JPH0514326Y2 - - Google Patents
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- JPH0514326Y2 JPH0514326Y2 JP3009187U JP3009187U JPH0514326Y2 JP H0514326 Y2 JPH0514326 Y2 JP H0514326Y2 JP 3009187 U JP3009187 U JP 3009187U JP 3009187 U JP3009187 U JP 3009187U JP H0514326 Y2 JPH0514326 Y2 JP H0514326Y2
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- magnetic
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- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、磁気ヘツドに関するものであり、特
に、磁気転写のためのバイアス磁界発生用ヘツド
として適した磁気ヘツドに関するものである。
に、磁気転写のためのバイアス磁界発生用ヘツド
として適した磁気ヘツドに関するものである。
従来の技術
磁気転写のためのバイアス磁界を得る手段とし
ては、ソレノイドコイルに交流電流を通電する方
法がよく知られているが、ソレノイドコイルは、
形状が大きく、また有効な転写磁界を発生するの
に要するエネルギーが大きく効率が悪い。バイア
ス磁界発生手段としてリング型磁気ヘツドを用い
れば、装置を小型にでき、有効な転写磁界を発生
するのに要するエネルギーも少なくてよい。
ては、ソレノイドコイルに交流電流を通電する方
法がよく知られているが、ソレノイドコイルは、
形状が大きく、また有効な転写磁界を発生するの
に要するエネルギーが大きく効率が悪い。バイア
ス磁界発生手段としてリング型磁気ヘツドを用い
れば、装置を小型にでき、有効な転写磁界を発生
するのに要するエネルギーも少なくてよい。
一般に、磁気転写のためのバイアス磁界として
は、必要にして充分な磁界強度と、その磁界強度
の緩やかな減衰が必要であることが知られてい
る。
は、必要にして充分な磁界強度と、その磁界強度
の緩やかな減衰が必要であることが知られてい
る。
しかるに、磁気ヘツドから発生する磁界は、添
付図面の第２図に示すように、空隙の中心からの
距離により磁界の強さ、減衰率ともに異なる。第
２図は、磁気ヘツドの空隙の巾を、ｇとし、その
空隙の中心からその空隙の巾方向における位置を
ｘとして、横軸にｘ／ｇをとり、空隙の中心点の
磁界の強さをHpとし、前記位置ｘでの磁界の強
さをHxとして、縦軸にHx／Hpをとつて、その空
隙の近傍における磁界の強さの変化を示したもの
である。そして、第２図の各曲線のパラメータ
は、その空隙の巾方向とは垂直な方向における位
置をｙとして、ｙ／ｇとしたものである。従つ
て、ｙ／ｇ＝０を付して示す曲線は、空隙の面に
そつて空隙の巾方向における磁界の強さの変化を
示すものであり、以下同様に、ｙ／ｇ＝0.1を付
して示す曲線は、空隙からその巾方向と垂直な方
向においてその空隙の巾の10分の１だけ離れた面
においてその巾方向にそつての磁界の強さの変化
を示し、ｙ／ｇ＝0.2の曲線は、空隙の巾の10分
の２だけ離れた位置における磁界の強さの変化を
示し、ｙ／ｇ＝0.5の曲線は、空隙の巾の２分の
１だけ離れた位置における磁界の強さの変化を示
し、ｙ／ｇ＝1.0の曲線は、空隙の巾だけ離れた
位置における磁界の強さの変化を示している。す
なわち、第２図のこれらの曲線から明らかなよう
に、磁気ヘツドの空隙からの距離が近いと、磁界
強度は、強いが、減衰が急峻すぎ、逆に、距離が
遠いと、減衰は緩やかであるが、磁界強度が不足
する。従つて、磁気ヘツドによつて磁気転写のた
