JPH05146628A - ガス処理装置 - Google Patents
ガス処理装置Info
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- JPH05146628A JPH05146628A JP3337645A JP33764591A JPH05146628A JP H05146628 A JPH05146628 A JP H05146628A JP 3337645 A JP3337645 A JP 3337645A JP 33764591 A JP33764591 A JP 33764591A JP H05146628 A JPH05146628 A JP H05146628A
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- gas
- casing
- nozzle
- gas treatment
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- Pending
Links
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
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- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】構造が簡単で小型化が図れ、生成された副生物
の排出も容易なガス処理装置を提供すること。 【構成】吸気口１１と排気口１２を有するケーシング１
０と、前記ケーシング１０内に挿入されるノズル４を有
し、コンプレッサー５によって圧縮されたガスを該ノズ
ル４を通して超音速でケーシング１０の排気口１２に向
かって噴出し、前記ノズル４近傍を低圧にして前記ケー
シング１０の吸気口１１より処理ガスを吸入し排気口１
２より排出する構成のイジェクターポンプ１を具備す
る。前記イジェクターポンプ１の吸気口１１近傍の低圧
となる部分に対向する放電電極８，８を配置し、該放電
電極８，８に高電圧を印加し、該放電電極８，８間に放
電プラズマを発生させる。
の排出も容易なガス処理装置を提供すること。 【構成】吸気口１１と排気口１２を有するケーシング１
０と、前記ケーシング１０内に挿入されるノズル４を有
し、コンプレッサー５によって圧縮されたガスを該ノズ
ル４を通して超音速でケーシング１０の排気口１２に向
かって噴出し、前記ノズル４近傍を低圧にして前記ケー
シング１０の吸気口１１より処理ガスを吸入し排気口１
２より排出する構成のイジェクターポンプ１を具備す
る。前記イジェクターポンプ１の吸気口１１近傍の低圧
となる部分に対向する放電電極８，８を配置し、該放電
電極８，８に高電圧を印加し、該放電電極８，８間に放
電プラズマを発生させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放電プラズマを発生さ
せて処理ガスをプラズマ反応処理するガス処理装置に関
するものである。
せて処理ガスをプラズマ反応処理するガス処理装置に関
するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、この種の放電プラズマを発生させて
ガスを処理するガス処理装置は、放電プラズマを発生さ
せる放電空間を別個の真空ポンプを用いて低圧とし、対
向して配置された放電電極に高電圧を印加して該放電電
極間で放電させ、放電プラズマを発生させていた。
ガスを処理するガス処理装置は、放電プラズマを発生さ
せる放電空間を別個の真空ポンプを用いて低圧とし、対
向して配置された放電電極に高電圧を印加して該放電電
極間で放電させ、放電プラズマを発生させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のガス処理装置においては、放電空間を低圧にするため
の別個の真空ポンプを必要とし、処理ガスが流れている
場合は、大きな空間を必要とするため装置が大型化する
という問題点があった。
のガス処理装置においては、放電空間を低圧にするため
の別個の真空ポンプを必要とし、処理ガスが流れている
場合は、大きな空間を必要とするため装置が大型化する
という問題点があった。
【０００４】また処理ガスがプラズマ反応処理された場
合に生成される副生物を効率良くプラズマ反応空間（例
えばケーシング内）から外部に効率良く排出するには、
特別の対策をとる必要があった。
合に生成される副生物を効率良くプラズマ反応空間（例
えばケーシング内）から外部に効率良く排出するには、
特別の対策をとる必要があった。
【０００５】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、構造が簡単で小型化が図れ、生成された副生物が
容易に且つ効率良く外部に排出できるガス処理装置を提
供するものである。
あり、構造が簡単で小型化が図れ、生成された副生物が
容易に且つ効率良く外部に排出できるガス処理装置を提
供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、吸気口１１と排気口１２を有するケーシン
