JPH05142039A - 赤外線センサ - Google Patents
赤外線センサInfo
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- JPH05142039A JPH05142039A JP30775691A JP30775691A JPH05142039A JP H05142039 A JPH05142039 A JP H05142039A JP 30775691 A JP30775691 A JP 30775691A JP 30775691 A JP30775691 A JP 30775691A JP H05142039 A JPH05142039 A JP H05142039A
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 自己発熱が小さく、赤外線検出感度や最小検
出能が劣化することのない赤外線センサを提供すること
を目的とする。 【構成】 半導体基板１１に照射された赤外線は赤外線
吸収膜１９に効率良く吸収される。この時、受光領域の
半導体基板１１の裏面は薄層化されているため、吸収さ
れた赤外線の熱エネルギは逃げにくい。赤外線吸収膜１
９の温度はこの熱エネルギによって上昇し、この温度上
昇は受光領域の中心付近に設けられたセンサ用ダイオー
ドＤF に伝えられる。センサ用ダイオードＤF には定電
流ダイオードＤR から絶対値の小さな定電流が供給され
ており、ダイオードＤF の通電電流は赤外線照射による
温度上昇に対応して変化する。
出能が劣化することのない赤外線センサを提供すること
を目的とする。 【構成】 半導体基板１１に照射された赤外線は赤外線
吸収膜１９に効率良く吸収される。この時、受光領域の
半導体基板１１の裏面は薄層化されているため、吸収さ
れた赤外線の熱エネルギは逃げにくい。赤外線吸収膜１
９の温度はこの熱エネルギによって上昇し、この温度上
昇は受光領域の中心付近に設けられたセンサ用ダイオー
ドＤF に伝えられる。センサ用ダイオードＤF には定電
流ダイオードＤR から絶対値の小さな定電流が供給され
ており、ダイオードＤF の通電電流は赤外線照射による
温度上昇に対応して変化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線照射による温度変
化を検知して赤外線照射を電気信号に変換する赤外線セ
ンサに関するものである。
化を検知して赤外線照射を電気信号に変換する赤外線セ
ンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の熱型赤外線センサとして
は、図８（ａ）に示されるサーモパイルや、同図（ｂ）
に示されるボロメータなどがある。
は、図８（ａ）に示されるサーモパイルや、同図（ｂ）
に示されるボロメータなどがある。
【０００３】サーモパイルにおいては、半導体基板１上
で異なる熱電材料層２，３が堆積され、各層２，３が電
気的に接続されている。この接続部には赤外線吸収膜４
が覆われている。赤外線はこの吸収膜４に効率良く吸収
され、吸収膜４は赤外線照射量に応じた分だけ温度上昇
する。この温度上昇は定電流が通電されている熱電材料
層２，３に伝えられ、これら各層２，３の接続部に生じ
る熱起電力によって温度変化が検出される。この温度検
出により、赤外線の照射が検知される。
で異なる熱電材料層２，３が堆積され、各層２，３が電
気的に接続されている。この接続部には赤外線吸収膜４
が覆われている。赤外線はこの吸収膜４に効率良く吸収
され、吸収膜４は赤外線照射量に応じた分だけ温度上昇
する。この温度上昇は定電流が通電されている熱電材料
層２，３に伝えられ、これら各層２，３の接続部に生じ
る熱起電力によって温度変化が検出される。この温度検
出により、赤外線の照射が検知される。
【０００４】ボロメータにおいては、半導体基板５上に
電極６，７が形成されており、これら各電極６，７は抵
抗体８によって接続されている。抵抗体８上には赤外線
吸収膜９が覆われており、赤外線吸収による温度上昇は
抵抗体８に伝えられる。抵抗体８はこの温度上昇によっ
てその導電率が変化する。従って、各電極６，７に定電
流を通電してこの導電率変化を検出することにより、赤
外線の照射が検知される。
電極６，７が形成されており、これら各電極６，７は抵
抗体８によって接続されている。抵抗体８上には赤外線
吸収膜９が覆われており、赤外線吸収による温度上昇は
抵抗体８に伝えられる。抵抗体８はこの温度上昇によっ
てその導電率が変化する。従って、各電極６，７に定電
流を通電してこの導電率変化を検出することにより、赤
外線の照射が検知される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の熱型赤外線センサにおいては次のような問題があ
る。つまり、熱起電力変化や導電率変化を検出するため
に熱電材料層２，３や電極６，７へ定電流を供給しなけ
ればならいが、電流値の小さな定電流を供給することは
定電流源の制御が困難なことから難しい。従って、熱電
材料層２，３や電極６，７へは比較的大きな定電流を供
給せざるを得ず、赤外線センサにおける消費電力は多く
なる。このため、熱電材料層２，３の堆積部や抵抗体８
における自己発熱は無視できなくなる。この結果、熱型
センサの赤外線照射に対する感度は低下し、赤外線最小
検出能は悪化した。
来の熱型赤外線センサにおいては次のような問題があ
る。つまり、熱起電力変化や導電率変化を検出するため
に熱電材料層２，３や電極６，７へ定電流を供給しなけ
ればならいが、電流値の小さな定電流を供給することは
定電流源の制御が困難なことから難しい。従って、熱電
材料層２，３や電極６，７へは比較的大きな定電流を供
給せざるを得ず、赤外線センサにおける消費電力は多く
なる。このため、熱電材料層２，３の堆積部や抵抗体８
における自己発熱は無視できなくなる。この結果、熱型
センサの赤外線照射に対する感度は低下し、赤外線最小
検出能は悪化した。
【０００６】また、熱電材料層堆積部や抵抗体によって
構成される赤外線検出部を複数個並べて赤外線センサア