めのバイアス磁界を供給する場合は、磁気媒体を
ヘツドの空隙からある範囲内の距離に保つ必要が
ある。そのために、従来では、磁気ヘツドと磁気
媒体との間に所定の距離を保つように磁気ヘツド
を取り付けることが行われている。また、従来で
は、別の方法として、磁気ヘツドと磁気媒体との
間に非磁性の間隙材を設ける方法が考えられてい
る。この間隙材を設ける従来の方法は、第３図Ａ
に示すように、磁気ヘツド１０の空隙部１１を含
むヘツド前面に取り付けるための間隙材１２を用
意して、この間隙材１２を、第３図Ｂに示すよう
に、適当な接着材１３にてヘツド前面に固着する
ようにしていた。
付図面の第２図に示すように、空隙の中心からの
距離により磁界の強さ、減衰率ともに異なる。第
２図は、磁気ヘツドの空隙の巾を、ｇとし、その
空隙の中心からその空隙の巾方向における位置を
ｘとして、横軸にｘ／ｇをとり、空隙の中心点の
磁界の強さをHpとし、前記位置ｘでの磁界の強
さをHxとして、縦軸にHx／Hpをとつて、その空
隙の近傍における磁界の強さの変化を示したもの
である。そして、第２図の各曲線のパラメータ
は、その空隙の巾方向とは垂直な方向における位
置をｙとして、ｙ／ｇとしたものである。従つ
て、ｙ／ｇ＝０を付して示す曲線は、空隙の面に
そつて空隙の巾方向における磁界の強さの変化を
示すものであり、以下同様に、ｙ／ｇ＝0.1を付
して示す曲線は、空隙からその巾方向と垂直な方
向においてその空隙の巾の10分の１だけ離れた面
においてその巾方向にそつての磁界の強さの変化
を示し、ｙ／ｇ＝0.2の曲線は、空隙の巾の10分
の２だけ離れた位置における磁界の強さの変化を
示し、ｙ／ｇ＝0.5の曲線は、空隙の巾の２分の
１だけ離れた位置における磁界の強さの変化を示
し、ｙ／ｇ＝1.0の曲線は、空隙の巾だけ離れた
位置における磁界の強さの変化を示している。す
なわち、第２図のこれらの曲線から明らかなよう
に、磁気ヘツドの空隙からの距離が近いと、磁界
強度は、強いが、減衰が急峻すぎ、逆に、距離が
遠いと、減衰は緩やかであるが、磁界強度が不足
する。従つて、磁気ヘツドによつて磁気転写のた
めのバイアス磁界を供給する場合は、磁気媒体を
ヘツドの空隙からある範囲内の距離に保つ必要が
ある。そのために、従来では、磁気ヘツドと磁気
媒体との間に所定の距離を保つように磁気ヘツド
を取り付けることが行われている。また、従来で
は、別の方法として、磁気ヘツドと磁気媒体との
間に非磁性の間隙材を設ける方法が考えられてい
る。この間隙材を設ける従来の方法は、第３図Ａ
に示すように、磁気ヘツド１０の空隙部１１を含
むヘツド前面に取り付けるための間隙材１２を用
意して、この間隙材１２を、第３図Ｂに示すよう
に、適当な接着材１３にてヘツド前面に固着する
ようにしていた。
考案が解決しようとする問題点
磁気ヘツドと磁気媒体との間に所定の距離を保
つように磁気ヘツドを取り付けるという従来の方
法は、その取り付け位置に高い精度が必要とされ
ることと、磁気媒体の走行時に少なくともその磁
気ヘツドの空隙の近傍においては、その磁気媒体
の位置が変わらないように保持しながら走行させ
ねばならない。磁気カードのように基体の剛性が
高い媒体では、その媒体自身の変形があると、走
行中磁気ヘツドの空隙の近傍で、磁気媒体と磁気
ヘツドとの距離を常に一定に保つのは困難であ
る。
つように磁気ヘツドを取り付けるという従来の方
法は、その取り付け位置に高い精度が必要とされ
ることと、磁気媒体の走行時に少なくともその磁
気ヘツドの空隙の近傍においては、その磁気媒体
の位置が変わらないように保持しながら走行させ
ねばならない。磁気カードのように基体の剛性が
高い媒体では、その媒体自身の変形があると、走
行中磁気ヘツドの空隙の近傍で、磁気媒体と磁気
ヘツドとの距離を常に一定に保つのは困難であ
る。
また、磁気ヘツドと磁気媒体との間に非磁性の
間隙材を別に設ける従来の方法は、次に述べるよ
うな問題があつた。すなわち、第３図に示すよう
