JPH0514536Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0514536Y2 JPH0514536Y2 JP1986194745U JP19474586U JPH0514536Y2 JP H0514536 Y2 JPH0514536 Y2 JP H0514536Y2 JP 1986194745 U JP1986194745 U JP 1986194745U JP 19474586 U JP19474586 U JP 19474586U JP H0514536 Y2 JPH0514536 Y2 JP H0514536Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- switch
- circuit
- turned
- slow start
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は半導体レーザ駆動回路に関する。
(ロ) 従来の技術
光ビームによつて情報の記録再生を行なう光学
的情報記録再生装置においては、一般に光ビーム
源として半導体レーザが用いられている。この場
合、安定な記録再生を行なうためには、レーザ光
の出力を常に安定に保持しなくてはならない。し
かし、半導体レーザの出力は温度に依つて大きく
変化する。更に、半導体レーザ駆動時に生じるレ
ーザ自身の発熱をともない、一層光出力は不安定
なものとなる。このために従来半導体レーザの出
力を一定に保つ方法として、特公昭58−38949号
公報に見られるように、レーザ光（もしくはその
一部）を光センサによつて光量検出し、この光量
の増減に応じてレーザに流す電流量を調節し、検
出光量を一定に保つ即ち、レーザ出力を一定に保
つAPC回路（Auto Power Control回路）が設け
られている。
的情報記録再生装置においては、一般に光ビーム
源として半導体レーザが用いられている。この場
合、安定な記録再生を行なうためには、レーザ光
の出力を常に安定に保持しなくてはならない。し
かし、半導体レーザの出力は温度に依つて大きく
変化する。更に、半導体レーザ駆動時に生じるレ
ーザ自身の発熱をともない、一層光出力は不安定
なものとなる。このために従来半導体レーザの出
力を一定に保つ方法として、特公昭58−38949号
公報に見られるように、レーザ光（もしくはその
一部）を光センサによつて光量検出し、この光量
の増減に応じてレーザに流す電流量を調節し、検
出光量を一定に保つ即ち、レーザ出力を一定に保
つAPC回路（Auto Power Control回路）が設け
られている。
また、半導体レーザはその駆動回路への電源投
入スイツチをONにした直後に生じるサージ電流
によつて損傷を受けやすく、破損されてしまう。
入スイツチをONにした直後に生じるサージ電流
によつて損傷を受けやすく、破損されてしまう。
そこで、昭和61年３月に日立製作所より発行さ
れた「日立半導体レーザダイオード」なる雑誌に
よれば、スロースタート回路が付加され、半導体
レーザにサージ電流が流れるのを防止している。
れた「日立半導体レーザダイオード」なる雑誌に
よれば、スロースタート回路が付加され、半導体
レーザにサージ電流が流れるのを防止している。
第３図は斯る駆動回路を示し、電源電圧Vccに
連なるスイツチSWが第４図中のToのタイミング
でONされると、このスイツチSWに直列接続さ
れた抵抗Ｒを通して、コンデンサｃの充電が開始
される。これにより、抵抗Ｒとコンデンサｃとの
接続点ａの電位は、第４図に示すように次第に下
がり、抵抗Ｒ及びコンデンサｃに基く時定数（to
＝2πRC）が経過後にVccとなる。従つて、ダー
リントン接続された２つのトランジスタＴ１及び
Ｔ２がオンすることによつてAPC回路１を通し
て半導体レーザ２に流れる電流は、上記時定数に
応じてゆつくり大きくなる。こうして、半導体レ
ーザ２の駆動は開始され、その後、半導体レーザ
２のレーザ光を検出する光センサ３の検出結果に
基いてAPC回路１は半導体レーザ２のレーザ光
強度を一定に保つ。
連なるスイツチSWが第４図中のToのタイミング
でONされると、このスイツチSWに直列接続さ
れた抵抗Ｒを通して、コンデンサｃの充電が開始
される。これにより、抵抗Ｒとコンデンサｃとの
接続点ａの電位は、第４図に示すように次第に下
がり、抵抗Ｒ及びコンデンサｃに基く時定数（to
＝2πRC）が経過後にVccとなる。従つて、ダー
リントン接続された２つのトランジスタＴ１及び
Ｔ２がオンすることによつてAPC回路１を通し
て半導体レーザ２に流れる電流は、上記時定数に
応じてゆつくり大きくなる。こうして、半導体レ
ーザ２の駆動は開始され、その後、半導体レーザ