レイを構成し、画像を撮像する場合においては次のよう
な問題があった。つまり、各赤外線検出部に同一の定電
流を供給することが困難であるため、各赤外線検出部に
おける赤外線検出量は異なってしまう。この結果、撮像
される画像に大きな固定パターンノイズが発生した。
構成される赤外線検出部を複数個並べて赤外線センサア
レイを構成し、画像を撮像する場合においては次のよう
な問題があった。つまり、各赤外線検出部に同一の定電
流を供給することが困難であるため、各赤外線検出部に
おける赤外線検出量は異なってしまう。この結果、撮像
される画像に大きな固定パターンノイズが発生した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、赤外線照射に基づく
温度変化に応じて通電電流が変化する順バイアスされた
第１のダイオードと、この第１のダイオードに定電流を
供給するこの第１のダイオードに直列に接続され逆バイ
アスされた第２のダイオードとを備えて赤外線センサが
構成されたものである。
を解消するためになされたもので、赤外線照射に基づく
温度変化に応じて通電電流が変化する順バイアスされた
第１のダイオードと、この第１のダイオードに定電流を
供給するこの第１のダイオードに直列に接続され逆バイ
アスされた第２のダイオードとを備えて赤外線センサが
構成されたものである。
【０００８】また、第１のダイオードおよび第２のダイ
オードからなる直列回路が複数個並列に接続されて構成
されたものである。
オードからなる直列回路が複数個並列に接続されて構成
されたものである。
【０００９】
【作用】逆バイアスされた第２のダイオードから第１の
ダイオードへは絶対値の小さな定電流が安定して供給さ
れ、この定電流供給を受けて流れる第１のダイオードの
通電電流は赤外線照射による温度変化に応じて変化す
る。
ダイオードへは絶対値の小さな定電流が安定して供給さ
れ、この定電流供給を受けて流れる第１のダイオードの
通電電流は赤外線照射による温度変化に応じて変化す
る。
【００１０】また、第１のダイオードおよび第２のダイ
オードからなる直列回路が複数個並列に接続された場合
には、第２のダイオードから第１のダイオードへ供給さ
れる各定電流の大きさはほぼ均一になる。
オードからなる直列回路が複数個並列に接続された場合
には、第２のダイオードから第１のダイオードへ供給さ
れる各定電流の大きさはほぼ均一になる。
【００１１】
【実施例】図１（ａ）は本発明の一実施例による赤外線
センサの主要部構造を示す断面図であり、同図（ｂ）は
この赤外線センサの等価回路図である。
センサの主要部構造を示す断面図であり、同図（ｂ）は
この赤外線センサの等価回路図である。
【００１２】ｎ型のシリコン半導体基板１１上にはｐ型
のウエル１２が形成され、さらにこのｐウエル１２には
ｎ型のアイランド１３が形成される。このアイランド１
３の形成後、半導体基板１１の表層部にｐ+ 領域１４ａ
〜１４ｅが選択的に形成され、さらに、ｎ+ 領域１５ａ
〜１５ｄが選択的に形成される。次に、半導体基板１１
の表面に絶縁膜１６が形成され、この絶縁膜１６が選択
的に除去されてｐ+ 領域１４ａ〜１４ｅおよびｎ+ 領域
１５ａ〜１５ｄは露出される。ここで、ｎ型半導体基板
１１とｐ+ 領域１４ｄ，１４ｅとで形成される２つのｐ
ｎ接合は、定電流を供給する同図（ｂ）に示される電流
源用ダイオードＤR を構成し、ｎアイランド１３とｐ+
領域１４ａとで形成されるｐｎ接合は、赤外線照射によ
る温度変化を検出するセンサ用ダイオードＤF を構成す
る。次に、絶縁膜１６上にアルミ金属層が形成され、こ
の金属層が所定パターンにエッチングされて配線層１７
ａ〜１７ｇが形成される。
のウエル１２が形成され、さらにこのｐウエル１２には
ｎ型のアイランド１３が形成される。このアイランド１
３の形成後、半導体基板１１の表層部にｐ+ 領域１４ａ
〜１４ｅが選択的に形成され、さらに、ｎ+ 領域１５ａ
〜１５ｄが選択的に形成される。次に、半導体基板１１
の表面に絶縁膜１６が形成され、この絶縁膜１６が選択
的に除去されてｐ+ 領域１４ａ〜１４ｅおよびｎ+ 領域
１５ａ〜１５ｄは露出される。ここで、ｎ型半導体基板
１１とｐ+ 領域１４ｄ，１４ｅとで形成される２つのｐ
ｎ接合は、定電流を供給する同図（ｂ）に示される電流
源用ダイオードＤR を構成し、ｎアイランド１３とｐ+
領域１４ａとで形成されるｐｎ接合は、赤外線照射によ
る温度変化を検出するセンサ用ダイオードＤF を構成す
る。次に、絶縁膜１６上にアルミ金属層が形成され、こ
の金属層が所定パターンにエッチングされて配線層１７
ａ〜１７ｇが形成される。
【００１３】この配線処理により、同図（ｂ）に示され
る回路が実現される。つまり、配線層１７ａ，１７ｂお
よび１７ｃが電気的に相互に接続されることにより、電
流源用ダイオードＤR およびセンサ用ダイオードＤF の
各アノードが接続され、センサ出力Ｖになる。また、配
線層１７ｄおよび１７ｅが電気的に相互に接続され、こ
の接続部に電源２０の正電極が印加されることにより、
定電流用ダイオードＤR のカソードに正電圧ＶDDが印加
されることになる。また、配線層１７ｆおよび１７ｇが
電気的に相互に接続され、この接続部に電源２０の負電
極が接続されることにより、センサ用ダイオードＤF の
カソードに負電圧が印加されることになる。この結果、
電流源用ダイオードＤR には電源２０から逆バイアスが
与えられ、センサ用ダイオードＤF には電源２０から順
バイアスが与えられる。また、ｎ型半導体基板１１およ
びｐウエル１２間には逆バイアスが与えられ、基板１１
およびｐウエル１２間は電気的に分離される。
る回路が実現される。つまり、配線層１７ａ，１７ｂお
よび１７ｃが電気的に相互に接続されることにより、電
流源用ダイオードＤR およびセンサ用ダイオードＤF の
各アノードが接続され、センサ出力Ｖになる。また、配
線層１７ｄおよび１７ｅが電気的に相互に接続され、こ
の接続部に電源２０の正電極が印加されることにより、
定電流用ダイオードＤR のカソードに正電圧ＶDDが印加
されることになる。また、配線層１７ｆおよび１７ｇが
