above, but the present invention can be implemented as follows. (1) As the filter high frequency circuit, the VCO shown in FIG. 4 is used.
The present invention is not limited to circuits and high-frequency oscillators, but can be applied to various circuits such as high-frequency amplifiers and transmitters. Further, it can be applied to the use of mounting various oscillation elements such as a crystal oscillator in the high frequency circuit section.
【0042】(2)シールド層の設定は、2層にわたって
設定してもよいが、それ以上の複数層にわたって設定す
ることも可能である。
(3)フィルタ付発振器モジュールは、挿入部品として構
成してもよく、またSMD(表面実装部品)として構成
してもよい。(2) The shield layers may be set over two layers, but it is also possible to set over a plurality of layers. (3) The oscillator module with a filter may be configured as an insertion component or may be configured as an SMD (surface mount component).
【0043】[0043]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。
(1)シールド層を、多層基板内の複数層にわたって設定
するので、多層基板内にデッドスペースが生じないよう
にして、適切な内蔵部品の配置をすることができる。そ
の結果、従来例にくらべて多層基板の積層数が少なくて
済む。As described above, the present invention has the following effects. (1) Since the shield layer is set over a plurality of layers in the multilayer substrate, it is possible to appropriately arrange the built-in components while preventing a dead space in the multilayer substrate. As a result, the number of laminated layers of the multilayer substrate can be smaller than that in the conventional example.
【0044】(2)多層基板の積層数が少なくて済むた
め、多層基板を作製する際の印刷工程や積層工程が少な
くなり、手間もかからず、脱脂工程も時間がかからな
い。その結果、製品のコストダウンも可能になる。
(3)多層基板の積層数が少ないと、その分、基板が薄く
なる。その結果、フィルタ付発振器モジュールの薄型化
ができ、従来のような実装上の問題もなくなる。(2) Since the number of laminated layers of the multi-layered substrate is small, the printing process and the laminating process for producing the multi-layered substrate are reduced, and the labor and degreasing process are not required. As a result, the cost of the product can be reduced. (3) If the number of laminated layers of the multilayer substrate is small, the substrate becomes thin accordingly. As a result, the oscillator module with a filter can be made thinner, and the conventional mounting problems are eliminated.
【図1】本発明の原理図である。FIG. 1 is a principle diagram of the present invention.
【図2】本発明の実施例におけるフィルタ付発振器モジ
ュールの断面図である。FIG. 2 is a sectional view of an oscillator module with a filter according to an embodiment of the present invention.
【図3】従来提案されていたフィルタ付発振器モジュー
ルの分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of a conventionally proposed oscillator module with a filter.
【図4】フィルタ付VCOの回路例である。FIG. 4 is a circuit example of a VCO with a filter.
【図5】図4の回路構成によるフィルタ付発振器モジュ
ールの断面図である。5 is a cross-sectional view of an oscillator module with a filter having the circuit configuration of FIG.
1 シールドキャップ 2 多層基板 3 シールド層(GND層) 4 部品搭載面 5 実装部品 6 発振部を実装した層 7 フィルタ部を実装した層 8 ブラインドスルーホール 1 Shield cap 2 Multi-layer board 3 Shield layer (GND layer) 4 Component mounting surface 5 Mounted parts 6 Layer mounting the oscillator 7 Layer in which the filter part is mounted 8 blind through holes
Claims (2)
(3)を設定し、 該シールド層(3)を境にして、 多層基板(2)の一方側には、高周波回路部を実装し、 他方側には、フィルタ部を内蔵させて実装すると共に、 高周波回路部を実装した多層基板面を覆うように、シー
ルドキャップ(1)を被せ、 該シールドキャップ(1)とシールド層(3)とを電気
的に接続することにより、高周波回路部の周囲をシール
ドしたフィルタ付高周波回路モジュールであって、 前記シールド層(3)を、多層基板(2)の内部の複数
層にわたって設定したことを特徴とするフィルタ付高周
波回路モジュール。1. A multi-layer substrate (2) is provided with a shield layer (3) as an inner layer, and a high-frequency circuit section is mounted on one side of the multi-layer substrate (2) with the shield layer (3) as a boundary. On the other side, a filter section is built in and mounted, and a shield cap (1) is covered so as to cover the surface of the multilayer substrate on which the high-frequency circuit section is mounted, and the shield cap (1) and the shield layer (3 ) And a high frequency circuit module with a filter which shields the periphery of the high frequency circuit part by electrically connecting the shield layer (3) to a plurality of layers inside the multilayer substrate (2). High-frequency circuit module with a filter characterized by:
特徴とした請求項1記載のフィルタ付高周波回路モジュ
ール。2. The high frequency circuit module with a filter according to claim 1, wherein the high frequency circuit section includes an oscillating section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3189172A JPH0514052A (en) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | High frequency circuit module with filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3189172A JPH0514052A (en) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | High frequency circuit module with filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514052A true JPH0514052A (en) | 1993-01-22 |
Family
ID=16236688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3189172A Withdrawn JPH0514052A (en) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | High frequency circuit module with filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514052A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1111708A1 (en) | 1994-09-28 | 2001-06-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency apparatus and method of forming same |
| JP2010112792A (en) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Nippon Soken Inc | Collision detector |
-
1991
- 1991-07-03 JP JP3189172A patent/JPH0514052A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1111708A1 (en) | 1994-09-28 | 2001-06-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency apparatus and method of forming same |
| EP1113520A1 (en) | 1994-09-28 | 2001-07-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency apparatus |
| EP1113520B1 (en) * | 1994-09-28 | 2003-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency apparatus |
| JP2010112792A (en) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Nippon Soken Inc | Collision detector |
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