JPH05144723A - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPH05144723A JPH05144723A JP3304635A JP30463591A JPH05144723A JP H05144723 A JPH05144723 A JP H05144723A JP 3304635 A JP3304635 A JP 3304635A JP 30463591 A JP30463591 A JP 30463591A JP H05144723 A JPH05144723 A JP H05144723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spin chuck
- resist film
- developing
- rotated
- developing solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理基板の表面に形成されたレジスト膜の
現像方法の改良に関し、現像されたレジストの残渣が現
像後に被処理基板上に残存して付着するのを防止するこ
とが可能となる現像方法の提供を目的とする。 【構成】 現像装置のスピンチャック１に搭載した被処
理基板３の表面に形成したレジスト膜４に、現像液５を
ディスペンサ２から滴下し、スピンチャック１を低速度
で回転した後、スピンチャック１の回転を停止し、表面
張力を利用して現像液５をレジスト膜４の表面に保持し
てレジスト膜４を現像し、スピンチャック１を中速度で
回転させて現像液５をレジスト膜４の表面から除去した
後、スピンチャック１を高速で回転させてレジスト膜４
を乾燥させる現像方法において、スピンチャック１を低
速度で回転して現像液５をレジスト膜４の表面に拡げた
後、スピンチャック１を現像液５が飛散しない低速度で
回転させながら現像する工程を含むように構成する。
現像方法の改良に関し、現像されたレジストの残渣が現
像後に被処理基板上に残存して付着するのを防止するこ
とが可能となる現像方法の提供を目的とする。 【構成】 現像装置のスピンチャック１に搭載した被処
理基板３の表面に形成したレジスト膜４に、現像液５を
ディスペンサ２から滴下し、スピンチャック１を低速度
で回転した後、スピンチャック１の回転を停止し、表面
張力を利用して現像液５をレジスト膜４の表面に保持し
てレジスト膜４を現像し、スピンチャック１を中速度で
回転させて現像液５をレジスト膜４の表面から除去した
後、スピンチャック１を高速で回転させてレジスト膜４
を乾燥させる現像方法において、スピンチャック１を低
速度で回転して現像液５をレジスト膜４の表面に拡げた
後、スピンチャック１を現像液５が飛散しない低速度で
回転させながら現像する工程を含むように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被処理基板の表面に形
成されたレジスト膜の現像方法の改良に関するものであ
る。
成されたレジスト膜の現像方法の改良に関するものであ
る。
【０００２】被処理基板の表面に形成されたレジスト膜
の現像を行う場合には、ディスペンサから現像液を供給
した後、現像液をレジスト膜の表面に短時間液盛りした
状態でスピンチャックの回転を停止して現像を行ってい
るが、現像されたレジストの残渣が被処理基板上に残留
して付着し、エッチングの障害になっている。
の現像を行う場合には、ディスペンサから現像液を供給
した後、現像液をレジスト膜の表面に短時間液盛りした
状態でスピンチャックの回転を停止して現像を行ってい
るが、現像されたレジストの残渣が被処理基板上に残留
して付着し、エッチングの障害になっている。
【０００３】以上のような状況から、現像されたレジス
トの残渣が現像後に被処理基板上に残留して付着するの
を防止することが可能な現像方法が要望されている。
トの残渣が現像後に被処理基板上に残留して付着するの
を防止することが可能な現像方法が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の現像方法を図３〜図４により工程
順に詳細に説明する。図３〜図４は従来の現像方法を工
程順に示す図である。
順に詳細に説明する。図３〜図４は従来の現像方法を工
程順に示す図である。
【０００５】まず図３(a) に示すように、現像装置のス
ピンチャック１の表面にレジスト膜４を形成した被処理
基板３を搭載し、上部のディスペンサ２から現像液５を
滴下する。
ピンチャック１の表面にレジスト膜４を形成した被処理
基板３を搭載し、上部のディスペンサ２から現像液５を
滴下する。
【０００６】つぎにスピンチャック１を 50rpmの低速度
で回転し、図３(b) に示すように現像液５をレジスト膜
４の表面に広がった状態でスピンチャック１の回転を停
止して現像液５がレジスト膜４を濡らす時間より少し長
い程度の短時間保持した後、スピンチャック１を200rpm
の中速度で回転して図３(c) に示すように現像液５を飛
