JPH05142202A - ガス分析方法および装置 - Google Patents
ガス分析方法および装置Info
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- JPH05142202A JPH05142202A JP3310411A JP31041191A JPH05142202A JP H05142202 A JPH05142202 A JP H05142202A JP 3310411 A JP3310411 A JP 3310411A JP 31041191 A JP31041191 A JP 31041191A JP H05142202 A JPH05142202 A JP H05142202A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】モノシランガスに含まれる微量の気相水分を分
析する方法および装置を提供する。 【構成】モノシランガスを導入するガス配管と、気相水
分を一定濃度含有するガスを導入する配管を結合し、上
記２種のガスを混合して分析器１５に導入する構成。モ
ノシランのガス１の導入配管には、吸着剤６などの水分
除去手段を設置した部分と、その水分除去手段を通過し
ないバイパス配管７を有する。検量線を測定する際に
は、水分除去手段を通してモノシランガス１を供給す
る。検量線の基準は、大気圧イオン化質量分析計を分析
器１５に用いた場合には、モノシラン水のクラスタイオ
ン（質量数と電荷の比が４９等）を用いる。 【効果】大気圧イオン化質量分析計を用いた場合、迅速
かつ高感度に気相水分の濃度分析が可能。
析する方法および装置を提供する。 【構成】モノシランガスを導入するガス配管と、気相水
分を一定濃度含有するガスを導入する配管を結合し、上
記２種のガスを混合して分析器１５に導入する構成。モ
ノシランのガス１の導入配管には、吸着剤６などの水分
除去手段を設置した部分と、その水分除去手段を通過し
ないバイパス配管７を有する。検量線を測定する際に
は、水分除去手段を通してモノシランガス１を供給す
る。検量線の基準は、大気圧イオン化質量分析計を分析
器１５に用いた場合には、モノシラン水のクラスタイオ
ン（質量数と電荷の比が４９等）を用いる。 【効果】大気圧イオン化質量分析計を用いた場合、迅速
かつ高感度に気相水分の濃度分析が可能。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン半導体デバイ
ス材料として不可欠なモノシランガスの純度分析に関わ
り、特にモノシランガスに含まれる微量の気相水分の分
析法を提供するものである。
ス材料として不可欠なモノシランガスの純度分析に関わ
り、特にモノシランガスに含まれる微量の気相水分の分
析法を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】窒素、アルゴン等のように製造装置のパ
ージや材料ガス成分のキャリアガスとして使用されてい
るガスについては、大気圧イオン化質量分析計と微量の
水分を制御された濃度で気相中に発生させる水分発生手
段とを組み合わせることによって、１ｐｐｂかそれ以下
まで微量の気相水分の定量が可能になっている。この点
に関しては、プロシーディグズ・オブ・マイクロコンタ
ミネーション・コンファレンス・アンド・エクスポジシ
ョン １９９１年 １６８頁から１８０頁(Proc.of mic
rocontamination Conf. & Expo. 1991, pp.168-180)に
記載されている。
ージや材料ガス成分のキャリアガスとして使用されてい
るガスについては、大気圧イオン化質量分析計と微量の
水分を制御された濃度で気相中に発生させる水分発生手
段とを組み合わせることによって、１ｐｐｂかそれ以下
まで微量の気相水分の定量が可能になっている。この点
に関しては、プロシーディグズ・オブ・マイクロコンタ
ミネーション・コンファレンス・アンド・エクスポジシ
ョン １９９１年 １６８頁から１８０頁(Proc.of mic
rocontamination Conf. & Expo. 1991, pp.168-180)に
記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例において
は、モノシランガスについては、質量スペクトルが知ら
れておらず、気相水分濃度の検量線の基準となるイオン
が決定されていなかった。そのため、当然検量線の測定
例もなかった。また、モノシランガスは、大気圧イオン