電気的に相互に接続され、この接続部に電源２０の負電
極が接続されることにより、センサ用ダイオードＤF の
カソードに負電圧が印加されることになる。この結果、
電流源用ダイオードＤR には電源２０から逆バイアスが
与えられ、センサ用ダイオードＤF には電源２０から順
バイアスが与えられる。また、ｎ型半導体基板１１およ
びｐウエル１２間には逆バイアスが与えられ、基板１１
およびｐウエル１２間は電気的に分離される。
【００１４】次に、配線パターン上にパッシベーション
膜１８が形成される。さらに、このパッシベーション膜
１８上に、センサ用ダイオードＤF および電流源用ダイ
オードＤR を広く覆う赤外線吸収膜１９が形成される。
この赤外線吸収膜１９は上層部と下層部との組成が異な
る多層膜になっており、上層部は赤外線吸収材料から成
り、下層部は熱伝導率が良くかつ赤外線を反射する材料
から成っている。パッシベーション膜１８は赤外線吸収
膜１９の導電性によって各配線層１７が電気的に接触す
ることを防ぐためのものであり、赤外線吸収膜１９が導
電性を持たなければ必要はない。次に、ｎ型半導体基板
１１の裏面の一部がエッチングにより除去され、薄層化
される。このように半導体基板１１に薄層化部分を設け
るのは、半導体基板１１の熱容量を減少させて赤外線照
射による温度上昇を容易ならしめるためである。
膜１８が形成される。さらに、このパッシベーション膜
１８上に、センサ用ダイオードＤF および電流源用ダイ
オードＤR を広く覆う赤外線吸収膜１９が形成される。
この赤外線吸収膜１９は上層部と下層部との組成が異な
る多層膜になっており、上層部は赤外線吸収材料から成
り、下層部は熱伝導率が良くかつ赤外線を反射する材料
から成っている。パッシベーション膜１８は赤外線吸収
膜１９の導電性によって各配線層１７が電気的に接触す
ることを防ぐためのものであり、赤外線吸収膜１９が導
電性を持たなければ必要はない。次に、ｎ型半導体基板
１１の裏面の一部がエッチングにより除去され、薄層化
される。このように半導体基板１１に薄層化部分を設け
るのは、半導体基板１１の熱容量を減少させて赤外線照
射による温度上昇を容易ならしめるためである。
【００１５】このような構成において、半導体基板１１
に赤外線が照射されると、その赤外線は赤外線吸収膜１
９に効率良く吸収される。この時、受光領域の半導体基
板１１の裏面は薄層化されているため、吸収された赤外
線の熱エネルギは薄層化された基板部分から逃げにく
い。従って、この熱エネルギによる温度上昇は受光領域
の中心付近に設けられたセンサ用ダイオードＤF および
電流源用ダイオードＤR に十分に伝えられる。センサ用
ダイオードＤF はこの温度上昇により、電流源用ダイオ
ードＤR から供給される定電流の通電量を変化させる。
この電流変化は以下のように説明することが出来る。
に赤外線が照射されると、その赤外線は赤外線吸収膜１
９に効率良く吸収される。この時、受光領域の半導体基
板１１の裏面は薄層化されているため、吸収された赤外
線の熱エネルギは薄層化された基板部分から逃げにく
い。従って、この熱エネルギによる温度上昇は受光領域
の中心付近に設けられたセンサ用ダイオードＤF および
電流源用ダイオードＤR に十分に伝えられる。センサ用
ダイオードＤF はこの温度上昇により、電流源用ダイオ
ードＤR から供給される定電流の通電量を変化させる。
この電流変化は以下のように説明することが出来る。
【００１６】まず、順バイアスされているセンサ用ダイ
オードＤF に流れる順方向電流Ｉf は、拡散電流が支配
的になる領域に選択されている。この順方向電流Ｉ
f は、電子の電荷を−ｑ，ボルツマン定数をｋ，絶対温
度をＴとすると次式に示される。
オードＤF に流れる順方向電流Ｉf は、拡散電流が支配
的になる領域に選択されている。この順方向電流Ｉ
f は、電子の電荷を−ｑ，ボルツマン定数をｋ，絶対温
度をＴとすると次式に示される。
【００１７】 Ｉf ＝ＩS （ｅqv/kT −１） …(1) ただし、ＩS は次式に示される。
【００１８】 ＩS ＝ｑＡｎi 2 （Ｄp ／Ｌp Ｎd ＋Ｄn ／Ｌn Ｎa ） …(2) ここで、ＡはダイオードＤF のｐｎ接合面積，ｎi は真
性キャリア密度，Ｄp およびＤn はそれぞれ正孔および
電子の拡散係数，Ｌp およびＬn はそれぞれ正孔および
電子の拡散距離，Ｎd およびＮa はそれぞれドナーおよ
びアクセプタの濃度である。上記式に表される順方向電
流Ｉf は、さらにＩS ｅqv/kT に近似される（Ｉf ＝Ｉ
S ｅqv/kT ）。この順方向電流Ｉf は、ダイオード
ＤR ，ＤF の直列回路への印加電圧ＶF の変化に対して
図２のグラフに示される特性を有している。同グラフの
横軸は順方向印加電圧ＶF ，縦軸は対数目盛りで採った
順方向電流Ｉfを示している。また、白抜きの四角形で
示される測定点を結んだ特性線２１は半導体基板１１の
温度が１５℃の時の特性を示しており、黒潰しの四角形
で示される測定点を結んだ特性線２２は２５℃の時の特
性、白抜きの菱形で示される測定点を結んだ特性線２３
は３５℃の時の特性を示している。
性キャリア密度，Ｄp およびＤn はそれぞれ正孔および
電子の拡散係数，Ｌp およびＬn はそれぞれ正孔および
電子の拡散距離，Ｎd およびＮa はそれぞれドナーおよ
びアクセプタの濃度である。上記式に表される順方向電
流Ｉf は、さらにＩS ｅqv/kT に近似される（Ｉf ＝Ｉ
S ｅqv/kT ）。この順方向電流Ｉf は、ダイオード
ＤR ，ＤF の直列回路への印加電圧ＶF の変化に対して
図２のグラフに示される特性を有している。同グラフの
横軸は順方向印加電圧ＶF ，縦軸は対数目盛りで採った
順方向電流Ｉfを示している。また、白抜きの四角形で
示される測定点を結んだ特性線２１は半導体基板１１の
温度が１５℃の時の特性を示しており、黒潰しの四角形
で示される測定点を結んだ特性線２２は２５℃の時の特
性、白抜きの菱形で示される測定点を結んだ特性線２３
は３５℃の時の特性を示している。
【００１９】また、逆バイアスされている電流源用ダイ
オードＤR に流れる逆方向電流Ｉr は、常温においては