散させる。
で回転し、図３(b) に示すように現像液５をレジスト膜
４の表面に広がった状態でスピンチャック１の回転を停
止して現像液５がレジスト膜４を濡らす時間より少し長
い程度の短時間保持した後、スピンチャック１を200rpm
の中速度で回転して図３(c) に示すように現像液５を飛
散させる。
【０００７】この図３(a) 〜(c) の工程を数回繰り返し
た後、純水で洗浄する。最後に図４(a) に示すように、
スピンチャック１を1,200rpmの高速度で回転してレジス
ト膜４を乾燥させる。
た後、純水で洗浄する。最後に図４(a) に示すように、
スピンチャック１を1,200rpmの高速度で回転してレジス
ト膜４を乾燥させる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の現
像方法においては、図５に示すように現像されたレジス
トの残渣4bが現像後に被処理基板３上のレジスト膜４に
設けた開口窓4a内に残留して付着し、この付着した部分
がエッチングされないというエッチング不良が発生する
という問題点があった。
像方法においては、図５に示すように現像されたレジス
トの残渣4bが現像後に被処理基板３上のレジスト膜４に
設けた開口窓4a内に残留して付着し、この付着した部分
がエッチングされないというエッチング不良が発生する
という問題点があった。
【０００９】本発明は以上のような状況から、現像され
たレジストの残渣が現像後に被処理基板上に残存して付
着するのを簡単且つ容易に防止することが可能となる現
像方法の提供を目的としたものである。
たレジストの残渣が現像後に被処理基板上に残存して付
着するのを簡単且つ容易に防止することが可能となる現
像方法の提供を目的としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の現像方法は、現
像装置のスピンチャックに搭載した被処理基板の表面に
形成したレジスト膜に、現像液をディスペンサから滴下
し、このスピンチャックを低速度で回転した後、このス
ピンチャックの回転を停止し、表面張力を利用してこの
現像液をこのレジスト膜の表面に保持してこのレジスト
膜を現像し、このスピンチャックを中速度で回転させて
この現像液をこのレジスト膜の表面から除去した後、こ
のスピンチャックを高速で回転させてこのレジスト膜を
乾燥させる現像方法において、このスピンチャックを低
速度で回転してこの現像液をこのレジスト膜の表面に拡
げた後、このスピンチャックをこの現像液が飛散しない
低速度で回転させながら現像する工程を含むように構成
する。また現像液によりレジスト膜を現像している工程
中に、このディスペンサから新しい現像液を追加して供
給するように構成する。
像装置のスピンチャックに搭載した被処理基板の表面に
形成したレジスト膜に、現像液をディスペンサから滴下
し、このスピンチャックを低速度で回転した後、このス
ピンチャックの回転を停止し、表面張力を利用してこの
現像液をこのレジスト膜の表面に保持してこのレジスト
膜を現像し、このスピンチャックを中速度で回転させて
この現像液をこのレジスト膜の表面から除去した後、こ
のスピンチャックを高速で回転させてこのレジスト膜を
乾燥させる現像方法において、このスピンチャックを低
速度で回転してこの現像液をこのレジスト膜の表面に拡
げた後、このスピンチャックをこの現像液が飛散しない
低速度で回転させながら現像する工程を含むように構成
する。また現像液によりレジスト膜を現像している工程
中に、このディスペンサから新しい現像液を追加して供
給するように構成する。
【００１１】
【作用】即ち本発明においては、現像装置のスピンチャ
ックの表面にレジスト膜を形成した被処理基板を搭載
し、現像液をディスペンサからこのレジスト膜の表面に
滴下し、このスピンチャックを低速度で回転して現像液
を拡げてレジスト膜を濡らした後、このスピンチャック
をこの現像液が飛散しない低速度で回転させながらこの
現像液をこのレジスト膜の表面に保持してこのレジスト
膜を現像し、その後このスピンチャックを中速度で回転
させてこの現像液をこのレジスト膜の表面から除去した
後、このスピンチャックを高速で回転させてこのレジス
ト膜を乾燥させるので、現像されたレジストの残渣が現
像後に被処理基板上に残留して付着するのを防止するこ
とが可能となり、また更に現像液によりレジスト膜を現
像している工程中に、このディスペンサから新しい現像
液を追加して供給するので、現像されたレジストの残渣
が現像後に被処理基板上に残留して付着するのをより一
層確実に防止することが可能となる。
ックの表面にレジスト膜を形成した被処理基板を搭載
し、現像液をディスペンサからこのレジスト膜の表面に
滴下し、このスピンチャックを低速度で回転して現像液
を拡げてレジスト膜を濡らした後、このスピンチャック
をこの現像液が飛散しない低速度で回転させながらこの
現像液をこのレジスト膜の表面に保持してこのレジスト
膜を現像し、その後このスピンチャックを中速度で回転
