JPH05144596A - 荷電粒子ビーム合体装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム合体装置Info
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- JPH05144596A JPH05144596A JP33114491A JP33114491A JPH05144596A JP H05144596 A JPH05144596 A JP H05144596A JP 33114491 A JP33114491 A JP 33114491A JP 33114491 A JP33114491 A JP 33114491A JP H05144596 A JPH05144596 A JP H05144596A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 荷電粒子ビームを合体させてビーム電流値を
増大させる。 【構成】 荷電粒子ビーム出射装置24,30からタイ
ミングを合わせて荷電粒子ビーム32,36を出射す
る。荷電粒子ビーム32は直進し、荷電粒子ビーム36
は偏向電磁石40およびセプタム電磁石42で曲げられ
て荷電粒子ビーム32に接近する。接近した荷電粒子ビ
ーム32,36は先細りのスクリュー型ソレノイド52
に入射されて合体して出射され、ビーム電流値の大きな
荷電粒子ビーム66が得られる。
増大させる。 【構成】 荷電粒子ビーム出射装置24,30からタイ
ミングを合わせて荷電粒子ビーム32,36を出射す
る。荷電粒子ビーム32は直進し、荷電粒子ビーム36
は偏向電磁石40およびセプタム電磁石42で曲げられ
て荷電粒子ビーム32に接近する。接近した荷電粒子ビ
ーム32,36は先細りのスクリュー型ソレノイド52
に入射されて合体して出射され、ビーム電流値の大きな
荷電粒子ビーム66が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、荷電粒子ビームの照
射実験等において、荷電粒子ビームを合体させてビーム
電流値を増大させるための荷電粒子合体装置に関する。
射実験等において、荷電粒子ビームを合体させてビーム
電流値を増大させるための荷電粒子合体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】荷電粒子ビームの照射実験として、例え
ば荷電粒子ビームをタンタル・コンバータに照射してポ
ジトロンを放出させる実験がある。この照射実験を行な
う従来の実験装置を図2に示す。荷電粒子ビーム発生装
置10で発生された荷電粒子ビーム12はリニアック1
4で光速近くに加速されてタンタル・コンバータ16に
照射されてポジトロン18を放出する。
ば荷電粒子ビームをタンタル・コンバータに照射してポ
ジトロンを放出させる実験がある。この照射実験を行な
う従来の実験装置を図2に示す。荷電粒子ビーム発生装
置10で発生された荷電粒子ビーム12はリニアック1
4で光速近くに加速されてタンタル・コンバータ16に
照射されてポジトロン18を放出する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記図2の実験装置の
ように単一の荷電粒子ビーム出射装置1を用いるもので
は荷電粒子ビーム12の電流値に限界があり、このため
タンタル・コンバータ16から放出されるポジトロン1
8の数が少なく、理想的な実験を行なうことができなか
った。この発明は前記従来の技術における問題点を解決
してビーム電流値を増大させることを可能にした荷電粒
子ビーム合体装置を提供しようとするものである。
ように単一の荷電粒子ビーム出射装置1を用いるもので
は荷電粒子ビーム12の電流値に限界があり、このため
タンタル・コンバータ16から放出されるポジトロン1
8の数が少なく、理想的な実験を行なうことができなか
った。この発明は前記従来の技術における問題点を解決
してビーム電流値を増大させることを可能にした荷電粒
子ビーム合体装置を提供しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明は、荷電粒子ビ
ームを出射する複数の荷電粒子ビーム出射装置と、これ
ら複数の荷電粒子ビーム出射装置からそれぞれ出射され
た荷電粒子ビームの軌道を相互に接近させるセプタム電
磁石と、このセプタム電磁石で接近された複数の荷電粒
子ビームを先細りのコイル空洞中に共通に通過させるス
クリュー型ソレノイドと、前記複数の荷電粒子ビーム出
射装置から発生された荷電粒子ビームが前記スクリュー
型ソレノイドに略々同時に入射されるように当該複数の
荷電粒子ビーム出射装置から相互に同期をとって荷電粒
子ビームを発生させるタイミング制御手段とを具備して