化質量分析計のイオン源でコロナ放電によってイオン化
される時、同時に固体の反応生成物を発生する。これが
イオン源の内部に堆積することによって、放電の不安定
化を招くため、長時間にわたる連続測定が難しいという
問題があった。また、検量線を測定するときには、濃度
が決定された微量の気相水分を、モノシランガス中に混
合する必要がある。しかし、上記の従来の水分発生技術
では、ガスの気流中に水だめを設置するため、モノシラ
ンが水だめの水と反応を起こしてしまい、危険であるだ
けでなく、正確な水分発生が困難であるという問題があ
った。
は、モノシランガスについては、質量スペクトルが知ら
れておらず、気相水分濃度の検量線の基準となるイオン
が決定されていなかった。そのため、当然検量線の測定
例もなかった。また、モノシランガスは、大気圧イオン
化質量分析計のイオン源でコロナ放電によってイオン化
される時、同時に固体の反応生成物を発生する。これが
イオン源の内部に堆積することによって、放電の不安定
化を招くため、長時間にわたる連続測定が難しいという
問題があった。また、検量線を測定するときには、濃度
が決定された微量の気相水分を、モノシランガス中に混
合する必要がある。しかし、上記の従来の水分発生技術
では、ガスの気流中に水だめを設置するため、モノシラ
ンが水だめの水と反応を起こしてしまい、危険であるだ
けでなく、正確な水分発生が困難であるという問題があ
った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】発明者は、大気圧イオン
化質量分析計を用いた場合、モノシランと水のクラスタ
イオンが検出され、そのイオン強度がモノシランガス中
の水分濃度によって決定されることを見出した。このイ
オンを気相水分濃度の検量線の基準イオンにすることに
より、上記課題は解決される。また、検量線を測定する
時には、水と反応しないガスをキャリアガスとして利用
し、水分発生手段に流すことによって気相水分を含有さ
せ、そのガスをモノシランガスに混合させることにすれ
ば、モノシランガスを直接水だめに接触させなくてす
む。従って、安定にかつ精度よくモノシランガス中に微
量の気相水分を添加できる。また、キャリアガスによっ
てモノシランガスが希釈されるため、イオン源内への反
応生成物の堆積が低減され、安定に測定可能な時間を延
ばすことができる。
化質量分析計を用いた場合、モノシランと水のクラスタ
イオンが検出され、そのイオン強度がモノシランガス中
の水分濃度によって決定されることを見出した。このイ
オンを気相水分濃度の検量線の基準イオンにすることに
より、上記課題は解決される。また、検量線を測定する
時には、水と反応しないガスをキャリアガスとして利用
し、水分発生手段に流すことによって気相水分を含有さ
せ、そのガスをモノシランガスに混合させることにすれ
ば、モノシランガスを直接水だめに接触させなくてす
む。従って、安定にかつ精度よくモノシランガス中に微
量の気相水分を添加できる。また、キャリアガスによっ
てモノシランガスが希釈されるため、イオン源内への反
応生成物の堆積が低減され、安定に測定可能な時間を延
ばすことができる。
【０００５】
【作用】本発明によって、モノシランガスに含まれる気
相水分は以下のようにして分析される。以下、＜Ａ＋＞
は、Ａという原子の正イオンを表わすものと約束する。
モノシランのガスを水分を除去する手段に通過させて、
含まれている気相水分を除去する。ついで、その水分を
除去したモノシランガスに、気相水分を一定濃度含んだ
ガスを混合して、大気圧イオン化質量分析計に導入し、
質量スペクトルを測定する。発明者は、気相水分を含む
ガスとして水素ガスを使用した場合、＜ＳｉＨ3Ｈ2Ｏ＋
＞、＜ＳｉＨ3（Ｈ2Ｏ）2＋＞が生成されることを見出
した。これらのイオンは、モノシランと水のクラスタイ
オンである。特に、＜ＳｉＨ3Ｈ2Ｏ＋＞は水１分子を含
む構造であるので、その強度は気相水分濃度に比例して
増加することが理論的に予想されるが、発明者は、図２
に示すように、実験的にその比例関係を確認した。＜Ｓ
ｉＨ3Ｈ2Ｏ＋＞に限らず、モノシランと水のクラスタイ
オンの強度は気相水分濃度に相関して変化するため、検
量線の基準イオンとして利用できる。
相水分は以下のようにして分析される。以下、＜Ａ＋＞
は、Ａという原子の正イオンを表わすものと約束する。
モノシランのガスを水分を除去する手段に通過させて、
含まれている気相水分を除去する。ついで、その水分を
