JPH0514427B2 - - Google Patents
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- JPH0514427B2 JPH0514427B2 JP2013875A JP1387590A JPH0514427B2 JP H0514427 B2 JPH0514427 B2 JP H0514427B2 JP 2013875 A JP2013875 A JP 2013875A JP 1387590 A JP1387590 A JP 1387590A JP H0514427 B2 JPH0514427 B2 JP H0514427B2
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10507—Involving several components
- H05K2201/10515—Stacked components
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はTAB方式で実装されたパツケージを
複数個積層した構造を有する半導体装置に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a semiconductor device having a structure in which a plurality of packages mounted using the TAB method are stacked.
従来の技術
近年、電子機器の高密度化の要求は大きな課題
となつており、その解決策として第5図に示す構
成が用いられている。第5図は従来の高密度実装
による半導体装置の一例の断面図である。回路基
板20の両面には所定の配線パターンと電極21
a,21bが設けられ、各面の配線パターン同士
はスルーホール(図示せず)で電気的に接続され
ている。パツケージされた半導体チツプ22a,
22bは回路基板20の両面に載置されている。
このような従来の構成では、パツケージを回路基
板20の両面に配設することによつて、少なくと
も同一平面積で約2倍の実装密度を得ていた。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, the demand for higher density electronic equipment has become a major issue, and the configuration shown in FIG. 5 has been used as a solution to this problem. FIG. 5 is a cross-sectional view of an example of a conventional semiconductor device with high-density packaging. A predetermined wiring pattern and electrodes 21 are provided on both sides of the circuit board 20.
a and 21b are provided, and the wiring patterns on each surface are electrically connected to each other through through holes (not shown). packaged semiconductor chip 22a,
22b are placed on both sides of the circuit board 20.
In such a conventional configuration, by arranging the packages on both sides of the circuit board 20, at least about twice the packaging density can be obtained in the same planar area.
発明が解決しようとする課題
しかし、従来の構成では回路基板の両面にパツ
ケージを平面的に配設するため2倍の実装密度し
か得られず、搭載したチツプが増える程実装面積
が増加して電子機器の高密度化に対応できないと
いう問題があつた。本発明は、上述の問題点に鑑
みて試されたもので、2倍以上の実装密度が得ら
れる積層型半導体実装体を提供することを目的と
する。また、本発明は積層した半導体装置のリー
ドの基板への接続を容易に行うことのできる構造
を提供することを目的とする。さらにまた、本発
明は、半導体メモリデバイスの積層に好適な積層
構造体を容易かつ高精度に製造する方法を得るこ
とを目的とする。Problems to be Solved by the Invention However, in the conventional configuration, packages are arranged flat on both sides of the circuit board, so only twice the packaging density can be obtained. There was a problem that it could not cope with the increasing density of equipment. The present invention was attempted in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a stacked semiconductor package that can achieve a packaging density that is more than twice as high. Another object of the present invention is to provide a structure in which leads of stacked semiconductor devices can be easily connected to a substrate. A further object of the present invention is to obtain a method for easily and highly accurately manufacturing a laminated structure suitable for laminating semiconductor memory devices.
課題を解決するための手段
本発明の方法は、アウターリードホール、デバ
イスホール、孔がそれぞれ開口されたフイルムの
前記デバイスホールに半導体チツプを設置し、前
記半導体チツプの電極端子に接続されたインナー
リードにつながつたアウターリード領域で前記ア
ウターリードを前記フイルム上で複数本に分離し
て前記アウターリードホールに延存させ、前記半
導体チツプを実装したフイルムを分離切断すると
ともに前記複数本に分離された所定のアウターリ
ードを選択的に前記アウターリードホールで切断
してTABパツケージを形成し、複数の前記パツ
ケージを、それぞれの前記孔にガイド部材を挿入
して位置合わせして複数段に積層し、前記パツケ
ージのアウターリードと回路基板上の電極とを接
合するものである。Means for Solving the Problems In the method of the present invention, a semiconductor chip is installed in an outer lead hole, a device hole, and a device hole of a film having holes, and inner leads connected to electrode terminals of the semiconductor chip are provided. The outer lead is separated into a plurality of pieces on the film in the outer lead region connected to the film, and the outer lead is made to extend into the outer lead hole, and the film on which the semiconductor chip is mounted is separated and cut, and the predetermined number of pieces separated into the plurality of pieces is cut. The outer leads of the TAB package are selectively cut at the outer lead hole to form a TAB package, and a plurality of the packages are stacked in multiple stages by inserting a guide member into each of the holes to align the packages. This connects the outer leads of the circuit board and the electrodes on the circuit board.