なるものである。
ームを出射する複数の荷電粒子ビーム出射装置と、これ
ら複数の荷電粒子ビーム出射装置からそれぞれ出射され
た荷電粒子ビームの軌道を相互に接近させるセプタム電
磁石と、このセプタム電磁石で接近された複数の荷電粒
子ビームを先細りのコイル空洞中に共通に通過させるス
クリュー型ソレノイドと、前記複数の荷電粒子ビーム出
射装置から発生された荷電粒子ビームが前記スクリュー
型ソレノイドに略々同時に入射されるように当該複数の
荷電粒子ビーム出射装置から相互に同期をとって荷電粒
子ビームを発生させるタイミング制御手段とを具備して
なるものである。
【0005】
【作用】この発明によれば、複数の荷電粒子ビーム出射
装置から相互に同期をとって出射された荷電粒子ビーム
はセプタム電磁石で相互に軌道を接近させてスクリュー
型ソレノイドのコイル空洞内に入り、このコイル空洞内
を通る磁力線に巻き付くように動作する。そして、コイ
ル空洞は先細りになっているので、荷電粒子ビームが合
体してビーム電流値を増大させることができる。これに
より、例えばタンタル・コンバータに照射した場合に大
量のポジトロンを放出させることができる。
装置から相互に同期をとって出射された荷電粒子ビーム
はセプタム電磁石で相互に軌道を接近させてスクリュー
型ソレノイドのコイル空洞内に入り、このコイル空洞内
を通る磁力線に巻き付くように動作する。そして、コイ
ル空洞は先細りになっているので、荷電粒子ビームが合
体してビーム電流値を増大させることができる。これに
より、例えばタンタル・コンバータに照射した場合に大
量のポジトロンを放出させることができる。
【0006】
【実施例】この発明の一実施例を図1に平面図で示す。
ここでは2台の荷電粒子ビーム出射装置24,30を並
列に設けた場合を示す。荷電粒子ビームの通過路はすべ
て超高真空状態に保持されている。荷電粒子ビーム出射
装置24は、荷電粒子ビーム発生装置20からパルス状
に発生された荷電粒子ビーム32をリニアック22で光
速近くに加速して、直線状の軌道34に出射する。
ここでは2台の荷電粒子ビーム出射装置24,30を並
列に設けた場合を示す。荷電粒子ビームの通過路はすべ
て超高真空状態に保持されている。荷電粒子ビーム出射
装置24は、荷電粒子ビーム発生装置20からパルス状
に発生された荷電粒子ビーム32をリニアック22で光
速近くに加速して、直線状の軌道34に出射する。
【0007】荷電粒子ビーム出射装置30は、荷電粒子
ビーム発生装置26からパルス状に発生された荷電粒子
ビーム36を光速近くに加速して、軌道38に出射す
る。この軌道38は偏向電磁石40で荷電粒子ビーム出
射装置24の軌道34の方向に曲げられ(リニアック2
2をセプタム電磁石44の方向に斜めに向ければ偏向電
磁石40は不要である。)、セプタム電磁石42で軌道
34に接近した状態で略々平行にされる。
ビーム発生装置26からパルス状に発生された荷電粒子
ビーム36を光速近くに加速して、軌道38に出射す
る。この軌道38は偏向電磁石40で荷電粒子ビーム出
射装置24の軌道34の方向に曲げられ(リニアック2
2をセプタム電磁石44の方向に斜めに向ければ偏向電
磁石40は不要である。)、セプタム電磁石42で軌道
34に接近した状態で略々平行にされる。
【0008】図3はセプタム電磁石42の端面構造(図
1のA−A矢視図)を示したものである。セプタム電磁
石42は断面コ字状のコア44を図1のように扇形に形
成し、磁気ギャップ46中にコイルを構成する内部導体
48と外部導体50を配設している。外部導体50はセ
プタム(隔壁)を兼ねている。軌道38はセプタム50
の内側を通って、セプタム50の外側を通る軌道34に
徐々に接近しかつ平行になっていく。セプタム50の厚
さが例えば1mm以下でビームサイズが数mm以下とすれば
両ビーム32,36は十分に接近した状態といえる。
1のA−A矢視図)を示したものである。セプタム電磁
石42は断面コ字状のコア44を図1のように扇形に形
成し、磁気ギャップ46中にコイルを構成する内部導体
48と外部導体50を配設している。外部導体50はセ
プタム(隔壁)を兼ねている。軌道38はセプタム50
の内側を通って、セプタム50の外側を通る軌道34に
徐々に接近しかつ平行になっていく。セプタム50の厚
さが例えば1mm以下でビームサイズが数mm以下とすれば
両ビーム32,36は十分に接近した状態といえる。
【0009】セプタム電磁石42を通過した後2つの軌
道34,36はスクリュー型ソレノイド52内に導かれ
る。スクリュー型ソレノイド52は、図4に拡大して示
すようにコイル空洞54内が先細りになっており、この
中に導かれた荷電粒子ビーム32,36は磁力線に巻き
付くように振る舞ってしだいに締られていくので、軌道
34,38は合体して1本の軌道37となる。合体した