グ１０と、前記ケーシング１０内に挿入されるノズル４
を有し、コンプレッサー５によって圧縮されたガスを該
ノズル４を通して超音速でケーシング１０の排気口１２
に向かって噴出し、前記ノズル４近傍を低圧にして前記
ケーシング１０の吸気口１１より処理ガスを吸入し排気
口１２より排出する構成のイジェクターポンプ１を具備
し、前記イジェクターポンプ１の吸気口１１近傍の低圧
となる部分に対向する放電電極８，８を配置し、該放電
電極８，８間に高電圧を印加して放電プラズマを発生さ
せるようにしてガス処理装置を構成した。
め本発明は、吸気口１１と排気口１２を有するケーシン
グ１０と、前記ケーシング１０内に挿入されるノズル４
を有し、コンプレッサー５によって圧縮されたガスを該
ノズル４を通して超音速でケーシング１０の排気口１２
に向かって噴出し、前記ノズル４近傍を低圧にして前記
ケーシング１０の吸気口１１より処理ガスを吸入し排気
口１２より排出する構成のイジェクターポンプ１を具備
し、前記イジェクターポンプ１の吸気口１１近傍の低圧
となる部分に対向する放電電極８，８を配置し、該放電
電極８，８間に高電圧を印加して放電プラズマを発生さ
せるようにしてガス処理装置を構成した。
【０００７】
【作用】ガス処理装置を上記の如く構成することによ
り、コンプレッサー５で圧縮されたガスはノズル４から
超音速で噴出されるから、ケーシング１０内のノズル４
の近傍の空間は低圧状態となる。この低圧状態の空間に
向かって周囲のガスが流れ込むから、吸気口１１から処
理ガスが吸入され、対向する放電電極８，８間の空間も
低圧状態となり、放電電極８，８間の放電電圧は低下す
る。従って、放電電極８，８間に高電圧を印加すると、
放電電極８，８間で放電し、放電プラズマが発生する。
この放電プラズマの発生により、後述するように処理ガ
ス中のある成分は活性化され、該活性化された成分とＮ
ＯX等の有害成分が反応する。この反応物にＮＨ4等を添
加することにより、硝安等の副生物が生成され、ＮＯX
等の有害成分が無害成分となる。この無害成分はノズル
４から噴出されるガスとともに排気口１２から排出され
る。
り、コンプレッサー５で圧縮されたガスはノズル４から
超音速で噴出されるから、ケーシング１０内のノズル４
の近傍の空間は低圧状態となる。この低圧状態の空間に
向かって周囲のガスが流れ込むから、吸気口１１から処
理ガスが吸入され、対向する放電電極８，８間の空間も
低圧状態となり、放電電極８，８間の放電電圧は低下す
る。従って、放電電極８，８間に高電圧を印加すると、
放電電極８，８間で放電し、放電プラズマが発生する。
この放電プラズマの発生により、後述するように処理ガ
ス中のある成分は活性化され、該活性化された成分とＮ
ＯX等の有害成分が反応する。この反応物にＮＨ4等を添
加することにより、硝安等の副生物が生成され、ＮＯX
等の有害成分が無害成分となる。この無害成分はノズル
４から噴出されるガスとともに排気口１２から排出され
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の１実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。図１は本実施例にかかるガス処理装置の
全体構成を示す概略図である。同図に示すようにこのガ
ス処理装置は、吸気口１１と排気口１２を有するケーシ
ング１０内に、コンプレッサ５に接続されたノズル４を
突入して構成されたイジェクターポンプ１を具備し、該
イジェクターポンプ１の吸気口１１近傍に放電電極８，
８を取り付けて構成されている。なおこの吸気口１１に
は処理したいガスが通る配管を接続するが、この実施例
においては自動車エンジンの排気管を接続し、該エンジ
ンから排出される排気ガス中の窒素酸化物を処理するも
のとする。次にこのガス処理装置の動作を説明する。
細に説明する。図１は本実施例にかかるガス処理装置の
全体構成を示す概略図である。同図に示すようにこのガ
ス処理装置は、吸気口１１と排気口１２を有するケーシ
ング１０内に、コンプレッサ５に接続されたノズル４を
突入して構成されたイジェクターポンプ１を具備し、該
イジェクターポンプ１の吸気口１１近傍に放電電極８，
８を取り付けて構成されている。なおこの吸気口１１に
は処理したいガスが通る配管を接続するが、この実施例
においては自動車エンジンの排気管を接続し、該エンジ
ンから排出される排気ガス中の窒素酸化物を処理するも
のとする。次にこのガス処理装置の動作を説明する。
【０００９】まずコンプレッサ５を駆動してその吸入口
６からガス（例えば空気）を吸い込みこれを圧縮し、こ
の圧縮ガスをノズル４から超音速で吹き出す。この噴出
ガスが排気口１２に向かって排出されると、ノズル４周
辺の空間は低圧状態とされる。そしてこの低圧状態の空
間に吸気口１１から排気ガスが吸い込まれ、放電電極
８，８間の圧力も低下する。この圧力低下により放電電
極８，８間の放電開始電圧が下がる。そして放電電極
８，８間に高電圧（ここでは５０Ｈｚ程度の交流電圧を
用いる）を印加すれば、両放電電極８，８間にスパーク
による放電が生じる。
６からガス（例えば空気）を吸い込みこれを圧縮し、こ
の圧縮ガスをノズル４から超音速で吹き出す。この噴出