作 用
本発明は上述のごとく、フイルムに設けた位置
合わせ用孔にガイドピンすなわちガイド部材を挿
入することによつて、半導体チツプパツケージ及
びリードを容易かつ正確に位置合わせ積層するこ
とができる。そして、パツケージの数によらず容
易な積層が可能となり、リードの切断も容易で切
断リードのバラツキもなく、共通端子以外の端子
を回路基板の電極に容易に接続できる。従つて、
半導体チツプを何層でも積み重ねた高密度実装パ
ツケージを容易に高精度に得ることが可能とな
る。Function As described above, the present invention allows semiconductor chip packages and leads to be easily and accurately aligned and stacked by inserting guide pins, that is, guide members into alignment holes provided in the film. Furthermore, it is possible to easily stack the packages regardless of the number of packages, the leads can be easily cut, there is no variation in the cut leads, and terminals other than the common terminal can be easily connected to the electrodes of the circuit board. Therefore,
It becomes possible to easily obtain a high-density packaging package in which semiconductor chips are stacked in any number of layers with high accuracy.
実施例
LSIメモリチツプを同一回路基板上に複数個搭
載する場合、電源、クロツク信号ライン等の各チ
ツプ共通の電極は、これらの各チツプの同一の電
極同志を共通に接続して回路基板上の配線と接続
することができる。しかしながら、チツプ選択用
の電極等の非共通電極は、個々のチツプから独立
して個々に取出して回路基板上の特定の配線にそ
れぞれ接続する必要がある。複数個のLSIメモリ
チツプを積層する場合このような課題があり、共
通電極および非共通電極の接続処理を考慮した本
発明の実施例を以下に説明する。第1図は本発明
の一実施例における半導体装置の構成の一部であ
るTABパツケージの平面図である。本実施例で
はメモリLSIチツプを4チツプ積層する場合につ
いて以下第3図および第4図にて説明する。第1
図において、ポリイミド、ガラエポ(ガラス繊維
入りエポキシ)等の樹脂フイルム(フイルムキヤ
リアテープ)1に少なくともデバイスホール3と
アウタリードホール4が開口され、デバイスホー
ル3には銅箔で形成されメツキ処理されたインナ
リード5,7が突出した形状に構成される。な
お、リード100はインナリード5,7、リード
5,7とそれぞれ一体に形成されたアウタリード
5′,8から構成されている。そしてアウタリー
ド8の領域は複数のアウタリード8a〜8hに分
離形成されている。第1図の構成例では、チツプ
2は8個の電極を有し、これらにそれぞれ8本の
インナリード5が接続されている。第1図はLSI
チツプ2の電極6,10とインナリード5,7と
が既に接続された状態を示している。LSIチツプ
2とインナリード5,7とは、チツプ2の電極
6,10上に形成したバンブ(金属突起)とリー
ド5,7を接合するか、またはリード5,7上に
パンプを形成しこのバルプと電極6,10を接合
することにより接続されている。積層される各々
のLSIチツプにおいてチツプ2上の同一位置の電
極で同一の信号を処理するリード5,5′すなわ
ち共通端子は、たとえば電源、クロツク信号端子
であつてLSIチツプ2の電極に接続されたインナ
リード領域およびそれに続くアウタリード領域を
通して一本で連続して形成されている。一方、積
層される各々のLSIチツプにおいてチツプ2上の
同一位置の電極10で異なる信号を処理するリー
ドすなわち、各々のチツプに信号の入出力を行な
わせるために用いるチツプ選択用の非共通電極端
子は、少なくともインナリード領域すなわちイン
ナリード7では一本であるが、アウタリード領域
8では、積層するチツプの数の分だけインナリー
ド7が分離されたリード群(アウタリード)8a
〜8hとして形成される。Example When multiple LSI memory chips are mounted on the same circuit board, electrodes common to each chip such as power supply and clock signal lines are interconnected by connecting the same electrodes of each chip in common. can be connected with. However, non-common electrodes such as chip selection electrodes must be individually taken out from each chip and connected to