除去したモノシランガスに、気相水分を一定濃度含んだ
ガスを混合して、大気圧イオン化質量分析計に導入し、
質量スペクトルを測定する。発明者は、気相水分を含む
ガスとして水素ガスを使用した場合、＜ＳｉＨ3Ｈ2Ｏ＋
＞、＜ＳｉＨ3（Ｈ2Ｏ）2＋＞が生成されることを見出
した。これらのイオンは、モノシランと水のクラスタイ
オンである。特に、＜ＳｉＨ3Ｈ2Ｏ＋＞は水１分子を含
む構造であるので、その強度は気相水分濃度に比例して
増加することが理論的に予想されるが、発明者は、図２
に示すように、実験的にその比例関係を確認した。＜Ｓ
ｉＨ3Ｈ2Ｏ＋＞に限らず、モノシランと水のクラスタイ
オンの強度は気相水分濃度に相関して変化するため、検
量線の基準イオンとして利用できる。
【０００６】検量線作成時においては、水分発生手段に
は水と反応しないキャリアガスを導入し、微量の気相水
分を混合した後に、モノシランガスと混合する。この方
法によって、水分発生装置で水とモノシランが反応して
二酸化珪素が発生する問題が避けられる。さらに、大気
圧イオン化質量分析計は高感度なので、希釈しても微量
不純物の検出が可能であること、および迅速分析が可能
であることから、モノシランのガスの使用量が少なくて
すみ、経済的である。以下、分析方法を実施例で具体的
に説明する。
は水と反応しないキャリアガスを導入し、微量の気相水
分を混合した後に、モノシランガスと混合する。この方
法によって、水分発生装置で水とモノシランが反応して
二酸化珪素が発生する問題が避けられる。さらに、大気
圧イオン化質量分析計は高感度なので、希釈しても微量
不純物の検出が可能であること、および迅速分析が可能
であることから、モノシランのガスの使用量が少なくて
すみ、経済的である。以下、分析方法を実施例で具体的
に説明する。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図１によって説明する。
分析対象のモノシランガス１は、ボンベ２から取り出さ
れ、圧力調整器３によって圧力が、流量コントローラ４
で流量が調整されたあと、流路切り換えバルブ５によっ
て、吸着剤６を通過する配管またはバイパス管７のどち
らかに流れる。一方、一定濃度の気相水分を含むガス１
３は、未精製の希釈用ガス８を純化器９で精製して得ら
れるガス１１を用い、流量コントローラ１０で流量を調
整したあと、水分発生装置１２を通過させることによっ
て調製される。ガス１とガス１３は混合されて混合ガス
１４となり、分析器１５に導入される。分析器１５を通
ったガスは排気される（排気ガス１６）。
分析対象のモノシランガス１は、ボンベ２から取り出さ
れ、圧力調整器３によって圧力が、流量コントローラ４
で流量が調整されたあと、流路切り換えバルブ５によっ
て、吸着剤６を通過する配管またはバイパス管７のどち
らかに流れる。一方、一定濃度の気相水分を含むガス１
３は、未精製の希釈用ガス８を純化器９で精製して得ら
れるガス１１を用い、流量コントローラ１０で流量を調
整したあと、水分発生装置１２を通過させることによっ
て調製される。ガス１とガス１３は混合されて混合ガス
１４となり、分析器１５に導入される。分析器１５を通
ったガスは排気される（排気ガス１６）。
【０００８】水分発生装置１２としては、例えば従来例
（図４）で示されている装置を用いることができる。水
分発生装置１２から分析器１５までは、ヒータ等の温度
保持手段１７によって、約１２０℃から１５０℃に保持
する。これは、気相水分が配管内面に吸着することによ
る、気相水分濃度の精度の低下を防止するためである。
（図４）で示されている装置を用いることができる。水
分発生装置１２から分析器１５までは、ヒータ等の温度
保持手段１７によって、約１２０℃から１５０℃に保持
する。これは、気相水分が配管内面に吸着することによ
る、気相水分濃度の精度の低下を防止するためである。
【０００９】本実施例によって、モノシラン中の気相水
分濃度は以下のようにして分析される。
分濃度は以下のようにして分析される。
【００１０】流路切り換えバルブ５を調整して、モノシ
ランガス１（流量Ｌ1）を吸着剤６を通過する配管に流
す。吸着剤６によって、モノシランガスに含まれる気相
水分濃度が低減される。このガスに水分発生装置１２で
一定濃度の気相水分を含ませたガス（流量Ｌ2）を混合
し、分析器１５で測定する。分析器として大気圧イオン
化質量分析計を用い、水分を含むガスとして水素ガスを
用いた場合、水分発生装置１２の調整によって水分濃度
を変えて測定を行なうと、水分濃度とｍ／ｚ（質量数と