通常再結合電流が支配的になる。ダイオードＤR ，ＤF
には赤外線吸収膜１９によって同じ温度変化が与えられ
るているため、この逆方向電流Ｉr は順方向電流Ｉf と
同じ温度Ｔを用いた次式によって示される。
オードＤR に流れる逆方向電流Ｉr は、常温においては
通常再結合電流が支配的になる。ダイオードＤR ，ＤF
には赤外線吸収膜１９によって同じ温度変化が与えられ
るているため、この逆方向電流Ｉr は順方向電流Ｉf と
同じ温度Ｔを用いた次式によって示される。
【００２０】 Ｉr ＝ＩR ｅ(q/2kT)・(V-VDD) …(3) ただし、ＩR は次式に示されるものとする。
【００２１】 ＩR ＝ｑＡｎi Ｗ／２τ0 …(4) ここで、Ｗはｐｎ接合部の空乏層幅，τ0 は電子のライ
フタイムである。上記式に表される逆方向電流Ｉr は、
さらにＩR に近似される（Ｉr ＝ＩR ）。また、ダイオ
ードＤR はダイオードＤF の負荷に相当するが、ダイオ
ードＤR は印加電圧ＶF の変化に対して図３のグラフに
示す負荷特性を有している。同グラフはこのダイオード
ＤR の負荷特性を図２に示される順方向電流Ｉf の特性
グラフに重ねて示したものであり、横軸は印加電圧
ＶF ，縦軸は対数目盛りで採った逆方向電流Ｉr および
順方向電流Ｉf を示している。ここで、黒潰しの菱形で
示される測定点を結んだ特性線２４は半導体基板１１の
温度が１５℃の時の負荷特性を示しており、白抜きの三
角形で示される測定点を結んだ特性線２５は２５℃の時
の負荷特性、黒潰しの三角形で示される測定点を結んだ
特性線２６は３５℃の時の負荷特性を示している。
フタイムである。上記式に表される逆方向電流Ｉr は、
さらにＩR に近似される（Ｉr ＝ＩR ）。また、ダイオ
ードＤR はダイオードＤF の負荷に相当するが、ダイオ
ードＤR は印加電圧ＶF の変化に対して図３のグラフに
示す負荷特性を有している。同グラフはこのダイオード
ＤR の負荷特性を図２に示される順方向電流Ｉf の特性
グラフに重ねて示したものであり、横軸は印加電圧
ＶF ，縦軸は対数目盛りで採った逆方向電流Ｉr および
順方向電流Ｉf を示している。ここで、黒潰しの菱形で
示される測定点を結んだ特性線２４は半導体基板１１の
温度が１５℃の時の負荷特性を示しており、白抜きの三
角形で示される測定点を結んだ特性線２５は２５℃の時
の負荷特性、黒潰しの三角形で示される測定点を結んだ
特性線２６は３５℃の時の負荷特性を示している。
【００２２】ダイオードＤR ，ＤF の直列回路には赤外
線照射による温度変化が同じように与えられるため、こ
の直列回路には各特性線の交点で決定される電流が流れ
る。つまり、温度が１５℃の時には特性線２１と特性線
２４との交点で決まる電流が流れ、温度が２５℃の時に
は特性線２２と特性線２５との交点、温度が３５℃の時
には特性線２３と特性線２６との交点で決まる電流が流
れる。同グラフから理解されるように、逆方向電流Ｉr
の温度依存性は順方向電流Ｉf に比較して小さい。従っ
て、赤外線センサの出力電圧Ｖの温度特性は、順バイア
スされたダイオードＤF の温度特性にほぼ従うようにな
る。また、極性が逆になるように直列に接続された２つ
のダイオードＤR ，ＤF の両端に一定電圧を与えること
により、受光領域の温度変化はダイオード・ペアの接続
点から電圧信号として検出できることが同グラフから理
解される。
線照射による温度変化が同じように与えられるため、こ
の直列回路には各特性線の交点で決定される電流が流れ
る。つまり、温度が１５℃の時には特性線２１と特性線
２４との交点で決まる電流が流れ、温度が２５℃の時に
は特性線２２と特性線２５との交点、温度が３５℃の時
には特性線２３と特性線２６との交点で決まる電流が流
れる。同グラフから理解されるように、逆方向電流Ｉr
の温度依存性は順方向電流Ｉf に比較して小さい。従っ
て、赤外線センサの出力電圧Ｖの温度特性は、順バイア
スされたダイオードＤF の温度特性にほぼ従うようにな
る。また、極性が逆になるように直列に接続された２つ
のダイオードＤR ，ＤF の両端に一定電圧を与えること
により、受光領域の温度変化はダイオード・ペアの接続
点から電圧信号として検出できることが同グラフから理
解される。
【００２３】また、このように各ダイオードＤR ，ＤF
は直列に接続されているため、逆方向電流Ｉr および順
方向電流Ｉf は等しく、次式が成り立つ。
は直列に接続されているため、逆方向電流Ｉr および順
方向電流Ｉf は等しく、次式が成り立つ。
【００２４】 ＩR ＝ＩS ｅqv/kT …(5) この式をＶについて解くと、次式になる。ここで、記号
「ｌｎ」は対数を表している。
「ｌｎ」は対数を表している。
【００２５】 Ｖ＝ｋＴ／ｑｌｎ（ＩR ／ＩS ） …(6) さらに、この両辺をＴについて微分すると、上記式は次
式に変形される。
式に変形される。
【００２６】 ｄＶ／ｄＴ＝ｋ／ｑｌｎ（ＩR ／ＩS ）＋ ｋＴ／ｑ（１／ＩR ・ｄＩR ／ｄＴ−１／ＩS ・ｄＩS ／ｄＴ） ＝Ｖ／Ｔ＋ ｋＴ／ｑ（１／ＩR ・ｄＩR ／ｄＴ−１／ＩS ・ｄＩS ／ｄＴ） …(7) また、(2),(4) 式に示されるＩS ，ＩR において、ｎi
以外のパラメータは温度変化に対して比較的鈍い。この
ため、逆方向電流のＩR は真性キャリア密度ｎi に比例
し、この真性キャリア密度ｎi はＴ3/2 ｅ-Eg0/2kTに比
例する。ここで、Ｅg0は電流源用ダイオードＤR のｐｎ
接合部におけるエネルギギャップであり、この関係は比
例関係を記号「∞」で表現すると次式に示される。
以外のパラメータは温度変化に対して比較的鈍い。この
ため、逆方向電流のＩR は真性キャリア密度ｎi に比例
し、この真性キャリア密度ｎi はＴ3/2 ｅ-Eg0/2kTに比
例する。ここで、Ｅg0は電流源用ダイオードＤR のｐｎ
接合部におけるエネルギギャップであり、この関係は比
例関係を記号「∞」で表現すると次式に示される。
【００２７】 ＩR ∞ｎi ∞Ｔ3/2 ｅ-Eg0/2kT …(8) この式をＴについて微分し、ＩR で割ると次式に変形さ
れる。
れる。