させてこの現像液をこのレジスト膜の表面から除去した
後、このスピンチャックを高速で回転させてこのレジス
ト膜を乾燥させるので、現像されたレジストの残渣が現
像後に被処理基板上に残留して付着するのを防止するこ
とが可能となり、また更に現像液によりレジスト膜を現
像している工程中に、このディスペンサから新しい現像
液を追加して供給するので、現像されたレジストの残渣
が現像後に被処理基板上に残留して付着するのをより一
層確実に防止することが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下図１〜図２により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１〜図２は本発明による一実施
例の現像方法を工程順に示す図である。
いて詳細に説明する。図１〜図２は本発明による一実施
例の現像方法を工程順に示す図である。
【００１３】まず図１(a) に示すように、現像装置のス
ピンチャック１の表面にレジスト膜４を形成した被処理
基板３を搭載し、上部のディスペンサ２から現像液５を
滴下する。
ピンチャック１の表面にレジスト膜４を形成した被処理
基板３を搭載し、上部のディスペンサ２から現像液５を
滴下する。
【００１４】つぎにスピンチャック１を 50rpmの低速度
で回転し、図１(b) に示すように現像液５をレジスト膜
４の表面に広げた後、このスピンチャックをこの現像液
が飛散しない低速度、例えば20rpm で回転させ、現像さ
れたレジストの残渣がレジストを除去すべき被処理基板
３の表面に残留して付着しないようにする。
で回転し、図１(b) に示すように現像液５をレジスト膜
４の表面に広げた後、このスピンチャックをこの現像液
が飛散しない低速度、例えば20rpm で回転させ、現像さ
れたレジストの残渣がレジストを除去すべき被処理基板
３の表面に残留して付着しないようにする。
【００１５】その後、スピンチャック１を200rpmの中速
度で回転して図１(c) に示すように現像液５を飛散させ
る。この図１(a) 〜(c) の工程を数回繰り返した後、純
水で洗浄する。
度で回転して図１(c) に示すように現像液５を飛散させ
る。この図１(a) 〜(c) の工程を数回繰り返した後、純
水で洗浄する。
【００１６】最後に図２(a) に示すように、スピンチャ
ック１を1,200rpmの高速度で回転してレジスト膜４を乾
燥させる。また、現像処理中に図２(b) に示すようにこ
のディスペンサ２から新しい現像液５を追加して供給す
ると、現像されたレジストの残渣がレジストを除去すべ
き被処理基板３の表面に残留して付着するのを、なお一
層確実に防止するのに効果がある。
ック１を1,200rpmの高速度で回転してレジスト膜４を乾
燥させる。また、現像処理中に図２(b) に示すようにこ
のディスペンサ２から新しい現像液５を追加して供給す
ると、現像されたレジストの残渣がレジストを除去すべ
き被処理基板３の表面に残留して付着するのを、なお一
層確実に防止するのに効果がある。
【００１７】２μm のパターン幅と２μm のスペース幅
を設けた５インチ□のレチクルを本実施例の現像方法で
現像し、レチクル上の80mm×80mmの領域内の 0.3μm 以
上のレジストの残渣を従来の現像方法で現像した場合と
比較すると、表１のようになり、その効果が顕著である
ことがわかる。
を設けた５インチ□のレチクルを本実施例の現像方法で
現像し、レチクル上の80mm×80mmの領域内の 0.3μm 以
上のレジストの残渣を従来の現像方法で現像した場合と
比較すると、表１のようになり、その効果が顕著である
ことがわかる。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な工程の変更により、現像後に現像
されたレジストの残渣が被処理基板上に残留して付着す
るのを防止することが可能となる利点があり、著しい信
頼性向上の効果が期待できる現像方法の提供が可能であ
る。
によれば極めて簡単な工程の変更により、現像後に現像
されたレジストの残渣が被処理基板上に残留して付着す
るのを防止することが可能となる利点があり、著しい信
頼性向上の効果が期待できる現像方法の提供が可能であ
る。
【図１】 本発明による一実施例の現像方法を工程順に
示す図(1) 、
示す図(1) 、
【図２】 本発明による一実施例の現像方法を工程順に
示す図(2) 、
示す図(2) 、
【図３】 従来の現像方法を工程順に示す図(1) 、
【図４】 従来の現像方法を工程順に示す図(2) 、
【図５】 従来の現像方法の問題点を示す図、
１はスピンチャック、 ２はディスペンサ、 ３は被処理基板、 ４はレジスト膜、 ５は現像液、
Claims (2)
- 【請求項１】 現像装置のスピンチャック(1) に搭載し
た被処理基板(3) の表面に形成したレジスト膜(4) に、
現像液(5) をディスペンサ(2) から滴下し、前記スピン
チャック(1) を低速度で回転した後、前記スピンチャッ