電荷の比）４９のイオンの強度との間に図２に示すよう
な比例関係が成り立つ。発明者は、このイオンがＳｉＨ
3Ｈ2Ｏ+の構造をもつ、モノシランと水のクラスタイオ
ンであることを確認した。水１分子を含むイオン構造で
あるために、気相水分濃度の一次関数になることが理論
的に予想される。実験的にも、直線関係が気相水分濃度
に関して約２００ｐｐｂ以下では成り立っていた。従っ
て、この気相水分濃度領域では第２図を気相水分の検量
線として使用することによって分析が可能となる。
ランガス１（流量Ｌ1）を吸着剤６を通過する配管に流
す。吸着剤６によって、モノシランガスに含まれる気相
水分濃度が低減される。このガスに水分発生装置１２で
一定濃度の気相水分を含ませたガス（流量Ｌ2）を混合
し、分析器１５で測定する。分析器として大気圧イオン
化質量分析計を用い、水分を含むガスとして水素ガスを
用いた場合、水分発生装置１２の調整によって水分濃度
を変えて測定を行なうと、水分濃度とｍ／ｚ（質量数と
電荷の比）４９のイオンの強度との間に図２に示すよう
な比例関係が成り立つ。発明者は、このイオンがＳｉＨ
3Ｈ2Ｏ+の構造をもつ、モノシランと水のクラスタイオ
ンであることを確認した。水１分子を含むイオン構造で
あるために、気相水分濃度の一次関数になることが理論
的に予想される。実験的にも、直線関係が気相水分濃度
に関して約２００ｐｐｂ以下では成り立っていた。従っ
て、この気相水分濃度領域では第２図を気相水分の検量
線として使用することによって分析が可能となる。
【００１１】もとのモノシランガス１中に含まれている
気相水分の定量は、次のように行なう。流路切り換えバ
ルブ５を調整して、モノシランガス１がバイパス配管７
を流れるようにする。水分発生装置１２では、水分の発
生を停止し、精製されたガス１１がそのまま流れだして
ガス１３になるように調整する。ガス１とガス１３の流
量はＬ1、Ｌ2のままに保つ。この時観測されたｍ／ｚ４
９のイオン強度が図２で示すＩだった場合、検量線から
得られる気相水分濃度はＣである。これをもとのモノシ
ランガス１中に含まれる気相水分濃度Ｃ0に換算するに
は、Ｃ0＝Ｃ×（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ1とすればよい。
気相水分の定量は、次のように行なう。流路切り換えバ
ルブ５を調整して、モノシランガス１がバイパス配管７
を流れるようにする。水分発生装置１２では、水分の発
生を停止し、精製されたガス１１がそのまま流れだして
ガス１３になるように調整する。ガス１とガス１３の流
量はＬ1、Ｌ2のままに保つ。この時観測されたｍ／ｚ４
９のイオン強度が図２で示すＩだった場合、検量線から
得られる気相水分濃度はＣである。これをもとのモノシ
ランガス１中に含まれる気相水分濃度Ｃ0に換算するに
は、Ｃ0＝Ｃ×（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ1とすればよい。
【００１２】なお、図２の水分濃度０でのイオン強度Ｉ
Ｂは、この実験装置のガス配管内面に吸着した水分や、
ガス１１に含まれる気相水分、吸着剤６で除去できず残
った気相水分等に起因したバックグラウンドである。バ
ックグラウンド濃度は、図２の直線が水分濃度軸と交わ
る点が示す水分濃度の絶対値ＣＢで決定される。流量を
一定に保持した場合バックグラウンドはほぼ一定である
ため、このバックグラウンド濃度が、もとのモノシラン
ガス中の水分濃度の検出下限（Ｃｌｉｍｉｔ）を決定す
る。それは、Ｃｌｉｍｉｔ＝ＣＢ×（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ1
となる。検出下限を下げるためには、バックグラウンド
水分を下げなければならない。このために、配管には内
面電界研磨されたステンレス管等を用い、継手バルブ等
を極力排除した溶接構造が重要である。
Ｂは、この実験装置のガス配管内面に吸着した水分や、
ガス１１に含まれる気相水分、吸着剤６で除去できず残
った気相水分等に起因したバックグラウンドである。バ
ックグラウンド濃度は、図２の直線が水分濃度軸と交わ
る点が示す水分濃度の絶対値ＣＢで決定される。流量を
一定に保持した場合バックグラウンドはほぼ一定である
ため、このバックグラウンド濃度が、もとのモノシラン
ガス中の水分濃度の検出下限（Ｃｌｉｍｉｔ）を決定す
る。それは、Ｃｌｉｍｉｔ＝ＣＢ×（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｌ1