に、磁気ヘツド１０の前面に固着する間隙材１２
の厚さｄは、前述した第２図の曲線群からも明ら
かなように、概略その磁気ヘツドの空隙長に等し
いか、それ以下の厚さが必要である。磁気ヘツド
前面は、通常、曲面を含む複雑な形状をしてお
り、間隙材１２をその磁気ヘツドの形状に合わせ
て加工するには、間隙材１２のための材料として
軟らかい材料を使うのが都合がよいが、この場
合、間隙材１２は、磁気媒体とある押圧力をもつ
て直接接触するので、使用回数に従つて磁気ヘツ
ドの空隙から磁気媒体までの距離ｄが摩耗により
減少してくる。ある程度以上摩耗が進むと、バイ
アス磁界強度の減衰が急峻になつてくるので、転
写出力が減衰する。この欠点を解決するために、
間隙材１２の材料として、磁気ヘツドのコア材と
同等以上の硬度をもつもの、例えば、Ｋ種超鋼な
どを使用すると、磁気ヘツドの前面の形状に合わ
せて間隙材１２を加工するのが困難となる。
間隙材を別に設ける従来の方法は、次に述べるよ
うな問題があつた。すなわち、第３図に示すよう
に、磁気ヘツド１０の前面に固着する間隙材１２
の厚さｄは、前述した第２図の曲線群からも明ら
かなように、概略その磁気ヘツドの空隙長に等し
いか、それ以下の厚さが必要である。磁気ヘツド
前面は、通常、曲面を含む複雑な形状をしてお
り、間隙材１２をその磁気ヘツドの形状に合わせ
て加工するには、間隙材１２のための材料として
軟らかい材料を使うのが都合がよいが、この場
合、間隙材１２は、磁気媒体とある押圧力をもつ
て直接接触するので、使用回数に従つて磁気ヘツ
ドの空隙から磁気媒体までの距離ｄが摩耗により
減少してくる。ある程度以上摩耗が進むと、バイ
アス磁界強度の減衰が急峻になつてくるので、転
写出力が減衰する。この欠点を解決するために、
間隙材１２の材料として、磁気ヘツドのコア材と
同等以上の硬度をもつもの、例えば、Ｋ種超鋼な
どを使用すると、磁気ヘツドの前面の形状に合わ
せて間隙材１２を加工するのが困難となる。
本考案の目的は、このような従来の問題点を解
消しうる磁気ヘツドを提供することである。
消しうる磁気ヘツドを提供することである。
問題点を解決するための手段
本考案によれば、磁気媒体に対してコアの前面
の空隙部が所定の間隙を有するように保持するた
めの間隙材を有する磁気ヘツドにおいて、前記間
隙材は、前記コアの前記空隙部に設けた空隙材の
延長部によつて構成されたことを特徴とする。
の空隙部が所定の間隙を有するように保持するた
めの間隙材を有する磁気ヘツドにおいて、前記間
隙材は、前記コアの前記空隙部に設けた空隙材の
延長部によつて構成されたことを特徴とする。
実施例
次に、添付図面の第１図を特に参照して、本考
案の実施例について本考案をより詳細に説明す
る。
案の実施例について本考案をより詳細に説明す
る。
第１図は、本考案の一実施例としての磁気ヘツ
ドの構造を示す概略図である。第１図に示すよう
に、この実施例の磁気ヘツドは、磁気ヘツドのパ
ーマロイ等のコア材２０の空隙部に設ける空隙材
２１を、ヘツドの前面の磁気媒体との接触部分に
おいてコアの前面より高さｄだけ突き出るように
延長させて、間隙材２１Ａとしている。この空隙
材２１の材料は、硬質のセラミツクス、Ｋ種超
鋼、Be−Cu，T〓、ガラス等であつてよい。この
実施例では、機械的空隙長ｇは、1.0mmである。
間隙材２１Ａとしての空隙材２１の延長部の高さ
は、必要とする間隙長ｄよりやや高いものとされ
ている。コア材２０の前面には、空隙材２１の延
長部２１Ａとの段差を埋めるようにして、非磁性
のセラミツクス４を溶融状態において溶射し、固
化させた後、ヘツド前面を切削、研磨して間隙材
２１Ａとヘツド前面との間に段差がないようにす
るとともに、空隙部における間隙材２１Ａの高さ
が所定のｄとなるようにしている。この高さｄ
は、空隙長ｇの値に対し、0.2≦ｄ／ｇ≦1.2を満
たすように選ばれており、この実施例では、0.2
mmから1.2mmの範囲内とされている。