specific wiring on the circuit board. There is such a problem when stacking a plurality of LSI memory chips, and an embodiment of the present invention will be described below that takes into account connection processing of common electrodes and non-common electrodes. FIG. 1 is a plan view of a TAB package which is part of the structure of a semiconductor device in one embodiment of the present invention. In this embodiment, a case where four memory LSI chips are stacked will be explained below with reference to FIGS. 3 and 4. 1st
In the figure, at least a device hole 3 and an outer lead hole 4 are opened in a resin film (film carrier tape) 1 made of polyimide, glass epoxy (glass fiber-filled epoxy), etc., and the device hole 3 is formed with copper foil and plated. The inner leads 5 and 7 are configured in a protruding shape. The lead 100 is composed of inner leads 5, 7 and outer leads 5', 8 integrally formed with the leads 5, 7, respectively. The region of the outer lead 8 is formed separately into a plurality of outer leads 8a to 8h. In the configuration example shown in FIG. 1, the chip 2 has eight electrodes, and eight inner leads 5 are connected to each of these electrodes. Figure 1 is an LSI
A state in which the electrodes 6, 10 of the chip 2 and the inner leads 5, 7 are already connected is shown. The LSI chip 2 and the inner leads 5, 7 are formed by bonding the leads 5, 7 to bumps (metal protrusions) formed on the electrodes 6, 10 of the chip 2, or by forming bumps on the leads 5, 7. Connection is made by joining the bulb and the electrodes 6, 10. In each stacked LSI chip, the leads 5 and 5', that is, the common terminal, which process the same signal with the electrodes at the same position on the chip 2, are power supply and clock signal terminals, and are connected to the electrodes of the LSI chip 2. One continuous lead is formed through the inner lead region and the outer lead region following it. On the other hand, in each stacked LSI chip, the electrode 10 at the same position on the chip 2 is used as a lead for processing different signals, that is, a non-common electrode terminal for chip selection used to input and output signals to each chip. is one lead at least in the inner lead region, that is, the inner lead 7, but in the outer lead region 8, there is a lead group (outer lead) 8a in which the inner leads 7 are separated by the number of chips to be stacked.
Formed as ~8h.