ガスが排気口１２に向かって排出されると、ノズル４周
辺の空間は低圧状態とされる。そしてこの低圧状態の空
間に吸気口１１から排気ガスが吸い込まれ、放電電極
８，８間の圧力も低下する。この圧力低下により放電電
極８，８間の放電開始電圧が下がる。そして放電電極
８，８間に高電圧（ここでは５０Ｈｚ程度の交流電圧を
用いる）を印加すれば、両放電電極８，８間にスパーク
による放電が生じる。
【００１０】ここで図２は各種ガスの〔電圧×放電電極
間距離〕と〔火花放電を生ずる電圧（直流）〕の関係を
示す図である。同図からわかるように例えば空気におい
ては、放電電極８，８間の離間距離を１０mmとした場合
で気圧が約０．６［Toor］のときは、約３４０［Ｖ］の
電圧を印加すれば、放電電極８，８間に火花放電が生じ
ることがわかる。ところでこの図の縦軸は直流電圧を示
しているが、交流での火花放電開始電圧は直流での火花
放電開始電圧よりも低電圧で十分であることは自明であ
る。ただし５０Ｈｚ程度の低周波の交流電圧の場合は、
電子にとっては直流とみなしてもよいので、図２の特性
を示した。
間距離〕と〔火花放電を生ずる電圧（直流）〕の関係を
示す図である。同図からわかるように例えば空気におい
ては、放電電極８，８間の離間距離を１０mmとした場合
で気圧が約０．６［Toor］のときは、約３４０［Ｖ］の
電圧を印加すれば、放電電極８，８間に火花放電が生じ
ることがわかる。ところでこの図の縦軸は直流電圧を示
しているが、交流での火花放電開始電圧は直流での火花
放電開始電圧よりも低電圧で十分であることは自明であ
る。ただし５０Ｈｚ程度の低周波の交流電圧の場合は、
電子にとっては直流とみなしてもよいので、図２の特性
を示した。
【００１１】そして該放電電極８，８間の放電によって
プラズマが発生し、吸気口から吸入されてきた排気ガス
はプラズマ反応され、所定の副生物を生成するか、無害
なガスとなる。以下その具体的反応例を、ＮＨ3を使用
して処理した場合とＮＨ3を使用しないで処理した場合
に分けて説明する。
プラズマが発生し、吸気口から吸入されてきた排気ガス
はプラズマ反応され、所定の副生物を生成するか、無害
なガスとなる。以下その具体的反応例を、ＮＨ3を使用
して処理した場合とＮＨ3を使用しないで処理した場合
に分けて説明する。
【００１２】ＮＨ3を使用して排気ガス中のＮＯをＮ
Ｈ4ＮＯ3（硝安）とする場合 排気ガス中にはＮＯ，Ｎ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏなどのガスが含
まれているが、この排気ガス中のＮ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏガス
は、プラズマ反応によって下式に示すように活性化され
る。
Ｈ4ＮＯ3（硝安）とする場合 排気ガス中にはＮＯ，Ｎ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏなどのガスが含
まれているが、この排気ガス中のＮ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏガス
は、プラズマ反応によって下式に示すように活性化され
る。
【００１３】そしてこれら活性化されたガスは下式のよ
うにＮＯと反応してＨＮＯ3となる。
うにＮＯと反応してＨＮＯ3となる。
【００１４】そしてこのＨＮＯ3をケーシング１０内部
でＮＨ3と反応させれば、下式に示すように副生物とし
てＮＨ4ＮＯ3（硝安）が生成される。
でＮＨ3と反応させれば、下式に示すように副生物とし
てＮＨ4ＮＯ3（硝安）が生成される。
【００１５】ＮＨ3を使用しないで排気ガス中のＮＯ
を処理する場合 排気ガス中のＣＯ，ＨＣ，Ｎ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏガスは、プ
ラズマ反応によって下式に示すように活性化される。
を処理する場合 排気ガス中のＣＯ，ＨＣ，Ｎ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏガスは、プ
ラズマ反応によって下式に示すように活性化される。
【００１６】そしてこれら活性化されたガスは下式のよ
うにＮＯと反応して無害なガスとなる。
うにＮＯと反応して無害なガスとなる。
【００１７】そしてこれら副生物や無害なガスは、排気
口１２から排出される。ここで副生物はケーシング１０
内に滞留し易いが、本発明においては該副生物はノズル
４から噴出される噴出ガスによって勢い良く排気口１２
に導かれて外部に放出されるため、その放出が確実とな
り、ケーシング１０内部には滞留しにくくなる。
口１２から排出される。ここで副生物はケーシング１０
内に滞留し易いが、本発明においては該副生物はノズル
４から噴出される噴出ガスによって勢い良く排気口１２
に導かれて外部に放出されるため、その放出が確実とな
り、ケーシング１０内部には滞留しにくくなる。
【００１８】ところで上記ガス処理装置を自動車に搭載
する場合は、前記コンプレッサ５は自動車のファンベル
トに接続してこれを駆動し、また前記放電電極８，８の
電源はダイナモから取れば良い。
する場合は、前記コンプレッサ５は自動車のファンベル