ドの構造を示す概略図である。第１図に示すよう
に、この実施例の磁気ヘツドは、磁気ヘツドのパ
ーマロイ等のコア材２０の空隙部に設ける空隙材
２１を、ヘツドの前面の磁気媒体との接触部分に
おいてコアの前面より高さｄだけ突き出るように
延長させて、間隙材２１Ａとしている。この空隙
材２１の材料は、硬質のセラミツクス、Ｋ種超
鋼、Be−Cu，T〓、ガラス等であつてよい。この
実施例では、機械的空隙長ｇは、1.0mmである。
間隙材２１Ａとしての空隙材２１の延長部の高さ
は、必要とする間隙長ｄよりやや高いものとされ
ている。コア材２０の前面には、空隙材２１の延
長部２１Ａとの段差を埋めるようにして、非磁性
のセラミツクス４を溶融状態において溶射し、固
化させた後、ヘツド前面を切削、研磨して間隙材
２１Ａとヘツド前面との間に段差がないようにす
るとともに、空隙部における間隙材２１Ａの高さ
が所定のｄとなるようにしている。この高さｄ
は、空隙長ｇの値に対し、0.2≦ｄ／ｇ≦1.2を満
たすように選ばれており、この実施例では、0.2
mmから1.2mmの範囲内とされている。
考案の効果
本考案の磁気ヘツドは、前述したような構成で
あるので、次のような格別な効果を発揮すること
ができる。
あるので、次のような格別な効果を発揮すること
ができる。
(1) 効率の良い磁気転写のために必要なヘツドと
媒体との間の距離が、磁気ヘツドの中に設けた
空隙材の延長部である間隙材によつて得られて
いるので、このヘツドを適当な押圧力にて媒体
に押しつけるだけで、常に一定な転写バイアス
磁界が得られる。したがつて、本考案の磁気ヘ
ツドは、磁気転写のためのバイアス磁界発生用
ヘツドとして適しており、例えば、本出願人に
よる特願昭61−178503号の明細書に開示したよ
うな磁気記録再生装置において、保磁力の異な
る２つの磁気記録層のうち保磁力の高い磁気記
録層の残留磁化を保磁力の低い磁気記録層に磁
気転写するための磁気転写手段として好適なも
のである。
媒体との間の距離が、磁気ヘツドの中に設けた
空隙材の延長部である間隙材によつて得られて
いるので、このヘツドを適当な押圧力にて媒体
に押しつけるだけで、常に一定な転写バイアス
磁界が得られる。したがつて、本考案の磁気ヘ
ツドは、磁気転写のためのバイアス磁界発生用
ヘツドとして適しており、例えば、本出願人に
よる特願昭61−178503号の明細書に開示したよ
うな磁気記録再生装置において、保磁力の異な
る２つの磁気記録層のうち保磁力の高い磁気記
録層の残留磁化を保磁力の低い磁気記録層に磁
気転写するための磁気転写手段として好適なも
のである。
(2) 本考案の磁気ヘツドをバイアスヘツドとして
使用する場合には、その装置への取り付けを、
通常のリード用もしくはライト用のヘツドとほ
ぼ同じ取り付け方法でよいので、複雑な調整が
不用であり、非常に簡単に取り付けることがで
きる。
使用する場合には、その装置への取り付けを、
通常のリード用もしくはライト用のヘツドとほ
ぼ同じ取り付け方法でよいので、複雑な調整が
不用であり、非常に簡単に取り付けることがで
きる。
(3) 本考案の磁気ヘツドにおける間隙材は、薄い
板状のものを折り曲げ加工するなどの製造工程
を必要としていないので、硬質のＫ種超鋼やセ
ラミツクスを間隙材の材料として使用でき、従
つて、磁気媒体との接触部が摩耗するようなこ
とはなく、耐久性のあるものとすることができ
る。
板状のものを折り曲げ加工するなどの製造工程
を必要としていないので、硬質のＫ種超鋼やセ
ラミツクスを間隙材の材料として使用でき、従
つて、磁気媒体との接触部が摩耗するようなこ
とはなく、耐久性のあるものとすることができ
る。
(4) 本考案の磁気ヘツドの構造によれば、間隙材
を別個に設けず、空隙材を延長させることによ
つて、間隙材としているので、簡単である。
を別個に設けず、空隙材を延長させることによ
つて、間隙材としているので、簡単である。
(5) 本考案の磁気ヘツドの構造において、空隙材