また、フイルムキヤリアテープ1上には任意の
場所に孔9が設けられている。なお、第1図では
LSIチツプ2が1個示してあるが、テープ1には
長手方向に第1図のごとくチツプが多数設置され
ている。すなわち、フイルムキヤリアテープ1の
インナリード5,7にLSIチツプ2が長手方向に
連続的に多数実装され、電気検査が行われる。第
1図の状態において、チツプ2に保護樹脂膜(図
示せず)の形成が行なわれ、回路基板上に搭載さ
れる前に例えば鎖線Lの部分で所定形状に切断さ
れ、個々のTABパツケージが作成される。第2
図a〜dは第1図の状態のフイルムを所定形状に
切断し、積層するLSIチツプを実装した各層毎の
TABパツケージを形成した状態を示す平面図で
ある。積層するLSIチツプを実装したTABパツ
ケージAにおいて、電極10のアウタリードは8
a,8eのリード以外8b,8c,8d,8f,
8g,8hは全て切断されている(第2図a)。
積層するLSIチツプを実装したパツケージBにお
いては、チツプAと同一位置の電極10のアウタ
リードは8a,8c,8d,8e,8g,8hを
切断し8b,8fのみを残し(第2図b)、同様
にLSIチツプを実装したパツケージCのアウタリ
ードは8c,8g、LSIチツプを実装したパツケ
ージDのアウタリードは8d,8hを残し、他の
リードは切断されている(第2図c,d)。この
ように、積層するLSIチツプの段毎にアウタリー
ド8の切断後の形状を異ならせる。このアウタリ
ード8の選択的な切断はたとえば打抜きの金型を
用い、LSIチツプ2を第1図のごとくフイルムに
実装後、フイルムキヤリア1から各チツプ2を所
定形状に切断する際に同時に行なうことができ
る。あるいはチツプ2を一定の金型で同じように
所定形状に切断した後、アウタリード8のみを別
な工程で切断しても良い。 Furthermore, holes 9 are provided at arbitrary locations on the film carrier tape 1. In addition, in Figure 1
Although one LSI chip 2 is shown, a large number of chips are installed on the tape 1 in the longitudinal direction as shown in FIG. That is, a large number of LSI chips 2 are successively mounted on the inner leads 5 and 7 of the film carrier tape 1 in the longitudinal direction, and an electrical inspection is performed. In the state shown in FIG. 1, a protective resin film (not shown) is formed on the chip 2, and before it is mounted on a circuit board, it is cut into a predetermined shape, for example, along the chain line L, and individual TAB packages are formed. Created. Second
Figures a to d show how the film shown in Figure 1 is cut into a predetermined shape, and each layer is laminated with LSI chips mounted on it.
FIG. 3 is a plan view showing a state in which a TAB package is formed. In TAB package A mounted with stacked LSI chips, the outer lead of electrode 10 is 8
8b, 8c, 8d, 8f, except for a, 8e leads,
8g and 8h are all cut off (Figure 2a).
In package B in which the stacked LSI chips are mounted, the outer leads 8a, 8c, 8d, 8e, 8g, and 8h of the electrode 10 located at the same position as chip A are cut off, leaving only 8b and 8f (Figure 2b). Similarly, outer leads 8c and 8g of package C mounted with an LSI chip are left, and outer leads 8d and 8h of package D mounted with an LSI chip are left, and the other leads are cut off (Fig. 2 c, d). In this way, the shape of the outer leads 8 after cutting is made different for each stage of stacked LSI chips. This selective cutting of the outer leads 8 can be carried out at the same time, using a punching die, for example, when each chip 2 is cut into a predetermined shape from the film carrier 1 after the LSI chip 2 is mounted on the film as shown in FIG. can. Alternatively, after cutting the chip 2 into a predetermined shape using a certain mold, only the outer leads 8 may be cut in a separate process.
以上の方法によれば、アウターリードはテープ
フイルム上で分離されており、さらに所定アウタ
ーリードの選択切断はアウターリードホールで行
われる。このため、アウターリードの切断は容易
であるとともに、切断後のアウターリードの曲り
や反り等が発生せず、精度の高いアウターリード
ピツチを保持できる。 According to the above method, the outer leads are separated on the tape film, and selective cutting of predetermined outer leads is performed at the outer lead hole. Therefore, the outer lead can be easily cut, and the outer lead does not bend or warp after being cut, and a highly accurate outer lead pitch can be maintained.