【００２８】 １／ＩR ・ｄＩR ／ｄＴ＝３／２Ｔ＋Ｅg0／２ｋＴ2 …(9) また、順方向電流のＩS は真性キャリア密度ｎi の二乗
ｎi 2 に比例し、このｎi 2 はＴ3 ｅ-Eg0/ kTに比例す
る。この関係は次式に示される。
ｎi 2 に比例し、このｎi 2 はＴ3 ｅ-Eg0/ kTに比例す
る。この関係は次式に示される。
【００２９】 ＩS ∞ｎi 2 ∞Ｔ3 ｅ-Eg0/ kT …(10) この式をＴについて微分し、ＩS で割ると次式に変形さ
れる。
れる。
【００３０】 １／ＩS ・ｄＩS ／ｄＴ＝３／Ｔ＋Ｅg0／ｋＴ2 …(11) 式(9) ，(11)を式(7) に代入すると、出力電圧Ｖの温度
Ｔに対する変化ｄＶ／ｄＴは次式に示される。
Ｔに対する変化ｄＶ／ｄＴは次式に示される。
【００３１】 ｄＶ／ｄＴ＝Ｖ／Ｔ＋ｋＴ／ｑ（−３／２Ｔ−Ｅg0／２ｋＴ2 ） …(12) 常温では３／２Ｔ＜＜Ｅg0／２ｋＴ2 であるので、３／
２Ｔの項を無視すると、上記式は次式に変形される。
２Ｔの項を無視すると、上記式は次式に変形される。
【００３２】ｄＶ／ｄＴ＝Ｖ／Ｔ−Ｅg0／２ｑＴ ＝（２ｑＶ−Ｅg0）／２ｑＴ …(13) 動作電圧が０．１［Ｖ］，エネルギギャップＥg0が１．
２１［ｅＶ］，温度Ｔが３００［°Ｋ］付近で本実施例
による赤外線センサを動作させると、出力電圧Ｖには温
度が１℃上昇する毎に約−１．６［ｍＶ］の変化が生じ
る。この関係は図４のグラフに示される。同グラフの横
軸は温度［℃］，縦軸は出力電圧［Ｖ］を示している。
また、直線２７は赤外線センサで検出される出力電圧Ｖ
の温度特性を表しており、この直線２７の傾きはほぼ−
１．６ｍＶ／℃になっている。図３のグラフに示される
各特性線の交点はこの直線２７上に位置する。また、印
加電圧ＶF が１［Ｖ］の時、ダイオードＤR に流れる逆
方向電流Ｉr の逆飽和電流は１［ｐＡ］になり、ダイオ
ードＤF に流れる順方向電流Ｉf の飽和電流は０．１
［ｐＡ］になる。
２１［ｅＶ］，温度Ｔが３００［°Ｋ］付近で本実施例
による赤外線センサを動作させると、出力電圧Ｖには温
度が１℃上昇する毎に約−１．６［ｍＶ］の変化が生じ
る。この関係は図４のグラフに示される。同グラフの横
軸は温度［℃］，縦軸は出力電圧［Ｖ］を示している。
また、直線２７は赤外線センサで検出される出力電圧Ｖ
の温度特性を表しており、この直線２７の傾きはほぼ−
１．６ｍＶ／℃になっている。図３のグラフに示される
各特性線の交点はこの直線２７上に位置する。また、印
加電圧ＶF が１［Ｖ］の時、ダイオードＤR に流れる逆
方向電流Ｉr の逆飽和電流は１［ｐＡ］になり、ダイオ
ードＤF に流れる順方向電流Ｉf の飽和電流は０．１
［ｐＡ］になる。
【００３３】このように本実施例によれば、赤外線セン
サとして機能するダイオードＤF への電流供給は逆バイ
アスしたダイオードＤR によって行われるため、図３に
示されるように絶対値の小さい定電流が安定して供給さ
れる。従って、従来、赤外線検出部へ大きな定電流を供
給せざるを得なかったが、本実施例によれば、小さな定
電流を供給することによって赤外線を検出することが可
能になる。このため、赤外線検出部の消費電力が低下す
るため、従来のように、自己発熱によって感度が劣化し
たり、雑音が増加するといった問題はなくなる。また、
ダイオードＤR ，ＤF からなる直列回路を複数個並列に
接続し、赤外線センサをアレイ状に構成した場合には、
各センサ用ダイオードＤF には均一な定電流が供給され
る。これはアレイを構成する各電流源用ダイオードＤR
から出力される逆方向電流Ｉrは再現性および均一性が
良好で、各ダイオードＤR の電気的特性が一様に揃うか
らである。
サとして機能するダイオードＤF への電流供給は逆バイ
アスしたダイオードＤR によって行われるため、図３に
示されるように絶対値の小さい定電流が安定して供給さ
れる。従って、従来、赤外線検出部へ大きな定電流を供
給せざるを得なかったが、本実施例によれば、小さな定
電流を供給することによって赤外線を検出することが可
能になる。このため、赤外線検出部の消費電力が低下す
るため、従来のように、自己発熱によって感度が劣化し
たり、雑音が増加するといった問題はなくなる。また、
ダイオードＤR ，ＤF からなる直列回路を複数個並列に
接続し、赤外線センサをアレイ状に構成した場合には、
各センサ用ダイオードＤF には均一な定電流が供給され
る。これはアレイを構成する各電流源用ダイオードＤR
から出力される逆方向電流Ｉrは再現性および均一性が
良好で、各ダイオードＤR の電気的特性が一様に揃うか
らである。
【００３４】また、本実施例による赤外線センサは、赤
外線吸収膜１９を形成する工程と、半導体基板１１に薄
層部を作るための基板裏面からのエッチング工程とを通
常のＬＳＩプロセスに付加するだけで製造することが可
能である。従って、低コストでかつ小型な赤外線センサ
を実現することが出来る。
外線吸収膜１９を形成する工程と、半導体基板１１に薄
層部を作るための基板裏面からのエッチング工程とを通
常のＬＳＩプロセスに付加するだけで製造することが可
能である。従って、低コストでかつ小型な赤外線センサ
を実現することが出来る。
【００３５】また、センサ用ダイオードＤF への定電流
供給は、図５（ａ）に示されるように、トランジスタ等
によって構成される定電流源回路Ｊを用いて行うことも
可能である。このような構成の赤外線センサにおいて
は、定電流源回路ＪからダイオードＤF へ定電流が供給
され、ダイオードＤF の端子間電圧が赤外線照射による
温度変化に応じて図５（ｂ）に示される変化をすること
により、赤外線の照射が検知される。つまり、同図に示
されるグラフは温度をパラメータとするダイオードＤF
の端子間電圧Ｖ（横軸）と通電電流Ｉ（縦軸）との関係
を表し、Ｔ3 ，Ｔ 2 ，Ｔ1 （Ｔ3 ＜Ｔ2 ＜Ｔ1 ）と温度
が上昇するに従って特性線の傾斜は急角度になる。例え
ば、ダイオードＤF がシリコンダイオードの場合には、
約２ｍＶ／℃の温度依存性を有している。
供給は、図５（ａ）に示されるように、トランジスタ等
によって構成される定電流源回路Ｊを用いて行うことも