軌道37は図1のタンタル・コンバータ58に導かれ
る。
道34,36はスクリュー型ソレノイド52内に導かれ
る。スクリュー型ソレノイド52は、図4に拡大して示
すようにコイル空洞54内が先細りになっており、この
中に導かれた荷電粒子ビーム32,36は磁力線に巻き
付くように振る舞ってしだいに締られていくので、軌道
34,38は合体して1本の軌道37となる。合体した
軌道37は図1のタンタル・コンバータ58に導かれ
る。
【0010】図1において、タイミング制御手段60は
荷電粒子ビーム出射装置24,30の出射タイミングお
よびセプタム電磁石42とスクリュー型ソレノイド52
の励磁タイミングを制御するものである。タイミングの
一例を図5に示す。軌道34,38を比べると軌道38
のほうが長いので、図5(b)のように荷電粒子ビーム
出射装置30から先に荷電粒子ビーム36を出射する。
荷電粒子ビーム出射装置24はスクリュー型ソレノイド
52の入口に荷電粒子ビーム32,36が同時に到着す
るように、図5(a)のように荷電粒子ビーム出射装置
30の出射から時間Δt1遅れて荷電粒子ビーム32を
出射する。この遅れ時間Δt1は、 Δt1=(L2−L1)/c 但し、L1:ソレノイド52の入口までの軌道34の長
さ L2:ソレノイド52の入口までの軌道38の長さ c:光速(荷電粒子ビームの速さ) で与えられる。
荷電粒子ビーム出射装置24,30の出射タイミングお
よびセプタム電磁石42とスクリュー型ソレノイド52
の励磁タイミングを制御するものである。タイミングの
一例を図5に示す。軌道34,38を比べると軌道38
のほうが長いので、図5(b)のように荷電粒子ビーム
出射装置30から先に荷電粒子ビーム36を出射する。
荷電粒子ビーム出射装置24はスクリュー型ソレノイド
52の入口に荷電粒子ビーム32,36が同時に到着す
るように、図5(a)のように荷電粒子ビーム出射装置
30の出射から時間Δt1遅れて荷電粒子ビーム32を
出射する。この遅れ時間Δt1は、 Δt1=(L2−L1)/c 但し、L1:ソレノイド52の入口までの軌道34の長
さ L2:ソレノイド52の入口までの軌道38の長さ c:光速(荷電粒子ビームの速さ) で与えられる。
【0011】セプタム電磁石42は、図6に示すように
励磁を開始から励磁量がピークに達するまで時間を要す
るが(正弦波の1/2周期分の波形となる)、このピー
クタイミングで荷電粒子ビーム36がセプタム電磁石4
2を通過するようにする。このため、図5(c)に示す
ように荷電粒子ビーム30の出射タイミングから時間Δ
t2遅れてセプタム電磁石42の励磁量ピークタイミン
グが開始されるように励磁タイミングを制御する。この
遅れ時間Δt2は、 Δt2=L3/c 但し、L3:セプタム電磁石42の入口までの軌道38
の長さ で与えられる。
励磁を開始から励磁量がピークに達するまで時間を要す
るが(正弦波の1/2周期分の波形となる)、このピー
クタイミングで荷電粒子ビーム36がセプタム電磁石4
2を通過するようにする。このため、図5(c)に示す
ように荷電粒子ビーム30の出射タイミングから時間Δ
t2遅れてセプタム電磁石42の励磁量ピークタイミン
グが開始されるように励磁タイミングを制御する。この
遅れ時間Δt2は、 Δt2=L3/c 但し、L3:セプタム電磁石42の入口までの軌道38
の長さ で与えられる。
【0012】スクリュー型ソレノイド52はセプタム電
磁石42と同様に、図6に示すように励磁を開始から励
磁量がピークに達するまで時間を要するが、このピーク
タイミングで荷電粒子ビーム32,36がスクリュー型
ソレノイド52を通過するようにする。このため、図5
(d)に示すように荷電粒子ビーム30の出射タイミン
グから時間Δt3遅れてスクリュー型ソレノイド52の
励磁量ピークタイミングが開始されるように励磁タイミ
ングを制御する。この遅れ時間Δt3は、 Δt3=L2/c で与えられる。
磁石42と同様に、図6に示すように励磁を開始から励
磁量がピークに達するまで時間を要するが、このピーク
タイミングで荷電粒子ビーム32,36がスクリュー型
ソレノイド52を通過するようにする。このため、図5
(d)に示すように荷電粒子ビーム30の出射タイミン
グから時間Δt3遅れてスクリュー型ソレノイド52の
励磁量ピークタイミングが開始されるように励磁タイミ
ングを制御する。この遅れ時間Δt3は、 Δt3=L2/c で与えられる。
【0013】以上のようなの構成によれば、荷電粒子ビ
ーム出射装置24,30から図5(a),(b)のタイ
ミングで荷電粒子ビーム32,36を出射すると、荷電
粒子ビーム36は偏向電磁石40およびセプタム電磁石
42を通過して荷電粒子ビーム32に接近し、スクリュ
ー型ソレノイド52に入射される。