第2図の構成の各TABパツケージA〜Dをす
べて積層すると、各パツケージの電極10から導
出された非共通端子となるアウタリード8a,8
b,8c,8d,8e,8f,8g,8hは積層
した状態で重ならない構造となる。したがつて、
こうした状態のアウタリードに別々に信号の入出
力ができる。第3図はLSIチツプを実装した
TABパツケージを積層した実装状態を示す断面
図、第4図は積層実装状態の一部の斜視図を示
す。この構造は孔9にガイドピン50を挿入して
テープキヤリアパツケージを積層する時の各パツ
ケージ間のアウタリードの位置決めとし、4個の
LSIチツプA、B、C、Dを実装したTABパツ
ケージをA〜Dを積層して回路基板30に設置
し、前述したごとく重なることなく導出したアウ
タリードを回路基板30の各電極配線に接続させ
る。第3,4図では、各リード8a,8b,8
c,8dが基板の電極配線31a〜31dにそれ
ぞれ接続されている状態を示す。この時の接続
は、例えばパルスツール51等を用い瞬間的に温
度を上げ、はんだ層をリフローさせて接続させ
る。また、積層した各LSIチツプのリードのフオ
ーミングもリード自体が薄くて柔らかいので簡単
に各々の形状にフオーミングできる。なお、この
接続の前にアウタリード8a,8b,8c,8d
のフオーミング処理を行なわなくても、単にフイ
ルムキヤリア1から切断した状態に(リードがチ
ツプ面と同一方向に導出した状態)にしておき、
回路基板30に各チツプを搭載するときに例えば
パルスツール51でリードを押えることにより、
各チツプのリードは第3図のようにフオーミング
することも可能である。なお、各LSIチツプ2の
共通端子から導出されたリード5′は同一位置で
重なつた状態で回路基板の電極に一括接続され
る。このようにして、LSIチツプをそれぞれ実装
した極めて薄い複数のTABパツケージを、容易
かつ高密度に回路基板上に積層形成できる。そし
て、各チツプの共通端子を除いて、非共通端子
(アウタリード)は、回路基板上の異なる位置に
導出することができる。さらに、アウタリード
は、TABパツケージ作成時に完成されており、
回路基板への実装時に何ら余分な加工を施した
り、他の部材を用いる等の手間は全くない。第
3、第4図の例において、チツプを半導体メモリ
チツプとすると、先ず、チツプAに対して信号の
入出力を行う場合は、リード8aに指令信号を入
力する。これによりチツプAに対してのみ信号の
入力が可能となる。同じようにたとえばチツプD
に対して信号の入出力を行う場合は、リード8d
により指令信号を入力する。この様に、チツプ選
択端子であるリード8a〜8dを用いて、各積層
チツプを自由に選択することができる。たとえば
チツプとして256KD−RAM、1MDRAM、4M
DRAMを用い、第3図、第4図の構成を用いて
4個積層すると、それぞれ1M、4M、16Mの
DRAM容量を有するメモリ実装体を得ることが
できる。そしてこの実装体は、1個当り約445μ
m程度の厚さのTABパツケージそのものの直接
積層であり、全体としても極めて小型、薄型化さ
れたものとなり、面積も一個分ですむ。なお、メ
モリチツプとしてはDRAMに限らずSRAM、
ROM等のものにも適用できるとともに、メモリ
チツプ以外にも本発明は適用できることは当然で
ある。そして、本発明における積層数は4個に限
らず、2層からそれ以上任意の層数の積層が可能
となる。 When all of the TAB packages A to D having the configuration shown in FIG.
B, 8c, 8d, 8e, 8f, 8g, and 8h have a structure in which they are stacked and do not overlap. Therefore,
Signals can be input and output separately to the outer leads in this state. Figure 3 shows the LSI chip implemented.
FIG. 4 is a sectional view showing a mounting state in which TAB packages are stacked, and FIG. 4 is a perspective view of a part of the stacked mounting state. In this structure, a guide pin 50 is inserted into the hole 9 to position the outer lead between each package when stacking tape carrier packages.