可能である。このような構成の赤外線センサにおいて
は、定電流源回路ＪからダイオードＤF へ定電流が供給
され、ダイオードＤF の端子間電圧が赤外線照射による
温度変化に応じて図５（ｂ）に示される変化をすること
により、赤外線の照射が検知される。つまり、同図に示
されるグラフは温度をパラメータとするダイオードＤF
の端子間電圧Ｖ（横軸）と通電電流Ｉ（縦軸）との関係
を表し、Ｔ3 ，Ｔ 2 ，Ｔ1 （Ｔ3 ＜Ｔ2 ＜Ｔ1 ）と温度
が上昇するに従って特性線の傾斜は急角度になる。例え
ば、ダイオードＤF がシリコンダイオードの場合には、
約２ｍＶ／℃の温度依存性を有している。
【００３６】しかしながら、このような赤外線センサに
おいては、前述した次の問題があった。第１に、定電流
源回路Ｊを用いた場合には、電流値の小さな定電流を安
定して供給することは困難であることから、比較的大き
な電流値の定電流を供給せざるを得ない。従って、ダイ
オードＤF において大きな電力が消費され、この電力消
費による自己発熱はダイオードＤF の温度依存特性に影
響を与え、赤外線照射に対する感度の低下および最小検
出能の悪化が生じた。第２に、ダイオードＤF の順方向
立上がり電圧がシリコンにおいては０．６〜０．８
［Ｖ］であり、赤外線検出出力電圧はこの電圧に数１０
〜数１００［μＶ］の電圧信号が重乗した形になる。こ
のため、検出出力電圧を大倍率で増幅することは困難で
あった。第３に、定電流源回路ＪおよびダイオードＤF
を複数個並べたアレイ状の赤外線センサにおいては、各
定電流源回路Ｊの出力電流値を一様に揃えることは困難
であり、また、ダイオードＤF の立上がり電圧も数ｍＶ
〜数１０ｍＶのバラツキが生じやすい。従って、このよ
うな赤外線アレイを用いて画像を撮像する場合には、大
きな固定パターンノイズが生じやすくなる。
おいては、前述した次の問題があった。第１に、定電流
源回路Ｊを用いた場合には、電流値の小さな定電流を安
定して供給することは困難であることから、比較的大き
な電流値の定電流を供給せざるを得ない。従って、ダイ
オードＤF において大きな電力が消費され、この電力消
費による自己発熱はダイオードＤF の温度依存特性に影
響を与え、赤外線照射に対する感度の低下および最小検
出能の悪化が生じた。第２に、ダイオードＤF の順方向
立上がり電圧がシリコンにおいては０．６〜０．８
［Ｖ］であり、赤外線検出出力電圧はこの電圧に数１０
〜数１００［μＶ］の電圧信号が重乗した形になる。こ
のため、検出出力電圧を大倍率で増幅することは困難で
あった。第３に、定電流源回路ＪおよびダイオードＤF
を複数個並べたアレイ状の赤外線センサにおいては、各
定電流源回路Ｊの出力電流値を一様に揃えることは困難
であり、また、ダイオードＤF の立上がり電圧も数ｍＶ
〜数１０ｍＶのバラツキが生じやすい。従って、このよ
うな赤外線アレイを用いて画像を撮像する場合には、大
きな固定パターンノイズが生じやすくなる。
【００３７】しかし、本実施例による赤外線センサによ
れば、上述したように、定電流源回路Ｊは逆バイアスし
たダイオードＤR によって構成されているため、絶対値
の小さな定電流が安定して供給され、感度の低下や最小
検出能の悪化という第１の問題は生じない。また、小さ
な電流がダイオードＤF に供給されるため、センサ用ダ
イオードＤF における電圧降下は低くなり、従って、赤
外線検出出力電圧を大きな倍率で信号増幅することが容
易になり、第２の問題は解消される。また、逆バイアス
したダイオードＤR によって定電流が供給されるため、
上述したように、センサへの定電流供給は再現性および
均一性良く行われ、赤外線アレイに固定パターンノイズ
が生じるという第３の問題は生じない。
れば、上述したように、定電流源回路Ｊは逆バイアスし
たダイオードＤR によって構成されているため、絶対値
の小さな定電流が安定して供給され、感度の低下や最小
検出能の悪化という第１の問題は生じない。また、小さ
な電流がダイオードＤF に供給されるため、センサ用ダ
イオードＤF における電圧降下は低くなり、従って、赤
外線検出出力電圧を大きな倍率で信号増幅することが容
易になり、第２の問題は解消される。また、逆バイアス
したダイオードＤR によって定電流が供給されるため、
上述したように、センサへの定電流供給は再現性および
均一性良く行われ、赤外線アレイに固定パターンノイズ
が生じるという第３の問題は生じない。
【００３８】図６は本発明の他の一実施例による赤外線
センサの構造を示す断面図であり、この赤外線センサの
等価回路は図１（ｂ）と同様に示される。この赤外線セ
ンサは次のように製造される。まず、シリコン半導体基
板３１にｐウエル３２が形成される。次に、ｎ+ 領域３
３ａ〜ｃが選択的に形成され、引き続いてｐ+ 領域３４
ａ，ｂが選択的に形成される。次に、半導体基板３１の
表面に絶縁膜３５が形成され、さらに配線層３６ａ〜ｅ
が形成される。この配線層３６ａ〜ｅの形成により、図
１（ｂ）に示される回路が構成される。つまり、ｎ+ 領
域３３ａとｐウエル３２とによるｐｎ接合によってセン
サ用ダイオードＤF が構成され、ｎ+ 領域３３ｂおよび
３３ｃと半導体基板３１とによる各ｐｎ接合によって定
電流源用ダイオードＤR が構成される。配線層３６ｄ，
ｅに正電圧、配線層３６ａに負電圧が印加されることに
より、センサ用ダイオードＤF は順バイアスされ、電流
源用ダイオードＤR は逆バイアスされる。また、赤外線
センサの出力は配線層３６ｂ，ｃから取られる。
センサの構造を示す断面図であり、この赤外線センサの
等価回路は図１（ｂ）と同様に示される。この赤外線セ
ンサは次のように製造される。まず、シリコン半導体基
板３１にｐウエル３２が形成される。次に、ｎ+ 領域３
３ａ〜ｃが選択的に形成され、引き続いてｐ+ 領域３４
ａ，ｂが選択的に形成される。次に、半導体基板３１の
表面に絶縁膜３５が形成され、さらに配線層３６ａ〜ｅ
が形成される。この配線層３６ａ〜ｅの形成により、図
１（ｂ）に示される回路が構成される。つまり、ｎ+ 領
域３３ａとｐウエル３２とによるｐｎ接合によってセン
サ用ダイオードＤF が構成され、ｎ+ 領域３３ｂおよび