ク(1) の回転を停止し、表面張力を利用して前記現像液
(5) を前記レジスト膜(4) の表面に保持して前記レジス
ト膜(4) を現像し、前記スピンチャック(1) を中速度で
回転させて前記現像液(5) を前記レジスト膜(4) の表面
から除去した後、前記スピンチャック(1) を高速で回転
させて前記レジスト膜(4) を乾燥させる現像方法におい
て、 前記スピンチャック(1) を低速度で回転して前記現像液
(5) を前記レジスト膜(4) の表面に拡げた後、前記スピ
ンチャック(1) を前記現像液(5) が飛散しない低速度で
回転させながら現像する工程を含むことを特徴とする現
像方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の現像方法において、 前記現像液(5) により前記レジスト膜(4) を現像してい
る工程中に、前記ディスペンサ(2) から新しい現像液
(5) を追加して供給することを特徴とする現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304635A JPH05144723A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304635A JPH05144723A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144723A true JPH05144723A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17935415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3304635A Pending JPH05144723A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144723A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053305A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | アンテナ装置 |
| JPS63132429A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像装置 |
| JPS6433930A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Sanken Electric Co Ltd | Spinner type photoresist developing method |
| JPH01244618A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法 |
| JPH01281729A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-13 | Fujitsu Ltd | 現像・エッチング処理装置 |
| JPH02156245A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-15 | Nec Corp | スピン現像方法 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP3304635A patent/JPH05144723A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053305A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | アンテナ装置 |
| JPS63132429A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像装置 |
| JPS6433930A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Sanken Electric Co Ltd | Spinner type photoresist developing method |
| JPH01244618A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法 |
| JPH01281729A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-13 | Fujitsu Ltd | 現像・エッチング処理装置 |
| JPH02156245A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-15 | Nec Corp | スピン現像方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970304 |