TAB packages A to D mounted with LSI chips A, B, C, and D are stacked and installed on the circuit board 30, and the outer leads led out without overlapping as described above are connected to each electrode wiring of the circuit board 30. In FIGS. 3 and 4, each lead 8a, 8b, 8
8c and 8d are respectively connected to the electrode wirings 31a to 31d of the substrate. At this time, the connection is made by instantaneously raising the temperature using, for example, a pulse tool 51, and reflowing the solder layer. Furthermore, the leads of each stacked LSI chip can be easily formed into their own shapes because the leads themselves are thin and soft. In addition, before making this connection, connect the outer leads 8a, 8b, 8c, 8d.
Even if you do not perform the forming process, simply leave it in the state where it is cut from the film carrier 1 (the state in which the leads are led out in the same direction as the chip surface),
When mounting each chip on the circuit board 30, for example, by pressing the leads with the pulse tool 51,
The leads of each chip can also be formed as shown in FIG. Note that the leads 5' led out from the common terminal of each LSI chip 2 are collectively connected to the electrodes of the circuit board while being overlapped at the same position. In this way, multiple extremely thin TAB packages, each with an LSI chip mounted thereon, can be easily and densely stacked on a circuit board. Besides the common terminals of each chip, non-common terminals (outer leads) can be led out to different positions on the circuit board. Furthermore, the outer lead was completed when the TAB package was created,
There is no need for any extra processing or use of other members when mounting on a circuit board. In the examples shown in FIGS. 3 and 4, if the chip is a semiconductor memory chip, first, when inputting/outputting signals to/from chip A, a command signal is input to lead 8a. This makes it possible to input signals only to chip A. Similarly, for example, Chip D
When inputting and outputting signals to, use lead 8d.
Input the command signal by In this way, each stacked chip can be freely selected using the leads 8a to 8d, which are chip selection terminals. For example, the chips include 256K D-RAM, 1M DRAM, 4M
When four DRAMs are stacked using the configurations shown in Figures 3 and 4, the memory capacity is 1M, 4M, and 16M, respectively.
A memory package having DRAM capacity can be obtained. And this mounted body is approximately 445μ per piece.
This is a direct lamination of the TAB package itself, which is approximately 1.5 ft thick, making it extremely compact and thin as a whole, and only takes up the area of one piece. Note that memory chips include not only DRAM but also SRAM,
It goes without saying that the present invention can be applied to things such as ROM, and also to things other than memory chips. In the present invention, the number of laminated layers is not limited to four, but any number of layers from two to more can be laminated.
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明の方法
は、フイルムに設けた位置合わせ用の孔にガイド
部材を挿入してTABパツケージを積層するため、
パツケージおよびリードの位置合わせを容易かつ
正確に行うことができ、多数チツプの積層に好適
で、容易に半導体チツプを回路基板上に多層積層
でき、そのリード端子の回路基板への接続も簡単
に行える。そして、本発明の方法はTAB技術を
用い、一本のインナーリードからフイルム上で分
離した複数のアウターリードを選択的に切断する
ため、アウターリードの変形が生じにくく、アウ
ターリードを高精度に微細ピツチで形成すること
ができ、かつ不必要なリードを簡単に切断でき
る。したがつて、本発明の方法は、多数のチツプ
を容易に積層できるため、著しい実装密度の向上
実現にすぐれた効果が発揮され、工業的に極めて
有用である。Effects of the Invention As is clear from the above description, the method of the present invention stacks TAB packages by inserting guide members into alignment holes provided in the film.
Packages and leads can be aligned easily and accurately, making it suitable for stacking multiple chips. Semiconductor chips can be easily stacked in multiple layers on a circuit board, and the lead terminals can be easily connected to the circuit board. . The method of the present invention uses TAB technology to selectively cut multiple outer leads separated on the film from a single inner lead, so deformation of the outer leads is less likely to occur and the outer leads can be cut finely with high precision. It can be formed in pitch, and unnecessary leads can be easily cut off. Therefore, since the method of the present invention allows a large number of chips to be easily stacked, it exhibits an excellent effect in achieving a remarkable improvement in packaging density, and is extremely useful industrially.