３３ｃと半導体基板３１とによる各ｐｎ接合によって定
電流源用ダイオードＤR が構成される。配線層３６ｄ，
ｅに正電圧、配線層３６ａに負電圧が印加されることに
より、センサ用ダイオードＤF は順バイアスされ、電流
源用ダイオードＤR は逆バイアスされる。また、赤外線
センサの出力は配線層３６ｂ，ｃから取られる。
【００３９】本実施例においても、電流源用ダイオード
ＤR からセンサ用ダイオードＤF へ再現性，均一性良く
小さな定電流が供給されるため、本実施例においても上
記実施例と同様な効果が得られる。
ＤR からセンサ用ダイオードＤF へ再現性，均一性良く
小さな定電流が供給されるため、本実施例においても上
記実施例と同様な効果が得られる。
【００４０】図７は、上記各実施例による赤外線センサ
およびその周辺回路が同一半導体基板上に形成された集
積化センサのパターン図である。センサ４２は、シリコ
ン半導体基板４１の主表面所定位置に上記いずれかの実
施例によって形成された赤外線センサであり、このセン
サ４２を囲う所定領域には集積回路４３が形成されてい
る。この集積回路４３内には、センサ４２からの赤外線
検出出力を増幅する増幅回路、および増幅された検出信
号に対して所定の処理を行う信号処理回路が形成されて
いる。さらに、集積回路４３の周辺には複数の電極４４
が形成されており、これら電極４４はセンサ４２と集積
回路４３とを接続するリードおよび外部回路との接続を
採る機能を果たす。
およびその周辺回路が同一半導体基板上に形成された集
積化センサのパターン図である。センサ４２は、シリコ
ン半導体基板４１の主表面所定位置に上記いずれかの実
施例によって形成された赤外線センサであり、このセン
サ４２を囲う所定領域には集積回路４３が形成されてい
る。この集積回路４３内には、センサ４２からの赤外線
検出出力を増幅する増幅回路、および増幅された検出信
号に対して所定の処理を行う信号処理回路が形成されて
いる。さらに、集積回路４３の周辺には複数の電極４４
が形成されており、これら電極４４はセンサ４２と集積
回路４３とを接続するリードおよび外部回路との接続を
採る機能を果たす。
【００４１】このような集積化センサにおいては、下部
基板がエッチングされていないダイオードを集積回路４
３の中に形成し、このダイオードの温度特性を検出する
ことにより、基板４１の温度変化によるセンサ４２の検
出出力特性変化や増幅回路の増幅出力特性変化を補正す
ることが出来る。また、センサ４２内の赤外線検出素子
を１次元または２次元に配列し、集積回路４３の中に各
検出素子を走査する走査回路を構成することにより、集
積化センサを赤外線撮像装置に応用することが可能にな
る。また、図６に示される実施例によれば、赤外線セン
サの製造プロセスが通常のＣＭＯＳプロセスと完全な互
換性を得ることが出来るため、赤外線センサとその周辺
回路とを上記のようにオンチップ化することは極めて容
易になる。
基板がエッチングされていないダイオードを集積回路４
３の中に形成し、このダイオードの温度特性を検出する
ことにより、基板４１の温度変化によるセンサ４２の検
出出力特性変化や増幅回路の増幅出力特性変化を補正す
ることが出来る。また、センサ４２内の赤外線検出素子
を１次元または２次元に配列し、集積回路４３の中に各
検出素子を走査する走査回路を構成することにより、集
積化センサを赤外線撮像装置に応用することが可能にな
る。また、図６に示される実施例によれば、赤外線セン
サの製造プロセスが通常のＣＭＯＳプロセスと完全な互
換性を得ることが出来るため、赤外線センサとその周辺
回路とを上記のようにオンチップ化することは極めて容
易になる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、逆
バイアスされた第２のダイオードから第１のダイオード
へは絶対値の小さな定電流が安定して供給される。この
ため、赤外線検出部における自己発熱は抑制され、赤外
線検出感度の劣化や最小検出能の劣化は有効に防止され
る。
バイアスされた第２のダイオードから第１のダイオード
へは絶対値の小さな定電流が安定して供給される。この
ため、赤外線検出部における自己発熱は抑制され、赤外
線検出感度の劣化や最小検出能の劣化は有効に防止され
る。
【００４３】また、第１のダイオードおよび第２のダイ
オードからなる直列回路が複数個並列に接続された場合
には、第２のダイオードから第１のダイオードへ供給さ
れる各定電流の大きさはほぼ均一になる。従って、この
センサを撮像装置に応用した場合には固定パターンノイ
ズの発生が抑止され、雑音の少ない良好な画像が得られ
るようになる。
オードからなる直列回路が複数個並列に接続された場合
には、第２のダイオードから第１のダイオードへ供給さ
れる各定電流の大きさはほぼ均一になる。従って、この
センサを撮像装置に応用した場合には固定パターンノイ
ズの発生が抑止され、雑音の少ない良好な画像が得られ
るようになる。
【図１】本発明の一実施例による赤外線センサの断面構
造および等価回路を示す図である。
造および等価回路を示す図である。
【図２】本実施例の赤外線センサを構成するセンサ用ダ
イオードＤF の電圧−電流特性を示すグラフである。
イオードＤF の電圧−電流特性を示すグラフである。
【図３】本実施例の赤外線センサを構成するセンサ用ダ
イオードＤF および定電流源用ダイオードＤR の各電圧
−電流特性を示すグラフである。
イオードＤF および定電流源用ダイオードＤR の各電圧
−電流特性を示すグラフである。
【図４】本実施例による赤外線センサの出力電圧の温度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図５】本実施例が適用されない赤外線センサの等価回
路およびその出力の温度依存性を示すグラフである。
路およびその出力の温度依存性を示すグラフである。
【図６】本発明の他の一実施例による赤外線センサの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図７】各実施例による赤外線センサおよびその周辺回