の延長部とヘツド前面との段差を埋めるように
してセラミツクスを施す場合には、耐久性をよ
り高めることができる。
の延長部とヘツド前面との段差を埋めるように
してセラミツクスを施す場合には、耐久性をよ
り高めることができる。
第１図は、本考案の一実施例の磁気ヘツドの構
造を示す概略図、第２図は、磁気ヘツドから発生
する磁界の強さの変化を示す図、第３図は、従来
の磁気ヘツドにおける間隙材の取り付け過程を説
明するための概略図である。 ２０……コア材、２１……空隙材、２１Ａ……
空隙材の延長部（間隙材）、２２……セラミツク
ス。
造を示す概略図、第２図は、磁気ヘツドから発生
する磁界の強さの変化を示す図、第３図は、従来
の磁気ヘツドにおける間隙材の取り付け過程を説
明するための概略図である。 ２０……コア材、２１……空隙材、２１Ａ……
空隙材の延長部（間隙材）、２２……セラミツク
ス。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 磁気媒体に対してコアの前面の空隙部が所定
の間隙を有するように保持するための間隙材を
有する磁気ヘツドにおいて、前記間隙材は、前
記コアの前記空隙部に設けた空隙材の延長部に
よつて構成されたことを特徴とする磁気ヘツ
ド。 (2) 前記空隙材の前記延長部の厚さは、少なくと
も前記空隙部の真上において、空隙長に対する
比率で、0.2から1.2である実用新案登録請求の
範囲第(1)項記載の磁気ヘツド。 (3) 前記空隙材は、セラミツクスである実用新案
登録請求の範囲第(1)項または第(2)項記載の磁気
ヘツド。 (4) 前記空隙材は、Ｋ種超鋼である実用新案登録
請求の範囲第(1)項または第(2)項記載の磁気ヘツ
ド。 (5) 前記空隙材は、Be−Cuである実用新案登録
請求の範囲第(1)項または第(2)項記載の磁気ヘツ
ド。 (6) 前記空隙材は、T〓である実用新案登録請求
の範囲第(1)項または第(2)項記載の磁気ヘツド。 (7) 前記空隙材は、ガラスである実用新案登録請
求の範囲第(1)項または第(2)項記載の磁気ヘツ
ド。 (8) 前記コアの前記前面には、前記空隙部の前記
延長部と前記前面との段差を埋めるようにセラ
ミツクスが施されている実用新案登録請求の範
囲第(1)項から第(7)項のうちのいずれかに記載の
磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009187U JPH0514326Y2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009187U JPH0514326Y2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63138607U JPS63138607U (ja) | 1988-09-13 |
| JPH0514326Y2 true JPH0514326Y2 (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=30834586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3009187U Expired - Lifetime JPH0514326Y2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514326Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-02 JP JP3009187U patent/JPH0514326Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63138607U (ja) | 1988-09-13 |
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