ーム出射装置24,30から図5(a),(b)のタイ
ミングで荷電粒子ビーム32,36を出射すると、荷電
粒子ビーム36は偏向電磁石40およびセプタム電磁石
42を通過して荷電粒子ビーム32に接近し、スクリュ
ー型ソレノイド52に入射される。
【0014】スクリュー型ソレノイド52では荷電粒子
ビーム32,36は磁力線に巻き付くように振る舞う。
そして、スクリュー型ソレノイド52のコイル空洞54
は先細りになっているので両ビーム32,36は合体し
て個々の2倍のビーム電流値を有する1つの荷電粒子ビ
ーム66となる。この荷電粒子ビーム66はタンタル・
コンバータ58に照射されて、多量のポジトロン68が
放出される。
ビーム32,36は磁力線に巻き付くように振る舞う。
そして、スクリュー型ソレノイド52のコイル空洞54
は先細りになっているので両ビーム32,36は合体し
て個々の2倍のビーム電流値を有する1つの荷電粒子ビ
ーム66となる。この荷電粒子ビーム66はタンタル・
コンバータ58に照射されて、多量のポジトロン68が
放出される。
【0015】
【他の実施例】前記実施例では荷電粒子ビーム出射装置
を2台設けた場合について示したが3台以上設けること
もできる。図7は3台設けた例で、前記図1の構成に加
えてさらに荷電粒子ビーム発生装置70とリニアック2
2からなる荷電粒子ビーム出射装置24を設けて、その
ビーム軌道76を偏向電磁石78とセプタム電磁石80
で軌道37に接近させてスクリュー型ソレノイド82で
1本の軌道84にまとめることにより、3台の荷電粒子
ビーム出射装置24,30,74からの荷電粒子ビーム
を合体させて、個々の3倍のビーム電流値を有する1つ
の荷電粒子ビームを出射させる。
を2台設けた場合について示したが3台以上設けること
もできる。図7は3台設けた例で、前記図1の構成に加
えてさらに荷電粒子ビーム発生装置70とリニアック2
2からなる荷電粒子ビーム出射装置24を設けて、その
ビーム軌道76を偏向電磁石78とセプタム電磁石80
で軌道37に接近させてスクリュー型ソレノイド82で
1本の軌道84にまとめることにより、3台の荷電粒子
ビーム出射装置24,30,74からの荷電粒子ビーム
を合体させて、個々の3倍のビーム電流値を有する1つ
の荷電粒子ビームを出射させる。
【0016】なお、図7ではカスケード接続で3つの軌
道34,38,76を合体させたが、図8に示すように
3台の荷電粒子出射装置24,26,74を並列に設け
て1つのスクリュー型ソレノイド52で一度に合体させ
ることもできる。尚、図9は図8のセプタム電磁石4
2,80の端面構造(B−B矢視)を示したものであ
る。
道34,38,76を合体させたが、図8に示すように
3台の荷電粒子出射装置24,26,74を並列に設け
て1つのスクリュー型ソレノイド52で一度に合体させ
ることもできる。尚、図9は図8のセプタム電磁石4
2,80の端面構造(B−B矢視)を示したものであ
る。
【0017】
【変更例】前記実施例ではこの発明を荷電粒子ビームの
照射実験装置に適用した場合について説明したが、その
他各種用途において荷電粒子ビームの電流値を増大させ
る場合に適用することができる。
照射実験装置に適用した場合について説明したが、その
他各種用途において荷電粒子ビームの電流値を増大させ
る場合に適用することができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、複数の荷電粒子ビーム出射装置から相互に同期をと
って出射された荷電粒子ビームはセプタム電磁石で相互
に軌道を接近させてスクリュー型ソレノイドのコイル空
洞内に入り、このコイル空洞内を通る磁力線に巻き付く
ように動作する。そして、コイル空洞は先細りになって
いるので、荷電粒子ビームが合体してビーム電流値を増
大させることができる。これにより、例えばタンタル・
コンバータに照射した場合に大量のポジトロンを放出さ
せることができる。
ば、複数の荷電粒子ビーム出射装置から相互に同期をと
って出射された荷電粒子ビームはセプタム電磁石で相互
に軌道を接近させてスクリュー型ソレノイドのコイル空
洞内に入り、このコイル空洞内を通る磁力線に巻き付く
ように動作する。そして、コイル空洞は先細りになって
いるので、荷電粒子ビームが合体してビーム電流値を増
大させることができる。これにより、例えばタンタル・
コンバータに照射した場合に大量のポジトロンを放出さ
せることができる。
【図1】この発明の一実施例を示す平面図である。
【図2】従来の荷電粒子ビーム照射装置を示す平面図で
ある。
ある。
【図3】図1のA−A矢視端面図である。
【図4】図1のスクリュー型ソレノイドの拡大平面図で
ある。
ある。
【図5】図1のタイミング制御手段60によるタイミン
グ制御を示すタイムチャートである。