路が同一半導体基板上に形成された集積化センサのパタ
ーン図である。
路が同一半導体基板上に形成された集積化センサのパタ
ーン図である。
【図８】従来の熱型赤外線センサの構造を示す断面図で
ある。
ある。
１１…半導体基板、１２…ｐウエル、１３…ｎアイラン
ド、１４ａ〜ｅ…ｐ+ 領域、１５ａ〜ｄ…ｎ+ 領域、１
６…絶縁膜、１７ａ〜ｇ…配線層、１８…パッシベーシ
ョン膜、１９…赤外線吸収膜、２０…電源、ＤR …定電
流源用ダイオード、ＤF …センサ用ダイオード。
ド、１４ａ〜ｅ…ｐ+ 領域、１５ａ〜ｄ…ｎ+ 領域、１
６…絶縁膜、１７ａ〜ｇ…配線層、１８…パッシベーシ
ョン膜、１９…赤外線吸収膜、２０…電源、ＤR …定電
流源用ダイオード、ＤF …センサ用ダイオード。
Claims (5)
- 【請求項１】 赤外線照射に基づく温度変化に応じて通
電電流が変化する順バイアスされた第１のダイオード
と、この第１のダイオードに定電流を供給するこの第１
のダイオードに直列に接続され逆バイアスされた第２の
ダイオードとを備えて構成されたことを特徴とする赤外
線センサ。 - 【請求項２】 裏面の一部が除去されて部分的に薄層化
した半導体基板と、この半導体基板の薄層化した部分の
表面に形成された第１のダイオードおよび第２のダイオ
ードと、これら第１および第２のダイオードを覆って形
成された赤外線吸収膜とを備えて形成されたことを特徴
とする請求項１記載の赤外線センサ。 - 【請求項３】 赤外線吸収膜は、赤外線吸収材料から成
る上層部と、熱伝導率が良くかつ赤外線を反射する材料
から成る下層部との多層膜によって形成されていること
を特徴とする請求項２記載の赤外線センサ。 - 【請求項４】 第１のダイオードの通電電流変化に基づ
いて所定の信号処理を行う処理回路と、第１および第２
の各ダイオード並びにこの処理回路への入出力信号を授
受する複数の電極とが同一半導体基板上に形成されてい
ることを特徴とする請求項２記載の赤外線センサ。 - 【請求項５】 第１のダイオードおよび第２のダイオー
ドからなる直列回路が複数個並列に接続されていること
を特徴とする請求項１または請求項２または請求項３ま
たは請求項４記載の赤外線センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30775691A JPH05142039A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30775691A JPH05142039A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 赤外線センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142039A true JPH05142039A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=17972898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30775691A Pending JPH05142039A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 赤外線センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142039A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0715359A1 (en) * | 1994-11-30 | 1996-06-05 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared radiation sensor |
| JP2000019015A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 赤外線検出装置 |
| EP1248088A4 (en) * | 2000-01-12 | 2008-03-26 | Japan Science & Tech Agency | METHOD AND DEVICE FOR TEMPERATURE MEASUREMENT AND HEAT PICTURE SENSOR |
| WO2020182282A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Nokia Technologies Oy | Temperature detection |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP30775691A patent/JPH05142039A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0715359A1 (en) * | 1994-11-30 | 1996-06-05 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared radiation sensor |
| US5589688A (en) * | 1994-11-30 | 1996-12-31 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared radiation sensor |
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| CN113544481A (zh) * | 2019-03-08 | 2021-10-22 | 诺基亚技术有限公司 | 温度检测 |
| US12135245B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-11-05 | Nokia Technologies Oy | Temperature detection |
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