となる。検出下限を下げるためには、バックグラウンド
水分を下げなければならない。このために、配管には内
面電界研磨されたステンレス管等を用い、継手バルブ等
を極力排除した溶接構造が重要である。
【００１３】図３に本発明の別の実施例を示す。
【００１４】モノシランガス１に含まれる気相水分濃度
が図２で示す直線領域を超えて高い場合には、図３に示
すように、純化器９を通って精製されたガス１１を分岐
してガス１８とし、流量コントローラ１９で流量を制御
した後に、流路切り換えバルブ５の上流側でガス１と混
合してガス１を希釈する方法が有効である。ガス１（流
量Ｌ11）とガス１８（流量Ｌ12）の和を流量Ｌ1になる
ように設定し吸着剤６を経由して流す。そして、実施例
１の場合と同様に一定濃度の気相水分を含むガス１３
（流量Ｌ2）と混合し、検量線を測定する。ついで、ガ
ス１とガス１８の混合ガスをバイパス管７を経由して流
し、水分発生装置１２では水分発生を停止した状態にし
て、気相水分濃度を測定する。この時測定された、ガス
１とガス１８の混合ガス中の気相水分濃度がＣ2である
とする。このＣ2には、ガス１８に含まれる気相水分濃
度が入っているので、それを補正しなければならない。
そこで、ガス１を停止し、ガス１８単独で流量Ｌ1とし
て（すなわちＬ11＝０、Ｌ12＝Ｌ1）検量線の測定を行
ない、ついで気相水分濃度を分析する。この場合例えば
ガス１８が水素のときは、大気圧イオン化質量分析計で
は、ｍ／ｚ１９すなわち＜Ｈ3Ｏ＋＞が気相水分濃度に
比例して増加するイオンであることが知られているた
め、これを検量線の基準イオンとする。ガス１８単独の
場合の気相水分濃度がＣ3の場合、もとのモノシランガ
ス１中の気相水分濃度Ｃは、Ｃ＝（Ｌ1×Ｃ2−Ｌ12×Ｃ
3）／Ｌ11でもとめられる。
が図２で示す直線領域を超えて高い場合には、図３に示
すように、純化器９を通って精製されたガス１１を分岐
してガス１８とし、流量コントローラ１９で流量を制御
した後に、流路切り換えバルブ５の上流側でガス１と混
合してガス１を希釈する方法が有効である。ガス１（流
量Ｌ11）とガス１８（流量Ｌ12）の和を流量Ｌ1になる
ように設定し吸着剤６を経由して流す。そして、実施例
１の場合と同様に一定濃度の気相水分を含むガス１３
（流量Ｌ2）と混合し、検量線を測定する。ついで、ガ
ス１とガス１８の混合ガスをバイパス管７を経由して流
し、水分発生装置１２では水分発生を停止した状態にし
て、気相水分濃度を測定する。この時測定された、ガス
１とガス１８の混合ガス中の気相水分濃度がＣ2である
とする。このＣ2には、ガス１８に含まれる気相水分濃
度が入っているので、それを補正しなければならない。
そこで、ガス１を停止し、ガス１８単独で流量Ｌ1とし
て（すなわちＬ11＝０、Ｌ12＝Ｌ1）検量線の測定を行
ない、ついで気相水分濃度を分析する。この場合例えば
ガス１８が水素のときは、大気圧イオン化質量分析計で
は、ｍ／ｚ１９すなわち＜Ｈ3Ｏ＋＞が気相水分濃度に
比例して増加するイオンであることが知られているた
め、これを検量線の基準イオンとする。ガス１８単独の
場合の気相水分濃度がＣ3の場合、もとのモノシランガ
ス１中の気相水分濃度Ｃは、Ｃ＝（Ｌ1×Ｃ2−Ｌ12×Ｃ
3）／Ｌ11でもとめられる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、半導体の材料ガスとし
て重要なモノシランガスについて、不純物である微量の
気相水分を計測できるという大きな効果がある。また、
大気圧イオン化質量分析計によって迅速な分析ができる
ため、モノシランガスの使用量が少なくてすみ、経済的
である。
て重要なモノシランガスについて、不純物である微量の
気相水分を計測できるという大きな効果がある。また、
大気圧イオン化質量分析計によって迅速な分析ができる
ため、モノシランガスの使用量が少なくてすみ、経済的
である。
【図１】本発明の一実施例を示す装置構成図。
【図２】モノシランガスを含むガス中の気相水分の検量
線の例を示す図。
線の例を示す図。
【図３】本発明の別の実施例を示す装置構成図。
【図４】従来例を示す装置構成図。
【符号の説明】 １…モノシランガス、２…ボンベ、３…圧力調整器、
４，１０，１９…流量コントローラ、５…流路切り換え
手段、６…吸着剤、７…バイパス配管、８…未精製の希
釈用ガス、９…純化器、１１…精製されたガス、１２…
水分発生装置、１３…気相水分を一定濃度含むガス、１
４…ガス１とガス１３の混合ガス、１５…分析器、１６