グ制御を示すタイムチャートである。
【図6】図1のセプタム電磁石42およびスクリュー型
ソレノイド52の励磁電流波形図である。
ソレノイド52の励磁電流波形図である。
【図7】この発明の他の実施例を示す平面図である。
【図8】この発明のさらに別の実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図9】図8のB−B矢視図である。
24,30 荷電粒子ビーム出射装置 32 荷電粒子ビーム 44 セプタム電磁石 52 スクリュー型ソレノイド 54 コイル空洞 60 タイミング制御手段
Claims (1)
- 【請求項1】荷電粒子ビームを出射する複数の荷電粒子
ビーム出射装置と、 これら複数の荷電粒子ビーム出射装置からそれぞれ出射
された荷電粒子ビームの軌道を相互に接近させるセプタ
ム電磁石と、 このセプタム電磁石で接近された複数の荷電粒子ビーム
を先細りのコイル空洞中に共通に通過させるスクリュー
型ソレノイドと、 前記複数の荷電粒子ビーム出射装置から発生された荷電
粒子ビームが前記スクリュー型ソレノイドに略々同時に
入射されるように当該複数の荷電粒子ビーム出射装置か
ら相互に同期をとって荷電粒子ビームを発生させるタイ
ミング制御手段とを具備してなる荷電粒子ビーム合体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33114491A JPH05144596A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 荷電粒子ビーム合体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33114491A JPH05144596A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 荷電粒子ビーム合体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144596A true JPH05144596A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18240368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33114491A Pending JPH05144596A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 荷電粒子ビーム合体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144596A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110324954A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-10-11 | 中国原子能科学研究院 | 一种粒子加速器束流偏转磁铁 |
| CN110430658A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-11-08 | 中国原子能科学研究院 | 一种质子与负氢束流合并装置 |
| CN116801472A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-22 | 中山大学 | 基于双束偏转铁的束流合并系统 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP33114491A patent/JPH05144596A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110324954A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-10-11 | 中国原子能科学研究院 | 一种粒子加速器束流偏转磁铁 |
| CN110430658A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-11-08 | 中国原子能科学研究院 | 一种质子与负氢束流合并装置 |
| CN110430658B (zh) * | 2019-09-03 | 2025-01-14 | 中国原子能科学研究院 | 一种质子与负氢束流合并装置 |
| CN116801472A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-22 | 中山大学 | 基于双束偏转铁的束流合并系统 |
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