２のレーザ光を検出する光センサ３の検出結果に
基いてAPC回路１は半導体レーザ２のレーザ光
強度を一定に保つ。
一方、スイツチSWが第４図中のＴ１のタイミ
ングでOFFされると、抵抗Ｒとコンデンサｃと
の接続点ａの電位は、時定数（to＝2πRC）に応
じて次第に減少し、従つて、半導体レーザ２を流
れる電流もゆつくり小さくなり、最終的に０とな
る。
ングでOFFされると、抵抗Ｒとコンデンサｃと
の接続点ａの電位は、時定数（to＝2πRC）に応
じて次第に減少し、従つて、半導体レーザ２を流
れる電流もゆつくり小さくなり、最終的に０とな
る。
このようにして、抵抗Ｒ、コンデンサｃ及び２
つのトランジスタＴ１，Ｔ２から成るスロースタ
ート回路４がAPC回路１に接続され、半導体レ
ーザ２の保護が図られている。
つのトランジスタＴ１，Ｔ２から成るスロースタ
ート回路４がAPC回路１に接続され、半導体レ
ーザ２の保護が図られている。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
然るに、斯るスロースタート回路４を備えた駆
動回路において、第５図に示すように、Ｔ１のタ
イミングでスイツチSWをOFFした後、上記時定
数toが経過する前のＴ２のタイミングで再びスイ
ツチSWがONされた場合、接続点ａの電位が０
になつておらず、従つて、接続点ａの大きな電位
が急に印加されることになり、半導体レーザ２に
サージ電流が流れてしまう。
動回路において、第５図に示すように、Ｔ１のタ
イミングでスイツチSWをOFFした後、上記時定
数toが経過する前のＴ２のタイミングで再びスイ
ツチSWがONされた場合、接続点ａの電位が０
になつておらず、従つて、接続点ａの大きな電位
が急に印加されることになり、半導体レーザ２に
サージ電流が流れてしまう。
そこで本考案の目的は、半導体レーザのサージ
破壊を確実に防止することにある。
破壊を確実に防止することにある。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は光学的記録媒体に情報を記録再生する
半導体レーザ駆動回路で、サージ電圧によるレー
ザの保護の為、PC時定数回路から構成されるス
ロースタート回路を備えたものにおいて、そのス
ロースタート回路への電源をオン／オフするスイ
ツチと、そのスイツチがオフした時所定時間上記
スイツチのオンを禁止する回路とを具備したこと
を特徴とする。
半導体レーザ駆動回路で、サージ電圧によるレー
ザの保護の為、PC時定数回路から構成されるス
ロースタート回路を備えたものにおいて、そのス
ロースタート回路への電源をオン／オフするスイ
ツチと、そのスイツチがオフした時所定時間上記
スイツチのオンを禁止する回路とを具備したこと
を特徴とする。
(ホ) 作用
本考案では、半導体レーザへの電源投入スイツ
チがOFFした後は、一定時間上記スイツチがON
となることを禁止する。これにより光デイスク記
録再生時に発生する半導体レーザへのサージ電流
を防止している。
チがOFFした後は、一定時間上記スイツチがON
となることを禁止する。これにより光デイスク記
録再生時に発生する半導体レーザへのサージ電流
を防止している。
(ヘ) 実施例
第１図は本考案の一実施例の駆動回路を示して
いる。なお、APC回路１及びスロースタート回
路４の構成は、第３図に示す構成と全く同じであ
る。
いる。なお、APC回路１及びスロースタート回
路４の構成は、第３図に示す構成と全く同じであ
る。
電源のON／OFFを制御する信号Ａはアンドゲ
ート５に与えられると共にマルチバイブレータ６
に印加されている。このマルチバイブレータ６は
制御信号Ａの立下りに応答して所定時間Ｔのパル
ス信号Ｂを出力する。この時間Ｔはスロースター
ト回路４の時定数（to＝2πRC）と同一もしくは
若干長い時間に設定されている。パルス信号Ｂは
インバータ７を介してアンドゲート５に与えら
れ、そしてアンドゲート５の論理積信号がON／
OFF信号ｃとしてスイツチSWに印加され、スイ
ツチSWのON／OFFが制御される。
ート５に与えられると共にマルチバイブレータ６
に印加されている。このマルチバイブレータ６は
制御信号Ａの立下りに応答して所定時間Ｔのパル
ス信号Ｂを出力する。この時間Ｔはスロースター
ト回路４の時定数（to＝2πRC）と同一もしくは
若干長い時間に設定されている。パルス信号Ｂは
インバータ７を介してアンドゲート５に与えら
れ、そしてアンドゲート５の論理積信号がON／
OFF信号ｃとしてスイツチSWに印加され、スイ
ツチSWのON／OFFが制御される。
第２図は上記各信号のタイミング図である。
ハイレベルの制御信号Ａがアンドゲート５に与
えられると、直ちにこの信号Ａはアンドゲート５