…排気ガス、１７…温度保持手段、１８…ガス１１のか
ら分岐されたガス。
４，１０，１９…流量コントローラ、５…流路切り換え
手段、６…吸着剤、７…バイパス配管、８…未精製の希
釈用ガス、９…純化器、１１…精製されたガス、１２…
水分発生装置、１３…気相水分を一定濃度含むガス、１
４…ガス１とガス１３の混合ガス、１５…分析器、１６
…排気ガス、１７…温度保持手段、１８…ガス１１のか
ら分岐されたガス。
Claims (5)
- 【請求項１】イオンを発生するイオン源と、該イオンを
質量によって分離し、個々に強度を測定する質量分析計
と、モノシランガスと該モノシランガスの供給手段とか
らなる装置において、モノシランガス中に含まれる微量
の気相水分を、質量分析計で観測される水とモノシラン
のクラスタイオンの強度から定量することを特徴とす
る、ガス分析装置。 - 【請求項２】上記ガス分析装置のモノシランガス供給手
段は、流路切り換え手段によって切り換えられる２系統
のガス流路からなり、一方には、気相水分の除去手段を
設置したことを特徴とする請求項１記載のガス分析装
置。 - 【請求項３】上記ガス分析装置のイオン源の直前に、気
相中に水分を発生させる手段から供給される一定濃度の
気相水分を含有するガスを導入する手段を追加してなる
請求項１記載のガス分析装置。 - 【請求項４】請求項２記載の流路切り換え手段の上流側
に、気相水分を除去したガスを導入する手段を追加した
ことを特徴とする請求項１記載のガス分析装置。 - 【請求項５】請求項３記載の気相水分を含むガスおよび
請求項４記載の気相水分を除去したガスとして、特に水
素ガスであることを特徴とする、請求項１記載のガス分
析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310411A JPH05142202A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | ガス分析方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310411A JPH05142202A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | ガス分析方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142202A true JPH05142202A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=18004941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3310411A Pending JPH05142202A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | ガス分析方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142202A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009162A1 (fr) * | 1996-08-27 | 1998-03-05 | Nippon Sanso Corporation | Procede d'analyse des impuretes contenues dans des gaz et analyseur correspondant |
| JP2007225395A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Tokyo Metropolitan Univ | 全反射レーザー照射法を用いた質量分析測定の定量化 |
| JP2011203164A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Hitachi High-Tech Control Systems Corp | ガス分析装置及びガス分析方法 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP3310411A patent/JPH05142202A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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