第1図は本発明の実施例における半導体装置の
構成の一部であるTABパツケージの平面図、第
2図a〜dは積層するLSIチツプを実装した
TABパツケージを各層毎の所定形状に切断した
状態を示す平面図、第3図はそれぞれLSIチツプ
を実装したTABパツケージを積層した実装状態
を示す断面図、第4図は同パツケージの要部斜視
図、第5図は従来の高密度実装した半導体装置の
断面図である。
1……樹脂フイルム、2……LSIチツプ、5,
7……インナリード、6,10,31……電極、
5′,8a〜8h……アウタリード、9……孔、
30……回路基板、50……ガイドピン。
Fig. 1 is a plan view of a TAB package which is part of the structure of a semiconductor device in an embodiment of the present invention, and Figs. 2 a to d show mounting of stacked LSI chips.
A plan view showing a TAB package cut into a predetermined shape for each layer, Figure 3 is a sectional view showing a stacked TAB package with LSI chips mounted thereon, and Figure 4 is a perspective view of the main parts of the package. , FIG. 5 is a sectional view of a conventional high-density packaged semiconductor device. 1...Resin film, 2...LSI chip, 5,
7... Inner lead, 6, 10, 31... Electrode,
5', 8a to 8h...outer lead, 9...hole,
30...Circuit board, 50...Guide pin.
Claims (1)
がそれぞれ開口されたフイルムの前記デバイスホ
ールに半導体チツプを設置し、前記半導体チツプ
の電極端子に接続されたインナーリードにつなが
つたアウターリード領域で前記アウターリードを
前記フイルム上で複数本に分離して前記アウター
リードホールに延存させ、前記半導体チツプを実
装したフイルムを分離切断するとともに前記複数
本に分離された所定のアウターリードを選択的に
前記アウターリードホールで切断してTABパツ
ケージを形成し、複数の前記パツケージを、それ
ぞれの前記孔にガイド部材を挿入して位置合わせ
して複数段に積層し、前記パツケージのアウター
リードと回路基板上の電極とを接合することを特
徴とする積層型半導体の実装方法。1. A semiconductor chip is installed in the device hole of the film in which an outer lead hole, a device hole, and a hole are respectively opened, and the outer lead is connected to the outer lead region connected to the inner lead connected to the electrode terminal of the semiconductor chip. A plurality of outer leads are separated on the film and extended into the outer lead hole, and the film on which the semiconductor chip is mounted is separated and cut, and a predetermined outer lead separated into the plurality of leads is selectively inserted into the outer lead hole. A TAB package is formed by cutting, a plurality of the packages are stacked in multiple stages by inserting a guide member into each hole to align them, and the outer leads of the packages are bonded to the electrodes on the circuit board. A method for mounting a stacked semiconductor, characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013875A JPH02290048A (en) | 1989-02-15 | 1990-01-24 | Laminated semiconductor mounted body |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3682289 | 1989-02-15 | ||
| JP1-36822 | 1989-02-15 | ||
| JP2013875A JPH02290048A (en) | 1989-02-15 | 1990-01-24 | Laminated semiconductor mounted body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290048A JPH02290048A (en) | 1990-11-29 |
| JPH0514427B2 true JPH0514427B2 (en) | 1993-02-25 |
Family
ID=26349731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013875A Granted JPH02290048A (en) | 1989-02-15 | 1990-01-24 | Laminated semiconductor mounted body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02290048A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4309368B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-08-05 | エルピーダメモリ株式会社 | Semiconductor memory device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2631665B2 (en) * | 1987-09-24 | 1997-07-16 | 日立マクセル株式会社 | Manufacturing method of stacked semiconductor device |
| JPH01184860A (en) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Hitachi Maxell Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2013875A patent/JPH02290048A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02290048A (en) | 1990-11-29 |
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