と通りON／OFF信号ＣとしてスイツチSWに与
えられる。これによりスイツチSWがONし、ス
ロースタート回路４の動作が上述の如く開始す
る。
えられると、直ちにこの信号Ａはアンドゲート５
と通りON／OFF信号ＣとしてスイツチSWに与
えられる。これによりスイツチSWがONし、ス
ロースタート回路４の動作が上述の如く開始す
る。
ところで、制御信号Ａが立下がるとマルチバイ
ブレータ６は所定時間Ｔのパルス信号Ｂを出力す
る。これによりアンドゲート５が閉じ、制御信号
Ａがアンドゲート５を通加できない。従つて、制
御信号Ａが立下がつてから、所定時間Ｔが経過す
るまで、ON／OFF信号Ｃは発生せず、スイツチ
SWがONすることはない。従つて、この間スロ
ースタート回路４内の接続点ａ（第３図参照）の
電位は０になつており、半導体レーザ２にサージ
電流が流れることはない。
ブレータ６は所定時間Ｔのパルス信号Ｂを出力す
る。これによりアンドゲート５が閉じ、制御信号
Ａがアンドゲート５を通加できない。従つて、制
御信号Ａが立下がつてから、所定時間Ｔが経過す
るまで、ON／OFF信号Ｃは発生せず、スイツチ
SWがONすることはない。従つて、この間スロ
ースタート回路４内の接続点ａ（第３図参照）の
電位は０になつており、半導体レーザ２にサージ
電流が流れることはない。
(ト) 考案の効果
本考案によれば、半導体レーザの駆動回路への
電源がOFFした後一定時間電源のONを禁止した
ので、半導体レーザにサージ電流が流れることを
確実に防止することができ、光デイスク記録再生
時に半導体レーザがサージ破壊されることはな
い。
電源がOFFした後一定時間電源のONを禁止した
ので、半導体レーザにサージ電流が流れることを
確実に防止することができ、光デイスク記録再生
時に半導体レーザがサージ破壊されることはな
い。
第１図は本考案の一実施例を示す回路図、第２
図はその動作を説明するためのタイミング図、第
３図は従来例を示す回路図、第４図及び第５図は
その動作を説明するための波形図である。 ２……半導体レーザ、４……スロースタート回
路、５……アンドゲート、６……マルチバイブレ
ータ、SW……スイツチ。
図はその動作を説明するためのタイミング図、第
３図は従来例を示す回路図、第４図及び第５図は
その動作を説明するための波形図である。 ２……半導体レーザ、４……スロースタート回
路、５……アンドゲート、６……マルチバイブレ
ータ、SW……スイツチ。
Claims (1)
- 光学的記録媒体に情報を記録再生する半導体レ
ーザ駆動回路で、サージ電圧によるレーザの保護
の為、RC時定数回路から構成されるスロースタ
ート回路を備えたものにおいて、そのスロースタ
ート回路への電源をオン／オフするスイツチと、
そのスイツチがオフした時所定時間上記スイツチ
のオンを禁止する回路とを具備したことを特徴と
する半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986194745U JPH0514536Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986194745U JPH0514536Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398672U JPS6398672U (ja) | 1988-06-25 |
| JPH0514536Y2 true JPH0514536Y2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=31152000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986194745U Expired - Lifetime JPH0514536Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514536Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626732Y2 (ja) * | 1981-05-19 | 1987-02-17 | ||
| JPS6144487A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP1986194745U patent/JPH0514536Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6398672U (ja) | 1988-06-25 |
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