トに接続してこれを駆動し、また前記放電電極８，８の
電源はダイナモから取れば良い。
【００１９】なお上記実施例においては、コンプレッサ
５の吸入口６からは空気を吸い込ませたが、その代わり
に排気ガスを吸い込ませても良い。
５の吸入口６からは空気を吸い込ませたが、その代わり
に排気ガスを吸い込ませても良い。
【００２０】また上記実施例はガス処理装置を自動車に
搭載した例を示したが、本発明はこれに限られず、他の
場所に用いても良いことは言うまでもない。
搭載した例を示したが、本発明はこれに限られず、他の
場所に用いても良いことは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かるガス処理装置によれば、以下のような優れた効果を
有する。 ポンプとして小容量のイジェクターポンプを用い、し
かもそのイジェクターポンプの内部のごく小容量の低圧
部分に放電機構を設けたので、放電に必要とする空間，
電気的エネルギーが減少し、装置全体の小型化，軽量
化，低コスト化が図れ、例えばこれを自動車に搭載する
ことが容易となる。
かるガス処理装置によれば、以下のような優れた効果を
有する。 ポンプとして小容量のイジェクターポンプを用い、し
かもそのイジェクターポンプの内部のごく小容量の低圧
部分に放電機構を設けたので、放電に必要とする空間，
電気的エネルギーが減少し、装置全体の小型化，軽量
化，低コスト化が図れ、例えばこれを自動車に搭載する
ことが容易となる。
【００２２】プラズマ処理によって生成された副生物
を特別な装置を設けなくても容易にケーシング内部から
排出できる。
を特別な装置を設けなくても容易にケーシング内部から
排出できる。
【図１】本発明の１実施例にかかるガス処理装置の全体
構成を示す概略図である。
構成を示す概略図である。
【図２】各種ガスの〔電圧×放電電極間距離〕と〔火花
放電を生ずる電圧（直流）〕の関係を示す図である。
放電を生ずる電圧（直流）〕の関係を示す図である。
１ イジェクターポンプ ４ ノズル ５ コンプレッサー ８，８ 放電電極 １０ ケーシング １１ 吸気口 １２ 排気口
Claims (1)
- 【請求項１】吸気口と排気口を有するケーシングと、前
記ケーシング内に挿入されるノズルを有し、コンプレッ
サーによって圧縮されたガスを該ノズルを通して超音速
で該ケーシングの排気口に向かって噴出し、前記ノズル
近傍を低圧にして前記ケーシングの吸気口より処理ガス
を吸入し排気口より排出する構成のイジェクターポンプ
を具備し、 前記イジェクターポンプの吸気口近傍の低圧となる部分
に対向する放電電極を配置し、該放電電極間に高電圧を
印加して放電プラズマを発生させることを特徴とするガ
ス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3337645A JPH05146628A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3337645A JPH05146628A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05146628A true JPH05146628A (ja) | 1993-06-15 |
Family
ID=18310612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3337645A Pending JPH05146628A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05146628A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0641013A3 (en) * | 1993-08-27 | 1995-07-12 | Applied Materials Inc | High density plasma reactor for CVD and etching processes. |
| JP2008530416A (ja) * | 2005-02-07 | 2008-08-07 | エドワーズ リミテッド | エジェクタポンプ |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP3337645A patent/JPH05146628A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0641013A3 (en) * | 1993-08-27 | 1995-07-12 | Applied Materials Inc | High density plasma reactor for CVD and etching processes. |
| US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
| JP2008530416A (ja) * | 2005-02-07 | 2008-08-07 | エドワーズ リミテッド | エジェクタポンプ |
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